传感器测试实验报告

实验一直流激励时霍尔传感器位移特性实验

一、实验目的：

了解霍尔式传感器原理与应用O

二、基本原理：

金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现彖称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势U H=K K IB,当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中

沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为U k X =

H,式中k—位移传感器的灵敏度。这样它就

可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输岀线性度就越好。

三、需用器件与单元：

霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V直流电源、测微头、数显单元。

四、实验步骤：

1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中，实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源±5V,

2、4为输出。

2、

开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节Rwl使数显表指示为零。

图9-1直流激励时霍尔传感器位移实验接线图

3、测微头往轴向方向推进，每转动0・2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填

入表

表9— 1

作岀v-x曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。

五、实验注意事项：

1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。

2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V,否则将可能烧毁霍尔元件。

六、思考题：

本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的时什么量的变化？

七、实验报告要求：

1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。

2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种，各自的产生原因是什么，应怎样进行补偿。

实验二集成温度传感器的特性

一、实验目的：

了解常用的集成温度传感器基本原理、性能与应用。

二、基本原理：

集成温度传器将温敏晶体管与相应的辅助电路集成在同一芯片上，它能直接给岀正比于绝对温度的理想线性输出，一般用于一50°C — + 150°C之间测量，温敏晶体管是利用管子的集电极电流恒定时，晶体管的基极一发射极电压与温度成线性关系。为克服温敏晶体管叽电压生产时的离散性、均采用了特殊的差分电路。集成温度传感器有电压型和电流型二种，电流输出型集成温度传感器，在一定温度下，它相当于一个恒流源。因此它具有不易受接触电阻、引线电阻、电压噪声的干扰。具有很好的线性特性。本实验采用的是国产的AD590o它只需要一种电源（+4V—+ 30V）。即可实现温度到电流的线性变换，然后在终端使用一只取样电阻

（本实验中为R2）即可实现电流到电压的转换。它使用方便且电流型比电压型的测量精度更高。

三、需用器件与单元：

温度控制器、加热源、温度模块、数显单元、万用表。

四、实验步骤：

1、将主控箱上总电源关闭，把主控箱中温度检测与控制单元中的恒流加热电源输出与温度模块中的恒流输入连接起来。

2、将温度模块中的温控PtlOO与主控箱的PtlOO输入连接起来。

3、将温度模块中左上角的AD590接到a,、b上（正端接a,负端接b）,再将b、d连接起来。

4、将主控箱的+5V电源接入a和地之间。

5、将d和地与主控箱的电压表输入端相连（即测量1K电阻两端的电压）。

00

6、开启主电源，将温度控制器的SV窗口设定为50C（设置方法见附录2）,以后每隔5C

设定一次，即△ t=C

5,读取数显表值，将结果填入下表。

表

7、根据上表计算AD590的非线性误差。

五、实验注意事项：

1、加热器温度不能加热到120°C以上，否则将可能损坏加热器。

2、不要将AD590的+、-端接反，因为反向电压可能击穿AD590o

六、思考题：

大家知道在一定的电流模式下PN结的正向电压与温度之间具有较好的线性关系，因此就有温敏二极管，你若有兴趣可以利用开关二极管或其它温敏二极管在50°C-100°C之间，作温度特性，然后与集成温度传感器相同区间的温度特性进行比较，从线性看温度传感器线性优于温敏二极管，请阐明理由。

七、实验报告要求：

1、简单说明AD590的基本原理，讨论电流输岀型和电压输出型集成温度传感器的优缺点。

2、总结实验后的收获、体会。

实验三光电二极管和光敏电阻的特性研究

一、实验目的：

了解光电二极管和光敏电阻的特性与应用。

二、基本原理：

(1)光电二极管：

光电二极管是利用PN结单向导电性的结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN结安装在管的顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大的光生电流，PN结的面积比一般二极管要大。为了光电转换效率高，PN结的深度比一般二极管浅。光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。在这种情况下，当无光照时，处于反偏的二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流。反向电流小的原因是在PN结中，P型中的电子和N 型中的空穴(少数载流子)很少。当光照射在PN结上时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子空穴对，使P区和N区的少数载流子浓度大大增加，在外加反偏电压和内电场的作用下，P区的少数载流子渡越阻挡层进入N 区，N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成了光电流，反向电流随光照强度增加而增加。另一种工作状态是在光电二极管上不加电压，利用PN结受光照强度增加而增加。N结受光照时产生正向电压的原理，将其作为微型光电池用。这种工作状态一般用作光电检测。光电二极管常用的材料有硅、错、锂化钢、不巾化钢等，使用最广泛的是硅、错光电二极管。光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好的温度稳定性和低工作电压的优点，因而得到了广泛的应用。

图为光电流信号转换电路，Vo二IpR, Ip为光电流，R是反馈电阻。

+5

(2)光敏电阻：

光敏电阻是利用光的入射引起半导体电阻的变化来进行工作的。光敏电阻的工作原理是基于光电导效应：在无光照时，光敏电阻具有很高的阻值；在有光照时，当光电子的能量大于材料禁带宽度，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电的电子一空穴对，使电阻降低，光线愈强，激发岀的电子一空穴对越多，电阻值越低；光照停止后，自由电子与空穴复合，导电能力下降，电阻恢复原值。制作光敏电阻的材料常用硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、硫化铅(PbSe)僦化钢(InSb)等。

由于光导效应只限于光照表面的薄层，所以一般都把半导体材料制成薄膜，并赋予适当的电阻值，电极构造通常做成梳形，这样，光敏电阻与电极之间的距离短，载流子通过电极的时间T少，而材料的载流子寿命c釆较