低频电子线路

2020/8/4
《低频电子线路》
3.极限参数
• 使用时不应超过管子的极限参数 值。否则使用时可能损坏。
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①集电极最大允许电流
• ICM 留有一定的余量。 • ICM 指β下降到额定值的2/3时 的
IC值。
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②集电极最大允许功耗PCM
•
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第三部分
• 用汉语拼音字母表示器件的类型 P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管
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第三部分
• 用汉语拼音字母表示器件的类型
Z整流管 L整流堆 S隧道管 N阻尼管 U光电器件 K开关管
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iB
vCE=0
1v
0
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vBE
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输入特性曲线表达式
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输入特性曲线分析
• VCE增大时，曲线略有右移，到一定程
度则不再变化。
• 这是管子的基调效应。
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②输出特性曲线（图）
Ic(mA)
饱和区
工作区
击穿区
0 截止区
• BJT的伏安特性曲线 是指其各极电压与
电流的关系。 • 不同的放大器特性曲线内容意义不同。
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网络端口特性
• 将晶体管视为二端口网络，则特性曲线 应有两组，即输入端和输出端的特性曲
线。
iC
iB
+
+
vBE
vCE
－
－
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① 输入特性曲线（图）
vCE(V)
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输出特性曲线表达式
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输出特性曲线分析
• 有四个区 饱和区 工作区 截止区 击穿区
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饱和区
• eb结 和 cb结 均为正偏。 • 管子完全导通，其正向压降很小。 • 相当一个开关“闭合（Turn on）”。
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1.3.4 三极管主要参数
• 管子参数 是衡量晶体管质量好 坏和选择管子的主要依据。
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1. 电流放大参数
• 电流放大参数用以衡量管子的放 大性能。
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①共基直流电流放大参数
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共基交流电流放大参数
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回顾上节课内容
• 双极型晶体三极管
双极型晶体管的导电原理 晶体管电流分配关系和放大
• 晶体三极管的放大作用
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本节课内容
• 双极型晶体管的伏安特性曲线 • 三极管主要参数 • 晶体管命名法
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1.3.3 双极型晶体管的伏安特性曲线
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工作区
• eb结 正偏，cb结 反偏 。 • 这是管子的正常放大状态。 • 此时具有“恒流特性”。
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截止区
• eb结和cb结 均为反偏。
• 管子不通，相当于一个“开关”打开（ Turn off）。
• 管子的cb结 承受大的 反向电压。
PCM ICM V（BR）CEO 所限定的区域称为晶体管安全工作区 。
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§1.8 晶体管命名法
• 1、国产半导体分立元件标准 （ 国标）
• 2、国产半导体集成电路标准（ 国标）
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1、国产半导体分立元件标准 （国标）
• 中国国家标准（GB—249—74）规定的 中国半导体器件型号命名方法
• 极间反向电流 是指管子各电极之 间的反向漏电流参数。
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①C、B间反向饱和漏电流
•
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② 管子C、E间反向饱和漏电流
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管子反向饱和漏电流
• 硅管比锗管小。 • 此值与本征激发有关。 • 取决于温度特性（少子特性）。
＝
• 击穿区的功率损耗线（见下图）
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集电极最大允许功耗PCM（图 ）
iB 击穿区
0
vCE
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③反向击穿电压
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反向击穿电压
• 另有 VCEO＞VCER ＞VCES
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极限参数
• 以上介绍的三个极限参数
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击穿区
• 管子被反向电压（太大）击穿。 • 管子的 PN结特性破坏。
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注意
• 厄利电压 （基调效应）。 • 截止区对应 iB =－ICBO 曲线以下区域。 • iC 电流增大，ß略有增大。 • 工作区的恒流特性和厄利电压有关。
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• 符号和意义
2 二极管 3 三极管
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第二部分
• 用汉语拼音字母表示材料和极性
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第二部分（二极管）
A N型锗材料 B P型锗材料 C N型硅材料 D P型硅材料
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第二部分（三极管）
A PNP型 锗材料 B NPN型 锗材料 C PNP型 硅材料 D NPN型 硅材料 E 化合物 材 料
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②共射直流电流放大参数
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共射交流电流放大参数
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管子的ß取值
• 放大状态 一般取 ß = 30~60。 • ß太小 的管子放大不足。 • ß太大 的管子工作不稳定。
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2.极间反向电流
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中国半导体器件命名法
• 第一部分：用数字表示器件的电极数目 • 第二部分：用汉语拼音字母表示材料和
极性 • 第三部分：用汉语拼音字母表示器件的
类型 • 第四部分：用数字表示器件序号 • 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
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第一部分
• 用数字表示器件的电极数目
第三部分
• X 低频小功率管 （f<3MHz, Pc<1W） • G 高频小功率管 （f≥3MHz,Pc<1W） • D 低频大功率管 （f<3MHz,Pc≥1W） • A 高频大功率管 （f≥3MHz,Pc≥1W）