硅PNP双极型晶体管(器件工艺技术)

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二、器件的结构图
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平衡条件下的PNP三极管的示意图
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C
B
E
C
B
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三极管剖面图
三极管俯视图
C：collector 集电区 B：base 基区 E：emitter 发射区
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三、器件的制作工艺
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双极性晶体管能够放大信号,提供较高的跨导和输 出电阻，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐 久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬 声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工 程、医疗器械和机器人等应用产品中。 并且可以将它控制在截止和饱和状态下用作开关器 件。
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四.双极结型晶体管的发展历史
• 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、 Shockley、Brattain) • 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley) • 1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) • 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI） • 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 • 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学高鼎三） • 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产
硅PNP双极型晶体管
PNP Bipolar Junction Transistors
小组成员 李 钊 戴金锐 王伟利
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目录 （1）器件的应用 （2）器件的结构及名称 （3）器件的制作工艺 （4）器件的发展历程 （5）双极型器件的扩展
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一、器件的应用
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五.双极型器件的扩展——异质结双极性晶体 管
在图中的异质结双极性晶体管中， 基极区域的能隙分布不均匀有利于 少数载流子（电子）通过基极区域。 图中浅蓝色表示耗尽层。
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异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶 体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百 GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛 刻的应用。 异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性 晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区 域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷 固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。[1]:101采用这样的异质结，双极性晶 体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。
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