半导体二极管三极管来料检验规程
IC半导体来料性能检验规范
文件制修订记录
1. 目的
本规范是我司在特殊条件下检验IC类和功率器件类来料性能的基础规范，规范特定的抽检条件和抽检内容。
2. 适用范围
本规范适用我司IC器件和半导体分立元件，物料族包括如下：
3. 引用标准
JEDEC STANDARD：JESD22 Series、JESD47
Military (U.S) STANDARD：MIL-STD-883、MIL-STD-750
Manufacture Specifications & Application Notes
4. 试验内容
1）试验内容和设备：
A 高温电参数：检验来料在高温（如手册规定极限高温）条件下的电参数,如漏电流、通态压降等。
试验设备：温箱/加热台、TEK 370/371、托盘、隔热手套等。
B 低温电参数：检验来料在低温（如手册规定极限低温）条件下的电参数,如阻断电压、阈值电压等。
试验设备：温箱、TEK 370/371、托盘等。
C 安装绝缘：对于需要安装到散热器的自身提供绝缘功能的器件，按照规定的方法条件安装后，测试绝缘耐压。
试验设备：散热器（已打孔）、功率母排、手批、电批、安装螺钉、绝缘耐压仪等上述三项试验内容可针对性选择。
5. 试验过程
1）高温电参数测试
①样品准备：抽取样品，接入必要的试验测试电路板；
②将待检测样品放入温箱，温箱温度设定为器件手册规定的最高温度，启动温箱；
③温箱温度达到设定值后，稳定0.5～1小时（尺寸较小封装如TO 247、TO 220等0.5小时，模块封装器件1小时），通过试验测试电路板的外接引线测试器件的电参数。
电子元器件来料检验规范
电子元器件来料检验规范
在电子制造业中，来料检验是确保产品质量的重要环节。电子元器件作为电路中不可或缺的组成部分，其质量对整个电子产品的性能指标和寿命产生重要影响。因此，来料检验对于保证电子产品可靠性、提高产品质量具有举足轻重的作用。
一、检验流程
1、检验计划制定
制定电子元器件来料检验规范前，需明确该元器件的类型、技术规格、封装形式、器件等级、包装方式、生产厂家、批次信息等，建立相应的计划和标准。基于最低限度可接受品质水平（AQL）等级，确定受检数量、抽样方式、检查水平等检验
统计学参数。
2、来料检验
项目包括外观检查、合格标志、引脚间距、引脚绕线、焊盘、安装位、器件型号规格等。根据情况，还可以进行与器件外观、尺寸、结构、性能参数等相关项目的检验。
3、检验判定
对检验结果进行判定并处理。如有不合格品，按照相应的处理方法进行处理，如返工、报废、换货等。
4、入库管理
对已检验并合格的电子元器件进行标记、打码和封装，并及时归档入库，确保下一车间或批次装配时的顺利运行。
二、检验标准
1、封装标准
除了一些极少数应用特殊场合、特殊要求的封装外，大多数电子元器件都使用标准封装。应按照标准封装规范对电子元器件进行检验。
2、外观标准
外观一般分为两类检验标准：
第一类：用于一般元器件外观检查，包括引脚的位置、焊盘、引脚绕线、安装位等重要特征。相关标准：IPC-A-610D （电子元器件外观标准质量标准）。
第二类：用于细微缺陷的检查，包括表面者划痕、表面污点等，相关标准：MIL-STD-883E（微电子装置和材料的可靠性试验程序）。
三极管来料检验标准
三极管来料检验标准
三极管是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子设备中的放大、开关、稳压等功能。为了确保生产出质量稳定的三极管产品，对来料进行严格的检验是非常重要的。本文将介绍三极管来料检验的标准和方法，以帮助文档创作者更好地了解和掌握这一过程。
首先，对于三极管来料检验，我们需要关注以下几个方面：
1.外观检查。
外观检查是最基本的检验步骤之一。我们需要检查三极管的外壳是否完整，有无损坏或变形，引脚是否齐全，焊接是否良好等。同时，还需要检查产品标识是否清晰可见，以确保产品的可追溯性。
2.封装参数检查。
三极管的封装参数对其性能有着重要的影响，因此需要对封装参数进行检查。这包括对封装材料、尺寸、引脚布局等进行检验，以确保符合相关标准要求。
3.电性能检查。
电性能是三极管最重要的指标之一。在来料检验中，需要对三极管的电参数进行检查，包括静态特性和动态特性。静态特性包括漏极电流、饱和电压等参数，而动态特性包括开关特性、频率响应等参数。
4.可靠性检查。
可靠性是三极管产品质量的重要保证。在来料检验中，需要对三极管的可靠性进行检查，包括对温度、湿度、振动等环境条件下的性能进行测试，以确保产品在各种条件下都能正常工作。
综上所述，三极管来料检验标准涉及外观检查、封装参数检查、电性能检查和可靠性检查等多个方面。只有严格按照相关标准进行检验，才能保证生产出质量稳定的三极管产品。希望本文能够帮助文档创作者更好地了解和掌握三极管来料检验的标准和方法，以提高产品质量和生产效率。
二极管来料检验作业指导书
二极管来料检验作业指导书
一、检验目的
二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电路和装置中。来
料检验是确保所使用的二极管质量合格的重要环节，通过严格的检
验程序和标准，可以提前发现并筛选出不合格品，以确保产品质量
的稳定性和可靠性。
本作业指导书的目的在于规范并指导二极管来料检验的操作流程，确保每一件产品都符合所需品质，并最大程度地减少不良品的
发生。
二、检验要求
1. 外观检验：对于二极管元件，外观是最直接的检验指标之一。应仔细检查二极管的外观，包括是否有明显的破损、刮痕、氧化、
异物等。
2. 电性能检验：检验二极管的电性能是保证其正常工作的关键。应使用适当的测试设备，检测二极管的正向电压降、反向电流、反
向击穿电压等参数，确保其符合设计要求。
3. 标识检验：二极管上应有清晰可辨的标识，包括型号、批号、生产厂商等信息。应检查标识的完整性和准确性，以避免混淆和误用。
4. 包装检验：检查二极管的包装是否完好，是否有破损或污染。包装的状态直接关系到后续产品的质量和外观。
三、检验步骤
1. 准备工作：将待检二极管、检验设备准备齐全，并确保设备
的性能良好和校准状态正常。
2. 外观检验：
a. 仔细观察二极管外观，检查是否有明显的破损、刮痕、氧化、异物等。
b. 如发现上述问题，应立即判定为不合格品，标记和隔离。
3. 电性能检验：
a. 按照测试设备的说明书，连接二极管到测试设备。
b. 按照要求设置测试参数，并进行测试。
c. 检查测试结果是否符合设计要求的规范范围。
d. 如测试结果超出规范范围，判定为不合格品，标记和隔离。
09.半导体器件检验规程模板
九半导体器件检验规程
Q/xxxx.02.008.09
1 适用范围
适用于本企业使用的二极管(包括整流二极管、发光二极管、稳压二极管、数码管)、三极管，可控硅的检验。
2 检验依据
2．1 相关产品的技术文件、说明书及资料。
2．2 相关产品的设计图纸或样品。
2．3 技术协议或合同的规定。
3 检验方法
采用外观检查和动态测试法进行检验。
4 检验项目
4．1 所有产品外包装应完整无损坏，包装盒（袋）上应标明生产厂家、生产日期、规格型号、包装数量等，对“三无”产品或不符合要求的产品可拒收。
4．2 实物检查时，引线应光亮笔直，无氧化痕迹。外形结构符合相关图纸文件。
4．3 整流二极管正向压降应不大于1V，且导通性能良好，同批产品外观一致性好，反向耐压试验应符合相关技术资料指标要求。
4．4 发光二极管抽样后加额定电压，从不同角度目测其亮度，要求亮度一致。同批产品外观一致性好。4．5 数码管在测试工装上测试时，各发光二极管亮度应一致，且同批数码管外观、电路结构要一致。4．6稳压二极管测试时，满足稳压范围要求。
5 合格品和不合格品的判定
凡在合格供方供货的情况下，原则上由物料检验员检验（或确认）“包装”状态完好后盖“免检”章入库；不在免检范围的产品，抽样样品动态测试100%合格的产品加盖“合格”章入库。
6 仪器仪表
6.1 数字万用表
6.2 精度为0.02mm游标卡尺
6.3 5×80mm放大镜
6.4 继电保护测试仪
编制：审核：批准：
三极管来料抽样检验规范
好好学习社区
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（ISO9001-2015）
1.0目的
本检验规范的目的是保证本公司所购三极管的质量符合要求。
2.0定义
2.1缺陷类别分为：严重缺陷缺陷（CR ）、主要缺陷（MA ）和次要缺陷（MI ）；
2.2严重缺陷（CR ）：不符合安全规范或可能对使用者、维护者造成人身危害的缺陷；
2.3主要缺陷（MA ）：关键质量特性不合格，影响生产并可能导致故障或降低产品性能的缺陷；
2.4次要缺陷（MI ）：一般质量特性不合格，但不影响使用功能及性能的缺陷。
3.0检验条件
3.1光照度：300-400LX(相当于40W 日光灯500mm~600mm 距离的光源)
3.2检验距离：550mm-650mm
3.3检验人员视力要求在0.8以上
4.0抽样方案与判定标准
外观检验抽样方案按GB/T2828.1-2013标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ，AQL:致命缺陷（CR ）=0 重缺陷（MA ）=0.65 轻缺陷（MI ）=1.5。 尺寸及其他特性测试5-10PCS ，0收1退。
取样方式：采取分散取样方式，5箱以内，每箱都应取样；超出10箱，按（5+总箱数÷5）箱进行分散取样。
三极管检验规范
六、检验顺序：
包装
外观
尺寸
HFE放大倍数
Vcbo击穿电压
高温试验
低温试验
高低温循环
引脚耐焊性
可焊性
振动试验
寿命试验
HFE放大倍数
Vcbo击穿电压
七、检验内容：
（1）、包装箱：包装箱应为一次性的，供应商不可回收，外包装箱和最小包装应清楚的标出此箱内所放物料的名称、规格型号、数量、供应商的厂名等内容，最小包装应无破损、混料现象，在正常储藏条件（温度-5℃~35℃，相对湿度≤75％）下一年内不能出现因包装不善而导致异常。
版本
修改内容
修改人
修改日期
新增
部门
总经办
业务部
工程部
PMC
生产部
品质部
管理部
财务部
份数
签署
制作：审核：核准：
一、目的：
明确三极管来料品质验收标准，规范检验动作，使检验、判定标准达到一致性。
二、适用范围：
适用于我司所有的三极管来料检验。
三、检验条件：
1.照明条件：日光灯600～800LUX；
2.目光与被测物距离：30～45CM；
（10）、可焊性：三极管引脚浸入锡炉（245±5℃）约3S后取出，浸入深度距样品本体根部2mm±0.50mm处，引脚上锡应饱满、光亮，无气泡，引脚上锡面积要求≥95％。
二极管与三极管的简单测试一、实验目的-中山火炬职业技术学院
个或多个 PN 结，常见半导体器件 PN 结的正向电流约为 mA 级别，反向漏电流约为 nA 级别，如图所示为 1N4148 的特性 曲线：
度的关系。 C、观察透明发光二极管的内部形状与 P 阳极、N 阴极的关系。 D、观察不同颜色发光二极管的指针偏转角度的差别。
测试小结：
（3）稳压二极管的测量（低频实验箱）
A、稳压的概念：输出电压（稳压二极管两端）的变化量小于输入
电压变化量，且输出电压在某个特定的电压值的附近变化，即稳压。
B、稳压二极管工作在反向区域，在一定的反向电流限定范围内具
四、实验内容及步骤 1、指针万用表测量二极管三极管的要点。 将刻度旋钮置于电阻×100 欧姆档，此时万用表等效为电压源与电阻串联，黑表笔为高电位，红表笔为
低电位，电流从黑表笔流出，流入红表笔，表头指针偏转的角度代表流过表笔电流的大小。 电阻量程值小，则内阻小，提供电流较大，量程值大，则内阻大，提供的电流较小。 指针万用表处于电阻档时会消耗电源，不用时旋钮处于 OFF 档或 AC 最高电压档。 2、数字万用表测试二极管及三极管的要点。 将刻度旋钮置于二极管档位，此时红表笔为高电位，黑表笔为低电位，连接正确情况下，屏幕显示值
二极管和三极管好坏的检测
二极管和三极管好坏的检测
江苏省泗阳县李口中学沈正中搜集整理
一、二极管
（一）普通二极管的检测
（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别
将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断
通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可
指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合
半导体元件进货检验标准
A
备注：※为型式试验时测试，首样及每半年一次。
标记
处数
更改文件号
签名
日期
备注
编制
审核
批准
日期
日期
日期
电器有限公司
文件号
JY-13
版本:0/A
文件名称
半ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ体元件进货检验标准
按JY-1的规定
12
VFD显示屏性能检验
上性能测试台测试，检查无缺笔画﹑无窜光。
VFD显示屏性能测试台
A
13
集成电路性能检验
LM339﹑74LS164﹑74HC164按集成电路生产出厂标准上测试台测试
集成电路测试台测试，
A
14
保险管性能检验
接触电阻<0.01欧姆
电压降<0.1V
低电阻测试仪
A
15
蜂鸣器性能检验
A
按JY-1的规定
6
发光二极管性能检验
长脚还是短脚应符合定货要求，颜色应符合定货要求，亮度应为聚光高亮。
上测试台测试，
A
7
开关二极管性能检验
IN4148反向电压80V时反向漏电流<0.5uA
发光二极管来料检验作业指导书
发光二极管来料检验作业指导书
一、引言
本作业指导书旨在指导工作人员进行发光二极管（LED）来料
检验的操作流程及标准要求。通过严格的检验流程和标准，确保来
料的质量符合要求，减少不良品的投入，提高生产效率和成品质量。
二、检验设备和工具准备
1. 显微镜：用于观察发光二极管的封装质量和焊点情况。
2. 分光光度计：用于测试发光二极管的光强和波长。
3. 直流电源：用于测试发光二极管的正向电压和电流。
4. 静电防护工具：包括静电手套、静电手腕带等工具，用于防
止静电损坏发光二极管。
5. 工作台：用于操作发光二极管的检验和测试。
6. 清洁工具：如无尘布、吹尘枪等工具，用于保持检验环境的
清洁。
三、检验流程
1. 出货检验：将待检验的发光二极管按照批次号和供应商的要
求进行分类，并进行记录。
2. 外观检验：使用显微镜检查发光二极管外观，包括封装划痕、氧化、破损等情况。外观不良的发光二极管应予以淘汰并进行记录。
3. 尺寸检验：使用显微镜或量具检查发光二极管的尺寸是否符
合要求。尺寸不合格的发光二极管应予以淘汰并进行记录。
4. 焊点检验：使用显微镜检查发光二极管的焊点是否完整、没
有虚焊、寄生电阻等问题。焊点不良的发光二极管应予以淘汰并进
行记录。
5. 光强测试：使用分光光度计测试发光二极管的光强是否符合
标准要求。光强不合格的发光二极管应予以淘汰并进行记录。
6. 波长测试：使用分光光度计测试发光二极管的波长是否符合
标准要求。波长不合格的发光二极管应予以淘汰并进行记录。
7. 正向电压和电流测试：使用直流电源测试发光二极管的正向
来料检测SOP
二极管检定测试
1. 目的/Objective
制定该工作指引是为了确保从新货源购进的二极管在生产的产品上使用之前能够通过一系列的质量检定测试。
This is to ensure that the rectifiers from a new source will pass a series of qualification test before it is used in a product manufactured.
2. 范围/Scope
适用于从新货源购进的二极管或者从固有货源购进的新系列二极管。
Applicable to rectifiers from new source, or new series of rectifiers from an existing source.
3. 主要设备/Main equipment
●数字电压表/DVM.
●高压仪/Hi-pot tester.
●示波器/Oscilloscope.
●储存示波器/Storage Oscilloscope.
4. 步骤/Procedure
4.1 规格检查/Specification Check
4.1.1 反向击穿电压测量/Reverse Breakdown Voltage Measurement
●测试目的﹕在额定的反向漏电流的情况下测量二极管的反向击穿电压。
Objective: To measure the reverse breakdown voltage of rectifier at
allowed reverse leakage current.
二极管、三极管的检测
第二部分：用A、B、C、D字母表示三极管的材料及极性。A：PNP型锗管，
B：NPN型锗管，C：PNP型硅管，D：NPN型硅管
A－PNP锗பைடு நூலகம்
B－NPN锗
C－PNP硅
D－NPN硅
X-低频小功率管
D-高频大功率管
2、三极管的判断
1）三极管的分类及命名 半导体三极管可分为双极型三极管、场效应晶体管、光电三极管。 双极型三极管分为有PNP型和NPN型两种； 按照功率大小有大、中、小功率之分； 按照频率有高频管、低频管、开关管之分；
按照材料有硅管与锗管之分； 按照结构有点接触型和面接触型之分。 按照封装方式有金属封装和塑料封装。
集电极与发射极的判别:用指针万用表判别集电极和发射极，要设法令到 三极管导通起来，根据三极管导通的基本条件是必需在发射结上加正向偏置电 压这一特性，我们可以在集电极与基极之间加一个分压电阻（大约100k），且 在集电极和发射极上通过万用表的两根表笔加上正确极性的电压，从而令到发 射结导通，此时万用表的两根表笔之间有电流通过，也即反映出电阻值小，根 据这一原理可以判别三极管的集电极与发射极。
2）二极管的判别 利用万用表根据二极管正向导通反向不导通的特性即可判别二极管的极 性；指针式万用表两根表笔加在二极管两端，当导通时（电阻小），黑表笔所 接一端是正极即P极，红表笔所接一端是负极即N极.。一般二极管的正向电阴 为几十欧到几千欧，反向电阻为几百千欧以上，正反向电阻差值越大越好，至 少应相差百倍为宜。指针式万用表置于电阻挡时，黑表笔接的是表内电池的正 极，红表笔接的是表内电池的负极；若使用数字万用表则相反，红表笔是正极， 黑表笔是负极。将两只表笔分别接二极管的两个电极， 如果显示溢出符号 “1”， 说明二极管处于截止状态， 如果显示在1V以上，说明二极管处于正向导通状态， 此时与红表笔相接的是管子的正极，与黑表笔接通的是负极。注意数字表的电 阻挡不能用来测量二极管和三极管，必需用二极管挡。
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半导体二极管三极管来
料检验规程
集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN]
电子元器件来料检验规程（一）
半导体晶体管部分
1内容
本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管
（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。2范围
本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。
3引用标准
计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则
电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法
GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法
电工电子产品应用环境条件贮存
4检验测试设备和测试方法
测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）
测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置
数字万用表、不锈钢镊子等应手工具
晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。
人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。
测试准备：
晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。
每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。
绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT
主要测试参数：
IGBT的特性曲线
IGBT的饱和压降V CES
IGBT的栅极阈值电压V GE（th）
IGBT的击穿电压V CER
测试方法：
现将上述特性参数的测试方法分述如下。
测IGBT的输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线。
该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图1a所示）。否则为不合格（如图1b所示）。
图 1
测IGBT的饱和压降V CES
在特性曲线中选择V GE=的一条曲线，它与I C=直线的交点所对应的V C电压值就是所测试的IGBT在V GE=、I C=时的饱和压降V CES。
V CES＜为合格。否则为不合格。
测IGBT的转移特性曲线
按附表1“常规测试/转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的转移特性曲线。
该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。这些线段的一端在X轴上，另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。
测IGBT的栅极阈值电压V GE（th）
观测特性曲线与I C=1mA直线的交点所对应的V BE电压值，就是该IGBT在该测试温度下的栅极阈值电压V GE（th）。此时V BE=V GE（th）。
所测得的V GE（th）在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格。否则为不合格。
测IGBT的击穿电压V CER
按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压，此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。
注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT的击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。
达林顿大功率NPN晶体管
主要测试参数：
达林顿晶体管的共射输出特性曲线
达林顿晶体管的饱和压降BV CES
达林顿晶体管的共射极电流放大系数β
达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0
测试方法：
现将上述特性参数的测试方法分述如下。
测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。
该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图2a所示）。否则为不合格（如图2b所示）。
图 2
测达林顿晶体管的饱和压降BV CES
观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=6A时的饱和压降V CES。
观测到的V CES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。
测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β
观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数ββ=（～）I C/I B
β值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。
测达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0
按附表1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压V CE，此电压即为达林顿晶体管基极开路时的击穿电压BV CE0，BV CE0在该达林顿晶体管的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。
注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只达林顿晶体管的反向击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。
小功率晶体管
主要测试参数：
小功率晶体管的共发射极输出特性曲线
小功率晶体管的饱和压降V CES
小功率晶体管的共射极电流放大系数β
小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0
小功率晶体管基极开路时的穿透电流I CE0
测试方法：
现将上述特性参数的测试方法分述如下。
测小功率晶体管的共发射极输出特性曲线
按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测NPN晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的NPN晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的小功率NPN晶体管，图示仪即显示一簇该小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线。
该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图3a所示）。否则为不合格（如图3b所示）。
PNP晶体管
NPN晶体管
图 3
测小功率晶体管的饱和压降BV CES
观测小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该小功率NPN晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=10mA时的饱和压降BV CES。
观测到的V CES值在该小功率晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。
测小功率晶体管的共射极电流放大系数β
观小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β
β=（～）I C/I B