射频卡基站芯片U2270B的原理及应用

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功能符号
功能描述
GND
模拟地
Output
数据输出
OE
数据输出使能
Input
数据输入
MS
共模 / 差分模式选择
CFE
载波使能
DGND
数字地
COIL2
天线驱动 2
COIL1
天线驱动 1
VEXT DVs
外部电源供给 驱动电压
VBatt Standby
电池供电 待机模式控制
Vs
内部电源供给
RF
射频频率调整
HIPASS 高通滤波电容
可以采用汽车用 + 12V 供电,同时具有电压输出功 能,可以给微处理器或其它外围电路供电。
⊕具有低功耗待机模式,可以极大地降低基站 的耗电量。
⊕125kHz 时的典型读写距离为 15mm。 ⊕适用于对 TEMIC 的 e5530 / e5550 / e5560 射频 卡进行读写操作。
图 1 射频卡应用系统的组成
图 3 U2270B 的内部结构框图
图 4 由射频场产生的数据流示意图
的过程,对场的控制可通过控制芯片的第 6 脚(CFE 端)来实现,由射频场产生的数据流如图 4 所示。
由射频卡返回的数据流可采用对射频卡天线的 负载调制方式来实现。射频卡的负载调制会在基站 天线上产生微弱的调幅,这样,通过二极管对基站天 线电压的解调即可回收射频卡调制数据流。应当说 明,与 U2270B 配套的射频卡(e5550 等)返回的数据 流采用的是曼彻斯特编码形式。由于 U2270B 不能 完成曼彻斯特编码的解调,因此解调工作必须由微 处理器来完成,这也是 U2270B 的不足之处。
天线和电容构成的串联谐振回路相连,可以在天线
已经确定的前提下,通过下式来选择适当的电容 C, 以使得谐振频率与基站的工作频率相同。
f 0 = 1 / [ 2π( LC) 1/ 2] 其中:L 为天线线圈的电感量。
C 是与天线串联的电容。 f 0 为谐振频率。 当 L 取为 1. 35mH,f0 为 125kHz 时,电容 C 应 为 1. 2nF。 4. 2 品质因数 Q 对天线传输带宽的影响 在使用 U2270B 作基站的射频卡应用系统时, 如果选择较高品质因数(即 Q 值)的天线,虽然会增 大天线线圈中的电流强度,提高向射频卡传送功率
我社已迁往新的地址办公。新址如下: 新址:西安市高新路 25 号瑞欣大厦 10 层 A 座 邮编:710075 电话: (029)88222991 88222992 传真:88214563
月刊,大 16K,6 元 / 期 , 全年 72 元
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了 U2270B 的内部结构、引脚描述和基本功能,给出了 U2270B 的典型应用电路,同时结合工程实践
探讨了使用该芯片时应注意的问题。
关键词:射频卡; 基站; U2270B
分类号:TP333. 5
文献标识码:B
文章编号:1006 - 697(7 2004)01 - 0066 - 03
The Principle and Application of RF Base Station IC U2270B
数据写入射频卡采用场间隙方式,即由数据的 “0”和“1”控制振荡器的启振和停振,并由天线产生
带有窄间歇的射频场,不同的场宽度分别代表数据 “0”和“1”, 这样完成将基站发射的数据写入射频卡
引脚号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
表 1 U2270B 引脚功能描述
JIA Zhen-guo , XU Lin, GU Chun-miao Abstract: U2270B is a RF base station IC at 125 kHz frequency , and it is produced by TEMIC semiconductors . The internal structure and pin function of U2270B are described in this paper . At the same time , the application of U2270B and the problem in practical design are introduced . Keywords: RF ; base station ; U2270B
⊕载波振荡器能产生 100kHz ~ 150kHz 的振荡 频率,并可通过外接电阻进行精确调整,其典型应用
频率为 125kHz。 ⊕典型数据传输速率为 5kbp(s 125kHz 时)。 ⊕适用于曼彻斯特编码和双相位编码。 ⊕带有微处理器接口,可与单片机直接连接。 ⊕供电方式灵活,可以采用 + 5V 直流供电,也
射频卡读写器的关键芯片是射频卡基站芯片,
它主要用于完成数据的调制、发射和射频的接收以
2 引脚Baidu Nhomakorabea明与内部结构
2. 1 引脚功能 U2270B 采用 16 脚 SO16 贴片封装形式,引脚定
*吉林省教育厅基金资助项目
射频卡基站芯片 U2270B 的原理及应用
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图 2 U2270B 的引脚定义
由于射频卡在使用中的非接触特点,卡本身工 作所需要的能量需要读写器非接触供给。因此,射 频卡应用系统由射频卡和射频卡读写器两部分构 成,图 1 所示是该应用系统的组成框图。
及数据的解调任务。在众多的射频卡基站芯片中,
先由美国 TEMIC 公司生产 , 后转由 ATMEL 公司生 产的 U2270B 是一种低成本、性能完善的低频(100 ~ 150kHz)射频卡基站芯片,其主要特点如下:
1 引言
近年来,射频卡(即非接触 IC 卡)技术得到了快 速发展,并在电子商务、智能小区、公交管理、身份识 别、安全保卫等诸多领域得到了广泛的应用。在吉 林省教育厅项目“高等学校学生公寓水电监控管理 系统”中,笔者成功地将射频卡与水表和智能电能计 量装置相结合,从而实现了学校用水、用电的定量监 控管理,收到了良好的效果。
4 使用注意事项
4. 1 天线的选择与连接 假定基站天线采用铜制漆包线绕制,天线回路
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《国外电子元器件》2004 年第 1 期 2004 年 1 月
图 5 U2270B 的典型应用电路
的直径 D 远大于漆包线的直径 (d 一般在 1000 倍以 上),此时可以采用下面公式来进行天线参数的设
收稿日期:2003 - 06 - 18 咨询编号:040124
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《国外电子元器件》杂志社 补订及更址启事
值此《国外电子元器件》杂志创办十周年之际,杂 志社全体员工向关心和支持本杂志的新老读者表示 感谢!同时提醒广大读者注意:如在当地邮局错过订 阅时间,可向杂志社直接订阅。
义如图 2 所示,各引脚功能见表 1 所列。 2. 2 U2270B 的内部结构
U2270B 内部由振荡器、天线驱动器、 电源供给电路、频率调节电路、低通滤波 电路、高通滤波电路、输出控制电路等部分组成,其 内部结构框图如图 3 所示。 2. 3 数据的读写过程
通过调整 U2270B 的 RF 引脚所接电阻的大小, 可以将内部振荡频率固定在 125kHz,然后通过天线 驱动器的放大作用,在天线附近形成 125kHz 的射频 场(参见图 1),当射频卡进入该射频场内时,由于电 磁感应的作用,在射频卡的天线端会产生感应电势, 该感应电势也是射频卡的能量来源。
的效率。但是,由于天线的传输带宽与天线的品质
因数 Q 成反比,而过高的 Q 值会明显的缩小天线的 传输带宽,从而导致射频卡的解调困难。因此,使用
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U2270 射频卡基站芯片设计射频卡应用系统时 应综合考虑天线的品质因数。 4. 3 调试过程中的常见问题和解决方法
在调试过程中,经常遇到的问题是从射频 卡接收回来的曼彻斯特编码数据不稳定。理论 上,在射频场范围内无射频卡存在时,从基站天 线回收的信号经过芯片内部的低通滤波和高通 滤波回路时,在 Output 端不应该有脉冲信号输 出,但在实际使用时,经示波器观察发现:Output 引脚总是有 100Hz 左右的不稳定信号输出。当 射频卡进入射频场区域时,用逻辑分析仪捕捉 到的是极不稳定的编码信号,有时甚至无法从 中解调出数据。为此,可对 HIPASS 端的电容进 行调整,同时在该端对地接一个 3MΩ 左右的电 阻,这样,就可以接收到稳定的曼彻斯特编码并解调 出稳定的数据。 对于图 5 所示的应用电路,射频卡与基站的距 离在 15mm 左右时是比较有效的。若想增大读写距 离,可通过增加桥式二极管反馈电路来实现,限于篇 幅,在此不再赘述。 参考文献 [ 1] TEMIC Semiconductors , Read / Write Base Station IC U2270B Data Sheet , 2002. [ 2] 陈大才 . 射频识别(RFID)技术 [ M] . 北京:电子 工业出版社,2001,6 . [ 3]黎连业 . 智能小区九大系统设计与实现 [M] . 北京:科学出版社,2003,3 .
3 典型应用电路
图 5 是采用 U2270B 的短距离紧密耦合型应用 电路,其中微处理器 AT89C4051 用来承担数据的发 射以及回收数据的曼彻斯特解码任务,发射数据由 AT89C4051 控制 CFE 端来实现,接收的曼彻斯特编 码 数 据 则 通 过 基 站 的 Output 引 脚 输 出 给 AT89C4051。在编制发射和接收数据的程序时,必须 严格按照相应射频卡的通信规约来进行。
计: L = N2u0 R ln( 2R / d) 其中:L 为天线回路的电感量。 N 为天线线圈的匝数。 u0 为磁场常数,其值为 1. 257 × 10 -6Vs / Am。 R 为天线回路的半径。 d 是漆包线的直径。 按照图 5 电路,如取 L = 1. 3mH,R = 5cm,d =
0. 21mm,则所需绕制的天线匝数为 116 匝。 将 U2270B 的天线驱动端 COIL1、COIL2 与电阻、
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《国外电子元器件》2004 年第 1 期 2004 年 1 月
⊕新特器件应用
射频卡基站芯片 U2270B 的原理及应用 *
贾振国, 许琳, 谷春苗
( 长春工程学院,吉林 长春 130012)
摘要:U2270B 是由美国 TEMIC 公司生产的、发射频率为 125kHz 的射频卡基站芯片。文中详细介绍
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