电磁学复习习题集

《电磁学》复习习题集一、选择题1 对位移电流，有下述四种说法，哪一种说法正确 ( ) (A) 位移电流的本质是变化的电场． (B) 位移电流是由线性变化磁场产生的． (C) 位移电流的热效应服从焦耳─楞次定律． (D) 位移电流的磁效应不服从安培环路定理．2 对某一高斯面S ，如果有=⋅⎰SS d E则有( )（A ）高斯面上各点的场强一定为零 （B ）高斯面内必无电荷 （C ）高斯面内必无净电荷 （D ）高斯面外必无电荷3 关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是 ( )(A) 如果高斯面上E处处为零，则该面内必无电荷；(B) 如果高斯面内无电荷，则高斯面上E 处处为零； (C) 如果高斯面上E处处不为零，则高斯面内必有电荷；(D) 如果高斯面内有净电荷，则通过高斯面的电场强度通量必不为零。

4 如图，导线与纸面垂直，导线中的感应电流的方向如图中所示，则导线的运动方向为（ ）(A) 向上； (B) 向下； (C) 向右；(D) 向左。

5 已知一系列相同电阻R ，按图所示连接，则AB 间等效电阻( ) （A ）R R AB 2= （B ）()RR AB 251+=（C ）RR AB23= （D ） ∞=AB RNSAB6 关于静电场下列说法正确的是（ ）.A 电场和检验电荷同时存在同时消失；.B 由q FE =知道：电场强度与检验电荷成反比；.C 电场的存在与检验电荷无关； .D 电场是检验电荷和源电荷共同产生的.7 关于等位面有下列说法，正确的是（ ）.A 等位面上的电位、电场均处处相等； .B 电位为零的地方没有等位面； .C 等位面密的地方电场强、电位也高；.D 电荷沿等位面移动时，在各点上的电位能相等.8 电场中高斯面上各点的电场强度是由（ ）(A) 分布在高斯面内的电荷决定的； (B) 分布在高斯面外的电荷决定的； (C) 空间所有电荷决定的； (D) 高斯面内电荷代数和决定的。

9. 真空中有一均匀带电的球体和一均匀带电的球面，如果它们的半径和所带的总电量相等，则（ ）(A) 球体的静电能等于球面的静电能； (B) 球体的静电能大于球面的静电能；(C) 球体的静电能小于球面的静电能； (D) 不能确定。

10. 如图所示，厚度为d 的“无限大”均匀带电导体板，电荷面密度为σ ，则板两侧离板面距离均为h 的两点a 、b 之间的电势差为 ( ) (A)零； (B) σ /2ε 0； (C) σ h/ε 0； (D) 2σ h/ε 0。

11. 霍耳效应高斯计的探头采用n 型锗半导体薄片，其厚度为0.18 mm ，材料的载流子浓度n = 4.4⨯1015cm 3-．若薄片载流10 mA ，与薄片垂直的磁场 B = 1.0⨯103- T ．则霍耳电势差为 ( ) (A) 79 μV ； (B) 79 V ； (C) 79 mV ； (D) 40 mV 。

12. 要使电子作如图所示的圆周运动，且速度不断增加，则在以 O 为轴的圆柱体内所加的磁场应是 ( ) (A) 方向向内，大小随时间增加； (B) 方向向内，大小随时间减小； (C) 方向向外，大小随时间增加； (D) 方向向外，大小随时间减小。

13. 在一个孤立的导体球壳内，若在偏离球中心处放一个点电荷，则在球壳内、外表面上将出现感应电荷，其分布将是 ( )(A) 内表面均匀，外表面也均匀； (B) 内表面不均匀，外表面均匀； (C) 内表面均匀，外表面不均匀； (D) 内表面不均匀，外表面也不均匀。

14、平行板电容器接入电源保持其两极板间的电压不变，将两极板间距离拉大，则电容器各量的变化为：( )（A ）电容增大 （B ）带电量增大 （B ）电场强度增大 （D ）电量、电容、场强都减小15、真空中有一半径为R 的导体球，当球上带电量为Q 时，其电场能量为：( )（A ） 204RQ πε （B ） R Q 024πε （C ）R Q 028πε （D ）R Q 0216πε 16、一半径为R 的理想导体球浸没在无限大的欧姆介质中，介质的电导率krv =（k 为常数，r是介质中一点到球心的距离），若使导体球的电压维持在U ，则媒介质中的电场强度为：( )（A ）20rUR E = （B ）3202r UR E =（C ）0R UE = （D ）0=E17、关于电势与场强的关系有以下几种说法，正确的有（ ） （A ）电势为零处，场强必为零 （B ）电势高的地方，场强必定大（C ）已知某点的电势的梯度，便可知道该点的场强 （D ）已知场强的分布规律，就可知道空间各点的电势18、关于高斯定理有以下几种说法，哪种是正确的 （ ）（A ）只有对称分布的电场，高斯定理才成立 （B ）高斯定理对任意静电场都成立（C ）只有高斯面外无电荷时，才能用高斯定理求场强 （D ）高斯面上场强是由面内电荷产生的19、两个平行放置的带电大金属板A 和B ，四个表面电荷面密度为4321σσσσ、、、如图所示，则有（ ） （A ）3241σσσσ-==， （B ）3241σσσσ==， （C ）3241σσσσ-=-=， （D ）3241σσσσ=-=，20、在某电场区域内的电场线（实线）和等势面（虚线）如图所示，由图判断出正确结论为（ ）.,.;,.;,.;,.C B A C B A C B AC B A C B A C B A C B A C B A U U U E E ED U U UE E E C U U U E E E B U U U E E E A <<<<>><<<<>>>>>>21、有一均匀带电的圆气球，在膨胀过程中，其外部一点上的场强将 （ ）.A 减小； .B 增大； .C 不变； .D 没法定.22、关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是 （ ）.A 如果高斯面上E处处为零，则该面内必无电荷；.B 如果穿过高斯面的电场强度通量为零，则高斯面上各点的电场强度一定处处为零；.C 高斯面上各点的电场强度仅仅由面内所包围的电荷提供；.D 如果高斯面内有净电荷，则穿过高斯面的电场强度通量必不为零； E 高斯定理仅适用于具有高度对称性的电场.23、如图，电容器两极间的电介质被拉出来，那么电容上的 （ ）.A 电能变大； .B 两极间的电场变强； .C 两极间的作用力变大；Q Q 1234.D 极板上电量变小.24、四条相互平行的载流长直导线电流强度均为I ，如图放置，正方形的边长为2a ，正方形中心的磁感应强度为 （ ）.A;20I a B πμ= .B I a B πμ220=；.C 0=B ； .DI a B πμ0=25、一半导体薄片置于如图所示的磁场中，薄片中电流的方向向右，试判断上下两侧的霍耳电势差 （ ）.A 电子导电，b a U U <；.B 电子导电，b a U U >；.C 空穴导电，b a U U >； .D 空穴导电，b a U U =.26、在图示C L R --串联电路电路中加上交流电压时，电路中的电 流 （ ）.A 与电压同位相； .B 超前于电压的位相； .C 落后于电压的位相；.D 由输入电压的频率及C L ,的值共同决定其位相关系.27、位移电流和传导电流 （ ）.A 都是电子定向移动的结果； .B 都可以产生热效应； .C 都可以产生化学效应； .D 都可以产生磁场.28. 有一无限大的平板均匀带电，其面电荷密度为－σ，在平板的附近平行地放置一个具有一定厚度的无限大平板导体，则导体表面A 、B 上感应电荷面密度为（ ）∙L CU ~(A)2,2σσσσ-=+=B A ；(B)σσσσ-=+=B A ,(C)3,3σσσσ-=+=B A ；(D)σσσσ2,2-=+=B A .29. 磁介质有三种，用相对磁导率μr 表征它们各自特征时（(A) 顺磁质0>r μ，抗磁质0<r μ，铁磁质1>>r μ； (B) 顺磁质1>r μ，抗磁质1=r μ，铁磁质1>>r μ； (C) 顺磁质1>r μ，抗磁质1<r μ，铁磁质1>>r μ； (D) 顺磁质0>r μ，抗磁质1<r μ，铁磁质1>>r μ.30、关于电路下列说法中正确的是（ ）.A 不含源支路中电流必从高电位到低电位； .B 含源支路中电流必从低电位到高电位； .C 支路两端电压为零时，支路中电流必为零； .D 支路中电流为零时，支路两端电压必为零.31. 如图所示，直线MN 长为2l ，弧OCD 是以N 点为中心，l 为半径的半圆弧，N 点有正电荷＋q ，M 点有负电荷 -q ．今将一试验电荷＋q0从O 点出发沿路径OCDP 移到无穷远处，设无穷远处电势为零，则电场力作功(A) A < 0 , 且为有限常量； (B) A > 0 ,且为有限常量； (C) A ＝∞； (D) A ＝0。

32. 关于环路l 上的H 及对环路l 的积分⎰⋅ll H d ，以下说法正确的是( )(A) H 与整个磁场空间的所有传导电流，磁化电流有关，而⎰⋅ll H d 只与环路l 内的传导电流有关；(B) H 与⎰⋅ll H d 都只与环路内的传导电流有关；σ------------- -题图9.2LI(C) H 与⎰⋅ll H d 都与整个磁场空间内的所有传导电流有关；(D) H 与⎰⋅ll H d 都与空间内的传导电流和磁化电流有关。

33. 静电场中某点电势的数值等于 ( ) (A) 试验电荷q0置于该点时具有的电势能； (B) 单位试验电荷置于该点时具有的电势能； (C) 单位正电荷置于该点时具有的电势能；(D) 把单位正电荷从该点移到电势零点外力所作的功。

34、如图所示，在载流螺线管的外面环绕闭合路径一周积分ld B L∙⎰等于（ ）（A ）0 （B ）nI 0μ（C ）20nIμ （D ）I 0μ35、半径为R 的圆形回路中有电流2I , 另一无限长直载流导线AB 中有电流1I , AB 通过圆心，且与圆形回路在同一平面内，圆形回路所受1I 的磁场力是：（A ）F = 0 （B ）F = R I I πμ2210 （C ）F = 210I I μ （D ）F = R I I 2210μ36、处于静电平衡中的导体，若它上面任意面元dS 的电荷面密度为σ，那么dS所受电场力的大小为（ ）.4.;0.;.;2.020202πεσεσεσdS D C dS B dS A37、由式子0=⋅⎰⎰SS d E 提出下面四种说法，正确的说法是 （ ）.A 高斯面上的电场一定处处为零； .B 高斯面内一定无电荷；.C 高斯面上的总通量一定为零； .D 不能说明一定的问题.38、若串联电路两端电压逐渐升高，则对耐压相同的电容器来说，先击穿的将是（ ）.A 电容值小的；.B 电容值大的；.C 同时击穿 .D 无法判断.39、有一电场强度为E 的均匀电场，E的方向与OX 轴正方向平行，则穿过下图中一半径为R的半球面的通量为（ ）.A E R 2π； .BE R 221π；.C 0； .D E R 22π.40、一半径为R 的导体圆环由两个半圆组成，电阻分别为21R R 和，a,b 为其分界点。