兴奋性突触后电位
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1、神经肌肉接头结构由(突触前膜), (突触后膜), (突触间隙)三部分组组成。
2、神经递质贮存于:
A、突触囊泡;
B、突触小体;
C、突触前膜;
D、突触后膜。
3、突触前抑制的结构基础是:
A、轴突-轴突型突触;
B、轴突-树突型突触;
C、轴突-胞体型突触;
D、胞体-胞体型突触。
4、简述什么是EPSP和IPSP
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前轴突末梢的AP 内流突触囊泡中兴奋性递质释放递质与突触后
Na+(主) K+通透性↑内流、K+外流去极化(EPSP)
IPSP 抑制性突触后电位
突触前轴突末梢的AP Ca2+突触囊泡中抑制性递质释放递质与突触后膜受体结合突触后膜离子通道开放主要) K+通透性↑Cl-内流、K+外流
超极化(IPSP)
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。
或者:
EPSP 称兴奋性突触后电位
突触前膜兴奋并释放兴奋性化学递质,与突触后膜受体结合后,提高突触后膜对Na+ 、K+、Cl-,特别是对Na+的通透性,使膜电位极化状态减小膜局部除极化。由于此除极化能兴奋突触,突触后神经元容易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的加强,因此称这种局部电位为兴奋性突触后电位(EPSP)。
IPSP 抑制性突触后电位
突出前神经元突触末梢兴奋,释放到突触间隙中的是抑制性递质。此递质与突触后膜特异性受体结合,使离子通道开放,提高了膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性,使突触后膜的膜电位增大,突触后膜出现超极化。由于这种超极化电位使突触后神经元膜电位远离阈电位值,突触后神经元不易发生兴奋,表现为突触后神经元活动的抑制,因此将这种局部电位称为抑制性突触后电位(IPSP)。