SSD架构简介
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最大256M的DDR/DDR2缓存 的 最大 缓存
SSD Introduce
SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
INDILINX是一家韓國公司在 是一家韓國公司在2006年10月19日，由三個 是一家韓國公司在 年 月 日 工程師創立。這家公司在業內具有很高的影響力 ,其產 工程師創立。 其產 品性能均衡,是目前應用最廣泛的方案 是目前應用最廣泛的方案. 品性能均衡 是目前應用最廣泛的方案
由於电压区间更小,Flash就需要更多的 就需要更多的CRC校验空间 这会大概占据 校验空间,这会大概占据 由於电压区间更小 就需要更多的 校验空间 这会大概占据Block中10%的空 中 的空 因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到 的容量不到SLC的一倍 的一倍. 间,因此实际使用中同制程同晶圆面积的 因此实际使用中同制程同晶圆面积的 的容量不到 的一倍
比較著名的是S3C49RBX01 早期主控 位4通道 ，也内建 早期主控8位 通道 也内建ARM处理器，需要外加 处理器， 比較著名的是 处理器 SDRAM扩展（32M 133MHz SDRAM）. 扩展（ 扩展 ）
做為S3C49RBX01 的升級版 的升級版S3C29RBB01主要是在構架有變動帶寬增加到 做為 主要是在構架有變動帶寬增加到 8位8通道 位 通道
SSD Introduce
SSD的技術構成 的技術構成
從構成圖可看出SSD由四部分組成 由四部分組成, 從構成圖可看出 由四部分組成 1.主機邏輯介面 主控制器 隨機存儲器 閃存陣列 主機邏輯介面,2.主控制器 隨機存儲器,4.閃存陣列 主機邏輯介面 主控制器,3.隨機存儲器 主要部分只有兩個主控制和閃存陣列
SSD Introduce
SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
JMicron智微科技是一家臺灣 設計公司，成立於 智微科技是一家臺灣IC設計公司 成立於2001年。 智微科技是一家臺灣 設計公司， 年 側重於高速串列連接技術.主控芯片最大的特點就是性價比 側重於高速串列連接技術 主控芯片最大的特點就是性價比
SSD Introduce
SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
SAMSUNG, 主要是提供 主要是提供SSD的整體解決方案，是 的整體解決方案， 主控晶片+緩存 緩存+PCB+存儲晶片 這個組合的特點是顺 存儲晶片,這個組合的特點是顺 主控晶片 緩存 存儲晶片 序读写性能較強
產品介紹
SSD Introduce
SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
NAND FLASH存儲芯片是 存儲芯片是SSD最主要的部分 主要 最主要的部分,主要 存儲芯片是 最主要的部分 負責資料的讀取和寫入. 負責資料的讀取和寫入
目前NAND FLASH主要提供商是三星和 主要提供商是三星和Intel兩家，大部分 兩家， 目前 主要提供商是三星和 兩家 大部分SSD產品 產品 採用了三星的NAND FLASH,Intel旗下都是自家的產品是 旗下都是自家的產品是ONFI(Open 採用了三星的 旗下都是自家的產品是 NAND Flash Interface ) 閃存 閃存.
2005年 首款基於Nand快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布,當時所用的主 年 首款基於 快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布 當時所用的主 快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布 控是G2 ,由於涉及的比較早三星的控制器比較太多，基本算是公板了 控是 由於涉及的比較早三星的控制器比較太多， 由於涉及的比較早三星的控制器比較太多
QRSL:Quad Rambus Signaling Levels 使用 個電壓等級，邏輯 使用4個電壓等級 邏輯10, 11, 01和00.這項多 個電壓等級， 和 這項多 等級的信號技術有更高的帶寬，在不增加時鐘頻率的情況下是RSL的兩倍。 的兩倍。 等級的信號技術有更高的帶寬，在不增加時鐘頻率的情況下是 的兩倍
產品介紹
Barefoot（IDX110M00）2008年8月推出也是內建ARM7TDMI处理器 （ 处理器/233Mhz的16 ） 年 月推出也是內建 处理器 位4通道主控 支持最大 通道主控 支持最大64M SDRAM/166MHz Amigos（IDX100M00）是Barefoot的低端型號 性能為前者的 （ 的低端型號(性能為前者的 構架一樣,內 ） 的低端型號 性能為前者的60%)構架一樣 內 構架一樣 建ARM的16位4通道主控 支持最大 的 位 通道主控 支持最大64M SDRAM.
SLC與MLC的原理對比圖 與 的原理對比圖
Cell是指一個 是指一個Block塊，Flash的基本存儲單元 是指一個 塊 的基本存儲單元
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SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
MLC是英特尔 是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信 月最先开发成功的， 是英特尔 在 年 月最先开发成功的 息存入一个浮动栅(Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分 ，然后利用 息存入一个浮动栅 ，闪存存储单元中存放电荷的部分)， 不同电位(Level)的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以 种电压 的电荷， 不同电位 的电荷 透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压 控制、 个晶体管可存取 个晶体管可存取2 的数据，若是控制8种电压就可以存取 种电压就可以存取3 控制、1个晶体管可存取 bits 的数据，若是控制 种电压就可以存取 bits 的数 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术 技术， 据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动 栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态 种不同的存储状态， 栅上的电荷数量，使其呈现出 种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数 值(从00到11)。 从 到 。 另外这里要提及的是3星还有 值存储的MLC(3-Level MLC NAND Flash 星还有3值存储的 另外这里要提及的是 星还有 值存储的 Memory ) 读写速度上有很大提高。 读写速度上有很大提高。 同理可知，所谓SLC就是每一个存储单元只存储 就是每一个存储单元只存储1bit的信息。即浮动中，只 的信息。 同理可知，所谓 就是每一个存储单元只存储 的信息 即浮动中， 区分“ 电子两种状态。 区分“有”或“无”电子两种状态界第一款整合USB2.0介面的4通道主控芯片無法搭配緩 2006年推出 業界第一款整合USB2.0介面的 年推出,業界第一款整合 介面的4通道主控芯片無法搭配緩 存芯片. 存芯片 JMF602 做為 做為601的升級版 其基本架構相同 區別是它具有 個通道 和他的前輩一 的升級版,其基本架構相同 區別是它具有8個通道 的升級版 其基本架構相同,區別是它具有 個通道.和他的前輩一 樣由於設計問題(文件 文件碎片化和假死 月重新發布的B版本取代 樣由於設計問題 文件碎片化和假死 ) 被08年6月重新發布的 版本取代 年 月重新發布的 版本取代. JMB390 RAID控制器 將兩個 控制器,將兩個 控制器聯合起來， 控制器 將兩個JMF602B控制器聯合起來，組合成性能更強的 控制器聯合起來 SSD RAID存儲模式以改變 存儲模式以改變 存儲模式以改變JMF60X讀寫速度不佳的狀況 讀寫速度不佳的狀況 JMF612 全新架構内建 内建ARM9微型处理器，具備 微型处理器， 通道,支持 微型处理器 具備32KB ROM及128KBRAM，8通道 支持 及 ， 通道
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SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
NAND FLASH根據存儲原理不一樣又分為 根據存儲原理不一樣又分為SLC(Single Level Cell )和 根據存儲原理不一樣又分為 和 MLC(Multi Leveled Cell )兩種 兩種
SSD Introduce
SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
可以看出,MLC并非单纯的在浮动栅中储存电荷 而是要精确控制储存电荷的 并非单纯的在浮动栅中储存电荷,而是要精确控制储存电荷的 可以看出 并非单纯的在浮动栅中储存电荷 多少,这就不可避免的造成了误码率高于 这就不可避免的造成了误码率高于SLC,相应的读写机构也更复杂 于是限制 相应的读写机构也更复杂,于是限制 多少 这就不可避免的造成了误码率高于 相应的读写机构也更复杂 了读写速度.增加了耗电量 相同生产工艺下)同样的 增加了耗电量(相同生产工艺下 同样的,每一个存储单元都会经历老 了读写速度 增加了耗电量 相同生产工艺下 同样的 每一个存储单元都会经历老 化失效的过程,MLC的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分 化失效的过程 的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分 辨出来,这就造成了在同样的老化程度下 这就造成了在同样的老化程度下,SLC的单元可以“坚持”工作，而MLC 的单元可以“ 辨出来 这就造成了在同样的老化程度下 的单元可以 坚持”工作， 的存储单元则会出现错误. 的存储单元则会出现错误 SLC与MLC相比下的优势 相比下的优势: 与 相比下的优势 1. 擦写寿命问题 擦写寿命问题.SLC每个单元承受擦写次数是 每个单元承受擦写次数是MLC单元的 倍 单元的10倍 每个单元承受擦写次数是 单元的 2. 传输速度问题 未采用优化技术的 传输速度问题.未采用优化技术的 未采用优化技术的MLC读写速度仅为 读写速度仅为SLC的1/2- 1/3 读写速度仅为 的 3. 耗电量问题 相同生产工艺下 耗电量问题.相同生产工艺下 相同生产工艺下MLC读写机构更为复杂，耗电量更大 读写机构更为复杂， 读写机构更为复杂
產品介紹
2008年Intel推出的第一款 年 推出的第一款SSD搭配的是 搭配的是PC29AS21AA0主控 他最大特點就是支 主控,他最大特點就是支 推出的第一款 搭配的是 主控 他最大特點就是 援10通道 另外,高級動態損耗平衡功能 可有效提高Flash的可靠度和耐用度 通道.另外 高級動態損耗平衡功能,可有效提高 的可靠度和耐用度. 通道 另外 高級動態損耗平衡功能 可有效提高 的可靠度和耐用度 2009年Intel推出二代 年 推出二代SSD搭配的是 搭配的是PC29AS21BA0主控 基本構架與一代一樣 主 主控,基本構架與一代一樣 推出二代 搭配的是 主控 基本構架與一代一樣,主 要提升了主控的性能. 要提升了主控的性能
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SSD的構成 的構成
主控晶片 NAND Flash 存儲陣列
SATA連 連 接介面 緩存晶片
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
主控晶片其作用一是合理調配資料在各個快閃記憶體晶片上的負荷， 主控晶片其作用一是合理調配資料在各個快閃記憶體晶片上的負荷， 二則是承擔了整個資料中轉，連接快閃記憶體晶片和外部SATA介面。 介面。 二則是承擔了整個資料中轉，連接快閃記憶體晶片和外部 介面 不同的主控之間能力相差非常大，在資料處理能力，演算法，對快閃 不同的主控之間能力相差非常大，在資料處理能力，演算法， 記憶體晶片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導致SSD產品 記憶體晶片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導致 產品 在性能上差距高達數倍.市面上比較常見的 市面上比較常見的SSD主控晶片有 主控晶片有JMicron， 在性能上差距高達數倍 市面上比較常見的 主控晶片有 ， INDILINX，SAMSUNG和Intel等多種主控 ， 和 等多種主控. 等多種主控
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
Intel作為當今 作為當今SSD固態硬碟的領軍人，其固態硬碟 固態硬碟的領軍人， 作為當今 固態硬碟的領軍人 控制器性能堪稱一流,整體性能非常不錯 整體性能非常不錯,注重随机 控制器性能堪稱一流 整體性能非常不錯 注重随机 读写性能 。
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
INDILINX是一家韓國公司在 是一家韓國公司在2006年10月19日，由三個 是一家韓國公司在 年 月 日 工程師創立。這家公司在業內具有很高的影響力 ,其產 工程師創立。 其產 品性能均衡,是目前應用最廣泛的方案 是目前應用最廣泛的方案. 品性能均衡 是目前應用最廣泛的方案
由於电压区间更小,Flash就需要更多的 就需要更多的CRC校验空间 这会大概占据 校验空间,这会大概占据 由於电压区间更小 就需要更多的 校验空间 这会大概占据Block中10%的空 中 的空 因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到 的容量不到SLC的一倍 的一倍. 间,因此实际使用中同制程同晶圆面积的 因此实际使用中同制程同晶圆面积的 的容量不到 的一倍
比較著名的是S3C49RBX01 早期主控 位4通道 ，也内建 早期主控8位 通道 也内建ARM处理器，需要外加 处理器， 比較著名的是 处理器 SDRAM扩展（32M 133MHz SDRAM）. 扩展（ 扩展 ）
做為S3C49RBX01 的升級版 的升級版S3C29RBB01主要是在構架有變動帶寬增加到 做為 主要是在構架有變動帶寬增加到 8位8通道 位 通道
SSD Introduce
SSD的技術構成 的技術構成
從構成圖可看出SSD由四部分組成 由四部分組成, 從構成圖可看出 由四部分組成 1.主機邏輯介面 主控制器 隨機存儲器 閃存陣列 主機邏輯介面,2.主控制器 隨機存儲器,4.閃存陣列 主機邏輯介面 主控制器,3.隨機存儲器 主要部分只有兩個主控制和閃存陣列
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
JMicron智微科技是一家臺灣 設計公司，成立於 智微科技是一家臺灣IC設計公司 成立於2001年。 智微科技是一家臺灣 設計公司， 年 側重於高速串列連接技術.主控芯片最大的特點就是性價比 側重於高速串列連接技術 主控芯片最大的特點就是性價比
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
SAMSUNG, 主要是提供 主要是提供SSD的整體解決方案，是 的整體解決方案， 主控晶片+緩存 緩存+PCB+存儲晶片 這個組合的特點是顺 存儲晶片,這個組合的特點是顺 主控晶片 緩存 存儲晶片 序读写性能較強
產品介紹
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SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
NAND FLASH存儲芯片是 存儲芯片是SSD最主要的部分 主要 最主要的部分,主要 存儲芯片是 最主要的部分 負責資料的讀取和寫入. 負責資料的讀取和寫入
目前NAND FLASH主要提供商是三星和 主要提供商是三星和Intel兩家，大部分 兩家， 目前 主要提供商是三星和 兩家 大部分SSD產品 產品 採用了三星的NAND FLASH,Intel旗下都是自家的產品是 旗下都是自家的產品是ONFI(Open 採用了三星的 旗下都是自家的產品是 NAND Flash Interface ) 閃存 閃存.
2005年 首款基於Nand快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布,當時所用的主 年 首款基於 快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布 當時所用的主 快閃記憶體技術的固態硬碟由三星發布 控是G2 ,由於涉及的比較早三星的控制器比較太多，基本算是公板了 控是 由於涉及的比較早三星的控制器比較太多， 由於涉及的比較早三星的控制器比較太多
QRSL:Quad Rambus Signaling Levels 使用 個電壓等級，邏輯 使用4個電壓等級 邏輯10, 11, 01和00.這項多 個電壓等級， 和 這項多 等級的信號技術有更高的帶寬，在不增加時鐘頻率的情況下是RSL的兩倍。 的兩倍。 等級的信號技術有更高的帶寬，在不增加時鐘頻率的情況下是 的兩倍
產品介紹
Barefoot（IDX110M00）2008年8月推出也是內建ARM7TDMI处理器 （ 处理器/233Mhz的16 ） 年 月推出也是內建 处理器 位4通道主控 支持最大 通道主控 支持最大64M SDRAM/166MHz Amigos（IDX100M00）是Barefoot的低端型號 性能為前者的 （ 的低端型號(性能為前者的 構架一樣,內 ） 的低端型號 性能為前者的60%)構架一樣 內 構架一樣 建ARM的16位4通道主控 支持最大 的 位 通道主控 支持最大64M SDRAM.
SLC與MLC的原理對比圖 與 的原理對比圖
Cell是指一個 是指一個Block塊，Flash的基本存儲單元 是指一個 塊 的基本存儲單元
SSD Introduce
SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
MLC是英特尔 是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个位的信 月最先开发成功的， 是英特尔 在 年 月最先开发成功的 息存入一个浮动栅(Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分 ，然后利用 息存入一个浮动栅 ，闪存存储单元中存放电荷的部分)， 不同电位(Level)的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以 种电压 的电荷， 不同电位 的电荷 透过内存储存格的电压控制精准读写，假设以4种电压 控制、 个晶体管可存取 个晶体管可存取2 的数据，若是控制8种电压就可以存取 种电压就可以存取3 控制、1个晶体管可存取 bits 的数据，若是控制 种电压就可以存取 bits 的数 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术 技术， 据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制浮动 栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态 种不同的存储状态， 栅上的电荷数量，使其呈现出 种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数 值(从00到11)。 从 到 。 另外这里要提及的是3星还有 值存储的MLC(3-Level MLC NAND Flash 星还有3值存储的 另外这里要提及的是 星还有 值存储的 Memory ) 读写速度上有很大提高。 读写速度上有很大提高。 同理可知，所谓SLC就是每一个存储单元只存储 就是每一个存储单元只存储1bit的信息。即浮动中，只 的信息。 同理可知，所谓 就是每一个存储单元只存储 的信息 即浮动中， 区分“ 电子两种状态。 区分“有”或“无”电子两种状态界第一款整合USB2.0介面的4通道主控芯片無法搭配緩 2006年推出 業界第一款整合USB2.0介面的 年推出,業界第一款整合 介面的4通道主控芯片無法搭配緩 存芯片. 存芯片 JMF602 做為 做為601的升級版 其基本架構相同 區別是它具有 個通道 和他的前輩一 的升級版,其基本架構相同 區別是它具有8個通道 的升級版 其基本架構相同,區別是它具有 個通道.和他的前輩一 樣由於設計問題(文件 文件碎片化和假死 月重新發布的B版本取代 樣由於設計問題 文件碎片化和假死 ) 被08年6月重新發布的 版本取代 年 月重新發布的 版本取代. JMB390 RAID控制器 將兩個 控制器,將兩個 控制器聯合起來， 控制器 將兩個JMF602B控制器聯合起來，組合成性能更強的 控制器聯合起來 SSD RAID存儲模式以改變 存儲模式以改變 存儲模式以改變JMF60X讀寫速度不佳的狀況 讀寫速度不佳的狀況 JMF612 全新架構内建 内建ARM9微型处理器，具備 微型处理器， 通道,支持 微型处理器 具備32KB ROM及128KBRAM，8通道 支持 及 ， 通道
SSD Introduce
SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
NAND FLASH根據存儲原理不一樣又分為 根據存儲原理不一樣又分為SLC(Single Level Cell )和 根據存儲原理不一樣又分為 和 MLC(Multi Leveled Cell )兩種 兩種
SSD Introduce
SSD的身體 的身體---NAND Flash存儲芯片 的身體 存儲芯片
可以看出,MLC并非单纯的在浮动栅中储存电荷 而是要精确控制储存电荷的 并非单纯的在浮动栅中储存电荷,而是要精确控制储存电荷的 可以看出 并非单纯的在浮动栅中储存电荷 多少,这就不可避免的造成了误码率高于 这就不可避免的造成了误码率高于SLC,相应的读写机构也更复杂 于是限制 相应的读写机构也更复杂,于是限制 多少 这就不可避免的造成了误码率高于 相应的读写机构也更复杂 了读写速度.增加了耗电量 相同生产工艺下)同样的 增加了耗电量(相同生产工艺下 同样的,每一个存储单元都会经历老 了读写速度 增加了耗电量 相同生产工艺下 同样的 每一个存储单元都会经历老 化失效的过程,MLC的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分 化失效的过程 的每一个单元要储存更为精细的电荷量并且在读取的时候分 辨出来,这就造成了在同样的老化程度下 这就造成了在同样的老化程度下,SLC的单元可以“坚持”工作，而MLC 的单元可以“ 辨出来 这就造成了在同样的老化程度下 的单元可以 坚持”工作， 的存储单元则会出现错误. 的存储单元则会出现错误 SLC与MLC相比下的优势 相比下的优势: 与 相比下的优势 1. 擦写寿命问题 擦写寿命问题.SLC每个单元承受擦写次数是 每个单元承受擦写次数是MLC单元的 倍 单元的10倍 每个单元承受擦写次数是 单元的 2. 传输速度问题 未采用优化技术的 传输速度问题.未采用优化技术的 未采用优化技术的MLC读写速度仅为 读写速度仅为SLC的1/2- 1/3 读写速度仅为 的 3. 耗电量问题 相同生产工艺下 耗电量问题.相同生产工艺下 相同生产工艺下MLC读写机构更为复杂，耗电量更大 读写机构更为复杂， 读写机构更为复杂
產品介紹
2008年Intel推出的第一款 年 推出的第一款SSD搭配的是 搭配的是PC29AS21AA0主控 他最大特點就是支 主控,他最大特點就是支 推出的第一款 搭配的是 主控 他最大特點就是 援10通道 另外,高級動態損耗平衡功能 可有效提高Flash的可靠度和耐用度 通道.另外 高級動態損耗平衡功能,可有效提高 的可靠度和耐用度. 通道 另外 高級動態損耗平衡功能 可有效提高 的可靠度和耐用度 2009年Intel推出二代 年 推出二代SSD搭配的是 搭配的是PC29AS21BA0主控 基本構架與一代一樣 主 主控,基本構架與一代一樣 推出二代 搭配的是 主控 基本構架與一代一樣,主 要提升了主控的性能. 要提升了主控的性能
SSD Introduce
SSD的構成 的構成
主控晶片 NAND Flash 存儲陣列
SATA連 連 接介面 緩存晶片
SSD Introduce
SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
主控晶片其作用一是合理調配資料在各個快閃記憶體晶片上的負荷， 主控晶片其作用一是合理調配資料在各個快閃記憶體晶片上的負荷， 二則是承擔了整個資料中轉，連接快閃記憶體晶片和外部SATA介面。 介面。 二則是承擔了整個資料中轉，連接快閃記憶體晶片和外部 介面 不同的主控之間能力相差非常大，在資料處理能力，演算法，對快閃 不同的主控之間能力相差非常大，在資料處理能力，演算法， 記憶體晶片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導致SSD產品 記憶體晶片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導致 產品 在性能上差距高達數倍.市面上比較常見的 市面上比較常見的SSD主控晶片有 主控晶片有JMicron， 在性能上差距高達數倍 市面上比較常見的 主控晶片有 ， INDILINX，SAMSUNG和Intel等多種主控 ， 和 等多種主控. 等多種主控
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SSD的大腦 主控晶片 的大腦---主控晶片 的大腦
Intel作為當今 作為當今SSD固態硬碟的領軍人，其固態硬碟 固態硬碟的領軍人， 作為當今 固態硬碟的領軍人 控制器性能堪稱一流,整體性能非常不錯 整體性能非常不錯,注重随机 控制器性能堪稱一流 整體性能非常不錯 注重随机 读写性能 。