高中化学复习知识点：硅的制备
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（5）在t秒内，反应②中反应速率v（SiCl4）=______（用含a、b的代数式表示）．
（6）工业上还可以通过如下反应制取纯硅（方法Ⅱ）：
④Si（粗）+3HCl（g） SiHCl3（l）+H2（g）+Q（Q＞0）
⑤SiHCl3（g）+H2（g） Si（纯）+3HCl（g）
提高反应⑤中Si（纯）的产率，可采取的措施有：______、______．
D.硅是半导体材料，可用于信息存储，能用于制作硅芯片，二氧化硅能用于制造光导纤维，D正确；故答案为：D。
7．C
【解析】
【详解】
A．氯碱工业制氯气是电解饱和食盐水，反应的化学方程式：2NaCl+2H2O Cl2↑+H2↑+2NaOH，故A错误；
B．磁铁矿成分为四氧化三铁，反应的化学方程式：4CO+Fe3O4 3Fe+4CO2，故B错误；
参考答案
1．D
【解析】
【分析】
【详解】
A. CPU半导体芯片用的是晶体硅，光导纤维用的是二氧化硅，两者所用的材料不同，A不正确；
B.水泥和玻璃的主要成分都是硅酸盐，故其均属于硅酸盐材料，但不属于新型硅酸盐材料，B不正确
C.水晶的成分是二氧化硅，陶瓷的主要成分是硅酸盐，C不正确；
D.粗硅制备单晶硅的过程中，先用氯气把硅氧化为四氯化硅，再用氢气把四氯化硅还原为硅，故该过程涉及氧化还原反应，D正确。
12．含硅元素的化合物广泛存在于自然界中，与其他矿物共同构成岩石．晶体硅(熔点1410℃)用途广泛，制取与提纯方法有多种．
(1)炼钢开始和结束阶段都可能发生反应：Si+2FeO 2Fe+SiO2，其目的是________________．
A．得到副产品硅酸盐水泥B．制取SiO2，提升钢的硬度
C．除去生铁中过多的Si杂质D．除过量FeO，防止钢变脆
(4)此外，还可以将粗硅转化成三氯氢硅(SiHCl3)，通过反应：SiHCl3(g)+H2(g)⇌Si(s)+3HCl(g)制得高纯硅．不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比(反应初始时，各反应物的物质的量之比)的变化关系如图所示．下列说法正确的是________________(填字母序号)．
4．高纯度晶体硅是良好的半导体材料，它的发现和使用引起了计算机的一场“革命”。它可以按下列方法制备：
SiO2 Si(粗) SiHCl3 Si(纯)
下列说法不正确的是（）
A．步骤③中氢气作还原剂
B．硅和二氧化硅都能用作计算机“芯片”
C．步骤①的化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑
D．步骤①②③中发生的反应都属于氧化还原反应
（2）单质的还原性：碳______硅（填写“同于”、“强于”或“弱于”）．从平衡的视角而言，反应①能进行的原因是______．
（3）反应②生成的化合物分子空间构型为；该分子为______分子（填写“极性”或“非极性”）．
（4）某温度下，反应②在容积为V升的密闭容器中进行，达到平衡时Cl2的浓度为a mol/L．然后迅速缩小容器容积到0.5V升，t秒后重新达到平衡，Cl2的浓度为b mol/L．则：a______b（填写“大于”、“等于”或“小于”）．
高中化学复习知识点：硅的制备
一、单选题
源自文库1．作为全球最大的电子产品制造国，中国却有着“芯”病。我国国产芯片自给率不到30%，产值不足全球的7%，市场份额不到10%。下列说法正确的是（）
A．CPU半导体芯片与光导纤维是同种材料
B．水泥和玻璃属于新型硅酸盐材料
C．水晶和陶瓷都是硅酸盐制品
D．粗硅制备单晶硅涉及氧化还原反应
D．Si可用于信息存储，SiO2可用于光纤通讯
7．下列解释工业生产或应用的化学方程式正确的是（）
A．氯碱工业制氯气：2NaCl（熔融） 2Na+C12↑
B．利用磁铁矿冶炼铁：CO+FeO Fe+CO2
C．工业制小苏打：NH3+CO2+H2O+NaCl=NaHCO3↓+NH4Cl
D．工业制粗硅：C+SiO2 Si+CO2↑
【解析】
【分析】
【详解】
A．工业上，用焦炭在电炉中还原二氧化硅SiO2+2C Si+2CO↑，得到含少量杂质的粗硅，故A正确；
B．生产普通水泥的原料是石灰石和黏土，石灰石、石英和纯碱是制备玻璃的主要原料，故B错误；
C．电解法精炼铜时，粗铜做阳极，连接电源正极，发生氧化反应，故C正确；
D．高炉炼铁原理，一氧化碳还原氧化铁生成铁，还原剂为一氧化碳，故D正确。
A．NaX易水解
B．SiX4是共价化合物
C．NaX的熔点一般高于SiX4
D．SiF4晶体是由共价键形成的空间网状结构
(3)粗硅经系列反应可生成硅烷(SiH4)，硅烷分解也可以生成高纯硅．硅烷的热稳定性弱于甲烷，所以Si元素的非金属性弱于C元素，用原子结构解释其原因：________________．
6．D
【解析】
【详解】
A.普通玻璃的主要成分是：二氧化硅、硅酸钠和硅酸钙，石英玻璃的成分主要为二氧化硅（SiO2），所以二者成分不同，A错误；
B.玻璃中含有二氧化硅，二氧化硅能和氢氟酸反应生成四氟化硅，而与盐酸不反应，所以工艺师用氢氟酸刻蚀玻璃制作工艺品，B错误；
C.由石英沙制备单晶硅过程中，硅元素的化合价由+4价变为0价，所以一定涉及氧化还原反应，C错误；
D.步骤①②③中，都有元素化合价改变，发生的反应都属于氧化还原反应，故D正确；
选B。
5．B
【解析】
【详解】
实验室制取氯气用二氧化锰和浓盐酸在加热条件反应，工业生成氯气常用电解饱和食盐水，故B符合题意。
综上所述所，答案为B。
【点睛】
电解熔融氧化铝得到铝，不能电解熔融氯化铝，电解熔融氯化镁得到镁，不能电解熔融氧化镁。
C．制普通玻璃的原料：石英砂、石灰石、纯碱，油脂在纯碱中可以发生水解生成高级脂肪酸盐，最终可以制得肥皂、食品工业上常用纯碱制作糕点等，纯碱在玻璃、肥皂、食品等工业中都有着广泛的应用，故C正确；
D．焦炭高温还原二氧化硅生成一氧化碳和硅，化学方程式：SiO2+2C Si+2CO↑，可制备粗硅，要制得高纯度硅，还需要进行提纯，其化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑、Si+2Cl2 SiCl4、SiCl4+2H2 Si+4HCl，故D错误；
C．工业制小苏打是饱和氯化钠溶液中依次通入氨气、二氧化碳生成碳酸氢钠晶体和氯化铵，反应的化学方程式：NH3+CO2+H2O+NaCl═NaHCO3↓+NH4Cl，故C正确；
D．工业制粗硅是焦炭和二氧化硅高温反应生成硅和一氧化碳，反应的化学方程式：2C+SiO2 Si+2CO↑，故D错误；
故选：C。
8．B
答案选B。
9．A
【解析】
【详解】
表示单晶硅的是Si，故A正确。
综上所述，答案为A。
【点睛】
硅的主要用途是硅太阳能电池、硅半导体材料，二氧化硅主要用于光导纤维。
10．D
【解析】
【详解】
A．CPU芯片材料为硅，光导纤维材料为SiO2，故A错误；
B．工艺师用氢氟酸刻蚀石英，SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O，故B错误；
8．下列关于工业生产的说法中,不正确的是（）
A．工业上,用焦炭在电炉中还原二氧化硅得到含杂质的粗硅
B．生产普通水泥的主要原料有石灰石、石英和纯碱
C．工业上将粗铜电解精炼,应将粗铜连接电源的正极
D．在高炉炼铁的反应中,一氧化碳作还原剂
9．5G时代对于信息的传输、储存、处理技术提出了新的要求。某种三维存储器的半导体衬底材料是单晶硅。下列化学式中可用于表示单晶硅的是()
故选D。
2．A
【解析】
【详解】
A．因氟单质的氧化性最强，不能利用置换反应生成氟单质，故A选；
B．C与二氧化硅在高温下发生置换反应可以生成硅和CO，故B不选；
C．镁在二氧化碳中燃烧生成氧化镁和黑色的碳，该反应为置换反应，故C不选；
D．Fe与水蒸气在高温下发生置换反应生成四氧化三铁和氢气，可以通过置换反应制得，故D不选；
5．下列物质的制备，不符合工业生产实际的是（）
A．电解熔融氯化镁制单质镁
B．用软锰矿和浓盐酸在加热条件下制氯气
C．用二氧化硅在高温下与焦炭反应制得粗硅
D．工业上炼铁时，常用石灰石除去铁矿石中的SiO2
6．下列说法正确的是（）
A．石英玻璃和普通玻璃成分相同
B．工艺师可用盐酸蚀刻玻璃工艺品
C．由石英砂制备单晶硅的过程不涉及氧化还原反应
【详解】
（1）硅原子电子排布式：1s22s22p63s23p2，核外有5种不同能级的电子，当电子排布在同一能级的不同轨道时，基态原子中的电子总是优先占据不同轨道，而且自旋方向相同，最外层的p电子有1种自旋方向；SiO2晶体中每个硅原子与4个氧原子形成4个Si−O共价键；故答案为：5；1；4；
（2）非金属性越强单质的氧化性越强，碳的还原性弱于硅；减少生成物CO的浓度，平衡正向移动；故答案为：弱于；因为生成物CO为气态，降低CO的浓度，可使平衡正向移动；
A．SiB．H2SiO3
C．Na2SiO3D．SiO2
10．下列说法正确的是()
A．我国自主研发的“龙芯1号”CPU芯片与光导纤维是同种材料
B．工艺师利用盐酸刻蚀石英制作艺术品
C．水晶项链和餐桌上的瓷盘都是硅酸盐制品
D．粗硅制备单晶硅涉及氧化还原反应
二、综合题
11．硅及其化合物广泛应用于太阳能的利用、光导纤维及硅橡胶的制备等．
(2)一种由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗) SiCl4 SiCl4(纯) Si(纯)，在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：________________．
对于钠的卤化物(NaX)和硅的卤化物(SiX4)下列叙述正确的是________________
2．下列物质中不能通过置换反应生成的是（）
A．F2B．COC．CD．Fe3O4
3．下列有关工业生产的说法不正确的是
A．高炉炼铁、生产普通硅酸盐水泥和普通玻璃都要用到的一种原料是石灰石
B．工业上常以电解饱和食盐水为基础制取氯气
C．纯碱在玻璃、肥皂、食品等工业中有着广泛的应用
D．工业上利用焦炭与二氧化硅在高温下反应可直接制得高纯度的硅
C．水晶的主要成分为SiO2，不是硅酸盐制品，故C错误；
D．由粗硅制备单晶硅发生Si～SiCl4～Si的反应，它们均是氧化还原反应，故D正确；
答案选D。
11．514弱于因为生成物CO为气态，降低CO的浓度，可使平衡正向移动非极性小于 mol/（L•s）降低压强升高温度（或及时分离出HCl等） ．
【解析】
纯净的硅是从自然界中的石英矿石（主要成分为SiO2）中提取．高温下制取纯硅有如下反应（方法Ⅰ）：
①SiO2（s）+2C（s）⇌Si（s）+2CO（g）
②Si（s）+2Cl2（g）⇌SiCl4（g）
③SiCl4（g）+2H2（g）→Si（s）+4HCl（g）
完成下列填空：
（1）硅原子核外有______种不同能级的电子，最外层p电子有______种自旋方向；SiO2晶体中每个硅原子与______个氧原子直接相连．
故选A。
【点睛】
本题的易错点为D，要注意掌握常见的元素及其化合物的性质。
3．D
【解析】
【详解】
A．高炉炼铁的原料：铁矿石、焦炭、石灰石；制硅酸盐水泥的原料：石灰石和黏土；制普通玻璃的原料：石英砂、石灰石、纯碱，所以高炉炼铁、生产普通硅酸盐水泥和普通玻璃都要用到的原料是石灰石，故A正确；
B．电解饱和食盐水阳极氯离子失电子发生氧化反应生成氯气，阴极氢离子得到电子发生还原反应生成氢气，反应的化学方程式为2NaCl+2H2O 2NaOH+Cl2↑+H2↑，工业上常以电解饱和食盐水为基础制取氯气，故B正确；
故选D。
【点睛】
本题的易错点为A，要注意常见工业生产的原理的记忆；碳与二氧化硅高温下反应生成粗硅，不是纯硅，需要进一步提纯。
4．B
【解析】
【详解】
A.步骤③，氢气中氢元素化合价升高，氢气作还原剂，故A正确；
B.硅用作计算机“芯片”，二氧化硅不能作计算机“芯片”，故B错误；
C.步骤①是二氧化硅和碳在高温条件下反应生成硅和一氧化碳，反应的化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑，故C正确；
a．该反应的平衡常数随温度升高而增大
b．横坐标表示的投料比应该是
c．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可适当降低压强
(5)硅元素最高价氧化物对应的水化物是H2SiO3．室温下，0.1mol/L的硅酸钠溶液和0.1mol/L的碳酸钠溶液，碱性更强的是___________，其原因是________________．已知：H2SiO3：Ka1=2.0×10﹣10、Ka2=1.0×10﹣12，H2CO3：Ka1=4.3×10﹣7Ka2=5.6×10﹣11．
（6）工业上还可以通过如下反应制取纯硅（方法Ⅱ）：
④Si（粗）+3HCl（g） SiHCl3（l）+H2（g）+Q（Q＞0）
⑤SiHCl3（g）+H2（g） Si（纯）+3HCl（g）
提高反应⑤中Si（纯）的产率，可采取的措施有：______、______．
D.硅是半导体材料，可用于信息存储，能用于制作硅芯片，二氧化硅能用于制造光导纤维，D正确；故答案为：D。
7．C
【解析】
【详解】
A．氯碱工业制氯气是电解饱和食盐水，反应的化学方程式：2NaCl+2H2O Cl2↑+H2↑+2NaOH，故A错误；
B．磁铁矿成分为四氧化三铁，反应的化学方程式：4CO+Fe3O4 3Fe+4CO2，故B错误；
参考答案
1．D
【解析】
【分析】
【详解】
A. CPU半导体芯片用的是晶体硅，光导纤维用的是二氧化硅，两者所用的材料不同，A不正确；
B.水泥和玻璃的主要成分都是硅酸盐，故其均属于硅酸盐材料，但不属于新型硅酸盐材料，B不正确
C.水晶的成分是二氧化硅，陶瓷的主要成分是硅酸盐，C不正确；
D.粗硅制备单晶硅的过程中，先用氯气把硅氧化为四氯化硅，再用氢气把四氯化硅还原为硅，故该过程涉及氧化还原反应，D正确。
12．含硅元素的化合物广泛存在于自然界中，与其他矿物共同构成岩石．晶体硅(熔点1410℃)用途广泛，制取与提纯方法有多种．
(1)炼钢开始和结束阶段都可能发生反应：Si+2FeO 2Fe+SiO2，其目的是________________．
A．得到副产品硅酸盐水泥B．制取SiO2，提升钢的硬度
C．除去生铁中过多的Si杂质D．除过量FeO，防止钢变脆
(4)此外，还可以将粗硅转化成三氯氢硅(SiHCl3)，通过反应：SiHCl3(g)+H2(g)⇌Si(s)+3HCl(g)制得高纯硅．不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比(反应初始时，各反应物的物质的量之比)的变化关系如图所示．下列说法正确的是________________(填字母序号)．
4．高纯度晶体硅是良好的半导体材料，它的发现和使用引起了计算机的一场“革命”。它可以按下列方法制备：
SiO2 Si(粗) SiHCl3 Si(纯)
下列说法不正确的是（）
A．步骤③中氢气作还原剂
B．硅和二氧化硅都能用作计算机“芯片”
C．步骤①的化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑
D．步骤①②③中发生的反应都属于氧化还原反应
（2）单质的还原性：碳______硅（填写“同于”、“强于”或“弱于”）．从平衡的视角而言，反应①能进行的原因是______．
（3）反应②生成的化合物分子空间构型为；该分子为______分子（填写“极性”或“非极性”）．
（4）某温度下，反应②在容积为V升的密闭容器中进行，达到平衡时Cl2的浓度为a mol/L．然后迅速缩小容器容积到0.5V升，t秒后重新达到平衡，Cl2的浓度为b mol/L．则：a______b（填写“大于”、“等于”或“小于”）．
高中化学复习知识点：硅的制备
一、单选题
源自文库1．作为全球最大的电子产品制造国，中国却有着“芯”病。我国国产芯片自给率不到30%，产值不足全球的7%，市场份额不到10%。下列说法正确的是（）
A．CPU半导体芯片与光导纤维是同种材料
B．水泥和玻璃属于新型硅酸盐材料
C．水晶和陶瓷都是硅酸盐制品
D．粗硅制备单晶硅涉及氧化还原反应
D．Si可用于信息存储，SiO2可用于光纤通讯
7．下列解释工业生产或应用的化学方程式正确的是（）
A．氯碱工业制氯气：2NaCl（熔融） 2Na+C12↑
B．利用磁铁矿冶炼铁：CO+FeO Fe+CO2
C．工业制小苏打：NH3+CO2+H2O+NaCl=NaHCO3↓+NH4Cl
D．工业制粗硅：C+SiO2 Si+CO2↑
【解析】
【分析】
【详解】
A．工业上，用焦炭在电炉中还原二氧化硅SiO2+2C Si+2CO↑，得到含少量杂质的粗硅，故A正确；
B．生产普通水泥的原料是石灰石和黏土，石灰石、石英和纯碱是制备玻璃的主要原料，故B错误；
C．电解法精炼铜时，粗铜做阳极，连接电源正极，发生氧化反应，故C正确；
D．高炉炼铁原理，一氧化碳还原氧化铁生成铁，还原剂为一氧化碳，故D正确。
A．NaX易水解
B．SiX4是共价化合物
C．NaX的熔点一般高于SiX4
D．SiF4晶体是由共价键形成的空间网状结构
(3)粗硅经系列反应可生成硅烷(SiH4)，硅烷分解也可以生成高纯硅．硅烷的热稳定性弱于甲烷，所以Si元素的非金属性弱于C元素，用原子结构解释其原因：________________．
6．D
【解析】
【详解】
A.普通玻璃的主要成分是：二氧化硅、硅酸钠和硅酸钙，石英玻璃的成分主要为二氧化硅（SiO2），所以二者成分不同，A错误；
B.玻璃中含有二氧化硅，二氧化硅能和氢氟酸反应生成四氟化硅，而与盐酸不反应，所以工艺师用氢氟酸刻蚀玻璃制作工艺品，B错误；
C.由石英沙制备单晶硅过程中，硅元素的化合价由+4价变为0价，所以一定涉及氧化还原反应，C错误；
D.步骤①②③中，都有元素化合价改变，发生的反应都属于氧化还原反应，故D正确；
选B。
5．B
【解析】
【详解】
实验室制取氯气用二氧化锰和浓盐酸在加热条件反应，工业生成氯气常用电解饱和食盐水，故B符合题意。
综上所述所，答案为B。
【点睛】
电解熔融氧化铝得到铝，不能电解熔融氯化铝，电解熔融氯化镁得到镁，不能电解熔融氧化镁。
C．制普通玻璃的原料：石英砂、石灰石、纯碱，油脂在纯碱中可以发生水解生成高级脂肪酸盐，最终可以制得肥皂、食品工业上常用纯碱制作糕点等，纯碱在玻璃、肥皂、食品等工业中都有着广泛的应用，故C正确；
D．焦炭高温还原二氧化硅生成一氧化碳和硅，化学方程式：SiO2+2C Si+2CO↑，可制备粗硅，要制得高纯度硅，还需要进行提纯，其化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑、Si+2Cl2 SiCl4、SiCl4+2H2 Si+4HCl，故D错误；
C．工业制小苏打是饱和氯化钠溶液中依次通入氨气、二氧化碳生成碳酸氢钠晶体和氯化铵，反应的化学方程式：NH3+CO2+H2O+NaCl═NaHCO3↓+NH4Cl，故C正确；
D．工业制粗硅是焦炭和二氧化硅高温反应生成硅和一氧化碳，反应的化学方程式：2C+SiO2 Si+2CO↑，故D错误；
故选：C。
8．B
答案选B。
9．A
【解析】
【详解】
表示单晶硅的是Si，故A正确。
综上所述，答案为A。
【点睛】
硅的主要用途是硅太阳能电池、硅半导体材料，二氧化硅主要用于光导纤维。
10．D
【解析】
【详解】
A．CPU芯片材料为硅，光导纤维材料为SiO2，故A错误；
B．工艺师用氢氟酸刻蚀石英，SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O，故B错误；
8．下列关于工业生产的说法中,不正确的是（）
A．工业上,用焦炭在电炉中还原二氧化硅得到含杂质的粗硅
B．生产普通水泥的主要原料有石灰石、石英和纯碱
C．工业上将粗铜电解精炼,应将粗铜连接电源的正极
D．在高炉炼铁的反应中,一氧化碳作还原剂
9．5G时代对于信息的传输、储存、处理技术提出了新的要求。某种三维存储器的半导体衬底材料是单晶硅。下列化学式中可用于表示单晶硅的是()
故选D。
2．A
【解析】
【详解】
A．因氟单质的氧化性最强，不能利用置换反应生成氟单质，故A选；
B．C与二氧化硅在高温下发生置换反应可以生成硅和CO，故B不选；
C．镁在二氧化碳中燃烧生成氧化镁和黑色的碳，该反应为置换反应，故C不选；
D．Fe与水蒸气在高温下发生置换反应生成四氧化三铁和氢气，可以通过置换反应制得，故D不选；
5．下列物质的制备，不符合工业生产实际的是（）
A．电解熔融氯化镁制单质镁
B．用软锰矿和浓盐酸在加热条件下制氯气
C．用二氧化硅在高温下与焦炭反应制得粗硅
D．工业上炼铁时，常用石灰石除去铁矿石中的SiO2
6．下列说法正确的是（）
A．石英玻璃和普通玻璃成分相同
B．工艺师可用盐酸蚀刻玻璃工艺品
C．由石英砂制备单晶硅的过程不涉及氧化还原反应
【详解】
（1）硅原子电子排布式：1s22s22p63s23p2，核外有5种不同能级的电子，当电子排布在同一能级的不同轨道时，基态原子中的电子总是优先占据不同轨道，而且自旋方向相同，最外层的p电子有1种自旋方向；SiO2晶体中每个硅原子与4个氧原子形成4个Si−O共价键；故答案为：5；1；4；
（2）非金属性越强单质的氧化性越强，碳的还原性弱于硅；减少生成物CO的浓度，平衡正向移动；故答案为：弱于；因为生成物CO为气态，降低CO的浓度，可使平衡正向移动；
A．SiB．H2SiO3
C．Na2SiO3D．SiO2
10．下列说法正确的是()
A．我国自主研发的“龙芯1号”CPU芯片与光导纤维是同种材料
B．工艺师利用盐酸刻蚀石英制作艺术品
C．水晶项链和餐桌上的瓷盘都是硅酸盐制品
D．粗硅制备单晶硅涉及氧化还原反应
二、综合题
11．硅及其化合物广泛应用于太阳能的利用、光导纤维及硅橡胶的制备等．
(2)一种由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗) SiCl4 SiCl4(纯) Si(纯)，在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：________________．
对于钠的卤化物(NaX)和硅的卤化物(SiX4)下列叙述正确的是________________
2．下列物质中不能通过置换反应生成的是（）
A．F2B．COC．CD．Fe3O4
3．下列有关工业生产的说法不正确的是
A．高炉炼铁、生产普通硅酸盐水泥和普通玻璃都要用到的一种原料是石灰石
B．工业上常以电解饱和食盐水为基础制取氯气
C．纯碱在玻璃、肥皂、食品等工业中有着广泛的应用
D．工业上利用焦炭与二氧化硅在高温下反应可直接制得高纯度的硅
C．水晶的主要成分为SiO2，不是硅酸盐制品，故C错误；
D．由粗硅制备单晶硅发生Si～SiCl4～Si的反应，它们均是氧化还原反应，故D正确；
答案选D。
11．514弱于因为生成物CO为气态，降低CO的浓度，可使平衡正向移动非极性小于 mol/（L•s）降低压强升高温度（或及时分离出HCl等） ．
【解析】
纯净的硅是从自然界中的石英矿石（主要成分为SiO2）中提取．高温下制取纯硅有如下反应（方法Ⅰ）：
①SiO2（s）+2C（s）⇌Si（s）+2CO（g）
②Si（s）+2Cl2（g）⇌SiCl4（g）
③SiCl4（g）+2H2（g）→Si（s）+4HCl（g）
完成下列填空：
（1）硅原子核外有______种不同能级的电子，最外层p电子有______种自旋方向；SiO2晶体中每个硅原子与______个氧原子直接相连．
故选A。
【点睛】
本题的易错点为D，要注意掌握常见的元素及其化合物的性质。
3．D
【解析】
【详解】
A．高炉炼铁的原料：铁矿石、焦炭、石灰石；制硅酸盐水泥的原料：石灰石和黏土；制普通玻璃的原料：石英砂、石灰石、纯碱，所以高炉炼铁、生产普通硅酸盐水泥和普通玻璃都要用到的原料是石灰石，故A正确；
B．电解饱和食盐水阳极氯离子失电子发生氧化反应生成氯气，阴极氢离子得到电子发生还原反应生成氢气，反应的化学方程式为2NaCl+2H2O 2NaOH+Cl2↑+H2↑，工业上常以电解饱和食盐水为基础制取氯气，故B正确；
故选D。
【点睛】
本题的易错点为A，要注意常见工业生产的原理的记忆；碳与二氧化硅高温下反应生成粗硅，不是纯硅，需要进一步提纯。
4．B
【解析】
【详解】
A.步骤③，氢气中氢元素化合价升高，氢气作还原剂，故A正确；
B.硅用作计算机“芯片”，二氧化硅不能作计算机“芯片”，故B错误；
C.步骤①是二氧化硅和碳在高温条件下反应生成硅和一氧化碳，反应的化学方程式为：SiO2+2C Si+2CO↑，故C正确；
a．该反应的平衡常数随温度升高而增大
b．横坐标表示的投料比应该是
c．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可适当降低压强
(5)硅元素最高价氧化物对应的水化物是H2SiO3．室温下，0.1mol/L的硅酸钠溶液和0.1mol/L的碳酸钠溶液，碱性更强的是___________，其原因是________________．已知：H2SiO3：Ka1=2.0×10﹣10、Ka2=1.0×10﹣12，H2CO3：Ka1=4.3×10﹣7Ka2=5.6×10﹣11．