(100)、(110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究

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硅各向异性腐蚀技术研究

硅各向异性腐蚀技术研究

硅各向异性腐蚀技术研究李倩;崔鑫;李湘君【摘要】The principle of compensation based on two compensation structures was discussed in this paper,and the graphics of compensation was designed and experimented with KOH etchant. The compensation effect of the convex corner according well with expected.%针对两种补偿结构探讨了硅的凸角腐蚀补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了好的直角凸面补偿效果.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2012(033)006【总页数】3页(P12-13,19)【关键词】氢氧化钾;湿法腐蚀;凸角补偿【作者】李倩;崔鑫;李湘君【作者单位】中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032;中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032;中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032【正文语种】中文【中图分类】TN3051 前言湿法腐蚀是微传感器制造工艺中常用的MEMS后处理工艺,利用Si在KOH、TMAH等碱性溶液中的各向异性腐蚀特性实现传感器的腔、槽、台面等结构。

但是在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处严重出现切削现象因而导致器件性能改变。

2 各向异性湿法腐蚀技术硅的各向异性腐蚀,是指腐蚀液对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率[1],基于这种腐蚀特性,可在硅衬底上加工出各种微结构。

单晶硅片在其不同方向上对某些腐蚀液具有各向异性,常用的有R(100)>R(110)> R(111)[2]。

在制造硅杯或台面等结构时,常选用(100)面。

2.1 单晶硅湿法异向腐蚀原理单晶硅在有机腐蚀剂和无机腐蚀剂中具有非常类似的腐蚀现象,由此可推出OH-离子是此反应的主要参与者。

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究KOH溶液中(11O)硅片腐蚀特性的研究贾翠萍,董玮,徐宝琨,潘(吉林大学电子科学与工程学院集成光电建旋,周敬然,陈维友子国家重点实验室,长春130012)摘要:研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(1l0)面的平整和{ll1}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(1l0)面和{ll1}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(1l0)硅片上设计制作出光开关用微反射镜.在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据.关键词:KOH溶液:(1l0)硅片:凸角;悬挂键中图分类号:TN405.98文献标识码:A文章编号:1003.353X(2005)06.0052.04 StudyontheCharacteristicsofthe(1lo)SiliconEtchedinK0HSolutionJIACui—ping,DONGWei,XUBao—kun,PANJian—xuan,ZHOUJing—ran,CHENWei —youLStateKeyLabonIntegrateOptoelectronics.CollegeofElectronicSciences&Enginee ring,JilinUniversity,Changchgin13O012,China)Abstract:Thecharacteristicsofthe(110)siliconetchedinKOHsolutioniSstudied.Onthe experimentalconditionoftheflatetched(110)planeandthesmooth{111}planes,thehigh—respect—ratiostructurecanbefabricatedduetothehighetchratioofthe(110)planeto{111}planes.Inthi sway,themicromirrorfortheopticalswitchcanbefabricatedinthe(1101silicon.Butwhentheb eamoftheopticalswitchisformed,undercutOccursontheconvex.Anditcanbeexplainedbythe danglingbondsofthesiliconatom,whichisthebasictheoryforthefurtherstudyoftheconvex compensation.Keywords:KOHsolution;(110)silicon;convex;danglingbonds1引言采用KOH溶液进行各向异性腐蚀硅是微机械加工中的一项重要技术,利用它可以形成方形,矩形的硅膜片以及其他复杂的三维结构,在传感器,执行器及微机械制作领域具有非常广泛的应用.有关(100)硅片的各向异性腐蚀技术的研究和应用比较多,而(1l0)硅片在腐蚀时,表现出与(100)硅片不同的特性,能够形成的垂直于衬底的{lll}面,可以提供大面积,高质量的光学表面,在光基金项目:国家重点计划863项目(2002AA312023)52半导体技术第30卷第6期学领域具有广泛的应用.在KOH溶液中,腐蚀(1l0)面与{lll}面的选择比很高,可以形成高深宽比微结构.利用可以实现高深宽比结构的方式在(1l0)硅片上制作的微反射镜【1】已应用于分束器,硅标准器,法布里.珀罗干涉仪和迈克尔逊干涉仪等.本文主要研究了在KOH溶液中(1l0)硅片的腐蚀特性,即KOH溶液的浓度和温度对腐蚀的(1l0)衬底表面和垂直于衬底的{lll}侧面平整度和光滑性的影响.利用在KOH溶液中(1l0)面和{lll}面腐蚀选择比大的特点,可以在(1l0)硅片上设计制作光开关用微反射镜.但在腐蚀过程2005年6月2tr.#-g丝术■log)中,光开关悬臂凸角处产生了削角,本文从表面硅原子悬挂键}2_,】的分布特征对削角产生的原因进行了解释.2实验研究在(110)硅片上有4个与硅片水平(110)面垂直的{111}面,它们分别是(1.I1),(一11—1),(_l11)和(1_I_I),如图1所示.这四个晶面两两平行,彼此间的夹角为70.53..实验中首先用扇形定位结构[4】在(110)硅片上精确确定{111}晶面的方位.在光刻对版时,图形方位与晶体内部{1l1}面的方位稍有偏离,腐蚀出的{111}侧面就会出现侧棱现象.因此为得到光滑平整的{111}面,必须采用定位结构来确定{111}晶面方位.腐蚀后得到侧面为垂直于(110)面的U形槽结构,如图2所示.u型槽的侧面是{111}面,底面为(110)面.图l(1l0)硅片上{ll1}面的分布情况{lll}面图2KOH溶液腐蚀后的(1l0)面和{lll}面采用KOH溶液腐蚀在(110)硅片上制作微结构,不仅要有垂直光滑的{1111侧面,也需要有平整的(110)底面.因此进行器件结构制作前要对它们在KOH溶液中腐蚀呈现表面平整光滑的条件有所了解.图3为温度为70℃不同浓度KOH溶液利用磁力搅拌器腐蚀的(110)面情况.由图中可以明显看到KOH溶液浓度低于40%时,腐蚀得到一簟■一■图370℃不同浓度KOH溶液腐蚀(1】0)面的SEM图的(110)表面有许多的棱状结构,整个表面起伏不平;而溶液浓度大于40%时,(110)面的表面出现丘状突兀,同样表面也是凸凹不平;只有溶液浓度在40%的情况下腐蚀得到的(110)面平整性比较好.因此,实验选用浓度为40%的KOH腐蚀溶液.除了KOH溶液浓度对腐蚀的(110)面有影响外,腐蚀液的温度也是必不可少的考虑因素.图4为不同温度下40%KOH溶液腐蚀的(110)面.由图可以直接观察到腐蚀的(110)面随KOH溶液温度的升高光滑度有所增加.一一■_-图4不同温度40%K0H溶液腐蚀(1】0)面的SEM图实验还发现,{111}面的光滑程度随KOH溶液浓度和温度的变化基本保持不变.70℃下40%的KOH溶液腐蚀的{111}面,用原子力显微镜测量其粗糙度仅为10nm,是较好的光学表面.(110)面和{111}面在KOH溶液中腐蚀速率有很大的差别,图5为(110)面与{111}面的选择比随70~C下KOH溶液浓度的变化情况.K0H溶液浓度在30%~50%,(110)面与{111}面的选择比都在130以上,利用这个特性可以设计制作高深宽比微结SemiconductorTechnologyV o1.30No.653=一:~^=丑辙蚓K0H浓度/wt%图5(1l0)面与{lll}面的选择比随70℃下KOH溶液浓度的变化构.我们在(110)硅片上已制作出了应用于光开关的微反射镜.图6为微反射镜的扫描电镜图,该反射镜的垂直性优于在(100)硅片上制作的微反射镜.图6(1l0)硅片上制作的微反射镜SEM图在(110)硅片上制作光开关,用KOH溶液腐蚀制作悬臂时,悬臂凸角处产生了削角现象,如图7所示,A+,B+定义为凸角,由图可以看出A+,B+两凸角处出现了很明显的削角.产生凸角现象的原因可以通过分析凸角处的表面硅原子悬挂键的分布特征来解释.图8是凸角处表面硅原子的悬挂键情况,由图可以看出对应于A+凸角顶端处的硅原子AA'连线上每个硅原子有两个悬挂键,而相邻的处于{111}面上的每个硅原子只有一个悬挂键.由于两处表面硅原子悬挂键的密度不同,即凸角A+处表面硅原子的悬挂键密度比相邻的处于{111}面上的表面硅原子悬挂键密度大, 致使在化学反应中两处的稳定性有差别,凸角处的54半导体技术第30卷第6期图7KOH溶液腐蚀后的光开关悬臂A图8凸角腐蚀速率较{111)面的大,由此产生了凸角削角.再看B+凸角处BB'连线附近的硅原子悬挂键情况, 和{111}表面硅原子一样,每个硅原子也只有一个悬挂键.但是凸角处表面硅原子的排列密度比{111}面的要大,换句话也可以说是凸角处表面硅原子的悬挂键密度较{111}面硅原子的大.同样由于悬挂键密度的差异使得凸角处和相邻{111}面的腐蚀速率不一致,凸角处的腐蚀速率比{111}面的大,在该处也产生了削角现象.为进一步完善器件的结构,需要进行合理的凸角补偿设计,这部分工作有待于进一步的研究.3结论用KOH溶液腐蚀(110)硅片,腐蚀出垂直于衬底表面的{111}面可以提供大面积,高质量的光学表面,并已被应用到很多的光学元件中.实验研究了KOH溶液浓度和温度对腐蚀的(110)面和{111}面平整度和光滑性的影响,70℃,40%的KOH溶液腐蚀的(110)面比较平整,并且40%KOH溶液腐蚀的(110)面随溶液温度的升高,光滑度有所增加,而腐蚀出的{111}面的平整2005年6月支撑丝木■ii面ogY性基本不随KOH溶液温度和浓度改变.在70℃下KOH溶液浓度为40%的条件下腐蚀出的{111}面,用原子力显微镜测得其表面粗糙度仅为10nm,是较好的光学表面.并且在70℃时KOH溶液浓度在35%~50%范围内测得(110)面和{111{面的选择比都在130以上,可以利用这种特性和相应的工艺条件设计制作高深宽比微结构.我们在(110)硅片上已设计制作出光开关用微反射镜,垂直性优于在(1O0)硅片上制作的反射镜.但在用KOH溶液腐蚀制作光开关悬臂时,悬臂凸角处产生了削角现象,本文从硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因做了解释,为以后完善器件结构,进行补偿图形的设计提供了较好的理论依据.参考文献:【11UENISHIY,TSUGAIM,MEHREGANYMl Microoptomechanicaldevicefabricatedbyanisotro—picetchingof(100)silicon[J].JMicromechMicroeng, 1995,5:305—312.【2】PALIKED,eta1.Ellipasometricstudyoforientation—dependentetchingofsiliconinaqueousKOH【J】.J Electrochem.Soc,1985,132(4):871.【31PALIKED,eta1.Studyoftheetch—stopmechanism insilicon[J].JElectrochemSoc,l982,l29(9):2051.【4】CIARLODR.Alatchingaccelerometerfabricatedby theanisotropiCetchingOf(110)Orientedsilic0nwafers[J】.JMicromechMicroeng,l992,2:12一l3.(收稿日期:2004l201)作者简介:贾翠萍(1979.),女,山东人,博士研究生,主要研究方向为MOEMS光通信器件;陈维友(1965一),男,博士生导师,主要从事OEDCAD和光电通信器件的研究.(上接第51页)时,R.川.等于O.026(K/W),即使其厚度为100uin,R.All.h也只等于0.131(K/W);当选用热沉粘接胶Ablefilm5020K,:O.7W/m?K,同时其厚度等于20laIll时,.h等于1.457(K/W),当其厚度为1001.tin时,.A¨.h等于7.286(K/W);当我们选用导电型芯片粘接胶Ablebond84—1LMISR4,=2.5W/m?K,同时其厚度等于20l-t1"13时,R.All.h等于0.408(K/W),当其厚度为100lain时,.Alt.h等于2.041(K/W).因此,选用不同的粘接材料对其热阻存在很大的影响,同时,在印刷或涂敷芯片粘接材料时,如何降低材料厚度也十分重要.4结语LED芯片结温最高允许125℃,如果其最差工作环境温度为65℃,则对一个1W的大功率LED来说,考虑到从大功率器件外部热沉的热阻一般为4O(K/W),器件pn结至器件的热阻应小于20(K/W).而对一个5w的大功率LED来说,如果其最差工作环境温度为65℃,则从pn结至环境的热阻要小于12w才能保证芯片结温不超过125℃,而如果选用Ablefilm5020K热沉粘接胶,=O.7w/Ill?K同时其厚度为100laIll,仅芯片粘贴材料的热阻..h就等于7.286(K/W).因此,在Flipchip大功率LED器件的封装中,选用合适的芯片衬底粘贴材料并在批量生产工艺中保证粘贴厚度尽量小,对保证器件的可靠性和出光特性是十分重要的.参考文献:【l】DANIELAS,JEROMECB,DAVEC,eta1.Illumination withsolidstatelightingtechnology[J】.IEEEJonSe- lectedTopicsinQuantumElectronics,2002,8(2):310—320.【2】ApplicationBriefAB23,ThermaldesignconsiderationsforLuxeon5wattpowerlightsources【EB/0L】.http://WWW.1um订.2002—0l—O8.【3】ThermalmanagementofgoldendragonLED[EB/OL].http://www.osram?.2002—0l—l1.(收稿日期:2004ll05)作者简介:余彬海(1965.),男,湖北鄂州人,博士后,电子高级工程师,l997年4月毕业于华中理工大学机电一体化专业,获工学博士学位,现在佛山市国星光电科技有限公司任副总经理,总工程师,主要从事半导体发光器件和半导体照明产品开发工作,专业是半导体发光器件和半导体照明技术研究,主要研究方向为新型大功率发光器件,器件可靠性.SemiconductorTechnologyV o1.30No.655。

Si基片各向异性腐蚀特性研究

Si基片各向异性腐蚀特性研究

收稿日期:2003203206.作者简介:姜胜林(19672),男,教授;武汉,华中科技大学电子科学与技术系(430074).基金项目:国家自然科学基金重大研究计划项目(90201028);国家高技术研究发展计划资助项目(2002AA325080).Si 基片各向异性腐蚀特性研究姜胜林 曾亦可 刘少波 刘梅冬(华中科技大学电子科学与技术系)摘要:为了制备高性能铁电薄膜红外探测器,对Si 微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究.利用Si 基片各向异性腐蚀特性,在四甲基氢氧化铵(简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾(KOH )作为各向异性腐蚀液(简称KTMAH ),研究了TMAH 与KOH 摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si 基片腐蚀特性的影响.结果表明:Si (100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,随着TMAH 与KOH 摩尔比的降低,KTMAH 腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧.选用5g/L 的过硫酸盐(PDS )与TMAH 质量分数为25%、TMAH 与KOH 摩尔比为2的KTMAH 混合液作为腐蚀液,并在80℃×2.5h 的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构.关 键 词:Si 基片各向异性;腐蚀特性;KTMAH 腐蚀液中图分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号:167124512(2003)1020022204 红外探测器焦平面阵列(U FPA )是红外热成像系统的关键部分,其性能与薄膜材料及其制备工艺密切相关.在材料系列确定的条件下,焦平面阵列制备工艺对红外探测器焦平面阵列性能的影响至关重要.在铁电薄膜单元热释电红外探测器的制备工艺中,利用腐蚀加工技术制备微桥的过程尤为关键,它直接影响到器件的灵敏度.常用的腐蚀法有湿化学腐蚀、电化学腐蚀和激光腐蚀等,其中湿化学腐蚀法加工范围广泛,最为简便实用、经济.U FPA 系统的灵敏元横向尺寸一般为mm 级或亚mm 级,利用Si 基片各向异性腐蚀特性,通过改进传统腐蚀工艺,湿化学腐蚀法可以应用于U FPA 系统的微细图形刻蚀.1 腐蚀实验单晶Si 的各向异性是采用湿化学腐蚀法对其实现精确微细加工的前提条件.此外,单晶Si 的取向、n 型或p 型掺杂浓度、腐蚀剂的组分比例、浓度、温度及搅拌速度都将影响微细图形的形成.以(100)单晶Si 为研究对象,其各向异性腐蚀速度如图1所示[1].由图可清楚看出:以倾斜54.7°的(111)面的腐蚀速度最慢,而以(133)面腐蚀速度最快,因此与(100)面呈35.3°夹角的图1 (100)Si 单晶上的各向异性腐蚀(111)面为腐蚀边界面.利用这种腐蚀特性,可制出轮廓清晰,侧壁十分均匀的V 型槽和悬臂梁.在(100)面上(110)和(110)方向开一个正方型窗口,则可得到四棱锥体腐蚀坑,若适当控制腐蚀时间,则实际得到四棱台腐蚀坑.实验选取厚度为350μm ,电阻率为2.5×108第31卷第10期 华 中 科 技 大 学 学 报(自然科学版) Vol.31 No.102003年 10月 J.Huazhong Univ.of Sci.&Tech.(Nature Science Edition ) Oct. 2003Ω·cm 的n 型(100)取向单晶Si 作为腐蚀样品,以550nm 厚热氧化SiO 2为腐蚀掩膜层,并以总厚度为1.75μm 的L PCVD SiO 2,Si 3N 4和浓硼扩散(>2×1019cm -3)的强p 型热氧化SiO 2作为腐蚀钝化层来终止腐蚀,避免腐蚀液穿透Si 基片.将光刻出腐蚀窗口阵列的3.8cm Si 基片划为若干单窗口小片,将小片的正面用树脂密封,固化后备用.确定KTMAH 为各向异性腐蚀液.采取TMAH 质量分数为25%水溶液直接溶解KOH晶体的方法,先配制出TMAH 与KOH 摩尔比为5,4,3,2和1的5种腐蚀液,然后在腐蚀液中均按5g/L 加入PDS 添加剂.将腐蚀液分别倒入不同的试管,并将正面保护的单窗口小硅片置入腐蚀液中,密封试管口以避免TMAH 成分溢失,试管以水浴加热并以恒温温度计调节电炉控温.腐蚀坑的深度采用光学显微镜聚焦法测量,掩膜层的腐蚀速度通过椭偏仪测量其厚度的改变来确定.2 结果与讨论图2是经过80℃,2.5h 腐蚀后硅片的腐蚀坑底的SEM 照片.由图可知,TMAH 与KOH 摩尔比等于4时的腐蚀坑底被一种圆锥状小丘覆盖,坑面很不平整.单个小丘的锥底直径约为60μm ,斜面皱褶较多,正处于四棱锥体形成的初级阶段.随着KOH 含量的增加,腐蚀面的平整度发生了明显变化.当TMAH 与KOH 摩尔比为3时坑底小丘变为棱角清晰的四棱锥体,锥底边长约为20μm ,斜面平滑.经分析四个斜面分别对应为腐蚀速度最低的(111)、(111)、(111)和(111)晶面.当TMAH 与KOH 摩尔比为1时,腐蚀坑底(110)方向的四棱锥体消失,在(110)方向出现许多底边长约为70μm 、深约为10μm 的四棱台小坑,使腐蚀坑底变得凸凹不平.这显然是碱性较强的腐蚀液对晶体的(100)和(111)面进行了更深度腐蚀的结果.图2 经过80℃×2.5h 腐蚀后硅片的腐蚀坑底的SEM 照片 结果表明,TMAH 质量分数为25%、TMAH与KOH 摩尔比为2时的KTMAH 腐蚀液,在80℃×2.5h 的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面.当改变腐蚀温度时仅发现腐蚀深度的变化,而32第10期 姜胜林等:Si 基片各向异性腐蚀特性研究 未发现各腐蚀面的变化;当保持TMAH与KOH 摩尔比为2、腐蚀温度和时间等条件不变,而稀释腐蚀液的TMAH质量分数为15%时,腐蚀深度变浅,腐蚀面变粗糙,经测试发现TMAH与KOH 摩尔比为4的溶液与稀释后的TMAH与KOH 摩尔比为2的溶液具有相差不大的p H值.分析表明,腐蚀面的粗糙度和深度与腐蚀液的碱性强度直接相关,而腐蚀面的形貌与温度基本无关.表1是TMAH与KOH摩尔比为2时不同TMAH质量分数(5%,10%,…,25%)和腐蚀温度下的Si(100)面的腐蚀速度(v TMAH).由表可见,Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大.在80℃下TMAH与KOH摩尔比为2、TMAH质量分数25%时的KTMAH腐蚀液腐蚀速度约为2.1μm·min-1,是Kazuo Sato等报道的同温同质量分数下单TMAH成份腐蚀液的腐蚀速度的2.3倍[2].后者和TMAH与KOH 摩尔比为2、TMAH质量分数10%时的KTMAH 腐蚀液的腐蚀速度相当.表1 一定条件下Si(100)面的腐蚀速度(μm/min)T/℃w TMAH5%10%15%20%25%600.540.780.99 1.35 1.54 700.680.82 1.24 1.59 1.83 800.790.91 1.43 1.78 2.10 900.95 1.27 1.66 1.92 2.31 有文献报道表明[3],单TMAH腐蚀液的腐蚀速度随着质量分数的升高而降低,其解释为Si 与腐蚀液发生如下反应:Si+2OH-+2H2O→SiO2(OH)2-2+2H2↑生成低溶解度的水合硅酸盐SiO2(OH)2-2.当TMAH质量分数较大即水含量较少时,水合硅酸盐的溶解度下降,更多地沉积于腐蚀坑底及小丘表面,从而影响反应进程并降低反应速度.本实验结果表明KTMAH腐蚀液的腐蚀速度随着质量分数的升高而增加,这与腐蚀液的质量分数升高、碱性增强时腐蚀性也增强的规律相符.分析认为由于KOH成份的引入,腐蚀液与Si的反应更为剧烈,反应中不断生成H2.上升的H2可将沉积的水合硅酸盐托起,避免其覆盖腐蚀坑底及小丘表面,使反应得以正常进行,而腐蚀液也可对坑底小丘进行更为彻底的腐蚀[4].图3是经过80℃×2.5h腐蚀后硅片的掩膜层的SEM照片.图中显示,TMAH质量分数为25%、TMAH与KOH摩尔比等于3时的KTMAH腐蚀液对SiO2掩膜层基本无影响,SiO2层仍能保持热氧化形成时的凸凹不平但较致密的原貌.此时的SiO2掩膜层表面呈现彩色衍射花纹,表明其厚度也未发生大的变化.当腐蚀液的TMAH与KOH摩尔比为2时,掩膜层表面变得较光滑,衍射花纹减少,出现(110)方向的、底面直径约为4μm的圆锥形钻蚀孔,其深度应已穿透图3 一定条件下的SiO2掩膜层的SEM照片550nm的SiO2层.这表明腐蚀液开始腐蚀SiO2层的凸起部分使其平整,但SiO2层的原凹陷部分依然存在,因为纯Si层的腐蚀图形应是四棱锥(或四棱台).当腐蚀液的TMAH与KOH摩尔比为1时,掩膜层表面无衍射花纹,出现底边长约为10μm、深度约为3μm的四棱台,这说明SiO2层已被完全腐蚀,腐蚀液开始腐蚀单晶Si.根据以上分析,图4示出了随着KOH质量分数的增加, KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度.通过椭偏仪测量掩膜层厚度的改变可计算出不同腐蚀液在不同温度下对掩膜层的腐蚀速度,图4 随着w K OH的增加,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度如表2所示.经计算在2.5h内腐蚀完550nm的SiO2掩膜层所需平均腐蚀速度为36.7×10-10 m·min-1.由表可发现,TMAH质量分数为25%、TMAH与KOH摩尔比为2时KTMAH腐蚀液42 华 中 科 技 大 学 学 报(自然科学版) 第31卷表2 不同腐蚀液在不同温度下对掩膜层的腐蚀速度/nm ·min-1T /℃TMAH 与KO H 的摩尔比32160-10.723.370-15.027.480 6.117.837.9909.024.642.5的腐蚀速度小于该值,但存在掩膜层的局部钻蚀现象.考虑到该腐蚀液对Si 牺牲层的良好腐蚀性能及背面掩膜层的少量钻蚀对U FPA 器件性能影响很小,因此本文选用5g/L 的PDS 与TMAH质量分数为25%、TMAH 与KOH 摩尔比为2的KTMAH 的混合液作为腐蚀液,并在80℃×2.5h 的腐蚀条件下制备正式U FPA 器件的微桥.图5是腐蚀得到的U FPA 器件的单个微桥.由图可见,微桥呈四棱台型,基片的上下表面及微桥侧壁均较平整.腐蚀2h 后的微桥深度约为250μm ,厚度约为100μm ;腐蚀2.5h 后的微桥深度为305μm ,厚度约为45μm.微桥(111)面的倾斜角约为35°,与图1分析的(100)Si 单晶的各向异性腐蚀特征符合较好.这表明采用改进的腐蚀装置和腐蚀液后,有效地提高了腐蚀效率和微桥质量.图5 腐蚀得到的U FPA 器件的单个微桥形貌参考文献[1]Tabata O ,Asahi R ,Funabashi H ,et al.Anisotro picetching of silicon in TMAH solutions.Sensors and Ac 2tuators A ,1992,34:51~57[2]K azuo Sato ,Mitsuhiro Shikida ,Takashi Y amashiro ,etal.Anisotropic etching rates of single 2crystal silicon for TMAH water solution as a function of crystallographicorientation.Sensors and Actuators A ,1999,73:131~137[3]Baude P F ,Y e C ,Tamagawa T ,et al.Fabrication ofsol 2gel derived ferroelectric Pb 0.865La 0.09Zr 0.65Ti 0.35O 3optical waveguides.J.Appl.Phys.,1993,73(11):7960~7962[4]刘少波.BST 铁电薄膜的制备及其非致冷红外焦平面阵列的研究:[博士学位论文].武汉:华中科技大学电子科学与技术系,2002.The anisotropy of etching solution properties of Si substratesJiang S hengli n Zeng Yike L i u S haobo L i u Mei dongAbstract :The Si micro 2bridge was fabricated by wet chemical etching technique in order to get good in 2frared thermal imaging system with ferroelectric thin films.The effect on the anisotropy of etching solution was studied by changing the mol ration of TMAH/KOH in the etching solution ,temperature and time.The results indicated that the etching solution velocity of Si (100)increased with the increasing of the etch 2ing solution concentration and temperature ,and the etching solution degree was speeded up with the de 2creasing of the mol ratio of TMAH/KOH for different system.G ood micro 2bridge can be obtained in the system when PDS is 5g/L ,the quality percentage of TMAH is 25%,the mol ratio of TMAH/KOH is 2,and the technique is 80℃×2.5h.K ey w ords :anisotropy of Si substrates ;etching solution properties ;KTMAH etching solutionJiang Shenglin Prof.;Dept.of Electronic Science &Tech.,Huazhong Univ.of Sci.&Tech.,Wuhan430074,China.52第10期 姜胜林等:Si 基片各向异性腐蚀特性研究 。

各向异性腐蚀

各向异性腐蚀
图4.29两种微复制方法的工作原理
4.3.5 LIGA技术的扩展
4.3.5.1准LIGA技术 用紫外线或激光代替同步辐射X光深层,该技术需高光敏性
的光刻胶厚胶,目前利用该技术能刻出100m厚的微结构,但 侧壁垂直度只有850左右,只能部分代替LIGA技术,适用于对 垂直度和深度要求不高的微结构加工。图4.30给出了用紫外 线光刻获得的厚60m的光刻胶及电铸出的铁镍合金微结构电镜 照片。 4.3.5.2 牺牲层LIGA技术
图4.12平行板反应器的结构原理
(2)离子束腐蚀(Ion Beam Etching,IBE) 离子束腐蚀是一种利用惰性离子进行腐蚀的物理腐 蚀。在离子束腐蚀中,被腐蚀的衬底和产生离子的 等离子区在空间是分离的,如图4.13所示。
图4.13 离子束腐蚀装置结构原理
图4.14 在纯物理离子腐蚀中出现的制造物的原理示意图
40%
1.17
5.28 19.9 64.4 183
50%
0.84
3.77 14.2 45.9 131
硅体在氢氧化钾溶液中,各向异性腐蚀制作各 种各样微机械基本结构
4.1.4 硅刻蚀的干法技术
•干法刻蚀具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强、腐 蚀的选择比大,以及能进行自动化操作等优点。因此 ,干法刻蚀在体微加工中将逐渐占有重要地位。 •干法刻蚀的过程可分为以下几个步骤 : (1)腐蚀性气体粒子的产生; (2)粒子向衬底的传输
4.1.4.2 物理和化学腐蚀过程相结合 化学腐蚀高选择性+物理腐蚀所具有的各向异性
(1)等离子体腐蚀(Plasma Etcing, PE) (2)反应离子腐蚀(Reactive Ion Etching,,RIE) (3)反应离子束腐蚀 4.2 硅体刻蚀自停止技术

单晶硅各向异性湿法刻蚀的研究进展_唐彬

单晶硅各向异性湿法刻蚀的研究进展_唐彬

唐 彬等:单晶硅各向异性湿法刻蚀的研究进展
Key words:micro-electromechanical system (MEMS);single-crystalline silicon;wet etching; anisotropic;surfactant DOI:10.3969/j.issn.1671-4776.2013.05.011 EEACC:2575F;2550
1 常用单晶硅湿法刻蚀
1.1 刻 蚀 机 理 单晶硅具有金刚石晶格结构。每个硅原子有4
个共价键。每个键连接着一对不同的原子。常用方 向 的 米 勒 指 数 分 别 是 <100> , <110> 和 <111> 。 当一个原子位于表面,属于该原子的键就会丢失一 个近邻的原子,这被认为是悬空键。这些悬空键非 常容易与刻蚀液发生反应。尽管在大多数情况下, 这些悬空键不会保持悬空,也就是说,在高真空下 这些表面的键互相结合进行重构,或者在水中这些 键的终端是氢原子,但是这些表面的键仍然是表面 反应的来源,如刻蚀。
收 稿 日 期 :2013-01-31 基金项目:中国工程物理研究院超精密加工重点实验室课题资助项目 (2012CJMZZ00003) E-mail:john46311@hotmail.com
2013年5月 微纳电子技术第50卷第5期 327
如果对比 <100>, <110> 和 <111> 三 个 方 向表面悬空键的 数 量, 很 明 显 (111) 表 面 有 最 少 的悬空键。 (111) 面 每 个 表 面 原 子 只 有 一 个 悬 空 键,但是 (100) 面 有 两 个 悬 空 键, (110) 面 有 一 个悬空键和两个 表 面 键。 这 就 是 对 (111) 在 刻 蚀 中稳定的传统解释 。 [6] 从定性的角度分析,这 样 的 解释部 分 是 正 确 的。但 是,原 子 从 非 常 光 滑 的 (111) 面离开在现实刻蚀中是很少出现的情况。大 部分情况下,大量原子是从弯曲和阶梯处离开。刻 蚀速率必须基于动态模型量化地计算 。 [7] 这表 明 传 统的静态模型不足以准确描述单晶硅刻蚀速

硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

1) 热氧化生长二氧化硅(SiO2);
2) 低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor
deposition, LPCVD)淀积氮化硅(Si3N4 );
3) 采用凸角补偿掩模板进行光刻,并刻蚀Si3N4和
2019年第38卷第3期
传感器与微系统(Transducer and Microsystem Technologies)
25
DOI:10.13873/J. 1000-9787(2019)03-0025-03
硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法
郭玉刚',吴佐飞2,田雷2 (1.中国航发控制系统研究所,江苏无锡214063 ; 2.中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001)
收稿日期=2018-12-17
26 的2倍",如图2所示。
传感器与微系统
第38卷
传感器芯片应用中,凸台主要用于过载保护以及提供应力 集中区,因此未特别考虑削角比问题。
O
正方形补偿结构具有补偿图形简单、尺寸计算简便等 优点,但补偿图形需占据凸角附近较大的区域,比较适合相 对孤立的凸角补偿。而在凸台加工时,需要同时针对相邻 的4个凸角进行补偿,大大增加了芯片的尺寸。采用正方 形补偿结构进行凸角补偿的实例如图3所示,图中所示为 凸角补偿腐蚀掩模板以及实际补偿加工样件。
o引言 在硅压阻式压力传感器芯片研制过程中,根据敏感膜
是否带有背岛结构将其分为c型膜和E型膜。在常规的 应用条件下,C型膜结构即可满足大部分要求,但当有高过 载、高线性度等特殊要求时,需要在敏感膜上增加背岛形成 E型结构,起到过载保护以及提高线性度的作用。
通常压阻式压力芯片以(100)单晶硅为材料,采用表 面或体硅微机械加工工艺进行加工,而在体硅微机械工艺 中,湿法腐蚀是较早被用于硅基传感器加工的方法,根据腐 蚀液的不同,可分为各向异性腐蚀和各向同性腐蚀。经过 多年的验证与优化,目前仍然广泛采用的是基于氢氧化 钾(KOH),四甲基氢氧化钱(TMAH)等碱性腐蚀液的各向 异性湿法腐蚀3'4:0各向异性腐蚀利用单晶硅(100) 与(111)晶面上原子排列密度不同,因而在特定腐蚀液中 的腐蚀速度不同的特点,在衬底片掩蔽层上开窗口.即可在 衬底硅片上加工出硅杯、质量块、V型槽等结构。在各向异 性腐蚀工艺中.具有凸直角结构的质量块无法通过直角掩 模直接获得,需要考虑削角腐蚀问题。本文针对削角腐蚀 问题进行了凸角补偿试验,为研制具有过载保护结构的压

各向异性刻蚀LIGA工艺牺牲层技术硅的各向同性刻蚀湿法

各向异性刻蚀LIGA工艺牺牲层技术硅的各向同性刻蚀湿法
湿法刻蚀技术 a.各向同性刻蚀 b.各向异性刻蚀
LIGA工艺 牺牲层技术
Micro-System
硅的各向同性刻蚀 (湿法)
湿法刻蚀是微系统中材料去除技术的一种,尤其在体硅去 除上占据重要地位。硅的湿法刻蚀是先将材料氧化,然后通过 化学反应使一种或多种氧化物溶解。在同一刻蚀液中,由于混 有各种试剂,所以上述两个过程是同时进行的。这种氧化化学 反应要求有阳极和阴极,而刻蚀过程没有外加电压,所以半导 体表面上的点便作为随机分布的局域化阳极和阴极。由于局域 化电解电池作用,半导体表面发生了氧化反应并引起相当大的 腐蚀电流(有报导超过100A/cm2). 每一个局域化区(大于原子尺 度)在一段时间内既起阳极又起阴极作用。如果起阳极和起阴极 作用的时间大致相等,就会形成均匀刻蚀,反之,若两者的时 间相差很大,则出现选择性腐蚀。半导体表面的缺陷、腐蚀液 温度和腐蚀液所含的杂质,以及半导体-腐蚀液界面的吸附过程 等因素对腐蚀的选择性和速率多会有很大的影响。
HNO3的作用
可见,阳极反应需要空穴,这可由HNO3在局域阴极处被 还原而产生。在HNO2杂质存在时,反应按下式进行
HNO2+HNO3>>>>N2O4+H2O N2O4=2NO2 2NO2=2NO2-+2e+ 2NO2-+2H+=2HNO2 最后式中所产生的HNO2再按第一式反应,反应生成物则自身 促进反应,因此这是自催化反应。第一式反应是可逆控制反应, 故有时加入含有NO2-的硝酸铵以诱发反应。因为NO2-在反应 中是再生的,所以氧化能力取决于未离解的HNO3的数量。 整个刻蚀反应有一个孕育期,孕育期间HNO2开始自催化, 紧接着是HNO2的阴极还原反应,它不断提供空穴参加氧化反 应。氧化产物在HF中反应,形成可溶性络合物H2SiF6。所有 这些过程都发生在单一的腐蚀混合液中,整个反应式为

硅的各向异性湿法腐蚀工艺及其在微纳结构中的应用研究

硅的各向异性湿法腐蚀工艺及其在微纳结构中的应用研究
国防科学技术大学 硕士学位论文 硅的各向异性湿法腐蚀工艺及其在微纳结构中的应用研究 姓名:陈骄 申请学位级别:硕士 专业:机械工程 指导教师:吴学忠 2010-11
国防科学技术大学研究生院硕士学位论文
摘 要
硅的各向异性湿法腐蚀是硅片微机械加工的重要技术之一,它被广泛地应用 于在硅衬底上加工各种各样的微结构,如膜结构、凹槽结构、悬臂梁等,近年来 也被用于很多纳米结构的制造。 本文以{110}、{111}和{100}三种类型硅的各向异性湿法腐蚀为研究对象,对 腐蚀结构及其变化规律、腐蚀速率、腐蚀形貌和粗糙度等特性进行了研究,并制 作了相应的微结构和纳米孔腔结构阵列。具体内容如下: 1.详细介绍了单晶硅的晶体结构和硅的各向异性湿法腐蚀工艺,根据各种腐 蚀剂的特性,选择 TMAH 溶液作为本文的各向异性湿法腐蚀剂。介绍了几种典型 的湿法腐蚀模型,探讨了各向异性湿法腐蚀机理,并以此为基础设计了实验流程 和方案。 2.通过不同形状掩膜窗口的湿法腐蚀实验对比,经实验结果和理论分析,分 别得出三种晶向硅的腐蚀结构变化规律,这为不同形貌的纳米硅腔阵列的制作打 下了基础。通过在 TMAH 溶液中加入添加剂(过硫酸铵或 IPA 等)的对比实验, 研究了硅的腐蚀速率、腐蚀形貌特征和粗糙度等特性,表明了过硫酸铵和 IPA 都 能显著改善硅腐蚀表面的质量,且都会不同程度地降低腐蚀速率。探讨了硅的预 腐蚀技术,它可以用来制作更多形貌的硅腔结构。 3.根据{110}硅湿法腐蚀可得到 70.5°角的倾斜结构和垂直侧壁的特性,初 步研究了一种基于{110}硅的音叉式微机械陀螺的湿法腐蚀,分析结构误差并提出 修正方案; 根据{111}和{100}硅湿法腐蚀可分别得到八面体型腐蚀腔和倒金字塔型 腐蚀腔的特性, 分别制作了基于{111}硅的八面体型纳米孔腔结构阵列和基于{100} 硅的倒金字塔型纳米孔腔结构阵列,这为金属纳米结构阵列的制造提供了有效的 模版。 主题词:各向异性湿法腐蚀 {110}硅 {100}硅 硅微机械加工 TMAH 腐蚀特性 {111} 硅 纳米孔腔结构阵列

体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法

体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法
( 1) 1 0 衬底 表 面特 征 晶 向的平 面 关 系, 将所 选 7 0 ( 0o 3 % 质量分 数 ) K C 的 OH 腐蚀 液条 件 下 的特 征 晶面( I ) ( 1 ) 1 I 、 3 I 以及 与衬底 同簇 的( 1 ) 面与衬 底 相 交 , 到平 面特征 晶 向, 而构 建 补 10 晶 得 从
由硅各向异性腐蚀特性已经得到在koh蚀液中311晶面是快腐蚀面111晶面几乎不腐蚀而100晶面具有较快的腐蚀速率且各个100晶面之间具有相互垂直的特点通过合理利用这些特征晶面与100衬底的交线构建补偿拓扑框架明确设计规则得到100衬底上直角凸角结构的通用补偿方法本文结合了100衬底的研究结论从各向异性腐蚀导致的凸角切削的相关晶面出发通过对单晶硅三维结构的探索提出了110衬底上的凸角补偿共性方法
中 图分 类 号 : 1 .0;1 . 0 5 0 1 5 0 3 文献标 志码 : A 文章编 号 : 0 1 0 0 ( 0 0 0 - 5 - 10 — 5 5 2 1 ) 40 00 7 5
Co e st nmeh dfrcn e on r n ( ) mp nai to o vxcr eso 10 o o 0
tie u e . Th s d sg t o sv rfe y te c mp tr smulto n e wo d fe e tmo e . a ld r l s i e i n me d i e i d b o u e i h i h ai n u d rt if r n d s
me o f( 0 )sbt t.B ft gteit sc o n s i esbt t o e lt cs h t do 10 u s a r e yri i e e t nl e t t s a f yr ae f e 。 e tn h n r i i w h h u r e k e d a sc s( 1 ) 3 1 n 10 n7 o 0 KO ouin p lgcl e s ome .T e uha 1 1 ,( 1 )ad( 1 )i 0C 3 % H slt ,at oo i l i fr d h o o af d i

硅的湿法腐蚀

硅的湿法腐蚀

硅的湿法腐蚀技术1 湿法腐蚀简介1.1 湿法腐蚀的历史与研究现状湿法腐蚀技术的历史可以追溯到15 世纪末或16 世纪初,人们以蜡作掩膜,用酸在盔甲上腐蚀出装饰图形。

而各向同性腐蚀是20 世纪50 年代开发的一项半导体加工技术。

各向异性湿法腐蚀技术可以追溯到20 世纪60年代中期,那时贝尔实验室用KOH、水和乙醇溶液进行硅的各向异性湿法腐蚀,后来改用KOH 和水的混合溶液[1]。

湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料,在光刻掩膜涂覆后(一个曝光和显影过的光刻胶)或者一个硬掩膜(一个光刻过的抗腐蚀材料)后紧接该步腐蚀。

这个腐蚀步骤之后,通常采用去离子水漂洗和随后的掩膜材料的移除工艺。

国外对硅的湿法腐蚀的研究起步较早,已取得相当多的研究成果。

国外对硅的湿法腐蚀的研究主要集中于腐蚀剂、腐蚀剂浓度、添加剂、温度、腐蚀时间等因素对腐蚀速率、腐蚀选择性、粗糙度等结果的影响。

1.2 湿法腐蚀的分类湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。

所谓湿法腐蚀,就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀,在腐蚀过程中,腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。

用于化学腐蚀的试剂很多,有酸性腐蚀剂,碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。

根据所选择的腐蚀剂,又可分为各向同性腐蚀和各向异性腐蚀剂。

各向同性腐蚀是指硅的不同方向的腐蚀速率相同。

各向异性腐蚀则是指硅的不同晶向具有不同的腐蚀速率,也即腐蚀速率与单晶硅的晶向密切相关。

图1.1给出了各向同性腐蚀和各向异性腐蚀的截面示意图[2]。

硅的各向同性腐蚀液对硅片的所有晶面都有着相近的腐蚀速率,并且腐蚀速率通常都相当大。

各向同性腐蚀的试剂很多,包各种盐类(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否获得高纯试剂,以及希望避免金属离子的玷污这两个因素的限制,因此广泛采用HF—HNO3腐蚀系统。

各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对某一晶向的腐蚀速率高于其他方向的腐蚀速率。

腐蚀结果的形貌由腐蚀速率最慢的晶面决定。

硅的各向异性刻蚀方法[发明专利]

硅的各向异性刻蚀方法[发明专利]

专利名称:硅的各向异性刻蚀方法专利类型:发明专利
发明人:丁敬秀,金滕滕,张先明
申请号:CN201410052013.3申请日:20140214
公开号:CN104843633A
公开日:
20150819
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供一种硅的各向异性刻蚀方法,包括以下步骤:S1:提供一单晶硅衬底,在所述单晶硅衬底正面形成图形化掩模层,并在所述单晶硅衬底背面形成一保护层;S2:以所述图形化掩模层为掩模,采用高腐蚀速率的第一浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第一预设时间;S3:进一步以所述图形化掩模层为掩模,采用低腐蚀速率的第二浓度的各向异性腐蚀液对所述单晶硅衬底进行湿法刻蚀并维持第二预设时间,形成腔体结构。

本发明使用不同的工艺条件进行两步蚀刻,可以显著缩短制程时间、提高生产效率、减少产能需求,同时保证工艺质量、晶面无缺陷,并且由于采用了低浓度的蚀刻液,可以减少蚀刻液使用量,节省生产成本。

申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍:CN
代理机构:上海光华专利事务所
代理人:李仪萍
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硅片的湿法刻蚀的各向异性加工出V形槽条纹

硅片的湿法刻蚀的各向异性加工出V形槽条纹

利用湿法刻蚀在硅片加工出V形槽条纹1刻蚀原理硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀, 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。

各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同, 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。

各向异性腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同, 导致各个晶向的腐蚀速率不同。

现出结构边缘平滑的现象。

各向同性腐蚀液常用HF、HN O3 和H2O(CH3COOH) , 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀, 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。

各向异性腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种, 其中无机腐蚀剂为NH4OH、KOH 和NaOH 等碱性溶液, 有机腐蚀剂为TMAH、EPW( 邻苯二酚、乙二胺、水) 和联胺。

通常情况下选用KOH、( CH3 ) 2CHOH ( 异丙醇也叫IPA) [ 8] 和水作为各向异性腐蚀液, 则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下:KOH+ H3O=K++2OH-+H+Si+ 2OH- + 4H2O=Si( OH)6 2-Si( OH) 62-+ 6( CH3) 2CH OH= [ Si( OC3H7 ) ] 62-+ 6H2O然后,络合产物与异丙醇作用生成可溶解。

2工艺实现为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出V形槽条纹这一目标,需要三步工艺:氧化,光刻,硅腐蚀。

图1硅单晶晶体结构在本文中用(100)双面抛光硅片来叙述,图2中V型槽的两个斜面为(111)晶面,底面为(100)晶面。

由晶体结构计算斜面(111)与地面(100)夹角54.736°。

当腐蚀的时候,从(100)硅片上沿着(110)方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子,从而暴露出倾角为54.736°的(111)面,双面进行就会形成V型槽结构。

由于硅片的腐蚀存在备向异性,硅(111)晶面的腐蚀速度远小于(100)面的。

因此,只要选择适当的腐蚀温度和时间,就能得到如图2所示的硅片V型槽。

单晶硅各向异性湿法腐蚀机理的研究进展

单晶硅各向异性湿法腐蚀机理的研究进展

化 工 纵 横《Co mment s &Review s in C 1I 1》单晶硅各向异性湿法腐蚀机理的研究进展王 涓 孙岳明 黄庆安3 周再发3(东南大学化学化工系,江苏南京210096;3东南大学ME MS 重点实验室,江苏南京210096)摘要 介绍了硅各向异性腐蚀的含义、特点、用途以及常用的腐蚀剂等基本要素;着重论述了试图解释硅各向异性腐蚀行为的几种典型机理,并在此基础上对各腐蚀机理做了简要分析。

关键词 硅 各向异性 湿法腐蚀收稿日期:2004-04-27作者简介:王涓(1980~),女,研究生。

孙岳明(1965~),男,教授,博导,从事配合物的能带结构,催化机理等方面的研究工作。

R esearch Development on Wet Anisotropic E tchingMechanism of Crystal SiliconWang Juan 1 Sun Y ueming 1 Huang Qingan 2 Zhou Z aifa 2(1Depatment of Chemistry and Chemical Engineering ,S outheast University ,nanjing 210096,China ;2Microelectronic Center ,S outheast University ,nanjing 210096,China )Abstract The meanings ,characteristics ,purposes of the anis otropic etching of silcon and frequently used etchants etc.are introduced.And especially the explanations of anis otropic etching mechanisms of crystal silicon are em phasized on.Then a survey of the analysis on the etching mechanisms refered is made.K ey w ords silicon anis otropy wet etching 硅腐蚀技术是硅微机械(Micromachining )加工中最基础、最关键的技术[1],它通常有两种:干法腐蚀和湿法腐蚀。

关于单晶硅各项异性腐蚀机理的讨论

关于单晶硅各项异性腐蚀机理的讨论

以上仅为初步认识,可能存在不妥 之处,请多多指教,要保持绒面可控, 有待进一步摸索,谢谢!
乙醇在制绒液中de作用
通过实践了解,我认为乙醇在制绒 液中起两点作用:一,协助氢气泡的释 放;二,可以减弱氢氧化钠对硅片的腐 蚀力度。
结论
氢氧化钠、硅酸钠与乙醇的混合溶液对晶 体硅进行腐蚀,可以制备出类似金字塔的结构 表面。理想的绒面应是金字塔体积较小.大小均 匀.覆盖率高。适宜的制绒液在77——80摄氏度 按照上述所设的配方下反应30分钟左右,就可 以在单晶硅片表面形成色泽均匀.反射率低的金 字塔绒面。
控制理想绒面的形成因素
理想质量的绒面的形成,受到了诸多因 素的影响,例如原材料的特性、制绒液的 组成、各组分的含量、温度、反应时间 等。为了维持生产良好的可从复性,并 获得高的生产效率,要求我们比较透彻的 了解绒面的形成机理,控制对制绒过程影 响较大的因素,在较短的时间内形成质量 较好的金字塔容面.
宁晋新材料:配液加2瓶NaOH, 16瓶C2H5OH, 然 后每筐加1/3瓶NaOH,3瓶C2H5OH. 俄罗斯:配液加2瓶NaOH, 16瓶C2H5OH, 然后每筐 加2/3左右瓶NaOH,3瓶C2H5OH. 乌克兰:配液加1.5瓶NaOH, 16-18瓶C2H5OH, 然后每筐加1/3瓶NaOH,3瓶C2H5OH. 有些片子容面不好做,那么我们先把片子做干 净保证片子不发亮无白斑后尽力把容面调到最佳 状态.
绒面的作用
为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率, 工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对(100) 晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形
成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅 片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电 流密度。
理想质量的绒面
对于既可获得低的表 面反射率,又有利于太阳 能电池的后续制作工艺绒 面,应该是金字塔大小均 匀,单体尺寸在10~20微米 之间,相邻金字塔之间没 有空隙, 即覆盖率达到 100%。 如图!

MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究

MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究

收稿日期:2018-06-07MEMS 中硅各向异性腐蚀特性研究刘伟伟,吕菲,常耀辉,李聪,宋晶(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220)摘要:在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组分也会对刻蚀速率产生显著影响;表面粗糙度主要是因为刻蚀时表面被反应生成的氢气泡覆盖,局部区域不能参加化学反应,导致这一区域出现凸起;在刻蚀液中加入添加剂使气泡迅速脱离反应表面能有效降低表面粗糙度,但刻蚀液不同所适用的添加剂不同。

关键词:各向异性腐蚀;微电子机械系统(MEMS );刻蚀速率;表面粗糙度;添加剂中图分类号:TN305.2文献标识码:A文章编号:1004-4507(2018)04-0014-04The Study of Anisotropic Etching Characteristics ofSilicon in MEMSLIU Weiwei ,LV Fei ,CHANG Yaohui ,LI Cong ,SONG Jing (The 46th Research Institute of CETC ,Tianjin 300220,China)Abstract:Due to the crystal orientation ,the silicon single crystal wafers has different etching rate in the alkaline solution.This feature is using for producing three-dimensional structural devices.The shape and accuracy of the three-dimensional structure is related to the etching rate.The performance of the device is related to the surface roughness of the etched.According to the principle of anisotropic etching ,the etching rate strongly depends on the single crystal orientation ,while the etching temperature and the composition of the etching solution also have a significant effect on the etching rate.The partial area of the surface is covered by hydrogen bubbles generated from the reaction ,which prevent the chemical reactions.This results in local bulging then affecting the surface roughness.The additives added to the etchant contribute to the bubbles rapidly dissociated from the reaction surface ,which can effectively reduce the surface roughness ,but different additives used in the etching solution are different.Key words:Anisotropic etching ;Micro electro mechanical system (MEMS );Etching rate ;Surface roughness ;Additive硅单晶的各向异性腐蚀在半导体材料的加工过程中占据重要地位,广泛应用于硅单晶片的腐蚀减薄、化学机械抛光(CMP)、抛光片清洗、太阳能电池的制绒等领域。

对硅(100)(110)衬底

对硅(100)(110)衬底

硅的各晶面
不同晶面的腐蚀速度
对硅的100 110面各向异性腐 对硅的100 110面各向异性腐 蚀硅岛或硅梁成型过程中, 凸角部分被腐蚀掉
体硅工艺中110面的凸角补 Байду номын сангаас硅工艺中110面的凸角补 偿
补偿原理:在各向异性腐蚀中, 凸角结构表面会发生沿快腐蚀 晶向的切削,因此只要补偿图形 的凸角处对应的切削方向满足 式 定义的距离关系,这些图形就 能够实现理想补偿.
体硅工艺中100面的凸角补 体硅工艺中100面的凸角补 偿条形补偿是在( 1 1 0 ) 方向 三角形补偿是在掩膜版顶角
直接添加( 3 1 0 ) 向围 成的 三角形掩膜的补偿方法, 如 图 所示. 形成的凸角上补偿一个( 1 0 0 ) 条形结构 , 如图所示.
方形补偿: 方形补偿
采用方块的补偿结构如图所示,它是在( 1 1 0 ) 方 向形成的凸角上叠加一个以( 1 1 0 ) 为边缘的方块 补偿.
硅的基本常识
晶体硅为钢灰色,无定形硅为黑色,密度 2.4g/cm3,熔点1420℃,沸点2355℃,晶体硅属于原 子晶体,硬而有光泽,有半导体性质。硅的结构与金刚 石类似,是正四面体结构。硅的化学性质比较活泼,在 高温下能与氧气等多种元素化合,不溶于水、硝酸和盐 酸,溶于氢氟酸和碱液,用于造制合金如硅铁、硅钢等, 单晶硅是一种重要的半导体材料,用于制造大功率晶体 管、整流器、太阳能电池等。硅在自然界分布极广,地 壳中约含27.6%,主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。 地壳中,硅的含量在所有元素中居第二。 结晶型的硅是 暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体。化学性质非常稳 定。在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反 应。
③光导纤维通信,最新的现代通信手段。用纯二氧化硅 可以拉制出高透明度的玻璃纤维。激光可在玻璃纤维的 通路里,发生无数次全反射而向前传输,代替了笨重的 电缆。光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维, 可以同时传输256路电话;而且它还不受电、磁的干扰, 不怕窃听,具有高度的保密性。光纤通信将会使21世纪 人类的生活发生革命性巨变。 ④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好 的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一 劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表,涂一 层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨 淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过 有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清新。

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究

KOH溶液中(110)硅片腐蚀特性的研究
贾翠萍;董玮;徐宝琨;潘建旋;周敬然;陈维友
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2005(30)6
【摘要】研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大,采用湿法腐蚀技术可以制作高深宽比结构的方式,在(110)硅片上设计制作出光开关用微反射镜。

在腐蚀过程中光开关悬臂的凸角处产生了削角现象,利用表面硅原子悬挂键的分布特征对产生削角的原因作了合理解释,这为以后研究凸角补偿提供了理论依据。

【总页数】4页(P52-55)
【关键词】KOH溶液;(110)硅片;凸角;悬挂键
【作者】贾翠萍;董玮;徐宝琨;潘建旋;周敬然;陈维友
【作者单位】吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN405.98
【相关文献】
1.P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究 [J], 宋晓岚;张晓伟;徐大余;喻振兴;邱冠周
2.TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究
[J], 陈骄;董培涛;邸荻;吴学忠
3.金属锂电极在KOH碱性溶液中的腐蚀研究(Ⅰ) [J], 丁飞;张晶;杨凯;王磊;易炜;刘兴江
4.双槽法KOH溶液电化学刻蚀金刚线切割多晶硅片的研究 [J], 刘政; 牛玉超; 姜言森; 任现坤; 刘慧敏; 段婷婷
5.碘过饱和KOH溶液对硅(110)晶面腐蚀的改善 [J], 景玉鹏;前中一介;藤田孝之;高山洋一郎
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suspended beams,groove,table-board,etc.In many practical applications,the problem of control etched surface morphology is the greateSt importance,and production of smooth,defect-free silicon surface is e鼹enfial for device.啊比study of anisotropic etching is propitious to get more complex MEMS structures
这些命名虽然不相同,但是实际上指的是同一领域。国际电技术委员会的
武汉理工大学硕士学位论文
定义强调了这些共性:“微系统是微米量级内的设计和制造技术。它集成了多种 元件,并适当以降低成本大量生产。"
二、MEMS的基本特征
一般来讲有以下几个特征:[1-2,541 1)微型化:MEMS器件尺寸小,在毫米和微米范围之内,区别于一般的宏 观的大于lcm尺度的机械。它与宏观尺寸的部件不仅不是一个尺寸界限,而是 一个在设计思想、制造原理和过程等方面与宏观世界截然不同的概念界限,因 此需要新的加工原理和加工方法。一般MEMS器件尺寸小、重量轻,因此具有 功耗低、惯性小、谐振频率高、响应时间短等特点。 2)以硅基为主t以硅为主材料,但不限于硅材料。硅的机械电气性能优良, 强度、硬度和杨氏模量与铁相当,密度类似,热传导接近钼和钨。而且价格低廉, 可以批量生产。 3)规模化、低成本:MEMS器件最重要的特征在于利用半导体工艺实现微 电子机械系统的大批量生产,重复性好,降低了成本。硅基MEMS几乎可以采 用与集成电路制造相同的半导体工艺,一片硅片上可同时制造成百上千个微型 电子机械装置或完整的MEMS器件,生产成本低,生产周期短,性能一致性好, 对环境的损害小等。 4)集成化:可以把不同功能、不同敏感方向或致动方向的多个传感器或执行 器集成于一体,或形成微传感器阵列、微执行器阵列,甚至把多种功能的器件 集成在~起,形成复杂的微系统。微传感器、微执行器和微电子器件的集成可 制造出可靠性、稳定性很高的MEMS器件。 5)多学科交叉:微电子机械系统涉及电子、机械、材料制造、信息与自动控 制、物理、化学和生物等多种学科,并集约当今科学技术发展的许多尖端成果。

了八面体凹槽结构。 KOH系统中1,6己二醇和乙醇的加入有利于硅酸盐颗粒和微氢气泡的脱
离,硅(110)表面对于1,6己二醇和乙醇的吸附则十分有限,使得腐蚀的各向异 性并没有明显增强。(110)硅表面得到了改善,并且在50%KOH浓度的情况下, 表面最为光滑,为MEMS结构的制备提供了很好的光学表面。 关键词:MEMS,光刻,湿法工艺,各向异性腐蚀,醇类,(110)硅片
and IPA can bring about complex reaction then silicate detach from the etched
surface,SO morphology of surface is improved by this mechanism.The etching
本文对BN303.30光刻胶展开光刻实验,不同的光刻胶厚度和烘培条件都会 导致不同的光刻胶特性参数。实验显示在特定厚度的光刻胶情况下,由于曝光 不足而形成针孔,造成光刻失败,而曝光时间过长也对光刻效果造成不良影响。 对于光刻来讲具体工艺参数需要由实验来确定。
本文对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,并以此为基础进行 7"(100)、(110)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究。在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀 系统中,由于IPA的加入,氢气泡可以快速的脱离硅表面,表面生成的硅酸盐 与IPA分子形成可溶于水的络合物得以离开表面,使得硅表面的形貌得到改善。 IPA分子与OH"竞争硅(110)表面的特定位置,而吸附了IPA分子的位置原子的背 键不再由于OH-的作用而减弱,此点的反应暂时停止。此机制使(110)面在IPA 加入后腐蚀速率V t110,减小,实验通过IPA的加入利用Volo,、v(111)的关系得到
武汉理工大学 硕士学位论文 (100)、(110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究 姓名:李志伟 申请学位级别:硕士 专业:材料物理与化学 指导教师:周建
20080401
武汉理工大学硕士学位论文
中文摘要
硅基湿法各向异性腐蚀被广泛的应用于MEMS的微结构制作中,例如用来 形成膜片、悬臂梁、凹槽、台面等三维结构。在许多实际的应用当中控制腐蚀 面的形貌是至关重要的,器件通常要求腐蚀表面光滑平整,无缺陷。另外对于 各向异性腐蚀的研究有利于得到更复杂的MEMS微结构。
武汉理工大学硕士学位论文
第1章绪论
1.1 MEMS简介
最初于1959年,Richard P Feynman(1965年诺贝尔物理奖获得者)就提出了 微型机械的构想。1962年硅微型压力传感器的问世、1965年硅脑电极探针的研 制都在MEMS的发展中占有重要地位。1988年美国加州大学伯克利分校研制出 转子直径为60-12um的硅微型静电机,显示出利用硅微加工工艺制造小可动结 构并与集成电路兼容以制造微小系统的潜力【11。
the队The In the KOH saturated with isopropyl alcohol solutions,the hydrogen bubbles Call
easily detach from the etched surface with introducing
silicate of surface
particles cannot weak their backbonds.The reaction is temporary stopped.IPA
addition to KOH solution reduce etch rates of(1 10)·type planes.
1,6·hexanediol and C2H50H addition to KOH solution is propitious to silicate
1.1.2 MEMS的研究和应用领域
微机电系统微型化、智能化、集成度高和多学科交叉等一系列特点,微机 电系统的研究领域不仅与微电子学密切相关,而且还广泛涉及到机械、材料制 造、信息与自动控制、微摩擦学、微热力学、化学和生物等多种学科,所以微 机电系统技术是--I"J多学科的综合技术。微机电系统的研究包括:理论与技术 研究、MEMS材料、MEMS制造工艺研究。微机电系统理论基础研究和技术基
process in the presence of IPA is thought to be a permanent competition between IPA
particles and OH-ions in settling the reactive surface sites,SO the sites wim IPA
morphology is improved by inctrducing 1,6-hexanediol and C2H50H tO KOH
surface啪be solution,under 50v01%KOH conditions,the most smooth
used for
structure of MEMS on the silicon substrate.
and hyarogen bubbles detaching from the etched surface.ne adsorption to Si(110)
surface is limtted which can’t strengthen anisotropic of wet etching.si(no)
武汉理工大学硕士学位论文
Abstract
Wet anisotropic etching of silicon substrates is commonly used in micromechanies for fabrication of different MEMS structures including membranes,
depended on its specific experiment.
In this paper,the mechanism of wet anisotropic etching of silicon is analБайду номын сангаасsed.
On the basis of mechanism,wet anisotropic etching of(100)、(110)silicon is studied.
研究生签名:≤乏杠日期:—匹卫虬
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研究生签名: 弘 导师签名:2亟垄皂一日期:J堕卫匝
1.1.1 MEMS的概念和基本特征
一、MEMS的概念 MEMS是微电子机械系统(Micro Electro Mechanical System)的英文缩写,
是指采用微机械加工技术可以批量制作的,集微型传感器、微型机构、微型执 行器以及信号处理和控制电路、接口、通讯等于一体的微型器件或微型系统。 MEMS技术自20世纪80年代末开始受到世界各国的广泛重视,其主要技术 途径有3种【刎:(1)在美国,MEMS研究是以半导体集成电路工艺技术为基础 延伸和拓展而来,它已经成为硅基MEMS的主流技术。MCNC对MEMS的定 义是:由电子和机械元件组成的集成化微器件或者系统,它是采用与集成电路 兼容的大批量处理工艺制造的并且尺寸在微米和毫米之间;(2)欧洲称之为 Microsystem即微系统,这一称谓更强调系统的特点,即如何将多个微型化传感 器、执行器、处理电路等元件集成为一个智能化的有机整体,它具有传感、信 号处理和致动功能,通常组合了两个或者多个电、机、光、化学、生物、磁或 其他特性的微型元器件,集成一个或者多个混合芯片;(3)在日本用传统的方法, 以大机械力n-rd,机械,再用小机械加工微机械,称为Micromachine即微机械。 日本微机械中心的定义是:微机械是由几个微米大小的功能元件组成,并成执 行复杂、微细的任务。
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