半导体器件后17个讨论

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分析雪崩击穿与齐纳击穿的异同

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①异：雪崩击穿：在反向电压下载流子撞击其他价电子产生连锁的倍增反应，导致载流子急剧增加，电流增大；齐纳击穿：由场激发产生大量载流子，电流剧增；②同：都是在反向电压下被击穿，电流无限大

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如何确定二极管工作频率的高低？为什么“在低频正向偏压下，扩散电容尤其重要”？

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反向瞬变对PN结工作的影响是什么？

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会影响PN结的工作速度

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为什么PN结会有反向瞬变

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原因是PN结的存储效应。具体来说是当正偏压突然转换至反偏压时，在稳态条件下所存储的载流子不能立即消除

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什么是反向瞬变？

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pn结从正向偏压改变为反向偏压时，电流和电压的延迟现象，称之为PN结的反向瞬变。

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BJT为什么称为“双极”晶体管？

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两种载流子导电，电子，空穴。

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什么是“双扩散”晶体管？主要原因是什么？

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双扩散”晶体管：缓变晶体管的基区掺杂浓度是随位置变化的，低注入下少子的运动既有扩散也有漂移。原因：发射区电子扩散到基区，基区因为浓度渐变形成内建电场使得电子加速漂移。

19:41:48

晶体管的三个区分别起什么作用？

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发射区：高掺杂，发射载流子。

基区：距离短，运输载流子。

集电区：范围大，收集载流子。

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若基区很薄，哪两个电流分量近似相等？

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lne lnc

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晶体管放大作用的条件是什么？

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基区宽度远小于电子扩散长度发射结正偏，集电结反偏

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什么是发射极注射效率？如何提高？

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发射极注射效率:从发射区注入到基区的电子电流在总的发射极电流中所占的比例。采用N+P结和提高晶体质量可以提高该效率。

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什么是基区运输因子？如何提高？

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发射极注入基级的电子电流中能够到达集电极的那部分所占比例. 提高：减小基区宽度

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根据运输因子公式，说明如何提高基区运输因子

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减小基区厚度

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理想情况下，共基极连接三极管的基极电路和集电极电流由哪些载流子的什么运输构成的？

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基极电流:空穴正向注入到发射区发生扩散运动。集电极电流:电子正向注入到基区，电子发生扩散运动。

20:59:30

分析Kirk效应的产生原因和影响

20:59:44

Kirk效应(基区展宽效应)：由于外延N层的浓度低于基区(大注入)，使得集电结耗尽层向外延层扩展，增加了基区的宽度，结果会导致在高电流下电流增益和频率特性下降

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什么是双扩散晶体管？分析原因。

21:01:49

双扩散晶体管：在正向有源模式下，少子的运动既有扩散也有漂移。原因：从发射区注入到基区的少子，由于掺杂浓度的不均匀，少子不仅发生扩散，还会受到内建电场的作用发生漂移运动，少子被加速运输

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说明基区展宽效应和Early效应。

21:02:11

early效应:当集电结电压增加时，集电结空间电荷区展宽，使有效基区宽度减小，使基区输运因子和电流增益增加，从而导致Ic增加。基区展宽效应: 反偏PN结的耗尽层宽度明显依赖于电压。因此工作在放大状态的集电结耗尽层宽度依赖于VCE（或VCB），该偏压也会影响基区的宽度XB，称为基区宽度调制。

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开关时间如何影响晶体管的使用？如何减小开关时间？

21:02:53

开关时间的存在限制了晶体管的使用，如果开关时间与输入脉冲的持续时间很相近或更长，那么晶体管就失去了开关作用。减小方法：减小载流子的寿命。

21:03:06

开关时间的实质是什么？

21:03:30

由于电荷的再分布现象，使得三极管中电荷存在电容效应，晶体管由一个状态转换为另外一个状态会发生延迟。

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半导体“表面”是什么？什么是表面势？

21:04:12

表面是指氧化层和半导体层的接触面，即o点x=0处，在外电场作用下，表面电势指的是半导体的表面势

21:04:25

什么是空间电荷区

21:04:41

由于金属中的自由载流子浓度远大于半导体，因此在半导体中形成了一个相当厚的电荷层，称为空间电荷区

21:04:59

什么是导电沟道

21:05:13

在强反型之后，对于P型半导体反型层中电子电荷在外加电压的作用下变化迅速，导电能力增强，形成导电沟道

21:05:32

形成强反型后，再增加栅电压，空间电荷区厚度、QB，QI，以及能带的弯曲，如何变化

21:06:03

空间电荷区的厚度基本不变，QB基本不变QI迅速增高，若表面势升高则能带弯曲幅度增大。

21:06:16

MOSFET正常工作时哪个状态

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强反型