PCB图形转移
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PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 影响曝光成像质量和生产效率因素 ：
（除光致抗蚀剂性能） 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制 ） 菲林的质量
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源 所发射出的光谱应与感光材料吸收光谱相匹
配，能获得较好的曝光效果。目前干膜的
菲林制作：根据客户的要求，将线路图形plot在 菲林（底片）上，并进行检查后投入生产。 菲林检查：检查菲林上的杂质或漏洞，避免 影像转移出误。
曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏 物质进行光化学反应，以达到选择性局部桥 架硬化的效果，而完成影像转移的目的。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.3 线路蚀刻（Circuitry etching)
❖ 停留时间的设定及影响： 贴膜后板子须停留时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而黏结不牢，造成菲林松。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光能量的确定：
严格讲，以时间来计量曝光是不科学的。
曝光光能量公式：E=It
式中：
E ---- 总的曝光能量，mj/cm2
I ---- 灯光强度， mw/cm2
t ---- 曝光时间，s
从上述可知,总曝光能量E随灯光强度I和时间t而变化。若t 恒定，光强I 发生变化，总曝光能量E也随之改变。而灯 光强度随着电源压力的波动及灯的老化而发生变化，于
注：以上亦是测试新干膜的几种基本项目
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.3 曝光原理（感光原理）：
紫外光能量
光引发剂 R’ 单体
聚合物
自由基传递
聚合交联反应
PCB图形转移
四、工艺制程原理
被曝光部分：
菲林透光的区域在紫外光照射下，光引发剂吸收
光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行 聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结 构。 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影 液冲掉。
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
显影
显影：通过药水碳酸钠的作用下，将未曝光部 分的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。
蚀刻
蚀刻：是将未曝光的露铜部份面蚀刻掉。
褪膜
褪膜：是通过较高浓度的NaOH（1-4%）将 保护线路铜面的菲林去掉。
PCB图形转移
吸收光波长为325-365nm,较短波长的光，曝 光后成像图形的边缘整齐清晰。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 光能量与光波长关系如下：
ε=h r=h c /λ
式中:
ε —— 光能量(单位:尔格) h —— 布郎克常数(6.625 10-2尔格.秒) r —— 光的频率(单位:秒-1(HZ)） c —— 真空中光速(单位:CM) λ —— 波长(值为:2.289103cm/S)
θc
θα/2
一般平行光曝光机的定义: θc、 θα/2≤30
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 散射光、平行光，两者优缺点比较：
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光时间（曝光量）的控制：
在曝光过程中，干膜的聚合反应并非“一引而发”， 而是大体经过三个阶段：
单
体
消
Baidu Nhomakorabea
耗
增
诱导 区
单体耗
加
单体耗
尽区
尽区
是曝光量发生改变，导致干膜在每次曝光时所接受的总
曝光量并不一定相同，即聚合程度亦不相同。为使每次
干膜的聚合程度相同应采用曝光能量控制曝光。即采用
具有曝光光能量控制的曝光机。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 菲林底片 以干膜作为线路板影像转移制板时，需以偶氮棕片 (DIA20 FILM)或黑白片作为曝光工具，在曝光时充当 “底片”的角色。
* 偶氮棕片之影像是翻照自黑白之母片（Master Artwork) 的。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 影响菲林底片质量主要因素：光密度，尺寸稳定性
❖ 光密度要求：
最大光密度D max大于4.5； 最小光密度D min小于0.2
* 最大光密度是指底版在紫外光中，其表面挡光膜的挡光下
限，即底版不透明区挡光密度D max超过4.5时，才能达到良 好的挡光目的。
平行光
散光源
Defect
底片
干膜
基材
Defect
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源形式分为散射光、平行光： 事实上，完全的理想平行光曝光机是不存在的，但我们 经常会用曝光机光源的入射角θc(Declination Angle)和 散射角θα/2(Collimation Angle)来决定曝光机的性能。
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学方法获得的能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引发剂或光交联剂组成。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.5 干膜/湿膜性能比较：
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.6 干膜使用的主要品质要求： ❖ 解像度附着力 ❖ 盖孔能力 ❖ 除油剂溶解测试 ❖ 光谱特性 ❖ 显影性及耐显影性 ❖ 耐蚀刻性和耐电镀性 ❖ 去膜性能
图形转移工序包括：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（方法一）
涂湿膜
（方法二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形
退
蚀
褪
电
理
膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
* 最小光密度是指底版在紫外光中，其挡光膜以外透明片 基
所呈现的挡光上限,即底版透明区之光密度Dmin小 于0.2时，
才能达到良好的透光目的。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 尺寸稳定性影响： 底片的尺寸稳定性将直接影响印制板的尺寸精度和 图像重合度，受温、湿度及储存时间的变化。
下表以D1A20为例的尺寸变化（由膨胀系数据决定）
PCB图形转移
学习改变命运,知 识创造未来
2021年2月23日星期二
目
录
一、前言……………………………………… 3 二、工序制作简介…………………………… 4 三、工艺制作流程…………………………… 5-12 四、工艺制程原理…………………………… 13-45 五、各工序主要测试项目…………………… 46-52 六、常见问题种类及特征…………………… 53-59 七、结束语…………………………………… 60-61
PCB图形转移
四、工艺制程原理
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 ❖ 清洁处理方法比较
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加 热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜箔板上。
干膜 Cu
底片
基材
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.1 前处理工序（Surface Pre-Treatment) （以内层制作为例 ）
定义：将铜面粗化，使之后工序的干膜有效地附着在铜面上。
磨板的方式：化学磨板、物理磨板（机械）。
除油
（+水洗）
微蚀
（+水洗）
酸洗
（+水洗）
热风吹干
除油：通过酸性化学物质将铜面的油性物质， 氧化膜除去。 微蚀：原理是铜表面发生氧化还原反应，形 成粗化的铜面。
PCB图形转移
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，适用 于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相 关技术人员的培训. 随着图形转移技术的不断革新,部分观点将出 现差异,我们应以实际的要求及变化为准.
PCB图形转移
二、工序制作简介
图形转移的定义：
就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 的不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉 ，经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜 电路图形。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以外层丝印图形转移工序为例：
板
面
丝
处
低
曝
温
显
U V 紫
高 温
理
印
锔
光
影
外
锔
菲林制作
字
符
PCB图形转移
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(内层图示） 贴膜 曝光
干膜 Cu层 基材层
底片
显影 蚀刻 褪膜
PCB图形转移
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(外层图示） 贴膜 曝光 显影 图电 褪膜 蚀刻 褪锡
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理
❖目的 未经任何处理的铜表面，对干膜不能提供足够的粘 附 ，因此必须清除其上一切的氧化物、污渍，同时要求 表面微观粗糙，以增大干膜与基材表面的接触面积。
❖ 清洁处理方法
机械磨板法 （磨料刷辊式刷板机+浮石粉刷板
）
化学清洗法 （ 除油+微蚀+酸洗
）
PCB图形转移
四、工艺制程原理
曝光时间增加
故正确控制曝光时间是得到优良的干膜抗蚀图像的主要因素之一
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光时间的确定：
采用Ristor 17格或SST21格曝光尺做曝光显像检查，确定曝光时 间。用光密度尺进行曝光时，光密度小的（即较透明的）等级， 干膜接受紫外光能量多，聚合较完全，而光密度大的（即透明程 度差的）等级，干膜接受的紫外光能量少，不发生聚合反应或聚 合不完全，这样选择不同时间进行曝光，可得到不同成像级数， 在显影时被显影掉或只剩下一部分。
四、工艺制程原理
64..21.干1 干膜膜结结构构（光致抗蚀剂干膜） ：
PE 聚乙烯保护膜 （25μm）
干膜（光阻胶层）
PET COVER FILM （25μm）
其中：聚乙烯保护膜是覆盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物 粘污干膜 阻止干膜胶层粘附在下层PET上； 聚脂类透明覆片（PET）作用： 1、避免干膜阻剂层在未曝光前遭刮伤； 2、在曝光时阻止氧气侵入光阻胶层，破坏游离基，引起感光度 下降
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 尺寸稳定性影响： 从上表可看出，在0-50℃与 10-90RH之间以7mil D1A20为例，平均每△%RH变化为0.7×10-5,而每个 △T ℃ 则约变化2 ×10-5,这种变化如不超过极限, 当温、温度恢复原来状态时， D1A20 Film的尺寸会 恢复原来的尺寸。 为能使D1A20底片与工作现场的温、湿度达到平衡， 在进行曝光前，D1A20至少应静置于制造场所超过8 小时以上。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.2 干膜的主要成分及作用 ：
光阻胶层的主要成分
粘结剂(成膜树脂) 光聚合单体
光引发剂
各种添加剂
作用
起抗蚀剂的骨架作用,不参加化学反应 在光引发剂的存在下,经紫外光照射下 发生聚合反应,生成体型聚合物,感光 部分不溶于显影液,而未曝光部分可通 过显影除去
在紫外光照射下，光引发剂吸收紫外 光能量产生游离基，游离基进一步引 发光聚合单体交联 增强干膜物性及增强铜面附着力等
❖ 贴膜示意图
保护膜 干膜
铜板
热辘
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 ❖ 贴膜过程注意三要素：
压力， 温度，传送速度
❖ 贴膜后要求： 贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 停置15分钟后再进行曝光。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜
酸洗：将铜离子及减少铜面的氧化。
热风吹干：将板面吹干。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.2 影像转移（Image transter)
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
辘膜（贴干膜） 菲林制作 菲林检查
曝光
辘膜：以热贴的方式将干膜贴附在板铜面上。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.3 干感光层主体树脂组成：
R1
CH2 C
m
CO2R2
CH3
CH2 C
n
CO2H
CH3 CH2＝C-CO
OC2H4 m O
CH3
CH3
C
O C2HO4 n CO C＝CH2
CH3
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.4 成像图形转移使用的光成像材料：
❖ 按物理状态分为:
从式中可以看出光的波长越短其能量越大，由于300nm以下波长易 被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光机中选用的光源其波 长一般为320-400nm之间。而高压泵灯及卤化物灯在310-440nm波长 范围均有较大的相对辐射强度,故为干膜曝光较理想光源。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源形式分为散射光、平行光：
四、工艺制程原理
❖ 影响曝光成像质量和生产效率因素 ：
（除光致抗蚀剂性能） 曝光机光源 曝光时间（曝光能量控制 ） 菲林的质量
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源的选择 光源的特性直接影响曝光质量和效率，光源 所发射出的光谱应与感光材料吸收光谱相匹
配，能获得较好的曝光效果。目前干膜的
菲林制作：根据客户的要求，将线路图形plot在 菲林（底片）上，并进行检查后投入生产。 菲林检查：检查菲林上的杂质或漏洞，避免 影像转移出误。
曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏 物质进行光化学反应，以达到选择性局部桥 架硬化的效果，而完成影像转移的目的。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.3 线路蚀刻（Circuitry etching)
❖ 停留时间的设定及影响： 贴膜后板子须停留时间15分钟以上，24小时以内。 如果停留时间不够： 干膜中所加入的附着力促进剂没有与铜完全发生作 用而黏结不牢，造成菲林松。 若停留时间太久： 就会造成反应过度附着力太强而显影剥膜困难。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光能量的确定：
严格讲，以时间来计量曝光是不科学的。
曝光光能量公式：E=It
式中：
E ---- 总的曝光能量，mj/cm2
I ---- 灯光强度， mw/cm2
t ---- 曝光时间，s
从上述可知,总曝光能量E随灯光强度I和时间t而变化。若t 恒定，光强I 发生变化，总曝光能量E也随之改变。而灯 光强度随着电源压力的波动及灯的老化而发生变化，于
注：以上亦是测试新干膜的几种基本项目
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.3 曝光原理（感光原理）：
紫外光能量
光引发剂 R’ 单体
聚合物
自由基传递
聚合交联反应
PCB图形转移
四、工艺制程原理
被曝光部分：
菲林透光的区域在紫外光照射下，光引发剂吸收
光能分解成自由基，自由基再引发光聚合单体进行 聚合交联反应，形成不溶于稀溶液的体型大分子结 构。 未被曝光部分： 菲林遮光的区域保持贴膜后的附着状态，将被显影 液冲掉。
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
显影
显影：通过药水碳酸钠的作用下，将未曝光部 分的干膜溶解并冲洗后，留下感光的部分。
蚀刻
蚀刻：是将未曝光的露铜部份面蚀刻掉。
褪膜
褪膜：是通过较高浓度的NaOH（1-4%）将 保护线路铜面的菲林去掉。
PCB图形转移
吸收光波长为325-365nm,较短波长的光，曝 光后成像图形的边缘整齐清晰。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 光能量与光波长关系如下：
ε=h r=h c /λ
式中:
ε —— 光能量(单位:尔格) h —— 布郎克常数(6.625 10-2尔格.秒) r —— 光的频率(单位:秒-1(HZ)） c —— 真空中光速(单位:CM) λ —— 波长(值为:2.289103cm/S)
θc
θα/2
一般平行光曝光机的定义: θc、 θα/2≤30
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 散射光、平行光，两者优缺点比较：
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光时间（曝光量）的控制：
在曝光过程中，干膜的聚合反应并非“一引而发”， 而是大体经过三个阶段：
单
体
消
Baidu Nhomakorabea
耗
增
诱导 区
单体耗
加
单体耗
尽区
尽区
是曝光量发生改变，导致干膜在每次曝光时所接受的总
曝光量并不一定相同，即聚合程度亦不相同。为使每次
干膜的聚合程度相同应采用曝光能量控制曝光。即采用
具有曝光光能量控制的曝光机。
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四、工艺制程原理
❖ 菲林底片 以干膜作为线路板影像转移制板时，需以偶氮棕片 (DIA20 FILM)或黑白片作为曝光工具，在曝光时充当 “底片”的角色。
* 偶氮棕片之影像是翻照自黑白之母片（Master Artwork) 的。
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四、工艺制程原理
❖ 影响菲林底片质量主要因素：光密度，尺寸稳定性
❖ 光密度要求：
最大光密度D max大于4.5； 最小光密度D min小于0.2
* 最大光密度是指底版在紫外光中，其表面挡光膜的挡光下
限，即底版不透明区挡光密度D max超过4.5时，才能达到良 好的挡光目的。
平行光
散光源
Defect
底片
干膜
基材
Defect
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源形式分为散射光、平行光： 事实上，完全的理想平行光曝光机是不存在的，但我们 经常会用曝光机光源的入射角θc(Declination Angle)和 散射角θα/2(Collimation Angle)来决定曝光机的性能。
干膜抗蚀剂 及 液体抗蚀剂
光致抗蚀剂：是指用化学方法获得的能抵抗某种 蚀刻液或电镀溶液浸蚀的感光材料。感光材料主 要是由主体树脂和光引发剂或光交联剂组成。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.5 干膜/湿膜性能比较：
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.6 干膜使用的主要品质要求： ❖ 解像度附着力 ❖ 盖孔能力 ❖ 除油剂溶解测试 ❖ 光谱特性 ❖ 显影性及耐显影性 ❖ 耐蚀刻性和耐电镀性 ❖ 去膜性能
图形转移工序包括：
内层制作影像工序，外层制作影像工序，外层丝印工序。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以内层图形转移工序为例：
板面处理
贴干膜
（方法一）
涂湿膜
（方法二）
曝显蚀退 光影刻膜
菲林制作
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以外层图形转移工序为例：
板
贴
面 处
干
曝
显
图
形
退
蚀
褪
电
理
膜
光
影
镀
膜
刻
锡
菲林制作
* 最小光密度是指底版在紫外光中，其挡光膜以外透明片 基
所呈现的挡光上限,即底版透明区之光密度Dmin小 于0.2时，
才能达到良好的透光目的。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 尺寸稳定性影响： 底片的尺寸稳定性将直接影响印制板的尺寸精度和 图像重合度，受温、湿度及储存时间的变化。
下表以D1A20为例的尺寸变化（由膨胀系数据决定）
PCB图形转移
学习改变命运,知 识创造未来
2021年2月23日星期二
目
录
一、前言……………………………………… 3 二、工序制作简介…………………………… 4 三、工艺制作流程…………………………… 5-12 四、工艺制程原理…………………………… 13-45 五、各工序主要测试项目…………………… 46-52 六、常见问题种类及特征…………………… 53-59 七、结束语…………………………………… 60-61
PCB图形转移
四、工艺制程原理
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
四、工艺制程原理
学习改变命运,知 识创造未来
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理 ❖ 清洁处理方法比较
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 贴膜时，先从干膜上剥下聚乙烯保护膜，然后在加 热加压条件下将干膜抗蚀剂粘膜在覆铜箔板上。
干膜 Cu
底片
基材
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.1 前处理工序（Surface Pre-Treatment) （以内层制作为例 ）
定义：将铜面粗化，使之后工序的干膜有效地附着在铜面上。
磨板的方式：化学磨板、物理磨板（机械）。
除油
（+水洗）
微蚀
（+水洗）
酸洗
（+水洗）
热风吹干
除油：通过酸性化学物质将铜面的油性物质， 氧化膜除去。 微蚀：原理是铜表面发生氧化还原反应，形 成粗化的铜面。
PCB图形转移
一、前 言
编写本教材为[图形转移]工艺制作原理，适用 于负责内外层图形转移工序入职工程师、及相 关技术人员的培训. 随着图形转移技术的不断革新,部分观点将出 现差异,我们应以实际的要求及变化为准.
PCB图形转移
二、工序制作简介
图形转移的定义：
就是将在处理过的铜面上贴上或涂上一层感光性膜层， 在紫外光的照射下，将菲林底片上的线路图形转移到铜 面上，形成一种抗蚀的掩膜图形，那些未被抗蚀剂保护 的不需要的铜箔，将在随后的化学蚀刻工艺中被蚀刻掉 ，经过蚀刻工艺后再褪去抗蚀膜层，得到所需要的裸铜 电路图形。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
❖ 以外层丝印图形转移工序为例：
板
面
丝
处
低
曝
温
显
U V 紫
高 温
理
印
锔
光
影
外
锔
菲林制作
字
符
PCB图形转移
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(内层图示） 贴膜 曝光
干膜 Cu层 基材层
底片
显影 蚀刻 褪膜
PCB图形转移
三、工艺制作流程
图形转移过程原理(外层图示） 贴膜 曝光 显影 图电 褪膜 蚀刻 褪锡
四、工艺制程原理
4.1 ：板面前处理
❖目的 未经任何处理的铜表面，对干膜不能提供足够的粘 附 ，因此必须清除其上一切的氧化物、污渍，同时要求 表面微观粗糙，以增大干膜与基材表面的接触面积。
❖ 清洁处理方法
机械磨板法 （磨料刷辊式刷板机+浮石粉刷板
）
化学清洗法 （ 除油+微蚀+酸洗
）
PCB图形转移
四、工艺制程原理
曝光时间增加
故正确控制曝光时间是得到优良的干膜抗蚀图像的主要因素之一
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光时间的确定：
采用Ristor 17格或SST21格曝光尺做曝光显像检查，确定曝光时 间。用光密度尺进行曝光时，光密度小的（即较透明的）等级， 干膜接受紫外光能量多，聚合较完全，而光密度大的（即透明程 度差的）等级，干膜接受的紫外光能量少，不发生聚合反应或聚 合不完全，这样选择不同时间进行曝光，可得到不同成像级数， 在显影时被显影掉或只剩下一部分。
四、工艺制程原理
64..21.干1 干膜膜结结构构（光致抗蚀剂干膜） ：
PE 聚乙烯保护膜 （25μm）
干膜（光阻胶层）
PET COVER FILM （25μm）
其中：聚乙烯保护膜是覆盖在感光胶层上的保护膜，防止灰尘等污物 粘污干膜 阻止干膜胶层粘附在下层PET上； 聚脂类透明覆片（PET）作用： 1、避免干膜阻剂层在未曝光前遭刮伤； 2、在曝光时阻止氧气侵入光阻胶层，破坏游离基，引起感光度 下降
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 尺寸稳定性影响： 从上表可看出，在0-50℃与 10-90RH之间以7mil D1A20为例，平均每△%RH变化为0.7×10-5,而每个 △T ℃ 则约变化2 ×10-5,这种变化如不超过极限, 当温、温度恢复原来状态时， D1A20 Film的尺寸会 恢复原来的尺寸。 为能使D1A20底片与工作现场的温、湿度达到平衡， 在进行曝光前，D1A20至少应静置于制造场所超过8 小时以上。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.2 干膜的主要成分及作用 ：
光阻胶层的主要成分
粘结剂(成膜树脂) 光聚合单体
光引发剂
各种添加剂
作用
起抗蚀剂的骨架作用,不参加化学反应 在光引发剂的存在下,经紫外光照射下 发生聚合反应,生成体型聚合物,感光 部分不溶于显影液,而未曝光部分可通 过显影除去
在紫外光照射下，光引发剂吸收紫外 光能量产生游离基，游离基进一步引 发光聚合单体交联 增强干膜物性及增强铜面附着力等
❖ 贴膜示意图
保护膜 干膜
铜板
热辘
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜 ❖ 贴膜过程注意三要素：
压力， 温度，传送速度
❖ 贴膜后要求： 贴膜应是表面平整、无皱折、无气泡、无灰尘颗 粒等夹杂，同时为保存工艺的稳定性，贴膜后应 停置15分钟后再进行曝光。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2 ：板面贴膜
酸洗：将铜离子及减少铜面的氧化。
热风吹干：将板面吹干。
PCB图形转移
三、工艺制作流程
3.2 影像转移（Image transter)
定义：利用感光材料，将设计的线路图形通过曝光/显影/蚀刻的工 艺步骤，达至所需铜面线路图形。
辘膜（贴干膜） 菲林制作 菲林检查
曝光
辘膜：以热贴的方式将干膜贴附在板铜面上。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.3 干感光层主体树脂组成：
R1
CH2 C
m
CO2R2
CH3
CH2 C
n
CO2H
CH3 CH2＝C-CO
OC2H4 m O
CH3
CH3
C
O C2HO4 n CO C＝CH2
CH3
PCB图形转移
四、工艺制程原理
4.2.4 成像图形转移使用的光成像材料：
❖ 按物理状态分为:
从式中可以看出光的波长越短其能量越大，由于300nm以下波长易 被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光机中选用的光源其波 长一般为320-400nm之间。而高压泵灯及卤化物灯在310-440nm波长 范围均有较大的相对辐射强度,故为干膜曝光较理想光源。
PCB图形转移
四、工艺制程原理
❖ 曝光光源形式分为散射光、平行光：