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空穴在外力作用下能产生定向作用形成电流
正离子被束缚在原子结构中，不能产生定向作 用
1-3 半导体中的漂移电流和扩散电流的区别是什么？
漂移电流：在外电场的作用下载流子形成定向 运动，并由此产生的电流。 扩散电流：在热运动基础上载流子从较高浓度 区域相较低浓度区域扩散的定向运动，并由此 产生的电流。
1-4 在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎 与反向电压无关？
1-10 发射区和集电区有哪些异同点？
发射区：掺杂浓度高→提高发射效率 集电区：面积大→提高对载流子的收集能力（传 输效率）。
发射区和集电区相同点：掺杂元素电特性相同 →同为N区（NPN)或同为P区(PNP)
1-11 基区宽度调制效应是什么？它对半导体三 极管的工作有何影响？
集电结反偏时，耗尽层变宽，并向基区延伸→ 基区宽度变窄→少子在基区浓度分布曲线变化 ，复合电流增加。
PN结正向电流大，反向电流小，无法实现受 控放大作用
1-8 半导体三极管集电结的反向电压愈大，对载 流子的吸引力愈大，这就是集电极电流随集电 结反向电压增大而增大的原因这种说法是否正 确，为什么？
集电结的反向电压愈大，对载流子的吸引力愈 大，但当三极管结构确定后，集电区的面积有 限，即集电区收集载流子的能力是不会随反向 电压增大而增加，因此集电极电流不会随集电 结反向电压增大而增大（只在一定范围内影响 三极管的传输效率）；
一般由导体构成的电阻的伏安特性呈现线性 特性，即电阻值一般可认为是常数。
1-6 在用万用表的电阻挡测二极管的正向电阻 时，发现R×10挡测出的阻值小， 而R×100挡 测出的阻值大，为什么？
二极管的正向电阻的定义是：其伏安特性曲线 上工作点处曲线斜率的倒数。
用万用表的电阻挡测电阻时，R×10挡流过表笔 即被测元件的电流大， 而R×100挡流过的电流 小，使得在相同的电源电压条件下， R×100挡 测量范围大于R×10挡的测量范围。
相同的控制电压下，基区宽度变窄→ 输入特性曲线左移（或右移） 输出特性曲线上翘 电流放大倍数β减小，不再为恒
定值
1-12 给你一只万用表，如何判断一个半导体三 极管是NPN型或PNP型，并分辨出3个电极。
（1）判断基极→有电阻R×1挡依次测量3个脚 的正、反向电阻→测量中若一脚与另两脚之间 的正向或反向电阻分别相等，各自性质犹如二 极管→此脚即为基极。
耗尽型MOS管：导电沟道由SiO2绝缘层中掺入 正（或负）离子，并在衬底表面产生反型层→ 在无外加电压条件时将源极与漏极间的空间电 荷层连通，形成载流子的导电通道
增强型场效应管不能用自给偏压的方法获得静 态工作点。
1-14 场效应管与三极管的工作原理有什么不 同？MOS场效应管与结型场效应管又有什么 不同？ 场效应管：电压控制器件，源极、漏极可以互 换。适用于大、超大规模集成电路
（2）判断类型→红表笔（正极）接基极 黑表笔分别接触另两脚
→测出均为正向电阻（小阻值） →PNP 测出均为反向电阻（大阻值） →NPN
（3）分辨集电极、发射极→用万用表测量未知 两脚正向电阻、反向电阻（大阻值）
①PNP锗管→集电极与发射极间正向电阻较小时 →红表笔——集电极 黑表笔——发射极
NPN锗管(很少用）——与上相反
三极管：电流控制器件，发射极、集电极不可 互换。适用于中Байду номын сангаас大规模集成电路
MOS场效应管：表面场效应器件→v GS对i D控 制作用通过改变衬底表面层浓度实现
结型场效应管：体内场效应器件→v GS对i D控 制作用通过改变半导体内沟道的截面积实现
1-15 场效应管中的沟道夹断与预夹断有什么区 别？场效应管用于放大时，应工作在什么区域？
反偏时反向电流主要由两中性区靠近阻挡层边 界的少子在内电场作用下通过漂移而形成，少 子浓度取决于掺杂浓度以及温度，且远小于多 子浓度，当反向电压的绝对值增加时，反向电 流几乎不变，故又称为反向饱和电流。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由 导体构成的电阻有何区别？
二极管作为电阻时，其伏安特性呈现非线性 特性，即电阻值是变化的，正向偏压时电阻 小，反向偏压时电阻大
因此，当用R×10挡出的二极管正向电阻值由于 流过二极管的正向电流大，而测得的阻值小。
1-7 两个半导体背靠背连接起来，是否能够成 一个半导体三极管，为什么？
半导体三极管的两个PN结由两个反向排列， 且相互之间有直接影响的PN结构成，流过两 个PN结正向电流大，电流方向一致，并具有 受控放大作用
两个半导体背靠背连接起来时，两个PN结独立 构成，互不影响。
集电极电流的大小受控制极（基极、发射极） 电流大小的影响。
1-9 半导体三极管的基区为什么做得很薄？
三极管正向电流形成（载流子的传输）过程中， 载流子在基区会产生多子与少子的复合而形成复 合电流，基区做得很薄可以减小复合电流、提高 传输效率，使得发射区发出的多多子绝大多数能 在正向偏压下漂移到集电结边界。
5、半导体三极管的结构及符号、主要参数 6、半导体三极管在放大区的工作原理 （电流 放大作用）和伏安特性 （放大、截止、饱和）
7、半导体三极管的小信号电路模型
8、半导体三极管工作状态判定
9、MOS场效应管 增强型 耗尽型
10、结型场效应管
导通条件， 沟道建立， 符号
一、基本概念
1-1 本证半导体与杂质半导体有什么区别？ 本证半导体：纯净的、结构完整的半导体晶体 杂质半导体：在本证半导体中，掺入微量的杂 质元素 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不 同？ 空穴作为带正电荷的载流子参与导电；
②硅管→集电极与发射极正、反向电阻均很大 →应在基极上接一只100KΩ的电阻，并形成并 联关系
1-13 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区 别是什么？增强型场效应管能否用自给偏压的 方法获得静态工作点？ 增强型MOS管：导电沟道由栅极上施加外加电 压在衬底表面产生反型层→将源极与漏极间的 空间电荷层连通，形成载流子的导电通道
沟道夹断： v GS较小时， vGS vGS(th)
源、漏区之间被耗尽层隔断，即源、漏区之间 的载流子导电通道消失，场效应管工作在截止 区， v GS对沟道有控制作用
正离子被束缚在原子结构中，不能产生定向作 用
1-3 半导体中的漂移电流和扩散电流的区别是什么？
漂移电流：在外电场的作用下载流子形成定向 运动，并由此产生的电流。 扩散电流：在热运动基础上载流子从较高浓度 区域相较低浓度区域扩散的定向运动，并由此 产生的电流。
1-4 在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎 与反向电压无关？
1-10 发射区和集电区有哪些异同点？
发射区：掺杂浓度高→提高发射效率 集电区：面积大→提高对载流子的收集能力（传 输效率）。
发射区和集电区相同点：掺杂元素电特性相同 →同为N区（NPN)或同为P区(PNP)
1-11 基区宽度调制效应是什么？它对半导体三 极管的工作有何影响？
集电结反偏时，耗尽层变宽，并向基区延伸→ 基区宽度变窄→少子在基区浓度分布曲线变化 ，复合电流增加。
PN结正向电流大，反向电流小，无法实现受 控放大作用
1-8 半导体三极管集电结的反向电压愈大，对载 流子的吸引力愈大，这就是集电极电流随集电 结反向电压增大而增大的原因这种说法是否正 确，为什么？
集电结的反向电压愈大，对载流子的吸引力愈 大，但当三极管结构确定后，集电区的面积有 限，即集电区收集载流子的能力是不会随反向 电压增大而增加，因此集电极电流不会随集电 结反向电压增大而增大（只在一定范围内影响 三极管的传输效率）；
一般由导体构成的电阻的伏安特性呈现线性 特性，即电阻值一般可认为是常数。
1-6 在用万用表的电阻挡测二极管的正向电阻 时，发现R×10挡测出的阻值小， 而R×100挡 测出的阻值大，为什么？
二极管的正向电阻的定义是：其伏安特性曲线 上工作点处曲线斜率的倒数。
用万用表的电阻挡测电阻时，R×10挡流过表笔 即被测元件的电流大， 而R×100挡流过的电流 小，使得在相同的电源电压条件下， R×100挡 测量范围大于R×10挡的测量范围。
相同的控制电压下，基区宽度变窄→ 输入特性曲线左移（或右移） 输出特性曲线上翘 电流放大倍数β减小，不再为恒
定值
1-12 给你一只万用表，如何判断一个半导体三 极管是NPN型或PNP型，并分辨出3个电极。
（1）判断基极→有电阻R×1挡依次测量3个脚 的正、反向电阻→测量中若一脚与另两脚之间 的正向或反向电阻分别相等，各自性质犹如二 极管→此脚即为基极。
耗尽型MOS管：导电沟道由SiO2绝缘层中掺入 正（或负）离子，并在衬底表面产生反型层→ 在无外加电压条件时将源极与漏极间的空间电 荷层连通，形成载流子的导电通道
增强型场效应管不能用自给偏压的方法获得静 态工作点。
1-14 场效应管与三极管的工作原理有什么不 同？MOS场效应管与结型场效应管又有什么 不同？ 场效应管：电压控制器件，源极、漏极可以互 换。适用于大、超大规模集成电路
（2）判断类型→红表笔（正极）接基极 黑表笔分别接触另两脚
→测出均为正向电阻（小阻值） →PNP 测出均为反向电阻（大阻值） →NPN
（3）分辨集电极、发射极→用万用表测量未知 两脚正向电阻、反向电阻（大阻值）
①PNP锗管→集电极与发射极间正向电阻较小时 →红表笔——集电极 黑表笔——发射极
NPN锗管(很少用）——与上相反
三极管：电流控制器件，发射极、集电极不可 互换。适用于中Байду номын сангаас大规模集成电路
MOS场效应管：表面场效应器件→v GS对i D控 制作用通过改变衬底表面层浓度实现
结型场效应管：体内场效应器件→v GS对i D控 制作用通过改变半导体内沟道的截面积实现
1-15 场效应管中的沟道夹断与预夹断有什么区 别？场效应管用于放大时，应工作在什么区域？
反偏时反向电流主要由两中性区靠近阻挡层边 界的少子在内电场作用下通过漂移而形成，少 子浓度取决于掺杂浓度以及温度，且远小于多 子浓度，当反向电压的绝对值增加时，反向电 流几乎不变，故又称为反向饱和电流。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由 导体构成的电阻有何区别？
二极管作为电阻时，其伏安特性呈现非线性 特性，即电阻值是变化的，正向偏压时电阻 小，反向偏压时电阻大
因此，当用R×10挡出的二极管正向电阻值由于 流过二极管的正向电流大，而测得的阻值小。
1-7 两个半导体背靠背连接起来，是否能够成 一个半导体三极管，为什么？
半导体三极管的两个PN结由两个反向排列， 且相互之间有直接影响的PN结构成，流过两 个PN结正向电流大，电流方向一致，并具有 受控放大作用
两个半导体背靠背连接起来时，两个PN结独立 构成，互不影响。
集电极电流的大小受控制极（基极、发射极） 电流大小的影响。
1-9 半导体三极管的基区为什么做得很薄？
三极管正向电流形成（载流子的传输）过程中， 载流子在基区会产生多子与少子的复合而形成复 合电流，基区做得很薄可以减小复合电流、提高 传输效率，使得发射区发出的多多子绝大多数能 在正向偏压下漂移到集电结边界。
5、半导体三极管的结构及符号、主要参数 6、半导体三极管在放大区的工作原理 （电流 放大作用）和伏安特性 （放大、截止、饱和）
7、半导体三极管的小信号电路模型
8、半导体三极管工作状态判定
9、MOS场效应管 增强型 耗尽型
10、结型场效应管
导通条件， 沟道建立， 符号
一、基本概念
1-1 本证半导体与杂质半导体有什么区别？ 本证半导体：纯净的、结构完整的半导体晶体 杂质半导体：在本证半导体中，掺入微量的杂 质元素 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不 同？ 空穴作为带正电荷的载流子参与导电；
②硅管→集电极与发射极正、反向电阻均很大 →应在基极上接一只100KΩ的电阻，并形成并 联关系
1-13 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区 别是什么？增强型场效应管能否用自给偏压的 方法获得静态工作点？ 增强型MOS管：导电沟道由栅极上施加外加电 压在衬底表面产生反型层→将源极与漏极间的 空间电荷层连通，形成载流子的导电通道
沟道夹断： v GS较小时， vGS vGS(th)
源、漏区之间被耗尽层隔断，即源、漏区之间 的载流子导电通道消失，场效应管工作在截止 区， v GS对沟道有控制作用