第四章 晶体缺陷
第4章 晶体缺陷
刃位错的滑移
螺位错的滑移
刃、螺型位错的滑移特点
特征差异:
切应力方向不同 刃型:F⊥l;螺型:F∥l
位错运动方向与晶体滑移方向关系 刃型:运动方向与滑移 方向一致;螺型:运动方向与滑移方向垂直。 统一之处: 两者的滑移情况均与各自的b一致。
b) 位错环(混合型位错)的滑移
A、B处为刃型位错,C、D处为螺型位错,其余各处为 混合型位错。 位错环可以沿法线方向向外扩张而离开晶体;也可以反 向缩小而消失。
透射电镜下观察到的位错线
第三节 位错的能量及交互作用
位错线周围的原子偏离平衡位置,处于较高的能量状 态,高出的这部分能量称为位错的应变能(位错能)
一、位错的应变能
位错的应变能可分为:位错中心畸变能Ec和位错应 力场引起的弹性应变能Ee。 Ec:位错中心点阵畸变较大,需借助点阵模型直接考虑晶体
结构和原子间的相互作用,其能量约为总应变能的1/10~ 1/15,常予以忽略。
和间隙原子的“间隙-空位”对。
Frenkel defect
化合物离子晶体中的两种点缺陷 金属晶体:弗兰克尔缺陷比肖脱基缺陷少得多 离子晶体:结构配位数低-弗兰克尔缺陷较常见
结构配位数高-肖脱基缺陷较重要
间隙原子
定义:晶体中的原子进入晶格的间隙位置而形成 的缺陷。
Interstitial defect
b 2 r
Gb 2 r
b 2 r dr L L Gb
位错线
半原子面
刃型位错的特点
滑移面
a、属于线型位错,但在晶体中为狭长的管道畸变区;
b、是晶体中滑移区与未滑移区的分界线,不一定是 直线,也可以是折线或曲线; c、不能中断于晶体内部
材料科学基础 第4章
要 大 得 多 ( C 原 子 在 -Fe 中 的 最 大 溶 解 度 为
0.0218mass.% , 在 -Fe 中 的 最 大 溶 解 度 为
2.11mass.%)。
31
4.3.1.3 聚合物晶体中的杂质
杂质可以 直接合并在分
子链中,例如
共聚物。
32
如果第二类型链节的特性(尺寸、形状和键
某些金属的平衡空位数与加工应变量之间存
在近似关系 c≈10- 4 。
高能粒子辐照 用中子、粒子和高速电子等轰击晶体时,可
使晶体表面和内部的原子或离子离开原来的结点 而形成空位或间隙原子。
13
4.2.5 点缺陷的运动
晶体中的点缺陷并不是固定不动的,而是处于 不断的运动过程中。 点缺陷的复合
14
11
4.2.4 过饱和点缺陷
如果在某些特殊情况下点缺陷的浓度显著超过其平
衡浓度,则称其为过饱和点缺陷。
造成过饱和点缺陷的主要原因有以下三方面:
高温激冷
以空位为例,高温时的空位平衡浓度大,通过快
速冷却使高温下形成的空位 “冻结”,使得晶体中
的空位浓度远远大于该温度下的平衡空位浓度。
12
大量冷变形
溶质和溶剂的原子尺寸差别必须不大于15%。 溶剂和溶质原子的电负性必须相当。
两类原子的电子价必须相似。
两组元形成无限(或连续)固溶体的必要条件是它
们的晶体结构相同。
25
4.3.1.2 间隙固溶体
间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格的间隙中而形
成的固溶体。
形成间隙固溶体的主要条件:溶剂和溶质的原子尺 寸相差较大,通常原子尺寸因素r > 41%。
固体物理第四章_晶体的缺陷
习题测试1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理2论值小,是何原因?4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?5.金属淬火后为什么变硬?6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?12.一个空位花费多长时间才被复合掉?13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?17.离子晶体的导电机构有几种?习题解答1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低.2.热膨胀引起的晶体尺寸的相对变化量与X射线衍射测定的晶格常数相对变化量存在差异,是何原因?[解答]肖特基缺陷指的是晶体内产生空位缺陷但不伴随出现填隙原子缺陷, 原空位处的原子跑到晶体表面层上去了. 也就是说, 肖特基缺陷将引起晶体体积的增大. 当温度不是太高时, 肖特基缺陷的数目要比弗仑克尔缺陷的数目大得多. X射线衍射测定的晶格常数相对变化量, 只是热膨胀引起的晶格常数相对变化量. 但晶体尺寸的相对变化量不仅包括了热膨胀引起的晶格常数相对变化量, 也包括了肖特基缺陷引起的晶体体积的增大. 因此, 当温度不是太高时, 一般有关系式>.溶液,生长的KCl晶体的质量密度比理3.KCl晶体生长时,在KCl溶液中加入适量的CaCl2论值小,是何原因?[解答]由于离子的半径(0.99)比离子的半径(1.33)小得不是太多, 所以离子难以进入KCl晶体的间隙位置, 而只能取代占据离子的位置. 但比高一价, 为了保持电中性(最小能量的约束), 占据离子的一个将引起相邻的一个变成空位. 也就是说, 加入的CaCl越多, 空位就越多. 又因为的原子量(40.08)与的2溶液引起空位, 将导致KCl 原子量(39.102)相近, 所以在KCl溶液中加入适量的CaCl2晶体的质量密度比理论值小.4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低?[解答]形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低.5.金属淬火后为什么变硬?[解答]我们已经知道晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬.6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点?[解答]在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直.7.试指出立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数.[解答]滑移面一定是密积面, 因为密积面上的原子密度最大, 面与面的间距最大, 面与面之间原子的相互作用力最小. 对于立方密积, {111}是密积面. 对于六角密积, (001)是密积面. 因此, 立方密积和六角密积晶体滑移面的面指数分别为{111}和(001).8.离子晶体中正负离子空位数目、填隙原子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献完全相同吗?[解答]由(4.48)式可知, 在正负离子空位数目、填隙离子数目都相等情况下, 离子晶体的热缺陷对导电的贡献只取决于它们的迁移率. 设正离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 正离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子的振动频率分别为和, 负离子空位附近的离子和填隙离子跳过的势垒高度分别为, 则由(4.47)矢可得,,,.由空位附近的离子跳到空位上的几率, 比填隙离子跳到相邻间隙位置上的几率大得多, 可以推断出空位附近的离子跳过的势垒高度, 比填隙离子跳过的势垒高度要低, 即<,<. 由问题1.已知, 所以有<, <. 另外, 由于和的离子半径不同, 质量不同, 所以一般, .也就是说, 一般. 因此, 即使离子晶体中正负离子空位数目、填隙离子数目都相等, 在外电场作用下, 它们对导电的贡献一般也不会相同.9.晶体结构对缺陷扩散有何影响?[解答]扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散现象与气体分子的扩散相似, 不同之处是缺陷在晶体中运动要受到晶格周期性的限制, 要克服势垒的阻挡, 对于简单晶格, 缺陷每跳一步的间距等于跳跃方向上的周期.10.填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数, 哪一个大? 为什么?[解答]填隙原子机构的自扩散系数,空位机构自扩散系数.自扩散系数主要决定于指数因子, 由问题4.和8.已知, <,<, 所以填隙原子机构的自扩散系数小于空位机构的自扩散系数.11.一个填隙原子平均花费多长时间才被复合掉? 该时间与一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间相比, 哪个长?[解答]与填隙原子相邻的一个格点是空位的几率是, 平均来说, 填隙原子要跳步才遇到一个空位并与之复合. 所以一个填隙原子平均花费的时间才被空位复合掉.由(4.5)式可得一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间.由以上两式得>>1.这说明, 一个正常格点上的原子变成间隙原子所需等待的时间, 比一个填隙原子从出现到被空位复合掉所需要的时间要长得多.12.一个空位花费多长时间才被复合掉?[解答]对于借助于空位进行扩散的正常晶格上的原子, 只有它相邻的一个原子成为空位时, 它才扩散一步, 所需等待的时间是. 但它相邻的一个原子成为空位的几率是, 所以它等待到这个相邻原子成为空位, 并跳到此空位上所花费的时间.13.自扩散系数的大小与哪些因素有关?[解答]填隙原子机构的自扩散系数与空位机构自扩散系数可统一写成.可以看出, 自扩散系数与原子的振动频率, 晶体结构(晶格常数), 激活能()三因素有关.14.替位式杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]占据正常晶格位置的替位式杂质原子, 它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同. 这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变, 使得畸变区出现空位的几率大大增加, 进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少, 加大了杂质原子的扩散速度.15.填隙杂质原子扩散系数比晶体缺陷自扩散系数大的原因是什么?[解答]正常晶格位置上的一个原子等待了时间后变成填隙原子, 又平均花费时间后被空位复合重新进入正常晶格位置, 其中是填隙原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置所要等待的平均时间. 填隙原子自扩散系数反比于时间.因为>>,所以填隙原子自扩散系数近似反比于. 填隙杂质原子不存在由正常晶格位置变成填隙原子的漫长等待时间, 所以填隙杂质原子的扩散系数比母体填隙原子自扩散系数要大得多.16.你认为自扩散系数的理论值比实验值小很多的主要原因是什么?[解答]目前固体物理教科书对自扩散的分析, 是基于点缺陷的模型, 这一模型过于简单, 与晶体缺陷的实际情况可能有较大差别. 实际晶体中, 不仅存在点缺陷, 还存在线缺陷和面缺陷,这些线度更大的缺陷可能对扩散起到重要影响. 也许没有考虑线缺陷和面缺陷对自扩散系数的贡献是理论值比实验值小很多的主要原因.17.离子晶体的导电机构有几种?[解答]离子晶体导电是离子晶体中的热缺陷在外电场中的定向飘移引起的. 离子晶体中有4种缺陷: 填隙离子, 填隙离子, 空位, 空位. 也就是说, 离子晶体的导电机构有4种. 空位的扩散实际是空位附近离子跳到空位位置, 原来离子的位置变成了空位. 离子晶体中, 空位附近都是负离子, 空位附近都是正离子. 由此可知,空位的移动实际是负离子的移动, 空位的移动实际是正离子的移动. 因此, 在外电场作用下, 填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向一致, 而填隙离子和空位的漂移方向与外电场方向相反.。
晶体的缺陷
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体是不存 在的,实际晶体中或多或少都存在缺陷,至少晶 体不可能是无穷大的。晶体缺陷按几何形态划分 为点缺陷、线缺陷和面缺陷。
点缺陷是原子热运动造成的,在平衡时,这些热 缺陷的数目是一定的。缺陷的扩散不仅受到晶格 周期性的约束,还会发生复合现象。杂质原子的 扩散系数比晶体原子自扩散系数大。离子沿外电 场方向的扩散便构成了离子导电。
-e
Na+ Cl- Na+
用X射线或 射线辐照、用中子或电子轰击晶体。
色心是指晶体中存在的能对特定波长的光产生吸 收的点缺陷。在特定的条件下,很多材料中都可 观察到色心。容易产生色心的材料有碱金属卤化 物、碱土金属氟化物和部分金属氧化物。色心可 以在电离辐射的照射下产生,也可以在一定的氧 化或还原性气氛中加热晶体得到,还可以用电化 学方法产生出一些特定的色心。最常见并研究的 最充分的是碱金属或碱土金属卤化物中的F色心, F色心是俘获了电子的负离子空位。正离子空位 缺陷俘获空穴形成的色心称做V色心。另外,还 有其他类型的色心,如H色心、M色心和R色心 等。BaFBr:Eu中的F色心有F(F)和F(Br) 两种,分别对应于材料中俘获了电子的两种阴离 子空位。
替位式杂质在晶体中的溶解度也决定于原子的 几何尺寸和化学因素。如果杂质和基质具有相近的 原子尺寸和电负性,可以有较大的溶解度。但也只有 在二者化学性质相近的情况下,才能得到高的固溶 度。 元素半导体、氧化物及化合物半导体晶体中的 替位式杂质,通常引起并存的电子缺陷,从而明显 的改变材料的导电性。例如:Si晶体中含有As5+时, 由于金刚石四面体键仅需4个电子,所以每个As多 了一个电子;如果Si晶体中含有三价原子时,由于 共价键中缺少一个电子而形成电子空位即空穴,这 种掺杂的Si晶体都因杂质原子的存在而是电导率有 很大提高。
固体物理-第4章-晶体中的缺陷和扩散-4
(成对出现)
4、杂质原子 在材料制备中,有控制地在晶体中引入杂质原子
A、杂质原子取代基质原子而占据格点位置,称替代式杂质。
(二者相接近或前者大一些)
B、杂质原子占据格点间的间隙位置,称填隙式杂质。
(杂质原子比基质原子小)
点缺陷的运动 1、空位的运动
空位运动势场示意图
原子结合成晶体的源动力:原子间的吸引力. 理想晶体的生长
问题4:当初如何提出位错概念?位错滑移如何理解?
Ax A d
a
x a 2
xa 2
弹性形变
范性形变 原子不能回到原来位置,易到A
即发生滑移
Ax A
d a
?有问题
最初认为: 滑移是相邻两晶面整体的相对刚性滑移
则可计算:使其滑移的最小切应力: c
第四章 晶体中的缺陷和扩散
原子绝对严格按晶格的周期性排列的晶体不存在
缺陷举例: 如晶体表面、晶粒间界、人为掺杂等
如金刚石
空位
点缺陷 填隙原子 (0维)
杂质原子
刃位错
线缺陷
晶体缺陷的基本类型 (1维)
(按维度或尺寸分类)
螺位错
大角晶界
晶粒间界
面缺陷
小角晶界
(2维) 堆垛间界(层错)
问题1:点缺陷的定义、分类、运动及其对晶体性能影响?
若某一晶面A丢失,则原子面排列: ABCABCBCABC………..
问题7:一定温度下,系统达统计平衡时,
热缺陷(空位.间隙原子)数目?
热力学平衡条件
平衡状态下晶体内的热缺陷数目
系统自由能F U TS 最小
F n T
0
热缺陷的数目
1、肖脱基缺陷(或空位)浓度
第4章 晶体缺陷
析出物:杂质浓度超过了其固溶度,以不同 的沉物 淀质 (析SiC出)在,晶形体成中了,异比质如核氧。沉底(SiO2),碳
影响置换型固溶体的因素主要有:
(1)结构类型:结构相同的,容易(róngyì)固溶,否则,难
(2)离子尺寸:占据相同位置的质点的尺寸相近,容易
固溶置换
(3)离子类型:类型相同的质点,容易置换
(4)电价是都相同:要保持电荷平衡,等价离子容易置 换
(5)电负性:相近的离子,容易置换固溶
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影响间隙型固溶体的因素主要有: (1)添加原子的大小,与晶体结构密切相关,要小于空
节。
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3.非化学计量结构缺陷 有些化合物,其化学组成会明显的随着周围气氛的性质
和压力的大小的变化而发生组成偏离化学计量的现象,称 为非化学计量化合物,由此而产生的缺陷,称为非化学计 量缺陷。
非化学计量缺陷,可能某种原子不够而形成空位,或某种 原子过量(guò〃liàng)而出现间隙原子,形成非化学计量化合物。 例如:ZnO在Zn蒸汽中加热,有些Zn原子将形成Zn2+进入间隙 中而成为Zn1+xO,这就是非化学计量化合物。
层错破坏了晶体的周期(zhōuqī)完整性,引起能量升高,通常把产生单位面积层错所需 要的能量称为层错能。
层错能出现时仅表现在改变了原子的次近邻关系,几乎不产生点阵畸变。所以, 层错能相对于晶界能而言是比较小的。层错能越小的晶体,则层错出现的几率越大。
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双晶缺陷(quēxiàn)是指晶体双晶接触,或晶体在特定方 向发生塑性变形,变形区原子和未变形区原子在交接处 还是紧密接触(没有晶格失配),这种接触产生的面缺
第四章 点缺陷
热平衡时,满足关系 ∂F/∂n=0 ,因此空位的平衡浓度:
cv
n N n
n N
s exp(
f
) exp(
kB
Uv kBT
)
Av exp(
Uv kBT
)
同理,填隙原子的平衡浓度:
ci ZiAi exp( Ui ) kBT
4.1.2 点缺陷的形成能
在热平衡态下的点缺陷,其浓度与温度及其形成能密
4.1.1 热平衡态的点缺陷浓度
晶态固体中的原子总是在其平衡位置附近一刻
不停地作微小的振动。由于热振动的非线性,任一
原子的热振动都与周围原子的热振动状态密切相关,
使热振动能量存在涨落。当一原子一单具有足够大
的动能时就可能脱落正常位置,跳到邻近的原子间
隙中去,形成填隙原子,并在原位置留下一个空位。
F0为完整的晶体的自由能,Uy为空位的形成能 ,Sf为空位
的周围原子振动态引起的振动熵,而kBlnΩ 则 为 无 序 度 增 加而致的组态熵,Ω=(N+n)!/N!n!为系统的所有可能组态
数。
N
n
斯特令近似:F (T ,
p)
F 0(T ,
P)
n(Uv
SfT )
kBT (N
ln
N
n
n ln
N
) n
第四章 点缺陷
晶体缺陷:点缺陷、线缺陷和面缺陷
点缺陷:是指那些对晶体结构的干扰仅波及几个原子间距范
围的晶体缺陷。
点缺陷类型:
(1)结பைடு நூலகம்缺陷:点阵空位、填隙原子。
(2)化学点缺陷:代位杂质、填隙杂质。(图4-1)
点缺陷对晶体结构及性能有重要的影响,例如:物理性质、 电学性质、光学性质等。
第四章晶体缺陷
空位形成引起点阵畸变,亦会割断键力,故空位形成需能量, 空位形成能(ΔEV)为形成一个空位所需能量。
点缺陷是热力学稳定的缺陷: 点缺陷与线、面缺陷的区别 之一是后者为热力学不稳定的缺陷 。在一定温度下,晶体中
有一定平衡数量的空位和间隙原子,其数量可近似算出。
设自由能G=H-TS H为焓,S为系统熵(包括振动熵SV和排列熵SC) 空位的引入,一方面由于弹性畸变使晶体内能增加; 另一方面又使晶体中混乱度增加,使熵增加。而熵 的变化包括两部分: ① 空位改变它周围原子的振动频率引起振动熵,SV ② 空位在晶体点阵中的排列可有许多不同的几何 组态,使排列熵SC增加。
一些能量较大的质点 离开平衡位置后,进 入到间隙位置,形成间隙质点,而在原来位置上 形成空位
(2)肖特基空位: 如果正常格点上的 质点,在热起伏过程中 获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面,而在晶体
内部正常格点上留下空位
材料科学基础
2 间隙原子 原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置, 成为填隙原子(或离子)或间隙原子(或离子)。 从成分上看,填隙质点可以是晶体自身的质点,
Example 6.1 SOLUTION The lattice parameter of FCC copper is 0.36151 nm. The basis is 1, therefore, the number of copper atoms, or lattice points, per cm3 is:
Example 4.1 The Effect of Temperature on Vacancy Concentrations
Calculate the concentration of vacancies in copper at room temperature (25oC). What temperature will be needed to heat treat copper such that the concentration of vacancies produced will be 1000 times more than the equilibrium concentration of vacancies at room temperature? Assume that 20,000 cal are required to produce a mole of vacancies in copper.
晶体结构缺陷(陈春华)
“完美晶体”只是一种想象,缺陷晶体则是绝对的。
结构缺陷显著影响材料的各种物理、化学性质: 力学性质、扩散特性、反应活性、烧结活性、光电 特性等。 结构缺陷的调控是材料科学的“焦点”。
References: 1. “Basic Solid State Chemistry” Anthony R. West, 2th
vacancy pair
interstitial anion
Anion vacancy
第二节:结构缺陷形成热力学和 缺陷结构的绝对性
Perfect crystals are built up of regular arrangements of atoms in three dimensions; in a perfect crystal, all the atoms at rest on their correct lattice positions.
ΔH ≈ const. and ΔSvib ≈ const. Not true!
ΔSconf
= k lnW
= k ln (N + nV )! N !nV !
⎛ ⎜W ⎝
=
(
N + nV ) N !nV !
!
⎞ ⎟ ⎠
considering N >> 1 and nV >> 1 (N >> nV ) and applying Stirling ' s Approximation : ln x! = x ln x + x (x >> 1)
Cl Na Cl Na Cl Na Na Cl Na Cl Na Cl Cl Na e’ Na Cl Na Na Cl Na Cl Na Cl Cl Na Cl Na Cl Na
4. 晶体缺陷
螺型位错的滑移:在图示的晶体上施加一切应力,当应力足够大 时,有使晶体的左右部分发生上下移动的趋势。假如晶体中有一 螺型位错,显然位错在晶体中向后发生移动,移动过的区间右边 晶体向下移动一柏氏矢量。因此,①螺位错也是在外加切应力的 作用下发生运动;②位错移动的方向总是和位错线垂直;③运动 位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动 (滑移);④位错移过部分在表面留下部分台阶,全部移出晶体 的表面上产生柏氏矢量大小的完整台阶。这四点同刃型位错。
第二节 位错的基本概念
一.位错概念的引入
★1926年 Frank计算了理论剪切强度,与实际剪切 强度相比,相差3~4个数量级,当时无法解释, 此矛盾持续了很长时间 。
★1934年 Taylor在晶体中引入位错概念,将位错与 晶体结构、晶体的滑移联系起来解释了这种差异 。
★ 1939年 Burgers提出柏氏矢量b以表征位错的特征, 阐述了位错弹性应力场理论。
例题
Cu晶体的空位形成能uv=0.9ev/atom或 1.44*10-19J/atom材料常数A取作1,k=1.38*10-23. 计算:
1)在500℃下,每立方米中的空位数目; 2)500 ℃下的平衡空位浓度 。
解:首先确定1m3体积内原子Cu原子总数 (已知Cu的摩尔质量MCu=63.54g/mol,500 ℃
螺型位错
τb
晶体的局部滑移
螺型位错的原子组态
混合型位错: 晶体的局部滑移
τ∧ b
混合型位错的原子组态
线缺陷:在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),
另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其 具体形式就是晶体中的位错Dislocation
一、位错的原子模型
材料基础-第四章固体材料的缺陷
例如,Fe的剪切模量大约100GPa,则理论剪切 模量应为3000MPa。但是,单晶体Fe的实际强度仅 为1-10MPa,晶面之间的滑移用相当小剪力就能移 动。理论值与实际值相差巨大。因而,人们就猜测 晶体中存在着象位错这样的线缺陷。 当时仅是理论上的一种推测,没有真正看到。 直到50年代,透射电镜(TEM)的研发成功,才从 实验中观察到实际的位错形貌。 当晶体的一部分相对于另一部分进行局部滑移 时,晶体的已滑移部分与未滑移部分的交界线形成 分界线,即位错,用TEM可观察到(见图4-4)。 位错主要分两种类型:刃型位错和螺型位错。
按晶体缺陷的几何特征,可以分成四种 基本类型:点缺陷、线缺陷(位错)、面缺陷 和体缺陷,如图4-1所示。 但需记住,这些缺陷只代表理想原子排 列中的缺陷。而实用上,为了获得所要求的 材料性能如强度、硬度、塑性等,有时要有 意地制造一些缺陷,即通过合金化、扩散、 热处理和表面处理,设计和控制这些缺陷。 因此,设计和控制晶体缺陷是改进产品 质量的关键,特别是对晶体生长以及使用过 程中控制缺陷的形成、类型以及变化,都是 极为重要的。
图4-3 晶格节点的置换原子
4. 点缺陷对材料性能的影响 在一般情况下,点缺陷主要影响晶体的物 理性质,如比容、比热容、电阻率等。 (1)比容 为了在晶体内部产生一个空位,需将该处 的原子移到晶体表面上,这就导致体积的增加。
(2)比热容 由于形成点缺陷,需向晶体提供附加的能 量(空位生成焓),因而引起附加的比热容。
断裂,而不会沿垂直截面的方向断裂,原因在于 材料在变形过程中发生了滑移,如图4-10所示。
图4-10 单晶体的拉伸断裂 及晶面滑移形貌
这是因为,材料的塑性变形通常会沿着晶体原子 的密排方向滑移,见图4-11 外加拉应力、滑移方向和滑移面的关系
第四章 晶体缺陷与缺陷运动
第四章晶体缺陷与缺陷运动§4.1 晶体缺陷的基本类型§4.2 位错缺陷的性质、晶体滑移的本质§4.3 热缺陷数目的统计平衡理论§4.4 热缺陷的运动、产生和复合§4.5 晶体中的扩散过程§4.6 离子晶体中的点缺陷与导电性前言理想晶体的主要特征是原子(或分子)的严格规则排列、周期性实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离严格的周期性,存在着偏离了理想晶体结构的区域,于是就形成了晶体的缺陷。
晶体中虽然存在各种各样的缺陷,但实际在晶体中偏离平衡位置的原子数目很少(相对于晶体原子总数),在最严重的情况下,一般不会超过原子总数的万分之一,因而实际晶体结构从整体上看还是比较完整的。
缺陷——偏离了晶体周期性排列的局部区域。
前言(续)晶体中缺陷的种类很多,它们分别影响着晶体的力学、热学、电学、光学等各方面的性质。
然而,尽管在晶体中缺陷的数目很少,它们的产生和发展、运动和相互作用、以及合并和消失,对晶体的性能有重要的影响。
因此,晶体缺陷是固体物理中一个重要的研究领域,它对于研究和理解一些不能用完整晶体理论解释和理解的现象具有重要的意义。
例如:塑性与强度、扩散、相变、再结晶、离子电导以及半导体的缺陷导电等现象。
§4.1 晶体缺陷的基本类型一、点缺陷点缺陷——发生在一个或几个晶格常数范围内的缺陷。
如:空位、填隙原子、杂质原子等。
这些空位、填隙原子是由热起伏原因而产生的,所以又称为热缺陷。
晶体中存在的缺陷种类很多,但由于晶体中的晶体结构具有规律性,因此晶体中实际出现缺陷的类型也不是无限制的。
根据晶体缺陷在空间延伸的线度,晶体缺陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
几种重要的点缺陷:1)弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷原子(或离子)在格点平衡位置附近振动,由于存在这样的热振动的能量涨落,使得当某一原子能量大到某一程度时,原子就会克服平衡位置势阱的束缚,脱离格点,而到达邻近的原子空隙中,当它失去多余动能后,就会被束缚在那里,这样产生一个暂时的空位和一个暂时的填隙原子,当又经过一段时间后,填隙原子会与空位相遇,并同空位复合;也有可能跳到较远的间隙中去或跳到晶体边界上去。
第4章晶体缺陷-位错3.15
根据原子的滑移方向和位错线取向的几何 特征,位错可分为:
刃位错 螺位错 混合位错
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4.0 概述
4.1 点缺陷
4.2 位错的 基本概念
4.3 位错的 能量及交互 作用
4.4晶体中 的界面
Foundation of Materials Science
二.位错类型
4.2 位错基本概念
的b矢量之和为零。
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Foundation of Materials Science
柏氏矢量与位错线
1. 刃位错柏氏矢量⊥位错线,可以为任何形状;
2. 螺位错柏氏矢量∥位错线,只能为直线;
3. b∥t则为螺位错,同向为右螺,反向为左螺;b⊥t为刃位错; 任意角度φ为混合位错,刃位错分量:bsin φ,螺位错分量: bcosφ
4. 同一根位错线上各处柏氏矢量一定相同;
5. 位错线只能终止在晶界或表面,不能终止在晶体内部,在内 部只能形成封闭环或空间网络。(位错是滑移区的边界)
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4.0 概述 4.1 点缺陷 4.2 位错的 基本概念 4.3 位错的 能量及交互 作用 4.4晶体中 的界面
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★1934年 Taylor在晶体中引入位错概念,将位错与 晶体结构、晶体的滑移联系起来解释了这种差异 。
★1939年 Burgers提出柏氏矢量b以表征位错的特征, 阐述了位错弹性应力场理论。
★1947年 Cottrell发表了溶质原子与位错间交互作用 的研究报告 。
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材料物理化学-第四章 晶体的点缺陷与线缺陷
第四章晶体结构缺陷晶体缺陷的产生与晶体的生长条件,晶体中原子的热运动以及对晶体的加工工艺等有关。
事实上,任何晶体即使在绝对零度都含有缺陷,自然界中理想晶体是不存在的。
既然存在着对称性的缺陷,平移操作不能复制全部格点,那么空间点阵的概念似乎不能用到含有缺陷的晶体中,亦即晶体理论的基石不再牢固。
但缺陷的存在只是晶体中局部的破坏。
作为一种统计,一种近似,一种几何模型,缺陷存在的比例毕竟只是一个很小的量(这指的是通常的情况),从占有原子百分数来说,晶体中的缺陷在数量上是微不足道的。
因此,整体上看,可以认为一般晶体是近乎完整的。
因而对于实际晶体中存在的缺陷可以用确切的几何图形来描述,这一点非常重要。
它是我们今后讨论缺陷形态的基本出发点。
事实上,把晶体看成近乎完整的并不是一种凭空的假设,大量的实验事实(X射线及电子衍射实验提供了足够的实验证据)都支持这种近乎理想的对称性。
当然不能否认,当缺陷比例过高以致于这种“完整性”无论从实验或从理论上都不复存在时,此时的固体便不能用空间点阵来描述,也不能被称之为晶体。
这便是材料中的另一大类别:非晶态固体。
对非晶固体和晶体,无论在原子结构理论上或是材料学家对它们完美性追求的哲学思想上都存在着很大差异,有兴趣的同学可以对此作进一步的理解。
缺陷是晶体理论中最重要的内容之一。
晶体的生长、性能以及加工等无一不与缺陷紧密相关。
因为正是这千分之一、万分之一的缺陷,对晶体的性能产生了不容小视的作用。
这种影响无论在微观或宏观上都具有相当的重要性。
4.1热力学平衡态点缺陷4.1.1 热缺陷的基本类型点缺陷形成的热力学平衡当晶体的温度高于绝对零度时,晶格内原子吸收能量,在其平衡位置附近温度越高,热振动幅度加大,原子的平均动能随之增加。
热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能量,挣脱周围质点的作用,离开平衡位置,进入到晶格内的其它位置,而在原来的平衡格点位置上留下空位。
这种由于晶体内部质点热运动而形成的缺陷称为热缺陷。
固体物理第四章_晶体的缺陷
A
未滑动的晶面
EC
F
B
滑动前的晶格
D
刃位错的晶格
刃位错: F原子链。 EF是晶体的挤压区与未挤压区的分界线:
F以下原子间距变大,原子间有较强吸引力;
F的左右晶格被挤压,原子间的排斥力增大。
16
例:实际晶体的小角倾斜 晶体由倾斜角很小的两部分晶体结合而成。为了使 结合部的原子尽可能地规则排列,就得每隔一定距 离多生长出一层原子面,这些多生长出来的半截原 子面的顶端原子链就是刃错位。
添加Fe、Co、Mn等“硬性”添加物后,这些 原子占据Zr或Ti的格点,显著提高该铁电材料的 机械品质因数。
9
4、色心 能吸收光的点缺陷
完善的卤化碱晶体是无色透明的。众多的 色心缺陷能使晶体呈现一定的颜色。
例如:F心,把卤化碱晶体在相应的碱金 属蒸气中加热,然后骤冷到室温,则原来透明 的晶体就出现了颜色。
实验临界切应力比理 论值小的根源
30
2、螺位错的滑移 螺位错的滑移与刃位错的滑移相类似,只是螺位的 滑移方向与晶体所受切应力的方向相垂直。
BC原子 受到向 下的拉 力
螺位 错线 滑移
BC列原子受到右边原子的下拉力,BC原子有向下 位移的趋势,BC原子下移一定的距离; 使BC 变为螺错位。
31
二、螺位错与晶体生长
4
§4.1 晶体缺陷的基本类型
本章主要讨论单晶的缺陷:多晶体是由许多小晶粒 构成,每个晶粒可看成是小单晶。晶粒间界不仅原 子排列混乱,而且是杂质聚集的地方。因此晶粒间 界是一种性质复杂的晶体缺陷。
一、点缺陷
晶体中的填隙原子、空位、俘获电子的空位、杂质 原子等。这些缺陷约占一个原子尺寸,引起晶格周 期性在一到几个原胞范围内发生紊乱。
第四章 晶体缺陷
第四章晶体缺陷按照点阵结构理论,晶体的主要特征是其结构基元作周期性的排列,但实际晶体中的原子或离子总是或多或少地偏离了严格的晶体周期性,因而出现了各种各样的结构缺陷,并对晶体的各种物理性质产生的重要影响。
根据晶体缺陷在空间延伸的线度晶体缺陷可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
本章主要讲述晶体缺陷的典型形式以及对晶体性质的主要影响。
§4.1 点缺陷点缺陷,是指那些对晶体结构的干扰仅在几个原子间距范围内的晶体缺陷,空位和间隙原子就是点缺陷的典型例子,它们是晶体中最小的、也是最基本的缺陷形式。
空位就是在晶格中原本应该有原子的位置上缺少了原子,间隙原子则是在原本不应该有原子的点阵间隙位置上出现的原子,也被称为填隙原子。
后面我们会看到,在热作用下完整晶体中会自发地出现空位和间隙原子,这是一种本体性的结构缺陷,称为本征结构缺陷。
与此相对的,晶体中还有另一类点缺陷,称为杂质原子,按照其出现的位置可以分为替位杂质和填隙杂质,由于它们改变了晶体的化学成分,因而也被称为化学点缺陷。
点缺陷影响着晶体的许多物理性质,特别与晶体中物质输运过程有关的一些性质受点缺陷的影响最大。
此外,点缺陷还通过对导电电子的散射影响了金属的电导率,通过对声子的散射影响了晶体的导热性;在半导体晶体中杂质原子作为施主或受主显著地影响着半导体的电学性质;在离子晶体中,由于在带隙中造成缺陷能级而影响其光学性质,而离子晶体的离子导电现象则更是直接来源于点缺陷的运动。
4.1.1热缺陷的形成与平衡浓度晶体中原子或离子由于热振动的能量起伏可能离开理想的晶格位置,从而产生空位或间隙原子,这样形成的点缺陷称为热缺陷。
显然,热缺陷是本征结构缺陷。
晶格中的空位和间隙原子可以籍由不同的机制产生。
在晶格内部的原子可以因为热涨落由格点跳进间隙位置,从而同时产生一个空位和一个间隙原子。
由这种方式产生的空位和间隙原子对被称为弗伦克尔缺陷,如图4.1(a)所示。
邻近表面的原子也可以由于热涨落跳到晶体的表面,从而在晶体内留下一个空位。
晶体中的点缺陷和面缺陷
(2)杂质缺陷(组成缺陷) ——外来原子进入晶格成为晶体中的杂质。 杂质原子进入晶体后,破坏了晶体中原子有规则的排列, 并且杂质原子周围的周期势场发生变化,而形成缺陷。 ※ 杂质原子可以取代原来的原子进入正常格点的位置, 形成置换型杂质;也可以进入晶格的间隙位置成为填隙 式杂质原子,即为间隙型杂质,如图。
热平衡态点缺陷:纯净和严格化学配比的晶体中,由于体系能量涨落而形
成的,浓度大小取决于温度和缺陷形成能。
非平衡态点缺陷:通过各种手段在晶体中引入额外的点缺陷,形态和数量
完全取决于产生点缺陷的方法,不受体系温度控制。
晶体中引入非平衡态点缺陷的方法:
快速冷却 低温,形成过饱和点缺陷 (1)淬火 :高温---------
1
缺陷分类
按作用范围和几何形状分:
1、点缺陷:零维缺陷,尺寸在一、二个原子大小的级别。 按点缺陷产生原因划分:热缺陷、杂质缺陷、非化学计 量结构缺陷:
2、线缺陷:一维缺陷,通常指位错。 3、面缺陷:二维缺陷,如:界面和表面等。
2
§4-1 热力学平衡态点缺陷
一.点缺陷及其分类
1、点缺陷 ——造成晶体结构的不完整性,仅局限在原子位置,称 为点缺陷。 如:理想晶体中的一些原子被外界原子所代替;晶格间隙中掺入 原子;结构中产生原子空位等都属点缺陷(缺陷尺寸在一两个原 子的大小范围)。
设:构成完整单质晶体的原子数为N;
TK时形成n个空位,每个空位的形成能为⊿h;
这个过程的自由能变化为⊿G,热焓变化为⊿H,熵变为 ⊿S; 则: ⊿G = ⊿H- T⊿S= n⊿h - T⊿S
11
其中熵变⊿S分为两部分:
①混合熵⊿Sc = klnw
(由微观状态数增加而造成),
k——波尔兹曼常数;w是热力学几率,指n个空位在 n+N个晶格位置不同分布时排列的总数目, w=(N+n)!/N!n! ②振动熵⊿S
显微构造与组构学第四章《矿物的晶体缺陷与位错》课件
但实际晶体由实验测得的实际屈服强度值仅为这个 理论值的百分之一到千分之一。
如铁:理论上开始滑移所需的应力值为230kg/mm2, 但实际滑移只需2.9kg/mm2。
又如铝:理论上开始滑移所需的应力值为 60kg/mm2, 但实际滑移只需0.2kg/mm2。
如何解释这种矛盾现象?从自然界的毛毛虫爬行到 室内大地毯搬移得到启发。认为晶体的实际滑移 过程并不是滑移面两边的所有原子都同时整体作 相对滑动,而是局部区域(一部分原子)首先滑 移,然后已滑移区逐渐扩大,直到整个滑移面上 的原子都发生滑移。为什么局部区域首先滑移? 就足因为这些区域存在某些晶体缺陷,因而在较 低的应力下就可发生滑移,这些缺陷就是位错。
子或种基团)的周期性排列在某些地方受到了破坏,也 可以说其内部点阵结构发生了偏差,其偏差量超过了正 常原子间距的1/4。 如果这种缺陷是晶体生长过程中出现的,称为生长缺陷; 如果这种缺陷是晶体变形过程中出现的,则称为变形缺 陷。一般生长缺陷的密度低,而变形缺陷的密度高。
(二)、晶体缺陷的分类
晶体缺陷按其在晶体中的几何分布特征可分 为点缺陷、线缺陷、面缺陷。
三、位错亚构造
(一)自由位错
是指晶体中 单个离散的位错, 它们没有被“编 织”进任何位错 组织(如位错壁) 中,也有人称为非 边界位错 。是一 种达到稳态时的 重要位错亚构造。
化学浸蚀后的自由位错露头
位错缠结—非稳态的标志
(二)、位错壁或位错列构造
单个的位错在应力作用下发生运动,在晶体 结晶学特征的控制下,一个个位错沿某个结晶学 方向整齐地排列起来,形成位错壁。
位错的形成与晶格滑动密切相关, 而滑动包括滑动 方向和滑动距离两个要素, 统称滑动矢量, 即通常所说的 柏格斯矢量, 一般用b表示。
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刃型位错结构的特点
3).滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平 面,在其他面上不能滑移。由于在刃型位错中,位错 线与滑移矢量互相垂直,因此,由它们所构成的平面 只有一个。 4).晶体中存在刃型位错之后,位错周围的点阵发生 弹性畸变,既有切应变,又有正应变。就正刃型位错 而言,滑移面上方点阵受到压应力,下方点阵受到拉 应力:负刃型位错与此相反。
5、位错移动的方向和位错线垂直;
6、运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢 量大小的相对运动(滑移); 7、位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生柏氏矢 量大小的台阶。
第二节 位错的基本概念
(2)位错运动的方式
a 滑移:位错沿着滑移面的移动。
螺型位错的滑移的特点:1、具有多个滑移面。2、切应力方向与位错线平行;3 晶体滑移方向与位错运动方向垂直、 4、螺位错是在外加切应力的作用下发生运 动;5、位错移动的方向总是和位错线垂直;6、运动位错扫过的区域晶体的两部 分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);7、位错移过部分在表面留下部分台 阶,全部移出晶体的表面上产生柏氏矢量大小的完整台阶。
1.柏氏矢量的确定 柏氏矢量可以通过柏氏回路来确定。图为含有一个刃型 位错的确定柏氏回路参考动画。通常确定确定该位错柏氏 矢 量 的 具 体 步 骤 如 下 : 1).首先选定位错线的正向,例如,常规定出纸面的方向 为 位 错 线 的 正 方 向 。 2).在实际晶体中,从任一原子出发,围绕位错(避开位 错线附近的严重畸变区)以一定的步数作一右旋闭合回路 ( 称 为 柏 氏 回 路 ) 。 3).在完整晶体中按同样的方向和步数作相同的回路,该 回路并不封闭,由终点F向起点S引一矢量,使该回路闭合, 这个矢量b就是实际晶体中位错的柏氏矢量。
螺型位错具有以下特征
6).螺型位错周围的点阵畸变随离位错线距离 的增加而急剧减少,故它也是包含几个原子宽 度的线缺陷。
3.混合位错 除了上面介绍的两种基本型位错外,还有一种形式更为普遍的位 错,其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线,而与位错线相交成任 意角度,这种位错称为混合位错。
由于位错线是已滑移区与未滑移区的边界 线。因此,位错具有一个重要的性质,即 一根位错线不能终止于晶体内部,而只能 露头于晶体表面(包括晶界)。若它终止 于晶体内部,则必与其他位错线相连接, 或在晶体内部形成封闭线。形成封闭线的 位错称为位错环,如图所示。图中的阴影 区是滑移面上一个封闭的已滑移区。显然, 位错环各处的位错结构类型也可按各处的 位错线方向与滑移矢量的关系加以分析, 如A,B两处是刃型位错,C,D两处是螺型 位错,其他各处均为混合位错。
1. 如图2-2,某晶体滑移面上有一个 柏氏矢 量为b的位错环,受到均匀切应力τ作用,试分 析: (1) 该位错环各段位错的结构类型; (2) 求各段位错所受的力; (3) 在τ的作用下,位错环将如何运动? (4) 在τ的作用下,位错环稳定不动,其最 小半径应该多大?
(2)柏氏矢量的物理意义
a 代表位错,并表示其特征(强度、畸变量)。矢量的模|b|表示 了畸变的程度,称为位错的强度。
b 表示晶体滑移的方向和大小。
c 柏氏矢量的守恒性(唯一性):一条位错线具有唯一的柏氏矢 量。 d 判断位错的类型。 E几根位错相遇于一点,其方向朝着节点的各位错线的柏氏矢量 b之和等于离开节点之和。如有几根位错线的方向均指向或离开 节点,则这些位错线的柏氏矢量之和值为零 ,
第二节 位错的基本概念
3、 柏氏矢量 (1)确定方法 (避开严重畸变区) a 在位错周围沿着点阵结点形成封闭回路。 b 在理想晶体中按同样顺序作同样大小的回路。 c 在理想晶体中从终点到起点的矢量即为――。
柏氏矢量与位错线的关系
刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直,这是刃型 位错的一个重要特征。 螺型位错的柏氏矢量也可按同样的方法加以确 定。螺型位错的柏氏矢量与位错线平行,且规 定b与 正向平行者为右螺旋位错,b与 反向平 行者为左螺旋位错 至于混合位错的柏氏矢量既不垂直也不平行于 位错线,而与它相交成ψ角(0<ψ <π/2 ), 可将其分解成垂直和平行于位错线的刃型分量 (be=bsinψ )和螺型分量(bs=bcosψ )。
刃型位错结构的特点
5).在位错线周围的过渡区(畸变区)每个原子具有 较大的平均能量。但该区只有几个原子间距宽,畸变 区是狭长的管道,所以刃型位错是线缺陷。
第二节 位错的基本概念
1 、位错的基本类型
(2)螺型位错
模型:滑移面/位错线。(位错线//晶体滑移方向,位错线 ┻位错运动方向,晶体滑移方向┻位错运动方向。) 分类:左螺型位错;右螺型位错。
上
Schottky缺陷的产生
上
第一节 点缺陷
2 、点缺陷的平衡浓度
(1)点缺陷是热力学平衡的缺陷-在一定温度下, 晶体中总是存在着一定数量的点缺陷(空位),这时体 系的能量最低-具有平衡点缺陷的晶体比理想晶体在热 力学上更为稳定。
设自由能F=U-TS n U为内能,S为系统熵(包括振动熵 SV和排列熵SC)
第二节 位错的基本概念
螺型位错具有以下特征
1).螺型位错无额外半原子面,原子错排是呈轴 对称的。 2).根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋 转方向不同,螺型位错可分为右旋和左旋螺型 位错。 3).螺型位错线与滑移矢量平行,因此一定是 直线,而且位错线的移动方向与晶体滑移方向 互相垂直。
(1)空位:正常结点位置没有被质点占据,称为空位
肖脱基空位-离位原子进入其它空位或迁移至晶界或 表面。
弗兰克尔空位-离位原子进入晶体间隙。
(2)间隙原子:位于晶体点阵间隙的原子。 (3)置换原子:位于晶体点阵位置的异类原子。
置换原子
第一节 点缺陷
一 点缺陷
肖脱基空位 弗兰克尔空位
Frankel缺陷的产生
(3)位错观察:浸蚀法、电境法。
不锈钢中的位错线
第二节 位错的基本概念
5、 位错的运动
(1)位错的易动性。
原子的微小移动导致晶体产生一个原子间距的位移。 多个位错的运动导致晶体的宏观变形。 比喻:地毯的挪动、蛇的爬行等。
(2)位错运动的方式
a 滑移:位错沿着滑移面的移动。 刃型位错的滑移的特点: 1、具有唯一的滑移面 2、切应力方向与位错线垂直; 3、晶体滑移方向与位错运动方向一致。 4、位错的运动在外加切应力的作用下发生;
第四章 晶体缺陷
在晶体内部原子排列 并不是完全规则的, 在局部一定尺寸范围 内原子排列不规则的 现象称为晶体缺陷, 晶体缺陷在材料组织 控制(如扩散、相变) 和性能控制(如材料 强化)中具有重要作 用。就好象维纳斯 “无臂”之美更深入 人心 晶体缺陷赋予 材料丰富内容
第四章 晶体缺陷
晶体缺陷:实际晶体中与理想点阵结构发生偏差
螺型位错具有以下特征
4).纯螺型位错的滑移面不是唯一的。凡是包含 螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。但 实际上,滑移通常是在那些原子密排面上进行。 5).螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变, 但是,只有平行于位错线的切应变而无正应变, 即不会引起体积膨胀和收缩,且在垂直于位错 线的平面投影上,看不到原子的位移,看不出 有缺陷。
右手定则:
拇
顺着柏氏适量位 移的晶体
中指
食 指 位错线 运动方 向
位错 线正 向
1. 铜的空位生成能1.7×10-19J,试计 算1000℃时,1cm3铜所包含的空位数, 铜的密度8.9g/cm3,相对原子质量63.5, 玻尔兹曼常数K=1.38×10-23J/K。 2. 如图2-1所示的位错环,说明各段位 错的性质,并指出刃位错多余半原子面 的位置。
从柏氏矢量角度,对任何位错:
切应力方向与柏氏矢量一致; 晶体滑移与柏氏矢量一致。
第二节 位错的基本概念
(2)位错运动的方式
b 攀移:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。
机制:原子面下端原子的扩散――位错随半原子面的上下移动而 上下运动。
分类:正攀移(原子面上移、空位加入)/负攀移(原子面下移、 原子加入)。 应力的作用:(半原子面侧)压应力有利于正攀移,拉应力有利 于负攀移。
第二节 位错的基本概念
1、 位错的基本类型 (1)刃型位错 模型:滑移面/半原子面/位错线 (位错线┻晶体滑移方向, 位错线┻位错运动方向,晶体滑移方向//位错运动方向。) 分类:正刃型位错(┻);负刃型位错(┳)。 产生:空位塌陷;局部滑移。
第二节 位错的基本概念
刃型位错结构的特点
1).刃型位错有一个额外的半原子面。一般把 多出的半原子面在滑移面上边的称为正刃型位 错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。其实这种正、负之分只 具相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未 滑移区的边界线。它不一定是直线,也可以是 折线或曲线,但它必与滑移方向相垂直,也垂 直于滑移矢量,
(2)强度与位错密度的关系(τ-ρ图)。
退火金属中位错密 度一般为 1010~12m-2 左右。位错的存在极 大地影响金属的机械 性能。当金属为理想 晶体或仅含极少量位 错时, 金属的屈服强度 σs 很高, 当含有一定 量的位错时, 强度降低。 当进行形变加工时, 位 错密度增加, σs 将会 增高。
C=Aexp(-∆Ev/kT)
第一节 点缺陷
3 点缺陷的产生及其运动 (1)点缺陷的产生 平衡点缺陷:热振动中的能力起伏。 过饱和点缺陷:外来作用,如高温淬火、辐照、冷加工等。 (2)点缺陷的运动 (迁移、复合-浓度降低;聚集-浓度升高-塌陷)
第一节 点缺陷
4 、点缺陷与材料行为