宏讯蒸镀与溅镀介绍
PVD知识整理
帕邢（Paschen）曲线
溅镀
溅射沉积的方法
反应溅射溅射
在存在反应气体的情况下，溅射靶材时，溅射出来的靶材料与反应气体形成化合
物（氮化物、碳化物、氧化物）
反应溅射特征
➢靶中毒：反应气体与靶反应，在靶表面形成化合物。
➢沉积膜的成分不同于靶材。
➢化合物靶材溅射后，组元成分（氧、氮）含量下降，补偿反应气体。
蒸发分子的平均自由程与碰撞几率
蒸镀
➢真空室存在两种粒子：蒸发物质的原子或分 子；残余气体分子。 ➢由气体分子运动论可求出在热平衡下，单位时间通过单位面积的气体分 子数，即为气体分子对基片的碰撞率
➢蒸发分子的平均自由程为 （ d为碰撞截面）
蒸镀
蒸发分子的平均自由程与碰撞几率
蒸发分子的碰撞百分数与实际行程对平均自由程之比如图。当平均自由程等于源 之比如 图。当平均自由程等于源- -基距时，有63％的蒸发分子受到碰撞，如果自由程增加 10倍， 撞几率减小到9％。因此，只有在平均自由程源- -基距大得多，才有效减少渡越中的碰撞。
Z大溅射原子逸出时能量高，Z小逸出的速度高。 同轰击能量下，溅射原子逸出能量随入射离子的质量而线形增加。 溅射原子平均逸出能量随入射离子能量的增加而增大，达到某一高
平均能量趋于恒定。
值时，
溅射沉积的方法 直流二极溅射
溅镀
辉光放电产生离子轰击靶材； 气压过低辉光放电难以维持（＜1Pa）； 溅射气压高（~10Pa）、沉积速率低； 工艺参数：电源功率、工作气体流量与压 强、基片温度、基片偏压。
溅镀
溅镀（Sputtering） 溅射的基本原理: ➢ 物质的溅射现象 溅射：荷能粒子与固体（靶材）表面相互作用过程中，发生能量和动量 的转移，当表面原子获得足够大的动能而脱离固体表面，从而产生表面原子 的溅射。 溅射是轰击粒子与固体原子之间能量和动量转移的结果 溅射镀膜：应用溅射现象将靶材原子溅射出来并沉积到基片上形成薄膜 的技术。 ➢ 溅射参数 ✓ 溅射阀值：将靶材原子溅射出来所需的入射离子最小能量值。与入射 离子的种类关系不大、与靶材有关。 ✓ 溅射产额 ✓ 溅射离子速度和能量
电镀：水镀、溅镀、蒸镀的区别
电镀：水镀、溅镀、蒸镀的区别电镀一般可分为以下几种：1、蒸镀：表面附着；2、溅镀：表面交换；3、水镀：分子结合。
蒸镀和溅镀都是采用在真空条件下，通过蒸馏或溅射等方式在塑件表面沉积各种金属和非金属薄膜，通过这样的方式可以得到非常薄的表面镀层，同时具有速度快附着力好的突出优点。
真空蒸镀法是在高真空下为金属加热，使其熔融、蒸发，冷却后在样品表面形成金属薄膜的方法，蒸镀用金属为Al、金等。
想知道下这几种不同的电镀方法，在导电性能方面的区别是什么吗？一般的电镀，就是指水镀，水镀是导电的，真空镀现在有不连续镀膜可以不导电表面附着力及耐磨性能怎么样呢？因为电镀一般是用作表面(外观面),溅镀主要是做内表面(防EMI,也有为小键做表面处理的,像一些按键)相对而言水电镀的膜厚比较厚一点大约在0.01-0.02MM左右,真空溅镀的膜厚在0.005MM左右，电镀的耐磨性和附着力都相对好一些。
真空溅镀主要主要利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。
溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。
新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化,造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,提高溅镀速率。
一般金属镀膜大都采用直流溅镀,而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀,基本的原理是在真空中利用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。
(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。
(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物。
电镀、电铸、电泳、溅镀及阳极氧化的区别
电镀、电铸、电泳、溅镀及阳极氧化的区别1、电镀电镀是应用电解原理在某些金属表面镀上一薄层其他金属或合金的过程。
电镀的原理与电解精炼铜的原理是一致的。
电镀时，一般都是用含有镀层金属离子的电解质配成电镀液；把待镀金属制品浸入电镀液中与直流电源的负极相连，作为阴极；用镀层金属作为阳极，与直流电源正极相连。
通入低压直流电，阳极金属溶解在溶液中成为阳离子，移向阴极，这些离子在阴极获得电子被还原成金属，覆盖在需要电镀的金属制品上。
电镀特点：利用电解池原理在机械制品上沉积出附着良好的、但性能和基体材料不同的金属覆层的技术。
电镀能增强金属的抗腐蚀性(镀层金属多采用耐腐蚀的金属)、增加硬度、防止磨耗、提高导电性、光滑性、耐热性和表面美观。
通过电镀，可以在机械制品上获得装饰保护性和各种功能性的表面层，还可以修复磨损和加工失误的工件。
电镀依需求的不同作用：1.镀铜：打底用，增进电镀层附着能力，及抗蚀能力。
（铜容易氧化，氧化后，铜绿不再导电，所以镀铜产品一定要做铜保护）2.镀镍：打底用或做外观，增进抗蚀能力及耐磨能力，（其中化学镍为现代工艺中耐磨能力超过镀铬）。
（注意，许多电子产品，比如DIN头，N头，已经不再使用镍打底，主要是由于镍有磁性，会影响到电性能里面的无源互调）3.镀金：改善导电接触阻抗，增进信号传输。
（金最稳定，也最贵。
)4.镀钯镍：改善导电接触阻抗，增进信号传输，耐磨性高于金。
5.镀锡铅：增进焊接能力，快被其他替物取代（因含铅现大部分改为镀亮锡及雾锡）。
6.镀银：改善导电接触阻抗，增进信号传输。
（银性能最好，容易氧化，氧化后也导电）。
2、电铸电铸大致可分为三类，即装饰性电镀（以镀镍-铬、金、银为代表）、防护性电铸（以镀锌为代表）和功能电镀(以镀硬铬为代表电铸是利用电镀法来制造产品的功能电镀之一。
据称电铸始于1838年，主要用于工艺艺术品。
当时，俄国的Jacoli在石膏母型上涂敷石腊，通过石墨使其表面具有导电性，然后表面镀铜，镀后脱模，以此制成铜的复制品。
溅射工艺和蒸镀工艺的比较
溅射工艺和蒸镀工艺的比较
溅射工艺和蒸镀工艺是两种常用的薄膜镀带工艺，它们在原理、应用范围和特点等方面有所区别。
1. 原理：溅射工艺是通过高能量离子轰击靶材，将靶材表面的原子或分子弹出并沉积在基材上形成薄膜。
蒸镀工艺是利用热量将源材料加热至蒸发状态，然后沉积在基材上。
2. 应用范围：溅射工艺适用于多种材料的薄膜制备，包括金属、合金、氧化物等。
蒸镀工艺一般用于制备金属薄膜。
3. 特点：
- 溅射工艺：镀膜速度较快，沉积层致密，有较好的附着力和均匀性，可以制备厚膜；但是设备复杂，成本高，镀膜过程中可能会有靶材的成分污染。
- 蒸镀工艺：设备简单，成本相对较低，镀膜过程对基材要求较低，适合大面积镀膜；但是镀层致密性和附着力较差，容易受到环境条件的影响。
由于溅射工艺和蒸镀工艺各自具有独特的特点，所以在不同的应用场景中会有不同的选择。
PVD简介
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磁控溅射
磁控溅射:
电子在电场E、磁场B中将受到洛仑
兹力作用
F=-q(E+vB)
若E、B相互垂直，则电子的轨迹将是既
沿电场方向加速，同时绕磁场方向螺旋
前进的复杂曲线。即靶表面垂直E方向的
磁力线可将电子约束在靶表面附近，延 长其运动轨迹，提高其参与气体电离过 程的几率，降低溅射过程的气体压力， 提高溅射效率
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DC-SPUTTER
直流溅射:
特点：结构简单，可以获得大面积 均匀薄膜
控制参数：功率、电压、压力、电 极间距等
缺点
a.溅射参数不易独立控制，放电电
流岁电压和气压变化，工艺重复性
Ar
较差
b.真空系统多采用扩散泵，残留气 体对膜层污染较严重，纯度较差
ห้องสมุดไป่ตู้
c.基片温度升高，淀积速率低
d.靶材必须是良导体
特点： 1.在阴极靶的表面形成一个正交的电
磁场 2.电离效率高 3.可以再低真空下实现高速溅射 4.低温、高速
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Target
磁控溅射
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磁控溅射
• 以矩形target为例：其磁场和电子的运动轨迹如图：电子运动路径变长， 与Ar原子碰撞几率增加，提高溅射效率。
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接地
-V(DC)
至真空泵
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AC-SPUTTER
交流溅射: 特点： 1.电子与工作气体分子碰撞电离 几率，击穿电压和放电电压显著 降低，比直流溅射小一个数量级 2.能淀积包括导体、半导体、绝 缘体在内的几乎所有材料 3.溅射过程不需要次级电子来维 持放电 缺点： 当离子能量高时，次级电子数 量增大，有可能成为高能电子轰 击衬底，导致发热，影响薄膜质 量
溅镀原理
溅镀,通常指的是磁控溅镀,属于高速低温溅镀法.该工艺要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空状态充入惰性气体氩气(Ar)，并在塑胶基材（阳极）和金属靶材（阴极）之间加上高压直流电，由于辉光放电(glow discharge)产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在塑胶基材上. 原理以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子轰击材料表面，使其溅射出进入气相，可用来刻蚀和镀膜。
入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额(Yield)产额越高溅射速度越快，以Cu,Au,Ag等最高，Ti,Mo,Ta,W等最低。
一般在0.1-10原子/离子。
离子可以直流辉光放电(glow discharge)产生，在10-1—10 Pa 真空度，在两极间加高压产生放电，正离子会轰击负电之靶材而溅射也靶材，而镀至被镀物上。
正常辉光放电(glow discharge)的电流密度与阴极物质与形状、气体种类压力等有关。
溅镀时应尽可能维持其稳定。
任何材料皆可溅射镀膜，即使高熔点材料也容易溅镀，但对非导体靶材须以射频（RF）或脉冲（pulse）溅射；且因导电性较差，溅镀功率及速度较低。
金属溅镀功率可达10W/cm2,非金属<5W/cm2 二极溅镀射：靶材为阴极，被镀工件及工件架为阳极，气体（氩气Ar）压力约几Pa或更高方可得较高镀率。
磁控溅射：在阴极靶表面形成一正交电磁场，在此区电子密度高，进而提高离子密度，使得溅镀率提高(一个数量级)，溅射速度可达0.1—1 um/min 膜层附着力较蒸镀佳，是目前最实用的镀膜技术之一。
其它有偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等镀膜技术溅镀机设备与工艺（磁控溅镀）溅镀机由真空室，排气系统，溅射源和控制系统组成。
溅射源又分为电源和溅射枪（sputter gun）磁控溅射枪分为平面型和圆柱型，其中平面型分为矩型和圆型，靶材料利用率30- 40%，圆柱型靶材料利用率>50% 溅射电源分为：直流（DC）、射频（RF）、脉冲（pulse），直流：800-1000V（Max）导体用，须可灾弧。
溅镀介绍
SiO2薄膜制备的现行方法综述时间在导电基体上制作薄膜传感器的过程中，需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。
二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能，并且稳定性好，膜层牢固，长期使用温度可达1000℃以上，应用十分广泛。
通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶－溶胶法等。
本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合，并对这些方法做了比较。
正文：SiO2 薄膜以其优异的性能在半导体、微波、光电子、光学器件以及薄膜传感器等领域获得了广泛的应用。
在微电子技术中SiO2膜被用作扩散掩蔽层、MOS器件的绝缘栅、多层布线的绝缘隔离层以及器件表面的钝化保护层等。
SiO2膜还以其折射率低（n=1.458）、透光性好的特性用于光学零件的表面防护以及减反射涂层。
此外SiO2膜具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，硬度高、结构精细、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、熔点高而用于多层薄膜传感器的绝缘层。
为此，多年来人们对SiO2膜制作方法及性能等进行了广泛的研究。
对于应用于微电子技术和传感器技术中的SiO2膜，人们关心的是SiO2薄膜的介电常数、击穿场强、绝缘电阻、固定电荷和可动电荷密度等电性能指标。
应用于光学镀膜领域的SiO2膜，人们更关心膜层的折射率、消光系数及透明区间等光学性能指标。
通常制备SiO2薄膜现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积(CVD)、热氧化法、凝胶- 溶胶法等。
1、SiO2薄膜的制备方法1.1、磁控溅射磁控溅射自1970年问世以来，由于其沉积速率快、衬底温度低、薄膜厚度的可控性、重复性及均匀性与其它SiO2薄膜制备方法相比有明显的改善和提高，避免粉尘污染，以及溅射阴极尺寸可以按比例扩大等优点，已应用于从微电子器件到数平方米玻璃镀膜的诸多领域，并逐渐发展成为大面积高速沉积的主流方法。
溅射的一般原理是将衬底承片台正对着靶，在靶和衬底之间充入氩气（Ar），由于电场作用气体辉光放电，大量的气体离子将撞击靶材的表面，使被溅射材料以原子状态脱离靶的表面飞溅出来，淀积到衬底上形成薄膜。
溅镀技术简介
濺鍍技術是被激发粒子能量高，可向基材表面迁移/ 扩散及深度渗透基体相，但不改变/破坏基材表面 原组成结构。为一种实用性很高的、清洁的、精 细成膜技术，且膜相纯度高。
溅镀技术是半导体制程中的关键技术。
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第十八页，编辑于星期二：二十一点 四十三分。
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第十页，编辑于星期二：二十一点 四十三分。
2.4、離子鍍原理
利用電弧放電方法直接蒸發靶材。靶材用低溫水冷卻，並接電源
負極，爐體接正極。在一定的電源電壓,電流,基板負偏壓，以及真 空度條件下，用觸發電極將陰極觸發短路，引發電弧放電，陰極附近產
生大量金屬蒸氣。金屬蒸气在高密度電子的非彈性碰撞下會電离，并形成
路板等。
生產光碟、磁片/磁帶、平面顯示器、半導體、 光學鍍膜、太陽能電池、塑膠包裝膜、抗電磁 干擾鍍膜、五金裝飾鍍膜、光通訊元件鍍膜、 機械功能鍍膜等產品.
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第八页，编辑于星期二：二十一点 四十三分。
2 、 真空镀膜技術
2.1、真空概念:
真空的定義
一個容器內的壓力小於大氣壓力(常溫常壓下為101325帕)就是真空.
碳化物
等
物耐蚀或装饰
碳氮化合物 Ti(C,N),Zr(C,N)
耐磨/装饰
氧化物
Al2O3/TiO2/ZrO2/SiO2/CuO/Zn
O
耐磨/装饰/光学性
硼化物
TiB2/VB2/Cr2B/AlB/SiB/TaB2/Zr
B/HfB
耐磨
硅化物
MoSi2/WSi2/TiSi/ZrSi/Si3N4/VSi 抗高温氧化/耐蚀 硫化物/硒化物(Se)/碲化物（
真空镀膜、热蒸镀、离子镀、化学气相沉积镀
A、直流二级溅射
工作原理： ➢ 抽真空 ➢ 通入氩气 ➢ 接通电源，建立一个等离子区； ➢ 氩离子轰击阴极靶，靶物质被溅射出来，形成薄膜。
特点：优点是装置简单，适合于溅射金属和半导体靶 材。但是，溅射时沉积速率较低；由于直接放电电压 较高，基片极易损伤温升高；对气压的选择条件苛刻， 低气压放电无法维持，高气压沉积膜的质量较差；溅 射绝缘材料不适用[7]。
ห้องสมุดไป่ตู้
2、溅射镀膜
2.3溅射镀膜的工艺方法
✓ 四级溅射又称等离子弧柱溅射，是一种更有 效的热电子强化的放电形式。
✓ 原来的靶和基片垂直位置放一个发射热电子 的灯丝（热阴极）和吸引热电子的辅助阳极， 使电子在靶和基片间作螺旋运动，增加电离 分子几率，使电流密度提高。
C、直流四级溅射
2、溅射镀膜
2.3溅射镀膜的工艺方法
利用物质存在状态变化，属于 物理气相沉积法 (physical vapor deposition ）
利用化学反应 （chemical vapor deposition）
1、真空蒸镀
1、真空蒸镀
1.1基本原理
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中加热蒸发容器中 待形成薄膜的原材料使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸 气流入射到固体(称为衬底或基片)表面凝结形成固态薄膜的方 法。
4、入射离子的种类：入射离 子中Ne、Ar、Kr、Xe等惰性 气体可得到较高的溅射产额， 考虑经济性，常用氩气作为 工作气体
1、靶材；随靶材原子d壳层电子填 满程度的增加而变大
2、离子的入射角；曲线变化
[6]徐滨士，朱绍华等．材料表面工程技术〔M〕．哈尔滨∶哈尔滨工业大学出版社，2014∶288
蒸镀-电子束蒸镀原理及透明导电膜沉积介绍
课题：
第一节：蒸发原理介绍 第二节：ITO透明导电膜介绍
第一节：蒸发原理介绍
电子束蒸发分类
• 按用途分：功能镀膜（导电膜，液晶薄膜，薄膜电容和切削刀具镀 膜）、装饰镀膜（卫浴、五金、各类产品外壳）和包装镀膜（包装材 料） • 按设备类型分：电子束蒸镀机(EVAPROTATON)、溅镀机(Sputter)以及 离子镀机(Ion plating)、乌舟镀膜机 • 按反应类型分：化学镀膜和物理镀膜 • 真空镀膜技术就是在真空环境下，通过化学、物理方式将反应物或者 靶材沉积到基板上的薄膜气象沉积技术。
问题：
1、镀膜用于在生活中哪些方面？
2、目前我公司使用的镀膜机台有哪些？
电子束原理介绍： 利用高压电使钨丝线圈产生电子后，利用加速 电极将电子引出，再透过磁偏转线圈，将电子束弯 曲270o，引导打到坩埚内的金属源上，使其局部熔 融。因在高真空下(4×10-6torr)金属源之熔点与 沸点接近，容易使其蒸发，而产生金属的蒸气流， 遇到芯片时即沉积在上面。在坩埚四周仍需有良好 的冷却系统，将电子束产生的热量带走，避免坩埚 过热融化，形成污染源。
ITO蒸镀机 可置2"片 坩埚数
离子蒸镀机 载片方式 作用
金属蒸镀机
电子束蒸发
210pcs
40cc*4
公自转正放式
？
ITO蒸镀机
电子束蒸发 电子束+离子 源蒸发
180pcs
40cc*4
公自转正放式
？
离子蒸镀机
141pcs
40cc*10
公转背方式
？
第二节
ITO透明导电膜介绍
ITO膜定义
ITO膜 (即掺 SnO2的In2O3膜)具有优良的 导电性、较高的可见光区透过率，同时对 衬底具有很好的附着性和稳定性, 且容易 刻蚀形成透明电极图形；目前,ITO 靶是 制造高性能透明导电膜的最好材料，还没 有其他材料可代替。
(PVD)(蒸镀)
合金,由于原子间的结合力小于化合物中原子间的结合力， 因此，合金中各元素的蒸发过程可近似视为各元素相互独立 的蒸发过程，就像纯元素蒸发过程一样。但即使如此，合金 在蒸发和沉积过程中也会产生成分的偏差.
加大蒸发源到衬底表面的距离，但此法会降低沉积速率及 增加蒸发材料损耗； 转动衬底；
如果同时需要沉积多个样品、且每个样品的尺寸相对较小 时，可以考虑采取如图所示的衬底放置方法来改善样品间薄 膜厚度的差别，此时面蒸发源和衬底表面同处一个圆周。
cos cos 1 r
2 r0
其中r0 是相应圆周的半径，则衬底 上沉积的物质的质量密度分别为：
❖蒸发源
真空蒸发所采用的设备根据使用目的的不同有很大差别。 从简单的电阻加热蒸镀装置到极其复杂的分子束外延设备， 都属于真空蒸发范畴。在蒸发沉积装置中，最重要的组成 部分是物质的蒸发源，根据其加热原理可分为以下类型。
1、电阻加热蒸发源
（1）电阻加热蒸发法：
特别适用1500度以下材料的蒸发，加热体一般采用低电压大 电流供电方式（150-500A*10V）。采用钽、钼、钨等高熔点 金属，做成适当形状的加热装置（也称“蒸发源”，注意与 “蒸发材料”区别），其上装入待蒸发材料，通以电流后， 对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入Al2O3、 BeO等坩埚中进行间接加热蒸发，
残余气体对薄膜纯度的影响
在沉积过程中，残余气体的分子和蒸发物质的原子将分别
射向衬底，并可能同时沉积在衬底上，蒸发物质的沉积速
率为：
G N As
MA
其中ρ为沉积物质密度，s为厚度沉积速率。残余气体分子的
镀Ta工艺简介
PECVD试剂
• TaCl5：纯度99.99%，Cerac公司，粉末披读 小于4.75nm。 • H2气：还原剂 • He气：增强前驱体的激发或离子化 • N2气：冷却剂（冷却环中所用） • NaOH：尾气捕集
PECVD工艺
需要得到α相的Ta涂层，只有α相的涂层具有高强度、耐腐蚀等优点。利用TaNx 作种晶层。形成种晶层的工艺文献中有介绍。
Ta镀膜工艺简介
PVD和CVD
PVD CVD
• 利用蒸发、溅射沉积或复合的 技术，不涉及到化学反应,成 膜过程基本是一个物理过程而 完成薄膜生长过程的技术。
• 有化学反应的使用与参与，利 用物质间的化学反应实现薄膜 生长的方法。
PVD
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• 真空蒸发镀膜 • 真空室内加热的固体材料被蒸发汽化或升华后，凝结沉积到一定温度的衬底材料表面。 形成薄膜经历三个过程：1)蒸发或升华。2)输运到衬底。3)吸附、成核与生长。 • 适宜镀制对结合强度要求不高的某些功能膜，如电极的导电膜、光学镜头用增透膜。
CVD方法与装置
CVD方法与装置
（2）封闭式CVD 在封闭环境进行反应，与外界无质量交换。 • 特点 保持真空度、无需连续抽气，不易被外界污染 可用于高蒸汽压物质的沉积 材料生长率小、生产成本高 （3）常压CVD 反应器内压强近于大气压，其它条件与一般CVD相同。 一般分流通式和封闭式两种反应器。 多用于半导体集成电路制造
CVD方法与装置
CVD方法与装置
热丝CVD常用于金刚石、立方氮化硼等薄膜 的合成
CVD方法与装置
（6）等离子体CVD（PECVD） • 原理 • 将等离子体引入CVD技术。等离子体中的电子与分 子原子碰撞，可以使分子在低温下即成为激发态， 实现原子间在低温下的化合。 • 等离子体对CVD的作用 • 1)将反应气体激发为活性离子，降低反应所需温度 • 2)加速反应物的表面迁移率，提高成膜速率 • 3)对衬底和膜层溅射清洗，强化薄膜附着力 • 4)等离子中各粒子的碰撞、散射作用，膜厚均匀
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溅镀
溅射产能
入射离子的种类影响： 溅射产额随入射原子序数增加而周期 性增加。
离子入射角度的影响： 随入射角增加而逐渐增大（1/cosθ规律增 加），然后减小，60-70o 最大。
Xe
Kr Ar Ne
入射原子序数
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溅镀
溅射产能
材料（靶材）特性的影响： 与元素的升华热有关，呈明显周期性；随外 层ｄ电子数的增加，溅射产额提高。
M为蒸发物质的摩尔上式确定了蒸发速率、蒸气压和温度之间的关系 ➢蒸发速率除了与物质的分子量 、绝对温度和蒸发物质在T温度时有关外，还与材料 本身的表面清洁度有关。尤其是蒸发源的温度影响最大
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蒸发速率
蒸镀
➢在蒸发温度以上进行蒸发时，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速 率发生很多的变化，对金属：
➢控制蒸发源的温度来控制速率 ➢ 加热时避免出现过大的温度梯度 ➢ 蒸发速率正比于材料的饱和蒸汽压，温度变化10%，饱和蒸汽压变化 一个数量级
靶材温度的影响： 一定温度范围内关系不大，温度达到一定值 后，溅射产额急剧上升。
表面氧化的影响：表面轻微氧化时导致产额增加，表面严重氧化时形成比较厚的氧化层 将大大降低溅射产额 合金化的影响：溅射导致合金表面成分的偏析
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溅镀
溅射原子的能量和速度 能量呈麦克斯韦分布，最可几能量为几个eV左右。溅射原子能量与靶材、入射 离子种类和能量有关。
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1
蒸镀 溅镀 离子镀
2
PVD
物理气相沉积（PVD）是指在真空条件下，用物理的方法将材料汽化成原子、分子或 电离成离子，并通过气相过程在衬底上沉积一层具有特殊性能的薄膜技术。
（1）PVD沉积基本过程： • 从原材料中发射粒子（通过蒸发、升华、溅射和分解等过程）； • 粒子输运到基片（粒子间发生碰撞，产生离化、复合、反应，能量的交换和 运动方向的变化）； • 粒子在基片上凝结、成核、长大和成膜 (2)PVD的方法 •真空蒸发 •脉冲激光沉积 •溅射 •离子镀 •外延膜生长技术12源自薄膜沉积的厚度均匀性和纯度
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出一些偏好，接着就会依照自己 对产品的偏好选择相应的产品， 选好产品之后就要实施购买行为， 而在购买并使用产品之后，客户 就会产生一定的感受。这七个步 骤就是客户的一个完整的购买流 程。
2、确定销售流程
样的销售工作。客户购买流程的 任何一个步骤都会影响到最后的 购买结果，所以必须按照这个流 程进行，这样才能推动整个购买 流程顺利进行，最终走向成交。 客户购买产品的七个步骤告诉我 们，销售员应该根据客户的购买 流程来决定自己的工作。
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无能为力，那么就需要一种新的 技巧、一种提问的技巧，这就是 SPIN技巧。它是一种专门针对问 题进行提问的销售技巧，许多著 名的公司如施乐、IBM等，都在 运用这种以提问为中心的新的销 售技巧。
Questions，即了解客户现在所遇 到的问申的牵连性问题，它能够 引申出更多的问题;N就是NeedPayoff Questions，即告诉客户关 于价值的问题。在以客户为中心 的销售中，这种技巧非常重要， 关于它的具体运用，我们将在下 一讲详细介绍。
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第四、告诉客户需要占用多 长时间。
拜访时间
以客户为中心的销售过程
1、了解客户的购买过程
客户的购买过程分为以下七 个步骤：
客户购买过程的七个步骤
第一个步骤：无购买意识
第二个步骤：出现购买意识
第三个步骤：决定购买
第四个步骤：产生偏好
第五个步骤：选择产品
第六个步骤：实施购买行为
第七个步骤：买后的感受
第四、要告诉客户占用多长 时间，达成什么目的。
2.再次拜访如何开场
如果再次拜访客户，也有四 个步骤：
第一、问候客户。
员再次拜访客户时，客户很可能 已经忘了他上次说的是什么，甚 至想不起他的姓名，所以再次拜 访客户的时候要回顾一下上一次 拜访的结论，帮助客户回忆起以 前的结果。
第三、仍然是介绍一下销售 员拜访的目的。
房问题等等，但是不可能每个人 都采取行动去解决这些问题。因 为这些问题现在还只是客户的隐 藏需求，所以在这个时候去推销， 成功的可能性就非常小。只有通 过技巧性的提问，使客户觉得现 有的问题日益严重、日益迫切的 时候，他才会产生解决问题的想 法和行动。
些问题将导致的后果。当客户联 想到了非常严重的后果之后，他 就会觉得解决这些问题刻不容缓， 就会产生解决问题的想法和行动， 隐藏需求也就转变成了明显需求。 在下一讲中，我们将看到SPIN技 巧的巨大威力。
表明：当客户觉得问题已经非常 严重或者无法忍受的时候，他就 会自然而然地产生解决问题的想 法和行为，这时隐藏需求就会逐 步转为明显需求。
候，一定要灵活运用SPIN提问技 巧，尽可能使客户的问题变得更 加严重和迫切，使其隐藏需求逐 步转化为明显需求。当客户出现 了明显需求之后，产品销售就可 能水到渠成了。
4、隐藏需求与明显需求
客户有需求时，只要推销的产品 能满足其需求，客户就会购买。 而现在，客户在购买过程中实际 上存在着两种需求，即隐藏需求 和明显需求。
(1)隐藏需求
客户对现有设施的所有不满 以及遇到的困难和问题，对销售 而言，都是隐藏需求。
义成隐藏需求。在传统的销售模 式中，由于销售员只是依靠客户 的不满和遇到的问题进行推销， 客户的购买欲望并不是非常强烈， 所以成功率并不是很高。
(2)明显需求
客户对现有设施有了极大的 不满、怨恨和困难，并且产生了 愿意改善现在的工作环境的想法 或行动，这就是明显需求。
客户还有一种需求，即明显需求。 客户存在着非常明显、非常严重 的问题，并且有了解决问题的想 法或者行动，这就是客户的明显 需求。
(3)变隐藏需求为明显需求
需满足客户的隐藏需求就能促成 交易;而现代销售则必须把隐藏需 求开发为明显需求以后，才有可 能推动客户的购买流程。
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1、初次拜访如何开场
的时候，其开场类似专业人士之 间的对话，不需要太多的寒暄， 变得比较简单了。现在开场白一 般有四个步骤：
第一、问候客户，自我介绍。
第二、概述利益。这是一个 销售员永远不能改变的一种习惯。
第三、说明拜访的目的。要 事先说明拜访有什么样的目的， 以便给繁忙的客户一个心理准备。
3、运用SPIN提问式销售技巧 开发客户
一定会买。那么，如果客户还没 有决定购买，怎样进行销售工作? 这个时候销售员就需要通过提问 来唤醒客户更加迫切的需求，使 这种需求达到迫切的程度，从而 最终决定购买产品。因为只有通 过提问才能发现客户的问题，并 通过这些问题逐步引发客户的需 求，然后使客户的需求变得更加 旺盛和迫切，最终使其决定购买 产品。
重点提示
客户会严格按照其购买流程 进行采购
销售员的提问一定要与客户 购买流程一一Байду номын сангаас配
销售员应该做什么?这个时候要 做的肯定不是推销，也不是介绍 自己的产品，而是应该询问客户 目前的状况，了解客户现在公司、 部门、自己以及设备的相关情况。
性不能一一匹配时，客户就不可 能购买，所以销售员这时的工作 就是帮助客户建立起和你的产品 可以匹配的客户购买特性，然后 才是推荐产品和购买行为。 最后 一个步骤是客户买完以后的感受。 销售员应该让客户在买的过程中 放心，在使用的时候开心。如何 使客户在购买产品后感觉非常好， 是现代销售员的一项与以往不同 的重要工作。销售员要经常进行
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