ITO蚀刻生产工艺作业指导书(1)

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ITO蚀刻生产工艺作业指导书

文件编号版本号制定审核批准生效日期页码受控章Document No Edition No Originator Examiner Approval Effective page Controlled stamp2008-4-72/1ITO蚀刻生产工艺作业指导书一、目的：规范工艺,确保蚀刻产品品质二、适用范围：ITO蚀刻三、职责：作业员严格按本规范操作4.1溶液的配置4.1.1A槽（蚀刻ITO Film）a.开槽配490(480-500)升左右酸液。

b.配制比例: HCL (36-38%) : H2O (纯水)=20 : 34.51（体积比）HCL (36-38%) : H2O (纯水)=20 : 29（质量比）质量比浓度约为16.4％，摩尔浓度约为4.71mol/Lc. 取168L浓 HCL（200kg）慢慢加入290L (290kg) 纯水中 (边搅拌边加入)。

配好后测试酸的浓度,在范围内方可使用。

d. 蚀刻线酸液浓度测定准确移取2ml槽液到洁净的锥形瓶中，加入蒸馏水（过滤水）25ml，滴加0.1%酚酞2-3滴（0.1 g酚酞+99.9g乙醇）。

使用浓度为（NaOH）=0.5mol/L标定时理论消耗约14.8~16.4ml ,接近滴定终点时溶液顏色由无色变为红色。

注：如果蚀刻一段时间后，槽液滴定时消耗氢氧化钠标准溶液<14.8~16.4ml,须补加盐酸。

e. 补充液的计算补加量为（使用查考配加药量计算）：MHCL（g）=200000 - 12761 VNaOHVHCL (mL) = MHCL/1.19VNaOH -----蚀刻后槽液消耗标准氢氧化钠的体积ml4.1.2 B槽（蚀刻玻璃）a. 开槽配435升左右酸液.b.配制比例: HCL (36-38%) : H2O (纯水) : HNO3(65-68%)= 249 : 11.74: 239（体积比）HCL (36-38%) : H2O (纯水) : HNO3(65-68%)= 293 : 239 : 16.67（质量比）摩尔浓度约为6.17mol/Lc.取249L浓 HCL（296.2kg）慢慢加入200L纯水(200kg)中(边搅拌边加入);再取11.74L 浓HNO3（16.67kg）慢慢加入以上酸液中(边搅拌边加入) 。

蚀刻工序作业指导书

蚀刻工序作业指导书1.0 目的建立详细的作业规范，籍以稳定品质，提升生产效率，并作为设备保养、员工操作的依据，此文件同时也是本岗位新员工培訓之教材。

2.0 适用范围本作业规范适用于本公司蚀刻（含去膜、退锡）工序。

3.0 职责电镀班具体负责落实本指导书的实施及蚀刻设备的维护与保养。

4.0 作业内容4.1 作业流程4.1.1 内层（负片）蚀刻作业流程烤板→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→退膜→清洗→烘干→蚀检→转黑化工序4.1.2 镀锡板蚀刻作业流程退膜→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→强风吹干→自检→退锡→烘干→蚀检→转下工序4.1.3 镀金板蚀刻作业流程退膜→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→强风吹干→自检→酸洗→清洗烘干→蚀检→转下工序4.1.3 若外层线路使用负片菲林，其蚀刻流程同4.1.1。

4.2 蚀刻工序设备及物料清单蚀刻机、褪膜机、褪锡机、排骨架、猪笼架、放板台、去膜槽、水洗台、软毛刷、蚀刻子液、褪铅锡药水、褪膜篮、NaOH、氨水、柠檬酸、胶盆。

4.3 基本流程说明4.3.1 退膜：通过强碱溶解表面油墨/干膜使之退去，露出所需之铜。

4.3.2 蚀刻：在碱性强氧化剂的条件下，将线路板上之多余铜面除去。

4.3.3 退锡：去除蚀刻后图形上的抗蚀锡层。

4.3.4 酸洗：清洗金面轻微氧化，防止氧化加深。

4.4 工艺参数及操作条件4.5 工艺维护4.5.1 退膜槽配槽4.5.1.1 打开槽底排水开关和水泵，把废液抽至污水处理站，抽完后关闭水泵。

4.5.1.2 戴上长袖耐酸碱橡胶手套及防护面具，关闭排水开关，注满清水；4.5.1.3 开启电源与泵浦，对整个槽体全面喷洒5min，然后关闭电源与泵浦；4.5.1.4 打开盖板，用清洗工具彻底清洗槽内壁；4.5.1.5 打开槽底排水开关，把废液排出，并用高压水枪冲洗干净；4.5.1.6 将槽内注入3/5槽体积的清水；4.5.1.7 另用一小槽注满水，加入9kg NaOH，搅拌至完全溶解4.5.1.8 将泵浦电源打开，让水流动起來，再緩緩将NaOH溶液倒入槽内；4.5.1.9 添加完成后，循环20min，使药水达到完全搅拌均勻；4.5.1.10 通知化验人取样化验，各项管控点都在要求范围之内后方可进行生产。

富临ITO沉积作业指导书-A01

1. 目的：用于定义LED芯片（或其他光电产品）在富临蒸发台进行透明导电金属（ITO）蒸镀的程序2. 范围：描述在LED芯片进行透明导电金属ITO蒸镀过程所使用的材料,设备和程序3. 定义或缩写词：ITO：氧化铟锡4. 参考文件：无5. 权责：5.1 产线员工及相关的工程技术人员严格按本文要求进行操作并记录。

5.2 工艺工程师负责处理生产中的工艺异常及对本作业指导书的更新。

5.3 由设备工程师对机台进行周期性保养。

6. 作业内容：6.1 日常点检每天早上点检水压、氧气压力、压缩机压力，并将数据记录在《ITO蒸镀日常点检表》里；6.2 装片：6.2.1 在人机界面中切换到“半自动模式”，点击“破真空”键，出现对话框再点击“开始”键（如图1）将腔体破真空；破真空完成蜂鸣器响后，按下腔体门的开关（如图2）；图1 图2图3 图46.2.2 将腔体门打开，并固定在腔体门的上方支撑条，将门固定住；（如图3）6.2.3 一只手用手柄卡住行星盘的支撑轴，另一只手拉出固定片，将行星盘取下，放置在桌面的专用行星盘固定座上；装载芯片。

6.2.4 陪片管理与使用：a、将陪片（1片双抛玻璃片与1片双抛硅片）按“已清洗”、“遮挡片”、“待测试”与“已测试”分别放在固定芯片盒中。

b、蒸发前将已清洗的双抛玻璃片和硅片装载在Dome第3圈；6.2.5在人机界面上开启遮板（如图5）将用过的ITO废料从坩埚里取出；用吸尘器将坩埚内的废渣吸起，同时吸除腔体其它地方的赃物；清洁行星轨道和行星爪；6.2.6待清洁完成后将ITO新料放坩埚之内，并在人机界面中关闭遮板6.2.7待装片完成之后将行星盘重新放置到行星爪上插固定片固定住；6.2.8 把“AUTO”改为“MANUAL”，启动行星盘旋转电机，待行星盘试运行30S无异常后改回“AUTO”停止行星盘（如图6）6.2.9将腔体门的固定条拉开，缓缓关闭腔体门；一手压住门另一手按一下腔门的开关，扣住腔门；图5 图6图7 图86.3 程序运行：6.3.1 在CRTM9000膜厚计面板右边按“Menu”进入主菜单界面（如图7）6.3.2 在“Menu”主菜单界面按“2”进入Program Menu界面（如图8）6.3.3 在“Program Menu”菜单界面按“3”进入Process Program界面，在Layer 1输入流程单上的程序名按“Enter”确定后；按两次“Menu”后返回主菜单界面（如图7）按“1”进入常置界面（如图9）图9 图106.3.4 检查TEMP CONTROLLER的温度300℃是否为流程单所要求的温度，若不对通知工程师6.3.5 在运行程序前将电子枪钥匙打到“REMOTE”状态（如图12）6.3.6在人机界面上点击“半自动模式”再选择“停止”（如图10）然后在人机界面上点击“自动镀膜”进入自动镀膜模式（如图11），出现自动镀膜界面后点击“开始”，程序开始运行；O”项变红时会发出“BB”报警声，此时在《ITO蒸镀记录表》上记6.3.7 程序运行到“2录本底真空值（如图13 之CH 3的数值）；O”进入通氧工序；6.3.8 待6.3.7完成后点击“26.3.9 通氧120S后系统会自动的进入镀膜工序，镀膜开始时在《ITO蒸镀记录表》上记录此时的真空值，CH TEMP 1，CH TEMP 2，CH TEMP 3，TEMP CONTROLLER的数值。

蚀刻工艺流程及操作要求

蚀刻工艺流程及操作要求下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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首先，要确保蚀刻机台处于正常工作状态，检查电源、气源是否畅通，以及蚀刻液是否充足。

触摸屏蚀刻生产工艺

机种ALL机台号ALL名称蚀刻生产工艺一、生产设备的设定 1. 生产设备蚀刻及除油墨设备生产线分酸蚀、碱蚀、水洗、超声波清洗、风刀、烘干六段。

酸蚀、碱蚀段带水洗部分。

各段喷头要畅通, 不能有堵塞现象。

此设备可用于蚀刻ITO Glass 或ITO Film 。

欣裕达(新)蚀刻线酸蚀段只有一槽酸，其酸浓度为18%~26%[调机值23、24]，专门用于ITO Film 的蚀刻。

科宇达（旧）蚀刻线酸蚀段有两槽：第一槽酸浓度为18%~26%[调机值23、24]，第二槽的酸浓度为18%~26%[调机值23、24]。

专门用于ITO Glass 的蚀刻，且须同时使用两槽酸液。

2. 机器参数的设定 (1)膜－酸蚀刻参数表A. ITO Film材料类别材料编码材料方阻 Ω/□ 酸液浓度 HCL 设置温度 ℃ 设置速度m/min酸喷淋压力水喷淋压力P 上 kg/c ㎡ P 下 kg/c ㎡ P 上 kg/c ㎡ P 下kg/c ㎡膜ALL350~50018%-26%30～451.8-2.51.0-1.50.8-1.30.5注：a.以上Film 材料为我司现常用物料，生产过程中如遇新物料蚀刻参数可咨询工程部；b.酸液蚀刻Film 材料时设置的温度、速度、需根据酸液的浓度及材料导电层附着力的强弱而调节。

以能完全刻断、不短路为原则。

如出现刻不断等其它的现象时请优先调整各阶段的速度，以1.8为基准往上调或往下调；c.生产前需做首件检测原材料方阻，方阻需在要求范围之内才可正常生产；d.酸液流量要适中范围；e.酸槽的速度必须小于且不等于纯水槽的速度。

B. ITO Glass(1)玻璃－酸蚀刻参数表注:a.第一、二槽酸液蚀刻Glass 材料时设置的温度、速度、需根据酸液的浓度及材料导电层附着力的强弱而调节,以能完全蚀刻、不短路为原则并配合碱段的参数；b.同时生产前需做首件检测原材料方阻,方阻需在要求范围之内才可正常生产；c.两槽酸液流量要适中范围；d.如出现刻不断等其它的现象时请优先调整各阶段的速度以1.5为基准往上调或往下调；e.酸槽的速度必须小于不等于碱槽的速度。

ITO制作工艺

触摸屏制造工艺实战与难点[二]ITO 图形制备工艺[二]ITO 图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低，对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。

透明导电薄膜以掺锡氧化铟（Indium TinOxinde）ITO为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域，它的特性是当厚度降到1800埃(1埃=10－10米)以下时会突然变得透明，透光率为80％，再薄下去透光率反而下降，到300埃厚度时又上升到80％。

ITO是所有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。

一、ITO的特性ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。

这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导性能。

目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn2O3：In2O3=1：9因为氧化锡之厚度超过200?时，通常透明度已不够好--虽然导电性能很好。

如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P 为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，其正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义：R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。

ITO玻璃的刻蚀(专业实验资料1)

涂胶工艺研究实验目的1、学会匀胶台的使用；2、掌握涂胶工艺技术。

实验仪器匀胶台实验步骤1.涂光刻胶涂胶是光刻的首道工序，它是在玻璃表面上涂一层光刻胶，涂胶效果控制好坏直接影响光刻质量，涂胶的质量要求是：胶与粘附良好，不能有胶脱落现象；涂层厚度均匀一致，不能有厚有薄，否则会在显影，刻蚀时会出现图形缺陷；涂层表面状态不能有条纹，针孔，突起等缺陷。

涂胶方法有浸涂，甩涂，辊涂等，其中辊涂的涂覆质量好于其它两种，它是通过胶辊将光刻胶均匀的涂在玻璃上。

为保证胶膜的质量，涂胶工序应在洁净条件下进行，它的温度是22℃±3℃，湿度低于60%，并在不含紫外光成分的黄灯条件下进行操作。

2.前烘前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥以增加胶膜与表面的粘附性和胶膜的耐磨性。

曝光时，掩摸板与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩摸板，同时，只有光刻胶干燥，在暴光时，才能充分进行光化学反应。

前烘方式有两种，一种是在恒温干燥箱中烘干；另一种是用红外炉烘干。

影响前烘质量的主要因素是烘干温度和烘干时间，胶膜烘烤不足时，胶膜内的溶剂未充分挥发掉，暴光显影时，未受光的部分也被溶除形成浮胶或使图形变形，胶膜烘烤时间过长或温度过高时，会导致胶膜翘曲硬化，在显影时会显不出图形或图形留有底膜。

光刻机使用及光刻工艺研究实验原理光刻是液晶显示器制造过程中的关键工艺之一。

光刻质量的好坏对产品的性能影响很大，是影响成品率的关键因素之一。

随着高密度点阵类液晶显示器，有源矩阵液晶显示器的飞速发展，显示屏上的图形越来越复杂，精密度越来越高，光刻技术就显得特别重要。

光刻就是在导电玻璃上涂覆感光胶，并进行曝光，然后利用光刻胶的保护作用，对ITO的导电层进行选择性化学腐蚀，从而在ITO导电玻璃上得到与掩摸板完全对应的图形。

实验目的3、学会光刻机的使用；4、掌握光刻技术。

完成光刻工艺的全部流程，包括基板清洗、掩膜曝光、显影、烘干等，学会对光刻质量的测定。

蚀刻去膜作业指导书

1.目的：规范蚀刻、去膜操作的内容和步骤。

2.范围：适用二楼自动拉线路蚀刻、去膜的工作过程。

3.设备：自动线4.材料：YX-550酸性蚀刻液、氢氧化钠、消泡剂、水，生产PCB板。

5.工艺：首先确定所有的开关均置关闭状态；将总电源开关旋钮旋开,使电源输入；将所有的加热系统依流程顺序压下,先使其预热；再将所有的温度设定器,依流程顺序,设定在所需的作业温度；压上传送钮使其输送,再调整速度旋钮并调整适当的作业速度；待温度到达所设定之温度时再将所有的开关按钮依顺序压下即完成作业前的开机程序.5．1蚀刻开机操作顺序开机前准备:必须检查蚀刻槽添加槽化学蚀刻槽水洗槽液位是否正常，检查比重计,添加泵等是否工作正常，补充添加槽液位。

必须检查箱体内喷嘴是否堵塞，清洗蚀刻槽过滤网及水洗槽过滤网，每周打开箱体检查并清洗喷嘴。

必须检查腐蚀溶液的参数是否正常(工作温度、比重、压力等)5.1.1打开总电源电闸5.2.2打开总电源开关信号灯绿灯亮5.2.3打开启动开关5.2.4打开所有的蚀刻加热开关5.2.5打开传送5.2.6打开蚀刻下喷Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ5.2.7打开循环水洗Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ5.2去墨开机操作顺序5.1.1打开总电源电闸5.2.2打开总电源开关信号灯绿灯亮5.2.3打开启动开关5.2.4打开所有的去墨加热开关5.2.5打开传送5.2.6打开去墨下喷Ⅰ-Ⅱ5.2.7打开循环水洗Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ5．3机操作顺序待板出来完,依蚀刻、去膜顺序依次关掉开关按钮，先关掉所有加热，压下所有按钮，关掉总电源.5.4故障紧急处理方式:步骤:当紧急状况发生是时,须先按"紧急停止"钮,瞬间停止设备之一切动作,以保安全；停机后如内部尚有板子在内时, 关闭机器开关,先行确认输送系统无异常后,用将板子送出；将其板子全部输送后,再将操作柜上的所有电源开关关闭然后再检查故障原因；依指示区检查确认故障区的警示灯是何处故障；待将所有的故障区全部检修完毕,再开机；开机时请遵守操作顺序开机。

ito工艺流程

ito工艺流程ITO工艺流程是指将ITO膜作为导电膜，通过一系列的加工步骤制备成特定形状和规格的ITO玻璃或ITO膜。

ITO是氧化铟锡的简称，具有良好的导电性和光透过性，广泛应用于LCD、触摸屏、太阳能电池等领域。

ITO工艺流程主要包括ITO膜涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。

首先是ITO膜涂布，将ITO溶液通过特定的方法涂布在基底材料上，形成薄膜。

涂布过程需要控制好涂布头的喷雾粒径和速度，以及基底材料的表面状况，以保证涂布后的膜质量。

接下来就是光刻步骤，将ITO膜上的光刻胶涂覆在膜上，并利用光刻机将图案光刻到光刻胶上。

光刻胶的选择很关键，它需要满足良好的光刻性能和较高的耐蚀性。

光刻胶暴露后，通过曝光、显影等步骤，将需要保留的图案暴露出来，形成光刻胶模版。

然后是腐蚀步骤，将暴露在光刻胶模版上的ITO膜部分进行腐蚀。

腐蚀可以选择湿法腐蚀或干法腐蚀两种方式，湿法腐蚀一般采用酸性溶液进行，干法腐蚀则通过离子束刻蚀等方式进行。

腐蚀后，光刻胶模版可被去除，暴露出ITO膜的导电区域。

最后就是清洗步骤，将ITO膜表面的光刻胶残留物和腐蚀产物进行清洗。

清洗过程采用有机溶剂、超纯水或酸碱溶液进行，以确保膜表面的清洁度和平整度。

清洗后即可得到满足要求的ITO玻璃或ITO膜。

整个ITO工艺流程中，涂布、光刻和腐蚀是关键步骤，其中涂布和光刻的参数控制直接影响着膜的质量和性能。

涂布时要注意涂布头的均匀性和稳定性，避免出现表面不均匀、厚度不一的情况。

光刻时要保证光刻胶的厚度和质量，以及光刻机的曝光、显影参数的准确控制。

腐蚀时需要选择合适的腐蚀剂和腐蚀时间，以保证腐蚀均匀性和腐蚀深度的控制。

总的来说，ITO工艺流程是将ITO膜加工成特定形状和规格的过程，涵盖了涂布、光刻、腐蚀、清洗等步骤。

这些步骤的参数控制和质量保证对最后的ITO玻璃或ITO膜的性能有着重要影响，因此工艺的优化和改进是提高产品质量和工艺效率的关键。

ITO的蚀刻处理方法

方式一: 直接蚀刻法(或称干蚀刻法, DRY法)ITO 蚀刻工艺简介Etching Methods For ITO LAYER
方式接蚀刻法(或称干蚀刻法,法)
ITO图形
ITO图形ITO图形印刷烘烤清洗
ITO层(ITO/PET薄膜)蚀刻膏(Etching Paste)蚀刻膏与ITO反应发生侵蚀PET层(用水或碱液洗去反应精密性Precision
一般一般好
环境友好Environment 好一般差方式二: 丝印间接蚀刻法(或称湿蚀刻法, WET法)
后的混合物)ITO图形(用碱液洗去耐蚀刻油墨)ITO图形(耐蚀刻油墨保护)ITO图形(耐蚀刻油墨保护)Friendly (一次废液)(两次废液)(三次废液)生产效率Productivity
好一般差(曝光时间长)印刷蚀刻清洗蚀刻膏/耐蚀刻油墨Materials
默克(德)东洋(日)等互应(日)藤仓(日)等互应(日)东洋(日)等应用方向A li ti 电容屏电阻屏电容屏(iPh )方式三: 曝光间接蚀刻法(或称曝光法, 感光曝光法)
ITO层ITO层用酸液将ITO层蚀刻掉PET层
ITO图形ITO图形ITO图形ITO图形Application 电容屏
(iPhone)(耐蚀刻油墨保护)(图形部位感光)印刷
曝光清洗1(耐蚀刻油墨保护)蚀刻(用碱液洗去耐蚀刻油墨)
清洗2
ITO层曝光型耐蚀刻油墨非图形部分未感光ITO层(用水洗去未感光油墨)(或涂布)用酸液将ITO层蚀刻掉PET层(整面印刷或涂布)。

蚀刻工序作业指导书

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蚀刻工序作业指导书
1.0 目的
建立详细的作业规范，籍以稳定品质，提升生产效率，并作为设备保养、员工操作的依据，此文件同时也是本岗位新员工培訓之教材。

2.0 适用范围
本作业规范适用于本公司蚀刻（含去膜、退锡）工序。

3.0 职责
电镀班具体负责落实本指导书的实施及蚀刻设备的维护与保养。

4.0 作业内容
4.1 作业流程
4.1.1 内层（负片）蚀刻作业流程
烤板→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→退膜→清洗→烘干→蚀检→转
黑化工序
4.1.2 镀锡板蚀刻作业流程
退膜→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→强风吹干→自检→退锡→烘干
→蚀检→转下工序
4.1.3 镀金板蚀刻作业流程
退膜→检查→蚀刻→氨水洗→压力水洗→水洗→强风吹干→自检→酸洗→清洗
烘干→蚀检→转下工序
4.1.3 若外层线路使用负片菲林，其蚀刻流程同4.1.1。

4.2 蚀刻工序设备及物料清单
蚀刻机、褪膜机、褪锡机、排骨架、猪笼架、放板台、去膜槽、水洗台、软毛刷、
蚀刻子液、褪铅锡药水、褪膜篮、NaOH 、氨水、柠檬酸、胶盆。

电容屏ITO蚀刻膏制程工艺

电容屏ITO蚀刻膏制程工艺预览说明:预览图片所展示的格式为文档的源格式展示,下载源文件没有水印,内容可编辑和复制电容屏ITO蚀刻膏制程工艺流程第一步：ITO FILM参数规格：宽：406，410 厚度：188，175，125规格：单膜，双膜。

特性：单，双加硬防刮。

雾面防刮，雾面防牛等。

电容膜:日东，帝人，铃寅，LG等。

第二步：ITO GLASS参数规格：长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1规格：普通，钢化等，特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。

第三步：缩水参数规格：让ITO FILM 定型，非导电层面需丝印整版保护胶。

第四步：清洗参数规格：将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。

第五步：蚀刻膏丝印参数规格：膜厚：5-12μM，300-420 目聚酯网或钢丝网乳剂膜厚：8-15μM, 因蚀刻膏本身带有硝酸，盐酸，乙酸等酸性物资，所以感光胶必须要具有耐酸性功能。

蚀刻膏：德国默克，珠海润金等，热固型。

感光胶：田菱H-816，（具有耐酸性，耐碱性强等特性。

）第六步：过清洗线参数规格：碱度：0.2-0.5MOL，温度：35±5 度，压力：1-2KG，速度：1.5-3.5M/MIN。

经纯水清洗，干燥。

第七步：保护胶丝印参数规格：膜厚：15-30μM，250-420 目聚酯网，乳剂膜厚：10-20μM保护胶：日本朝日，丰阳等，热固型。

第八步：银浆线丝印参数规格：膜厚：5-15μM，400-500 目钢丝网，18-16 线径，乳剂膜厚：6-12μM，银浆：日本朝日，丰阳等，热固型。

感光胶：田菱H-815，（具有高解像性，高精密等特性。

）第九步：组合参数规格：上下线组合胶：口字胶：透光率底OCA 光学胶：汽包多，但透光率高。

液态光学胶：技术要求高。

第十步：切割参数规格：大片半成品切割，激光处理成小片半成品。

第十一步：压合参数规格：小片半成品与FPC 及IC 绑定形成功能片第十二步：测试参数规格：功能片的功能测试。

ITO蚀刻

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ITO刻蚀注意事项2
2.刻蚀液温度: 2.1刻蚀前,确认温度达到工艺指定温度. 2.2刻蚀过程中,确认温度变化在工艺范围内. 3.刻蚀带速:在正常生产过程中,不能更改刻蚀带速,若要进行更改,需要当班助理以上人员同意才可以进行更改.生产线巡线人员在巡线时,要检查刻蚀液温度/刻蚀带速.
9
ITO刻蚀不图片1
ITO蚀刻介绍
(主讲生产线操作)
1
ITO刻蚀内容:
ITO化学名称 ITO刻蚀机理影响ITO刻蚀因素 ITO刻蚀不良原因分析
2
ITO名称:
ITO中文名: 氧化铟锡
化学名称: In2O3 SnO2
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ITO刻蚀机理1
ITO刻蚀液配比: HCl : HNO3 : H2O = 9 : 1 : 6 (体积比) ITO刻蚀液浓度: 6.5±0.5Mol/L ITO刻蚀浓度是以液体内的H+ 浓度进行衡量.
不良名称:ITO短路不良原因: POSI制作过程中,涂POSI 前玻璃基板上有纤维,显影后有纤维类异物掉到玻璃上或MASK被污染造成刻蚀后ITO走线短路. 控制点:显影后外观检查.
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ITO刻蚀不图片2
不良名称:ITO针孔
不良原因: POSI制作过程中,涂POSI 后,POSI上有针孔,或 POSI层中有异物,造成刻蚀后ITO层出现针孔或走线断线.
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ITO刻蚀机理2
In2O3 + 6 HCl =2 InCl3 + 3 H2O
2SnO2 + 8 HCl =2 SnCl4 + 4 H2O In2O3 + 6 HNO3 =2 In(NO3)3 + 3 H2O 2SnO2 + 8 HNO3 =2 Sn(NO3)4 + 4 H2O

蚀刻机操作介绍

蚀刻机操作介绍
1.目的：清洗来料，保证产品蚀刻干净，达到预期效果
2.流程介绍：进料口→风刀口→蚀刻1→蚀刻2→液切→风刀口
→中检→脱膜1→脱膜2→液切→DI纯水清洗→风刀→出料口注：
1)蚀刻段主要是对材料上的ITO进行蚀刻，留下需要的图形，
蚀刻效果可以用万能表来进行测量，蚀刻效果与蚀刻速度，酸的浓度，温度有关，详细过程与机器的构造有关
2)脱膜段脱膜是碱不能太高，0.6N左右，温度不能太低，一般
40—45度左右
3)上下喷淋的压力不能相差太多，否侧容易造成产品在蚀刻过程
中移位。

ITO蚀刻膏使用说明书

ITO白色结晶蚀刻膏使用说明书一、工艺流程ITO玻璃（薄膜）：在其导电层需要蚀刻的部位丝网印刷“蚀刻油墨”→烘箱烘烤→自来水/超声波清洗→烘干玻璃表面水份→蚀刻工艺完成。

本工艺流程的特点与传统的刻蚀工艺刚好相反(传统工艺中覆盖油墨部分的导电膜被保留,而本工艺覆盖刻蚀油墨的导电膜部分则被刻蚀掉)。

具体工艺步骤：1．将约200～400克蚀刻油墨稍稍搅拌均匀后倒至丝网印刷台面，2．选用网目为(250目或420目)、水性耐酸型感光胶网板进行丝网印刷，印刷范围为需要蚀刻的部位，印刷厚度为15—20um。

3．根据ITO玻璃（薄膜）来源及导电层厚度，选用不同的蚀刻烘烤工艺，以下为本公司建议工艺，仅供参考：1）部分导电层厚度较薄的ITO薄膜，印刷后常温放置约20分钟即可完成蚀刻，环境湿度控制在50%左右5小时内蚀刻膏无扩散。

2）薄膜（ITO）蚀刻温度，常温-80℃, 蚀刻时间10-20分钟。

3）玻璃（ITO）蚀刻温度，80-120℃, 蚀刻时间10-20分钟。

4．烘烤后放置2小时内无明显扩散。

5．用清水冲洗蚀刻完成的ITO玻璃（薄膜）, 必要时可采用2%氢氧化钠液+超声波清洗。

6．烘干水分，得成品。

二、注意事项：1．生产环境温度控制在20-28℃,湿度45-60%。

如在自然温度下蚀刻，环境湿度控制在50%左右5小时内无扩散，湿度过高，油墨可能出现扩散现象。

2．烘烤时间和温度的合理配置可以提高工作效率和节省资源，在一定范围内，蚀刻油墨会随时间的加长和温度的升高而增强蚀刻力度和增加清洗难度。

如某ITO玻璃在100度烘烤10分钟时蚀刻不完全时。

可以采用升温到110度10分钟、或100度15分钟均能提高蚀刻效果。

3．产品存放在阴凉干燥处、6~8°保存。

保质期2~3个月。

4．本产品属酸性材料，在使用过程中务必避免与金属器具直接接触。

如误入眼睛，立即用大量清水冲洗，然后就近入医院做进一步处理。

5. 本产品常温具有蚀刻能力，如不慎污染ITO膜或ITO玻璃，需立即用清水或2%氢氧化钠液清洗。