硅、锗、砷化镓的能带结构

mn 0.067 m0
1 1 EV 2 mP k 2
p h p l
2
m 0.45m m 0.08m
0
重空穴 轻空穴
价带顶
砷化镓的
0
能带结构图
砷化镓导带底的等能面图
作业
1. 令E(k) 为布里渊区中k量子态的能量， 令k1和k 2为满足E C E(k) E C 0.1eV条件的任意2个量子态, k1 - k 2 的最大值可根据导带底能带结构求出。 试求出晶体分别为硅、锗、砷化镓时，k1 - k 2 的最大值
1 1 EV 2 mP k 2
p h p l
2
导带底
Ec Ev 价带顶
m 0.36 m m 0.04 m
0
重空穴 轻空穴
0
锗的能带结构图
锗导带底的等能面图
E g EC EV 1.42eV
1 1 EC 2 mn k 2
2
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直接带隙
导带底
Ec Ev
2. 在回旋共振实验中，如果磁场B沿着硅单晶的[110] 方向，会有几个回旋共振频率，它们对应的回旋共振 有效质量是多少？
1 1 EV 2 mP k 2
p h p l
2
导带底 Ec Ev
m 0.53m m 0.16 m
0
重空穴 轻空穴
价带顶
0
硅的能带结构图
硅导带底的等能面图
E g EC EV 0.67 eV
1 1 EC 2 mi ki 2
2
mt 0.08 m0 ml 1.64 m0
半导体物理学
硅、锗、砷化镓的能带结构
组建布里渊区
fcc bcc
倒格子
a
4 a
金刚石结构
bcc
倒格子
a
4 a
闪锌矿结构
bcc
倒格子
a
4 a
硅、锗、砷化镓的第一布里渊区
E g EC EV 1.12eV
1 1 EC 2 mi ki 2
2
mt 0.19 m0 ml 0.98 m0