电力电子技术西南大学2016年作业

第一批

单选题

题目说明:

（10.0分）1.IGBT属于（）控制型元件

A．A：电流

B．B：电压

C．C：电阻

D．D：频率

（10.0分）2.触发电路中的触发信号应具有（）

A．A：足够大的触发功率

B．B：足够小的触发功率

C．C：尽可能缓的前沿

D．D：尽可能窄的宽度

（10.0分）3.

对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）

A．A：P组阻断，N组整流

B．B：P组阻断，N组逆变

C．C：N组阻断，P组整流

D．D：N组阻断，P组逆变

（10.0分）4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是()

A．A：电容

B．B：电感

C．C：蓄电池

D．D：电动机

（10.0分）5.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（）

A．A：90°

B．B：120°

C．C：150°

D．D：180°

（10.0分）6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()

A．A：全控型器件

B．B：半控型器件

C．C：不控型器件

D．D：触发型器件

（10.0分）7.IGBT是一个复合型的器件，它是（）

A．A：GTR驱动的MOSFET

B．B：MOSFET驱动的GTR

C．C：MOSFET驱动的晶闸管

D．D：MOSFET驱动的GTO

（10.0分）8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为（）。

A．A：控制角

B．B：延迟角

C．C：滞后角

D．D：重叠角

（10.0分）9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()

A．A：有源逆变器

B．B：A/D变换器

C．C：D/A变换器

D．D：无源逆变器

（10.0分）10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）

A．A：减小至维持电流以下

B．B：减小至擎住电流以下

C．C：减小至门极触发电流以下

D．D：减小至5A以下

（10.0分）11.降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U o=12V，斩波周期T=4ms，则开通时T on=（）

A．A：1ms

B．B：2ms

C．C：3ms

D．D：4ms

（10.0分）12.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）

A．A：交流相电压的过零点

B．B：本相相电压与相邻相电压正半周的交点处

C．C：比三相不可控整流电路的自然换相点超前30º

D．D：比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º

（10.0分）13.单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电流I T＝()

A．A：1I

B．B：0.5I

C．C：(１/1.747)*I

D．D：1.747*I

主观填空题

题目说明:

（10.0分）14.过电压产生的原因()、()，可采取()、()和（）保护。

答：过电压分为外因过电压和内因过电压两类，过压的保护器件有：稳压二级管;压敏二级管;双向触发二级管;

（10.0分）15.设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即（），其承受的最大正向电压（）。

答：设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即（），其承受的最大正向电压

（）。

（10.0分）16.晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有（）与（）。

答：晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有（螺栓型）与（平板型）。

（10.0分）17.

在下图中，（）和（）构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；（）和（）构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于（）象限。

答：在下图中，（V1）和（VD1）构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；（V2）和（VD2）构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于（第2）象限。

（10.0分）18.在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

答:在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（大于300）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

（10.0分）19.逆变电路的负载如果接到电源，则称为（）逆变，如果接到负载，则称为（）逆变。

答：逆变电路的负载如果接到电源，则称为（有源）逆变，如果接到负载，则称为（无源）逆变。

（10.0分）20.

晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO

答：晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为UDSM ＜UBO

（10.0分）21.

请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；

功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

答：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体 MOSFET ；

绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。（10.0分）22.

当晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当的（）电压，使晶闸管导通的过程，称为触发。

答：当晶闸管加上正向阳极电压后，门极加上适当的（正向）电压，使晶闸管导通的过程，称为触发。

（10.0分）23.电子技术包括（）和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

答：电子技术包括（信息电子技术）和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

（10.0分）24.

在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

答：在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角（大于３００）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

（10.0分）25.

单相交流调压电路阻感负载，设负载阻抗角为φ，则触发角α的移相范围应为（）

答：单相交流调压电路阻感负载，设负载阻抗角为φ，则触发角α的移相范围应为（φ＜а＜1800）

（10.0分）26.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为（），而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为（）。

答：在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为（通态损耗），而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为（开关损耗）。

论述题

题目说明:

（10.0分）27.