实验二 静态随机存储器实验

山西大学计算机与信息技术学院

实验报告

学号专业班级计算机组成原理课程设计

指导教师

实验二静态随机存储器实验

图2-1 SRAM6116引脚图

M 的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-2 所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3 由时序单元的TS3给出。I

表2-1 SRAM6116功能表

CS´WE´OE´功能

1 0 0

×

1

×

1

不选择

读

写

图2-2 读写控制逻辑

0 的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8 个LED 灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器（74LS273，位于PC&AR单字节。

图2-3 存储器实验原理图

T3 由时序单元给出，其余信号由CON 单元的二进制开关模拟给出，其中IOM 应为低（即MEM 操作），RD、WR 高有效，MR 和

图2-4 实验接线图

立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。

。由前面的存储器实验原理图2-3可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，

图2-5 写存储器流程图

图2-6 读存储器流程图

软件的“【实验】—【存储器实验】”，打开存储器实验的数据通路图。

作,借助于数据通路图，仔细分析SRAM 的读写过程。

以不按顺序随机输出存储单元的内容，如，先输出00号存储单元，然后输出04号存储单元。次ST按钮，数据通路图才会有数据流动。

，重新检查接线，直到错误排除。