半导体物理载流子的输运现象
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• 学习的目的：最终确定半导体器件I-V特性的基础。 • 本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，
但是热平衡状态不受到干扰。
4.1 载流子的漂移运动
一、电导微观理论（刘恩科书p106）
单位: 西门子/米 1S=1A/V=1/Ω
二、半导体的电导率和迁移率
4.2 载流子的散射
一、
1、
二、
第四章 载流子的输运现象
书 第五章
• 在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的 这种运动称为输运。
• 本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制： 1、漂移运动：由电场引起的载流子运动。 2、扩散运动：由浓度梯度引起的载流子运动。 此外半导体的温度梯度也引起载流子的运动，但是由于 半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。
小结：
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
一、
二、
4.4 强电场下的输运
一、欧姆定律的偏离和热载流子
来自百度文库
但是热平衡状态不受到干扰。
4.1 载流子的漂移运动
一、电导微观理论（刘恩科书p106）
单位: 西门子/米 1S=1A/V=1/Ω
二、半导体的电导率和迁移率
4.2 载流子的散射
一、
1、
二、
第四章 载流子的输运现象
书 第五章
• 在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的 这种运动称为输运。
• 本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制： 1、漂移运动：由电场引起的载流子运动。 2、扩散运动：由浓度梯度引起的载流子运动。 此外半导体的温度梯度也引起载流子的运动，但是由于 半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。
小结：
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
一、
二、
4.4 强电场下的输运
一、欧姆定律的偏离和热载流子
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