第33讲 8.1 半导体存储器、随机存取存储器、存储器容量的扩展
《半导体存储器》课件
嵌入式系统中的应用
半导体存储器广泛应用于 嵌入式系统，如智能家居、 汽车电子和工业控制。
计算机内存
半导体存储器是计算机主 存储器的重要组成部分， 用于临时存储数据和程序。
智能手机内存
手机内存运行应用程序和 存储数据，半导体存储器 提供了高速和可靠的数据 存取。
未来半导体存储器的发展方向
1 3D垂直存储器
《半导体存储器》PPT课 件
半导体存储器PPT课件大纲
什么是半导体存储器？
半导体存储器定义
半导体存储器是指使用半导体材料制造的存储器，它可以将数据存储在芯片内部的电子元件 中。
存储器的分类
常见的半导体存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）和 闪存存储器。
常见的半导体存储器
通过增加垂直堆叠层数来增加存储容量，提高存储密度和性能。
2 非易失性存储器
开发更加稳定和可靠的非易失性存储器，提供更长久的数据存储和保护。
3 全新器件技术
研发新型的器件结构和材料，以满足不断增长的存储需求和更高的速度要求。
总结
半导体存储器的重要性
半导体存储器在现代计算和通信领域发挥着关键作用，对技术和社会的发展产生积极影响。
静态随机存取存储器 （SRAM）
SRAM具有快速读写速度和较 短的访问时间，适用于高性 能的应用。
动态随机存取存储器 （DRAM）
DRAM具有较大的存储容量和 较低的成本，广泛应用于个 人电脑和服务器。
闪存存储器
闪存存储器具有非易失性和 较高的耐用性，适用于便携 设备的存储需求。
半导体存储器的工作原理
1
SRAM的工作原理
SRAM使用触发器实现数据的存储和读取，具有较快的访问速度和数据保持能力。
第八半导体存储器ppt文档
D
G1
G2
I/O G4
&
R/W
G3 G5
&
CS
当CS＝0时，芯片被选通：当R/W＝1时，G5输出高电平，G3被打开，被 选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；
当R/W ＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以 互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。
数据线 D D
.
.
.
.
.
.
Y1
元都有了一个固
列译 码 器
定的编号，称为
地址。
A5
A6
A7
A8
地址 输入
重庆工学院电子信息与自动化学院
. . .
31 31
.
Y31
A9
2 ． 地 址 译 码 器 —— 将 寄 A 0
存器地址对应的二进制
地 A1
数译成有效的行选信号
址 A2
行 译
和列选信号，从而选中
6116为2K×8位的静态CMOSRAM
A5 A4
A0 ～ A10 是 地 址 码 输 入 端 ，
A3
D0～D7是数据输出端，
A2 A1
CS是选片端，
A0
D0
OE是输出使能端，
D1
WE是读写控制端。
D2
GN D
半导体存储器工作原理和最新技术
半导体存储器工作原理和最新技术随着现代社会的快速发展，信息技术技术的发展也日新月异。
作为信息技术中不可或缺的部分，存储器技术一直在不断地更新发展。
其中，半导体存储器作为一种重要的存储器类型，其工作原理和最新技术备受人们关注。
一、半导体存储器工作原理半导体存储器是一种将位于半导体芯片上的电荷量代表数据的存储器。
半导体存储器主要分为两大类：随机访问存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。
1.1 随机访问存储器(RAM)RAM分为动态随机访问存储器(DRAM)和静态随机访问存储器(SRAM)两种。
DRAM的存储单元为电容器，单元大小为1位。
SRAM的存储单元为双稳态触发器，单元大小为1至4位。
DRAM的电容器存储单元会因电容器内部漏载而持续降低，因此需要周期性地重新刷新。
此外，DRAM单元还需要进行复杂的读写时间控制。
SRAM则不需要刷新电容器和时间控制，但存储单元占用面积较大，并需要额外的电源驱动。
1.2 只读存储器(ROM)ROM是一种只可读取而不能修改的存储器。
ROM中存储单元的电荷量是由制成时设置的金属焊点决定，即“掩膜”制造技术，这种存储器能够非常方便地实现电路的控制功能。
二、半导体存储器最新技术半导体存储器技术也在不断更新发展中。
这里将介绍三种最新的半导体存储器技术。
2.1 革命性大规模存储器技术革命性大规模存储器技术是一种新的存储器类型，它能够实现超过TB级别的数据存储。
这种存储器采用叠层非易失存储器和InP HEMT收发器，能够实现一次读取数百Gbits的数据，传输速度极快。
2.2 基于电容器的晶体管门极控制技术基于电容器的晶体管门极控制技术是实现高密度存储的一种方法。
目前的主流半导体存储器采用平面电容器单元，但其占用面积较大。
所以，一种新的基于电容器的晶体管门极控制技术被提出。
这种新技术利用了电容器单元与相邻晶体管的栅极之间的短距离联系，降低了存储单元面积，同时提升了数据存取速度。
2.3 基于氧化硅和二氧化硅的存储器技术基于氧化硅和二氧化硅的存储器技术被广泛应用于普通高密度存储器。
半导体存储器(课件)
存储矩阵为4×4位，采用 A1 1 A1
单地址译码方式，输出缓冲器 A0
由四个三态反相器构成。
1 A0
无论W0～W3中哪根线上出现 高电平信号，存储矩阵中与高 电平字线相连的MOS管导通， 位线出现低电平，其它情况位 线均位高电平。
地 址 地址译码输出 数 据
A1 A0
00 01 10 11
W3 W2 W1 W0
CS
R /W
(b)
图8.3.5 1K×8位RAM的逻辑结构框图和逻辑符号图
(a) 逻辑结构框图
(b) 逻辑符号图
25
8.3.3动态随机存储器 DRAM利用MOS管栅极寄生电容的电荷存储效应来存储数 据，由于漏电流的存在，加上本身电容量很小，栅极寄生电容 的电荷流失会造成保存数据的丢失，因此需要有刷新电路及时 给电容补充电荷。
芯片处于不工作状态。
20
I/O
G1
D
G2
D
EN EN
G4
&
R/W
G3
G5
&
EN
CS
图8.3.2 典型的读/写控制电路
（2） CS 0 时，芯片选通；R /W 1 ，则G5输出高电平，G3
打开，G1、G2仍处于高阻状态，被选中单元的数据D经G3出现在
I/O端，存储器执行读操作；R /W 0，则G4输出高电平，G1、G2
0 00 1 0 01 0 0 10 0 1 00 0
D3’ D2’ D1’ D0’
0 11 0 0 10 1 1 00 1 0 01 0
W0
W1
VDD
EN
数据
D3 D2 D1 D0 1 00 1 1 01 0 0 11 0 1 10 1
《半导体存储器》课件
制造设备
用于将掺杂剂引入硅片。
用于在硅片上生长单晶层 。
掺杂设备 外延生长设备
用于切割硅片。
晶圆切割机
制造设备
光刻机
用于将电路图形转移到硅片上。
刻蚀机
用于刻蚀硅片表面。
镀膜与去胶设备
用于在硅片表面形成金属层或介质层，并去 除光刻胶。
测试与封装设备
用于对芯片进行电气性能测试和封装成最终 产品。
分类
根据存储方式，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ ROM）。
历史与发展
1 2 3
早期阶段
20世纪50年代，半导体存储器开始出现，以晶 体管为基础。
发展阶段
随着技术的进步，20世纪70年代出现了动态随 机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器 （SRAM）。
当前状况
现代半导体存储器已经广泛应用于计算机、移动 设备、数据中心等领域。
物联网和边缘计算
在物联网和边缘计算领域应用半导体存储器，实现高 效的数据存储和传输。
CHAPTER
05
案例分析：不同类型半导体存 储器的应用场景
DRAM的应用场景
01
DRAM（动态随机存取存储器）是一种常用的半导体存储器，广泛应 用于计算机和服务器等领域。
02
由于其高速读写性能和低成本，DRAM被用作主内存，为CPU提供快 速的数据存取。
外延生长
在硅片上生长一层或多 层所需材料的单晶层。
掺杂
通过扩散或离子注入等 方法，将掺杂剂引入硅 片。
制造流程
01
光刻
利用光刻胶将电路图形转移到硅片 上。
镀膜与去胶
在硅片表面形成金属层或介质层， 并去除光刻胶。
半导体存储器
一、静态RAM
（一）六管静态存 储电路
Q7
Q8
图6-2 静态RAM存储单元电路
（二）静态RAM器件的组成
静态RAM器 件可分成三个部 分，分别是存储 单元阵列、地址 译码器和读/写控 制与数据驱动/缓 冲。一个典型的 静态RAM的示意 图如右图所示。
右图是一个1K×1 位的静态RAM器件的组 成框图。该器件总共可 以寻址1024个单元，每 个单元只存储一位数据。
数据（字操作,使用AD0～AD15），也可以只 传送8位数据（字节操作，使用AD0～AD7或 AD8～AD15）。
仅A0为低电平时，CPU使用AD0～AD7， 这是偶地址字节操作；仅为低电平时，CPU使用 AD8～AD15，这是奇地址字节操作。
若和A0同时为低电平时，CPU对AD0～ AD15操作，即从偶地址读写一个字，是字操作； 如果字地址为奇地址，则需要两次访问存储器。 如下表所示
2、Intel 2114是一个容量为1024×4位的静态 RAM ，Intel 2114是一个容量为1024×4位的静 态RAM其引脚和逻辑符号如下图所示。
引脚图
逻辑符号
（四）静态RAM与CPU的连接
进行静态RAM存储器模块与CPU的连接电路 设计时，需要考虑下面几个问题：
1、CPU总线的负载能力 2、时序匹配问题 3、存储器的地址分配和片选问题 4、控制信号的连接
若存储容量较小，可以 将该RAM芯片的单元阵 列直接排成所需要位数
的形式，每一条行选择 线（X选择线）代表一 个字节，每一条列选择 线（Y选择线）代表字 节的一个位，故通常把
行选择线称为字线，而 列选择线称为位线。
（三）静态RAM的例子
1、Intel 6116是CMOS静态RAM芯片，属双列直 插式、24引脚封装。它的存储容量为2K×8位，其 引脚及功能框图如下图所示。
存储器扩展PPT演示课件
对存储单元数量的扩展。
3
A15
2-4 译
2
码1
A14
器0
A0
CE
CE
CE
CE
16×8
16×8
16×8
16×8
… … … … …
(1)
(2)
(3)
(4)
A13
WE
WE
WE
WE
WE
D7～ D0
图 由16K8位芯片组成64K8位的存储器
总结：字扩展的连接方式是将各芯片的地址线、数据线、读/写
控制线并联，而由片选信号来区分各片地址。 •3
I/O1～I/O4 WE CS
RAM4 2114 A9～A0
A9～A0 WE CS
RAM4 2114 I/O1～I/O4
•14
存储器扩展
由图可看到，译码器74LS138的工作条件是同时满足： G1=1、/G2A=0、/G2B=0。译码输入为C、B、A三个信号， 译码输出有八种状态，输出是低电平有效。当不满足编译 条件时，输出全为高电平，相当于译码器未工作。
2C00H 2FFFH
74LS138 G2B G2A G1 C B A
G2A =A14 +IO/M
•13
存储器扩展
A13
A14
1
IO / M
A15
A12 A11 A10
D3～D0
A9～A0
D7～D4 WR
G1 G 2A G 2B
Y3 C Y2 B Y1 A Y0
I/O1～I/O4 WE CS
RAM1 2114 A9～A0
WE
1 CS
1K×4
WE I/O1~4
2 CS
《半导体存储器》课件
以上是半导体存储器的相关介绍
半导体存储器是计算机科学中至关重要的一部分，对于数据存储和访问具有重要意义。谢谢您的观看！
原理
DRAM存储器使用电容器存储每个位的电荷来表示数据，电荷需要定期刷新以保持数据的有 效性。
优缺点
DRAM存储器的优点是高容量和较低成本，但缺点是速度较慢且需定期刷新。
应用
DRAM存储器广泛应用于个人电脑、服务器和移动设备等场景，提供了大容量的内存存储。
SRAM存储器
原理
SRAM存储器使用触发器电路作 为存储单元，通过电流控制来保 持数据的稳定性。
1
原理
MOS存储器使用金属氧化物半导体场效应管作为存储单元，通过充电和放电来表 示数据的0和1。
2
分类
MOS存储器包括EPROM、EEPROM和闪存等不同类型，每种类型都有不同的读写 特性。
3
应用
MOS存储器被广泛应用于微处理器、存储卡和嵌入式系统等领域中，提供了非易 失性和高集成度。
DRAM存储器
存储器的作用
存储器用于储存和访问数据， 包括指令和数据，以供计算 机进行处理和操作。
TTL存储器
原理
TTL存储器使用晶体管和逻辑门 电路来储存和读取数据。
优缺点
TTL存储器的优点是速度快且稳 定可靠，但缺点是功耗较高。
应用
TTL存储器常用于高速缓存和存 储器芯片中，提供快速的数据 读写能力。
MOS存储器
优缺点
SRAM存储器的优点是速度快且 无需刷新，但缺点是占用空间较 大。
应用
SRAM存储器常用于高速缓存、 寄存器和高性能处理器等场景， 提供了快速的数据存取能力。
FLASH存储器
1
原理
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器是一种电子设备，用于存储计算机和其他电子设备中的数据。
它是一种非易失性存储器，意味着即使断电也可以保持存储的数据。
本文将对半导体存储器进行概述，包括其基本工作原理、不同类型的半导体存储器以及其在计算机和其他应用中的主要用途。
半导体存储器的基本工作原理是根据半导体上存储器细胞的电荷状态来存储和检索数据。
在半导体存储器中，每个存储器单元称为位（bit）。
位是最小的存储单元，由一个晶体管和一个电容器组成。
晶体管可用于控制电荷的读取和写入，而电容器可用于储存电荷，从而表示存储的数据。
RAM 是一种易失性存储器，意味着当断电时，其中存储的数据将丢失。
然而，RAM 具有快速和随机访问数据的能力，适用于计算机内存。
RAM 可以分为静态RAM（Static RAM，SRAM）和动态RAM（Dynamic RAM，DRAM）两类。
SRAM使用了多个晶体管来构成每个存储单元，能够存储数据的时间更长，但相应地也需要更多的面积。
因此，SRAM内存更快但价格更昂贵，通常用于高速缓存和寄存器文件等需要快速访问的应用。
DRAM使用一个传输线和一个电容来存储一个位。
传输线用于读取和写入数据，电容用于存储电荷。
由于电容器电荷会逐渐泄漏，DRAM需要经常刷新来保持存储的数据，所以在功耗和速度上相对较差。
然而，DRAM的密度更高，价格更低，通常用于计算机的主存储器。
ROM是一种只能读取的存储器，用于存储程序和数据，无法修改。
ROM是非易失性存储器，意味着断电后其中存储的数据不会丢失。
几种常见的ROM包括PROM、EPROM和EEPROM。
PROM（Programmable Read Only Memory）是一种在制造时没有写入数据的 ROM，可以通过电气操作编程或擦除。
EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory）是一种可以擦除和重新编程的 ROM，需要 UV 紫外线擦除器来擦除数据。
半导体储存器
第5章半导体存储器存储器是计算机记忆或暂存数据的部件，计算机中的全部信息，包括原始的输入数据。
经过初步加工的中间数据以及最后处理完成的有用信息都存放在存储器中。
而且，控制计算机运行的各种程序，即规定对输入数据如何进行加工处理的一系列指令也都存放在存储器中。
通常说的存储器分为内存储器（主存）和外存储器（辅存）两种，为了解决CPU、内存、外存之间速度不一致（数量级上的差别）的问题，目前的大部分微型计算机系统中存储器系统采用多级分级结构，微型计算机系统中存储信息的场所有CPU内的寄存器、高速缓存（Cache）、内存储器和外存储器，其存储层次如图5.1所示，本章主要阐述主存储器。
5.1 概述主存储器也称内存，位于系统主机的内部，CPU可以直接对其中的单元进行读/写操作。
主存一般是采用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的半导体电子器件，简称半导体存储器。
这种存储器的主要优点是：①存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。
这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化；②数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级或更多，可大大提高计算机运算速度；③利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
因此，在计算机高速存储方面，半导体存储器已全部替代了过去的磁性存储器。
用作大规模集成电路的半导体存储器是1970年前后开始生产的1千位动态随机存储器。
随着工艺技术的改进，到1984年这类产品就已达到每片1兆位的存储容量。
图5.1 计算机系统存储系统层次主存储器是按地址存取信息的。
一般用随机存储器作主存储器。
存取数据的时间与数据所在存储单元的地址无关。
主存储器工作时，首先由中央处理器将地址送至存储器的地址寄存器并译码，同时接收由中央处理器发出“读”或“写”命令。
于是，存储器就按照地址译码器的输出确定相应的存储单元。
如果是读命令，则将存储单元的代码读出并送往代码缓冲寄存器；如果是写命令，代码缓冲寄存器接收新代码，接着写入存储体。
半导体存储器概述
半导体存储器概述半导体存储器（Semiconductor Memory）是一种用于存储和读取数字信息的电子设备，广泛应用于计算机、通信设备、嵌入式系统等各种电子设备中。
相比于传统的磁性存储器，半导体存储器具有速度快、功耗低以及体积小等优点，因此在现代电子设备中得到广泛使用。
半导体存储器的基本构成单元是存储单元，它是由一个或多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个二进制位的信息。
存储单元可以分为静态存储单元（Static Random Access Memory，SRAM）和动态存储单元（Dynamic Random Access Memory，DRAM）两类。
静态存储单元由6个晶体管组成，其中包括两个交叉连接的反相非门（Inverter），一个传输门（Transfer Gate）和两个位线连接器（Bit Line）。
SRAM主要用于高速缓存等需要快速访问和读写的场景中，速度快、性能好，但是价格昂贵且功耗较高。
动态存储单元则由一个电容和一个开关管组成，电容用于存储信息，开关管用于控制读写操作。
DRAM的存储单元面积小，功耗低，但是随着时间的推移，电容中存储的电荷会逐渐泄漏导致信息丧失，因此需要定期刷新。
DRAM被广泛应用于主存储器（Main Memory）中。
除了SRAM和DRAM之外，还有一些其他的半导体存储器类型，如闪存（Flash Memory）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）等。
闪存是一种非易失性存储器，主要用于嵌入式系统和便携设备中。
它通过划分为多个块并使用电荷来存储信息，可以被分别擦除和写入。
闪存的特点是存储密度高、功耗低、可擦写次数有限。
EEPROM是可以通过电压改编信息的一种可擦写存储器，通常用于存储配置参数、固件等不需要频繁修改的数据，具有很高的擦写次数和可靠性。
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2017/5/12
13
2. 静态读写存储器（SRAM）集成电路6264简介
采用 CMOS 工艺制成， 存 储 容 量 为 8K×8 位 ， 典 型 存取时间为 100ns、电源电压 ＋ 5V 、 工 作 电 流 40mA 、 维 持 电 压 为 2V ， 维 持 电 流 为 2μA。 8K=213 ，有 13 条地址线 A0~A12； 每字有８位，有８条数 据线I/O0～I/O7；
2017/5/12 19
2017/5/12
由1024×8 的 RAM 扩展为 4096×8的RAM 20 图 8-11 RAM 字扩展
(3) 字位扩展 例：将1024×4的RAM扩展为2048×8 RAM。
位扩展需2片芯片，字扩展需2片芯片，共需4片
芯片。 字扩展只增加一条地址输入线A10，可用一反相 器便能实现对两片RAM片选端的控制。 字扩展是对存储器输入端口的扩展， 位扩展是对存储器输出端口的扩展。
第8章 存储器和可编程逻辑器件简介
8.1
8.1.1
半导体存储器
结束 放映
随机存取存储器（RAM）
8.1.3 存储器的应用
1 .存储器容量的扩展
2017/5/12
1
复习
A/D转换的步骤？ 取样定理？ 量化误差是不可避免的吗？如何减小量化误差？
2017/5/12
2
第8章 存储器和可编程逻辑器件简介
本章内容：
2017/5/12 4
8.1.1 随机存取存储器（RAM）
随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称
RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或
将数据写入任意选定的存储单元。 优点：读写方便，使用灵活。 缺点：掉电丢失信息。 分类： SRAM （静态随机存取存储器） DRAM （动态随机存取存储器）
随机存取存储器RAM和只读存储器ROM的结构、
工作原理及存储器容量扩展的方法；
可编程阵列逻辑PAL 、通用阵列GAL的结构与特
点；
CPLD和FPGA的结构特点； 可编程逻辑器件的开发与应用技术。
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8.1
半导体存储器
数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是 存储器。 穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗 低、存取速度快、使用寿命长等。 半导体存储器按照内部信息的存取方式不同分 为两大类： 1、只读存储器ROM。用于存放永久性的、不变 的数据。 2、随机存取存储器RAM。用于存放一些临时性 的数据或中间结果，需要经常改变存储内容。
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9
图8-2
RAM存储矩阵的示意图
2564（256个字，每个字4位）RAM存储矩阵的 示意图。 如果X0＝Y0＝1，则选中第一个信息单元的4个 存储单元，可以对这4个存储单元进行读出或写入。
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（2）RAM 的读写原理 （以图8－1为例）
当CS=０时，RAM被选中工作。 若 A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=000000000000
2017/5/12 15
8.1.3 存储器的应用
1. 存储器容量的扩展 存储器的容量：字数×位数
⑴ 位扩展（即字长扩展）：将多片存储器经适当
的连接，组成位数增多、字数不变的存储器。
方法：用同一地址信号控制 n个相同字数的RAM。
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16
例：将256×1的RAM扩展为 256×8的RAM。
若此时R/W=0时，进行写入数据操作。
当CS=1时，不能对RAM进行读写操作，所有端
均为高阻态。
2017/5/12
12
（3）RAM的存储单元按工作原理分为：
静态存储单元：利用基本RS触发器存储信息。 保存的信息不易丢失。 动态存储单元：利用MOS的栅极电容来存储信 息。由于电容的容量很小，以及漏电流的存在，为 了保持信息，必须定时给电容充电，通常称为刷新。
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四条控制线
14 图8-3 6264引脚图
表8-１
6264的工作方式表
3. Intel2114A是1 K字×4位SRAM，它是双列直插 18脚封装器件，采用5V供电，与TTL电平完全兼容。 4. Intel 2116是16 K×1位动态存储器（DRAM）， 是典型的单管动态存储芯片。它是双列直插16脚封 装器件，采用+12V和± 5V三组电源供电，其逻辑电 平与TTL兼容。
2017/5/12
5
1. RAM的结构和读写原理 （1）RAM 的结构框图
图8-1 RAM 的结构框图 I/O端画双箭是因为数据即可由此端口读出，也可写入
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6
① 存储矩阵
共有28（＝256）行×24（＝16）列共212（＝ 4096）个信息单元（即字）
每个信息单元有k位二进制数（1或0）
图8-10
RAM位扩展
⑵ 字扩展 将多片存储器经适当的连接，组成字数更多，
而位数不变的存储器。
例：由1024×8的 RAM扩展为4096×8的RAM。 共需四片1024×8的 RAM芯片。 1024×8的 RAM有10根地址输入线A9～A0。 4096×8的RAM有12根地址输入线A11～A0。 选用 2 线 -4 线译码器，将输入接高位地址 A11 、 A10，输出分别控制四片RAM的片选端。
表示选中列地址为A11A10A9A8=0000、行地址为
A7A6A5A4A3A2A1A0=00000000的存储单元。
此时只有X0和Y0为有效，则选中第一个信息单
元的k个存储单元，可以对这k个存储单元进行读出
或写入。
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若此时R/W＝1，则执行读操作，将所选存储单 元中的数据送到I/O端上。
存储器中存储单元的数量称为存储容量（＝字数 ×位数k）。
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7
② 地址译码器
行地址译码器：输入8位行地址码，输出256条行 选择线（用x表示）
列地Байду номын сангаас译码器：输入4位列地址码，输出16条列 选择线（用Y表示）
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8
③ 读写控制电路
当R/W =0时，进行写入(Write)数据操作。 当R/W =1时，进行读出(Read)数据操作。
将8块256×1的RAM的所有地址线和 CS（片选线）
分别对应并接在一起，而每一片的位输出作为整个
RAM输出的一位。
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17
256×8RAM需256×1RAM的芯片数为：
总存储容量 256 8 N 8 一片存储容量 2561
将256×1的RAM扩展为256×8的RAM
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将1024×4的RAM扩展为2048×8 RAM
图8-12 RAM的字位扩展
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作业题
8-4
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