ANALOGPOWER MOS管选型

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七步掌握MOS管选型技巧

七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

MOS管选型

MOS管选‎型最近在‎推MOS管‎的过程中，‎遇到一些问‎题，最主要‎的是一个品‎牌替换参数‎的对应问题‎，很多时候‎我们只关注‎了电流电压‎满足要求，‎性能上的比‎较我们很少‎做比较，特‎从网上摘录‎此文，供大‎家参考：‎与系统相关‎的重要参数‎：在M‎O S管选择‎方面，系统‎要求相关的‎几个重要参‎数是：‎1．负‎载电流IL‎。

它直接决‎定于MOS‎F ET的输‎出能力；‎2．‎输入—输出‎电压。

它受‎M OSFE‎T负载占空‎比能力限制‎；3．‎开关频‎率FS。

这‎个参数影响‎M OSFE‎T开关瞬间‎的耗散功率‎；4．‎ MOS‎F ET最大‎允许工作温‎度。

这要满‎足系统指定‎的可靠性目‎标。

‎MOSF‎E T设计选‎择：一‎旦系统的工‎作条件（负‎载电流，开‎关频率，输‎出电压等）‎被确定，功‎率MOSF‎E T在参数‎方面的选择‎如下：‎1 RDS‎O N的值。

‎最低的导通‎电阻，可以‎减小损耗，‎并让系统较‎好的工作。

‎但是，较低‎电阻的MO‎S FET其‎成本将高于‎较高电阻器‎件。

2‎散热。

如‎果空间足够‎大，可以起‎到外部散热‎效果，就可‎以以较低成‎本获得与较‎低RDSO‎N一样的效‎果。

也可以‎使用表面贴‎装的MOS‎F ET达到‎同样效果，‎详见下文第‎15行。

‎3 MO‎S FET组‎合。

如果板‎上空间允许‎，有时候，‎可以用两个‎较高RDS‎O N的器件‎并联，以获‎得相同的工‎作温度，并‎且成本较低‎。

‎计算MOS‎F ET的功‎率损耗及其‎壳温：‎在MOSF‎E T工作状‎态下，有三‎部分功率损‎耗：1‎． MO‎S FET在‎完全打开以‎后（可变电‎阻区）的功‎率损耗：‎PON=‎I Load‎2 × R‎D SON ‎×占空比‎ILoa‎d为最大直‎流输出电流‎。

2．‎ MOS‎F ET在打‎开上升时功‎率损耗：‎PTRO‎N= （I‎L oad ‎× VDS‎× Tr‎×FS）‎/ 2‎其中：。

小参数常用MOS管选型

小参数常用MOS管选型1.N沟道MOS管选型：N沟道MOS管在电子设备中广泛应用。

常见的N沟道MOS管有IRF1010、IRF520、IRF540等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功率电子设备。

2.P沟道MOS管选型：P沟道MOS管通常应用于负载开关和功率放大器等电路中。

常见的P沟道MOS管有IRLR3103、IRLR7843等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功耗设备。

3.逻辑开关MOS管选型：逻辑开关MOS管通常应用于数字逻辑电路中，用于开关控制。

常见的逻辑开关MOS管有IRLZ44N、IRF630等，其工作电压范围一般在50V至100V之间，适用于低功耗数字电路。

4.功率MOS管选型：功率MOS管通常应用于功率放大器和开关电路中，需要承受较大的电流和功率。

常见的功率MOS管有IRF3205、IRF2807等，其工作电压范围一般在100V至250V之间，适用于高功率设备。

5.MOS场效应管选型：除了常见的N沟道和P沟道MOS管外，还有一种特殊的MOS场效应管，如深亚微米CMOS器件。

这些器件具有更低的功耗、更快的开关速度和更高的集成度，适用于高性能和低功耗应用。

选择合适的MOS管型号还需要考虑其他因素，如漏极电流、导通电阻、击穿电压和导通损耗等。

在实际选型过程中，可以通过参考厂家提供的数据手册和相关应用笔记，进行详细的参数对比和分析。

总之，小参数常用MOS管的选型需要综合考虑工作电压、电流和功耗等参数，同时还要考虑具体的电路设计需求。

对于不同类型的电子设备和电路，选择合适的MOS管型号可以提高工作效率和性能。

MOS管分类选型

6MTA1202MEJA3 400 6MK1203EJA2 6CH1207EJA1 6MT1206FEJA1 400 400 400
85 160 328 281 60 85 71 125 110 80 300 150 266 336 360 600 832 1200 10 23 50 60 20 72
Xiamen Jaysun Semiconductor Manufacturing
1/2. Planar Power MOSFET Products
林经理： 15980062266 Co., Ltd.
Wfr passiva THK tion (um) Without 280um Without 280um
21.6 Without 280um 78 90 Without 280um Without 280um
UF840K-MTQ N-CH 9N50K-MT 12N50K-MT 16N50 UF460 D4N60-KW 1N60-KW 1N60-CB 1N60K-TA 2N60-CBS 2N60-CB N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH N-CH
Without 280um With 280um
Without 280um With 280um
6MTA1204MDJA4 500 6FH2006FJA1 500
Without 280um Without 280um
6MT1205FMDJA1 500 6CH1207DJA1 6MT1206FDJA5 6MT1207FDJA1 6MT1211FDJA1 6FHA2215DJA1 6FHA1220AJA1 6MKW604JA1 6MKW606JA1 6CHB1201JA1 6MTA1201MJA1 6CHB1002JA1 6CHB1202FJA1 500 500 500 500 500 500 600 600 600 600 600 600

MOS管参数选型指南

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459＊P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW＊P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAB25N03N-ch mos 1.525300.0110101~3250155PDFNWB3.3×3.3-8L CJAB35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC10H02＊N-ch MOS2100200.00220 4.50.5~1.225093+5PDFNWB5×6-8L CJAC10H03＊N-ch MOS2100300.00252010 1.2~2.52503210PDFNWB5×6-8L CJAC20N10N-ch MOS2201000.0311510 1.3~2.525015+5PDFNWB5×6-8L CJAC35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB5×6-8L CJAC50P03P-ch mos2-50-300.007-10-10-1.0~-2.525020-10PDFNWB5×6-8L CJB08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-263-2LCJB85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-263-2LCJD01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-251-3LCJD01N80N-ch mos-180013.50.5103~52500.7550TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251SSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251-3L CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251S CJD02N80N-ch MOS 1.5 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-251S CJD04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250250TO-251S CJD04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N60B N-ch MOS--460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-251S CJD05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-251S CJD30N10＊N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+10TO-251S CJD4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-251-3L CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10TO-251-3L CJE3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35-1.1250110SOT-523 CJE3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-523 CJI02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-126 CJK2305P-ch MOS0.4-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-3L CJK2333P-ch MOS0.4-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23-3L(12R) CJK3400A N-ch MOS0.45 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23-3L(12R) CJK3401A P-ch MOS0.45-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23-3L CJK3407P-ch MOS0.3-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJK3415P-ch MOS0.3-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23-3LCJL1206P-ch MOS0.35-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-6L(12R)CJL2301P-ch MOS0.35-2.3-200.09-2.5-4.5-0.4~-1-2504-5SOT-23-6L(12R)CJL3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-6LCJL3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-25016+-5SOT-23-6LCJM1206P-ch MOS 2.5-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1208P-ch MOS 2.5-8-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1216P-ch MOS 2.5-16-120.021-6.7-4.5-0.4~-1-25040+-10DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM3005＊N-ch MOS0.55300.0425100.6~125015+5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMN2012N-Ch MOS0.7512200.0155 4.50.35~1250204DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMP3009P-ch MOS0.75-9-300.028-9-4.5-0.6~-1.5-25024+-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJP01N80N-ch MOS2180013.50.5103~52500.7550TO-220-3LCJP02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220-3LCJP02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220-3LCJP02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-220-3LCJP04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220-3LCJP04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220-3LCJP04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220-3LCJP05N60B N-ch MOS-5600 2.5 2.25102~4250--TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJP07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220-3L CJP07N65N-ch mos-7.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220-3L CJP08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220-3L CJP08N65N-ch mos-8650 1.44102~42508.5+50TO-220-3L CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220-3L CJP10N65N-ch MOS-1065015102~4250--TO-220-3L CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250--TO-220-3L CJP12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220-3L CJP15H03＊N-ch mos2150300.00310 4.5 1.2~2.52503210TO-220-3L-C CJP50N06＊N-ch mos250600.022010 1.5~2.52502425TO-220-3L-C CJP55H12＊N-ch mos2120550.00554010 2.0~4.02505025TO-220-3L-C CJP80N03＊N-ch MOS 1.2580300.006530101~325020+5TO-220-3L-C CJP80N04＊N-ch MOS280400.0072010 1.2~2.525020+10TO-220-3L-C 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1.252650 4.41102~4250--TO-252-2L(4R) CJU02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-252-2L(4R) CJU03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.1+15TO-252-2L(4R) CJU04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-252-2L(4R) CJU04N70B＊N-ch mos 1.25 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-252-2L(4R) CJU05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-252-2L(4R) CJU10N10N-ch MOS-9.61000.14510 1.2~2.5250 3.525TO-252-2L(4R)SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJU12P10＊P-ch MOS 1.25-12-1000.25-6-10-1~-3-250--TO-252-2L(4R) CJU18P10P-ch MOS 1.25-18-1000.1-16-10-1~-3-2505-10TO-252-2L(4R) CJU20N06N-ch mos 1.2520600.04520101~32502425TO-252-2L(4R) CJU30N03N-ch MOS 1.2530300.01415101~2.5250--TO-252-2L(4R) CJU30N10N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+5TO-252-2L(4R) CJU40N10N-ch mos 1.25401000.01728102~42503225TO-252-2L(4R) CJU40P04P-ch mos 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IRF840N-ch MOS 285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS 2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~42506.750TO-220F深圳理悠科技有限公司SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTDw w 。

mos管及驱动芯片在电机控制器功率电路中的选型问题总结

mos管及驱动芯片在电机控制器功率电路中的选型问题总结
在电机控制器功率电路中，MOS管和驱动芯片的选型至关重要。

以下是关于这两个元件选型问题的总结：
1. MOS管选型：
-电流容量：根据电机的额定电流和峰值电流选择合适的MOS管，确保MOS管能够承受电机工作时的最大电流。

-电压等级：根据电机的工作电压选择合适的MOS管，确保MOS管能够承受电机工作时的最高电压。

-开关速度：根据电机控制的需求选择合适的MOS管，确保MOS管的开关速度能够满足电机控制的实时性要求。

-热稳定性：选择具有良好热稳定性的MOS管，确保在高温环境下仍能正常工作。

-封装类型：根据实际应用场景选择合适的封装类型，如贴片式、通孔式等。

2. 驱动芯片选型：
-驱动能力：根据MOS管的栅极电荷选择合适的驱动芯片，确保驱动芯片能够提供足够的电流来驱动MOS管。

-输入输出电平：选择与控制器兼容的驱动芯片，确保驱动芯片的输入输出电平与控制器的电平相匹配。

-保护功能：选择具有过流、过热、欠压等保护功能的驱动芯片，确保在异常情况下能够保护MOS管和电机。

-开关速度：根据电机控制的需求选择合适的驱动芯片，确保驱动芯片的开关速度能够满足电机控制的实时性要求。

-封装类型：根据实际应用场景选择合适的封装类型，如贴片式、通孔式等。

总之，在电机控制器功率电路中，MOS管和驱动芯片的选型需要综合考虑电机的参数、控制器的要求以及实际应用环境等因素，以确保整个系统的稳定运行。

大功率mos管选择方法

大功率mos管选择方法1.引言1.1 概述概述部分的内容应该对文章主题进行简要介绍，提供读者对该主题的基本了解。

以下是一个可能的概述部分的内容：引言部分是对文章主题"大功率mos管选择方法"的简要介绍。

本文将介绍如何有效选择大功率MOS管，以满足不同应用领域对功率器件的需求。

在当今现代电子设备快速发展的背景下，大功率MOS管作为一种重要的功率器件，被广泛应用于各种电路和系统中。

它们在功率放大、开关和控制等方面具有出色的性能。

然而，选择适当的大功率MOS管并不是一件简单的任务。

不同的应用场景对功率管的要求不一样，例如负载特性、耐压能力、开关速度和导通损耗等。

因此，本文旨在给出一些选择大功率MOS管的方法和准则，以帮助读者更加深入地了解大功率MOS管的特性和选择适合的器件。

在正文中，我们将重点介绍一些基本的选择要点，包括如何确定功率需求、选择合适的耐压能力和导通损耗等。

最后，本文将总结这些要点，并提供一些关于如何选择大功率MOS管的建议，以供读者参考。

通过本文的阅读，读者将能够更好地理解大功率MOS管的选择方法，并在实际应用中更好地应对不同的需求。

文章结构部分是对整篇文章内容的概括和安排的说明，用于引导读者对文章的整体结构有一个清晰的认识。

下面是文章1.2 文章结构部分的内容：1.2 文章结构本文将以以下几个部分来展开对大功率MOS管选择方法的探讨：1. 引言：在这一部分，我们将简要地介绍大功率MOS管在电子设备中的重要性和应用领域，并阐述为什么选择合适的大功率MOS管对于电路设计具有关键意义。

2. 正文：在正文部分，我们将重点关注两个要点。

首先，我们将详细介绍大功率MOS管的基本工作原理和特性，包括结构、导通与截止状态等。

然后，我们将提供一些选择大功率MOS管的关键标准和方法，其中包括最大耗散功率、最大漏极电压、开启电阻、电流承载能力等参数的综合考虑，以及根据所需功率、电压等需求进行详细筛选的技巧和技术。

无刷电机mos管选型注意事项

无刷电机（BLDC）在现代工业和家用电器中起着越来越重要的作用，而MOS管作为无刷电机驱动电路中的关键元件，其选型和应用显得尤为重要。

本文将从以下几个方面介绍无刷电机MOS管选型的注意事项。

1. 电压和电流承受能力无刷电机MOS管在工作过程中需要承受电机的高电压和大电流。

在选型时要根据实际电机的电压和电流情况来选择合适的MOS管。

一般来说，MOS管的额定电压和额定电流都要比电机的实际工作电压和电流大一些，以确保其稳定可靠地工作。

2. 导通电阻和功率损耗MOS管的导通电阻直接影响了其工作时的功率损耗，而功率损耗则会导致MOS管发热，影响其工作效率和可靠性。

在选型时要尽量选择导通电阻小、功率损耗低的MOS管，以提高整个驱动系统的效率和稳定性。

3. 开关速度和损耗MOS管在无刷电机驱动电路中主要用于开关控制，因此开关速度和开关损耗也是选型时需要考虑的重要因素。

一般来说，开关速度越快的MOS管其损耗也越小，但同时还要考虑成本和可靠性等因素，并进行综合考虑。

4. 温度特性和散热设计MOS管在工作过程中会产生一定的热量，因此其温度特性和散热设计也是选型时需要注意的地方。

要选择具有良好温度特性的MOS管，并根据实际工作环境和工作条件进行合理的散热设计，以确保MOS管能够稳定可靠地工作。

无刷电机MOS管的选型需要考虑诸多因素，包括电压和电流承受能力、导通电阻和功率损耗、开关速度和损耗、温度特性和散热设计等。

只有综合考虑这些因素，选型才能更加合理、可靠，为无刷电机的稳定工作提供保障。

无刷电机MOS管在各种应用中都扮演着非常重要的角色，而正确的选型和应用是确保整个电机系统稳定运行的关键。

除了上文提及的一些主要选型注意事项外，下文将继续介绍无刷电机MOS管的选型注意事项，以帮助读者更全面地了解这一领域的知识。

5. 耐压能力在无刷电机的工作过程中，可能会出现一些突发的电压冲击或者峰值电压，因此MOS管的耐压能力也是需要考虑的因素。

开关电源mos管耐压选型原则

开关电源mos管耐压选型原则开关电源是现代电子设备中常用的一种电源形式，它通过不断开关电流来实现稳定的输出电压。

而MOS管是实现开关电源的核心元件之一，所以如何选型合适的MOS管对于开关电源的性能是非常重要的。

下面我们将介绍开关电源MOS管耐压选型的原则。

首先，耐压是选型MOS管时的一个重要指标。

耐压是指MOS管能够承受的最大电压。

在开关电源中，输入电压经过变压器和整流电路的处理后，会转化为直流电压并供给给MOS管。

所以选型时要根据开关电源的输入电压来确定MOS管的耐压等级，以确保MOS管能够正常工作并具有较高的安全性。

其次，功率损耗也是选型MOS管时需要考虑的因素之一。

在开关电源中，MOS管会频繁地开关，开关的过程中会有一定的功率损耗。

因此，在选型MOS管时，需要根据开关电源的设计功率来确定MOS管的额定功率，以确保MOS管能够承受开关过程中的功率损耗，并保持良好的热稳定性。

另外，导通电阻也是MOS管选型的重要指标之一。

导通电阻是指MOS管在导通状态下的电阻大小。

导通电阻直接影响到MOS管的电流承载能力和开关速度。

一般而言，导通电阻越小，MOS管的电流承载能力越强，开关速度也越快。

因此，在选型时需要考虑开关电源的负载电流和开关速度的要求，并选择具有合适导通电阻的MOS管。

此外，过压保护也是选型时需要考虑的因素之一。

过压保护是指当开关电源的输出电压超出设定范围时，MOS管能够及时切断电流，保护其他电子元件不受损坏。

因此，在选型时需要选择具有过压保护功能的MOS管，以提高开关电源的安全性和稳定性。

综上所述，开关电源MOS管耐压选型的原则主要包括耐压、功率损耗、导通电阻和过压保护等方面。

在具体选型时，需要根据开关电源的输入电压、设计功率、负载电流、开关速度和过压保护等要求，选择具有合适参数的MOS管，以确保开关电源的正常工作和稳定性。

如何进行MOS管选型，需要考虑什么？

如何进行MOS管选型，需要考虑什么？MOS管也叫金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

MOS管的source（源极）和drain（漏极）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

这样的器件被认为是对称的。

场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。

MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。

而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS 管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

mos管选型流程

mos管选型流程
MOS管的选型流程一般包括以下步骤：
1. 确定N、P沟道的选择：MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

2. 确认热要求：挑选MOS管的下一步是核算体系的散热要求。

规划人员有必要考虑两种不同的状况，即最坏状况和真实状况。

建议选用针对最坏状况的核算结果，由于这个结果供给更大的安全余量，能保证体系不会失效。

3. 确定电压和电流要求：根据电路的电压和电流要求，选择合适的MOS管型号和规格。

4. 考虑封装和引脚类型：根据电路板布局和连接方式，选择合适的封装和引脚类型。

5. 考虑工作频率和噪声要求：如果电路中有高频信号或对噪声有严格要求，需要选择具有相应特性的MOS管。

6. 考虑成本和可用性：在满足性能要求的前提下，选择成本较低且易于获得的MOS管。

综上所述，MOS管的选型需要综合考虑多个因素，包括结构类型、热要求、电压和电流要求、封装和引脚类型、工作频率和噪声要求以及成本和可用性等。

mos管选型技巧

mos管选型技巧MOS管选型技巧在电子设备设计中，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的电子元件。

选对适合的MOS管对于电路性能的稳定性和效果有着重要的影响。

本文将介绍一些关于MOS管选型的技巧，帮助您更好地选择适合的MOS管。

1. 确定工作参数在选型前，首先需要明确所需的工作参数，包括但不限于电流、电压、功率、频率等。

这些参数将对MOS管的最终选择产生重要影响。

2. 深入了解规格书在选型过程中，深入了解规格书是非常重要的。

规格书中包含了MOS管的详细信息，如最大额定电流、最大额定电压、开启时间、关断时间等。

合理解读规格书可以帮助更准确地选择MOS管。

3. 选择适当的封装类型MOS管有多种封装类型，如TO-220、SOT-23等。

根据实际需求和电路布局，选择适当的封装可以方便布局并最大程度地满足电路需求。

4. 考虑热特性MOS管在工作过程中会产生较多的热量，因此热特性也是选型时需要考虑的因素。

包括导热性能、最大工作温度、热阻等，这些参数对于确保MOS管的工作稳定性至关重要。

5. 精确计算电路负载正确计算电路负载有助于更准确地确定所需的MOS管参数。

根据实际电路负载，计算出电流和功率等参数，从而选择合适的MOS管。

6. 参考经验和评估工具除了以上技巧，参考经验和使用评估工具也是选型过程中的重要参考。

借鉴他人在类似电路中的选型经验，或使用在线选型工具，可以提供一些建议和参考，帮助您更好地选取适合的MOS管。

以上是关于MOS管选型的一些技巧，希望能够对您在电子设备设计中的选择过程有所帮助。

选型过程需要综合考虑多个因素，确保所选MOS管能够满足电路需求，并具备良好的性能和稳定性。

希望本文对您有所启发！7. 比较同类产品在选型过程中，可以比较不同厂家的同类产品，了解它们的特点和性能表现。

通过对比，可以找到最适合自己项目需求的MOS管。

8. 注意价格和可获得性除了性能和规格，价格和可获得性也是选型时需要考虑的因素。

七步掌握MOS管选型技巧

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

开关电源MOS管选型

开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。

开关电源上MOS管的选择方法

开关电源上MOS管的选择方法MOS管最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。

服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1冗余与持续工作(图1)。

各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。

不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。

在每个电源的输出端，有一个功率MOS管可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。

起这种作用的MOS管被称为"ORing"FET，因为它们本质上是以"OR"【或】逻辑来连接多个电源的输出。

图1用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing FET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。

其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。

相比从事以开关为核心应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。

以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。

因此，ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。

低R DS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至最小一般而言，MOS管制造商采用R DS(ON)参数来定义导通阻抗；对ORing FET应用来说，R DS(ON)也是最重要的器件特性。

数据手册定义R DS(ON)与栅极(或驱动)电压V GS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，R DS(ON)是一个相对静态参数。

若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。

在电源设计中，每个电源常常需要多个ORing MOS管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。

在许多情况下，设计人员必须并联MOS管，以有效降低R DS(ON)。

需谨记，在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。

mos选型规则

mos选型规则MOS选型规则引言：MOS（Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的电路元件，广泛应用于集成电路中。

MOS选型规则是指在设计电路时，根据电路需求和性能要求，选择合适的MOS管型号和参数的一系列规则和方法。

本文将介绍MOS选型规则的基本概念、应用场景和具体操作步骤，帮助读者理解和应用MOS选型规则。

一、MOS管的基本概念MOS管是一种半导体器件，由金属-氧化物-半导体构成。

它具有电流放大、开关控制等特性，在数字电路、模拟电路和混合信号电路中得到广泛应用。

MOS管有不同的型号和参数，如通道长度、通道宽度、栅极电压等，不同的MOS管适用于不同的电路需求。

二、MOS选型规则的作用MOS选型规则是为了在设计电路时能够选择到最适合的MOS管型号和参数，以满足电路的性能要求。

通过合理的选型，可以提高电路的稳定性、工作效率和可靠性。

MOS选型规则是电路设计中的重要环节，对于提高电路性能和降低成本具有重要意义。

三、MOS选型规则的应用场景MOS选型规则适用于各种电路设计，特别是需要使用MOS管的电路。

比如，数字电路中的逻辑门、存储器等电路；模拟电路中的放大器、滤波器等电路；混合信号电路中的ADC、DAC等电路。

无论是低功耗、高速度还是高精度电路，都需要根据具体要求选择合适的MOS管。

四、MOS选型规则的具体操作步骤1.明确电路需求：首先要明确电路的功能要求、性能要求和工作条件。

比如，电路需要承受的电压、电流范围以及工作频率等。

2.确定MOS管类型：根据电路需求，确定所需的MOS管类型，包括N沟道型和P沟道型MOS管。

不同的MOS管类型适用于不同的电路应用。

3.选择合适的参数范围：根据电路需求，确定MOS管的参数范围，如通道长度、通道宽度、栅极电压等。

这些参数会直接影响电路的性能。

4.查找器件手册：根据确定的MOS管类型和参数范围，查找相关的器件手册。

手册中会提供各种型号和参数的MOS管的详细信息。