模电勘误(汇总)
模拟电子技术基本教程勘误
116
式（4.5.18b）
10
117
倒数第6行
根据式（4.6.5）
根据式（4.5.8）
11
117
倒数第4行
12
118
第2行
13
127
注释②
Janction
Junction
14
128
图5.1.2向上两行
……导电沟通……
……导电沟道……
15
128
图5.1.2
图5.1.2……对导电均运……
图5.1.2……对导电沟道……
倒数第8行
300
400
23
160
倒数第5行
300
100
24
169
式（6.3.7）
注：且括号前空两格
25
173
图6.3.6（b）中
序号
页码
位置
误
正
26
175
第1～2行
取UBEQ≈0.7V，
由于UBEQ=0.7V，
27
185
第9行
，图中电阻可作
，图中电阻R2可作
281Biblioteka 8倒数第5行IR≈IE1、IC2≈IE2。由于UBE1≈UBE2
16
129
第3行
则虽有导电沟通……
则虽有导电沟道……
17
131
倒数第4行
转换特性曲线
转移特性曲线
18
131
注释②
Matal
Metal
19
133
倒数第2行
确实
确定
20
139
第8行
uDS＝VDD－iDRD
uDS＝VDD－iDRL
模拟电路常见故障的诊断及处理分析
模拟电路常见故障的诊断及处理分析一、引言模拟电路是电子技术中的一个重要领域，其应用范围广泛，包括通信系统、传感器、放大器、滤波器等多种电子设备和系统。
在模拟电路中，由于电子元件的特性、外部环境因素以及制程工艺等多种因素的影响，常常会出现各种故障现象。
对模拟电路的常见故障进行准确的诊断和处理分析，是保障电子设备和系统正常运行的关键。
本文将针对模拟电路中常见的故障进行分析，并介绍其诊断和处理方法，以期帮助电子工程师和技术人员更好地解决实际应用中的故障问题。
二、常见故障及诊断方法1. 漏电流故障漏电流故障是模拟电路中常见的故障之一，其主要表现为电路中出现未预期的电流流动。
漏电流故障的诊断方法包括使用万用表或示波器对电路中的电流进行测量，通过测量结果判断漏电流的大小和方向，并进一步查找故障元件或连接部件。
处理方法：首先应检查电路中各个元件和连接部件的接触情况，确保连接紧固可靠；其次可以通过逐步断开电路中的元件或连接部件，逐一检查每个部件的工作状态，从而定位并解决漏电流故障。
2. 干扰故障干扰故障是指由于外部电磁场、电压突变或其他原因导致电路中的异常信号波形。
诊断方法主要是通过示波器对电路中的信号进行观测，分析波形变化情况，从而确定干扰源和干扰传播路径。
处理方法：可以通过在电路中增加滤波器、隔离器等器件，对外部干扰进行屏蔽和抑制；合理的布局和设计电路板也可以减少外部干扰对电路的影响。
3. 温度故障温度故障一般是由于电路元件在工作过程中产生过热现象而引起的。
诊断方法主要是通过红外热像仪等设备对电路元件进行实时监测，发现过热元件并及时采取措施进行降温。
处理方法：对于常见的过热元件，可以考虑适当增加散热器或风扇进行散热；也可以通过合理地设计电路布局和安装位置，减少元件间的热量传导。
4. 噪声故障噪声故障是指电路中出现不期望的高频干扰信号。
诊断方法主要是通过示波器或频谱分析仪对电路中的信号进行频谱分析，确定噪声信号的频率和幅度，并进一步查找噪声源和传播路径。
模拟电子技术1版1印次勘误表
R3=∞，起振条件是 2R1/R2>0
R1=∞，起振条件是 2R2/R3>0P100kΩ uoℓ=ui1+ui2 (b) 锗 PNP 管子 1. C 2. B 3.E RP100Ω uoℓ=-(ui1+ui2) 锗 NPN 管子 1. B 2. C 3.E
BJT 三个电极名 G, D, S D. 1000 R 下端接地 Af = uo R 2 + R3 R1 R 3 = −(1 − ) ui R 2 + R3 + R 4 R 2 R 2
B, C, E D. 10000 R 下端接-Ucc Af = uo R 3R 4 =− ui R1 ( R 2 + R 3 ) + R 2 R 4
元增民《模拟电子技术》1 版 1 印次勘误表
页码/行/图号 3 页倒 1 行 22 页表 1.2.1 72 页 16 行 73 页倒 1 行 74 页倒 10 行 74 页倒 15 行 82 页 9 行 85 页第 1 行 85 页 16 行 91 页倒 1 行 113 页倒 1，倒 14 行 116 页 4 行 130 页倒 3 行 140 页倒 2 行 144 页 8、9 行 147 页 8、10 行 148 页式(4.3.10a) 170 页倒 4 行 174 页 15 行 175 页图 5.3.4 179 页 11 行 184 页 10 行，218 页 13 行 185 页 9 行 186 页 1 行 193 页 17 行 217 页倒 16 行 220 页 13 行 226 页倒 4 行 229 页倒 15 行 258 页图 8.3.1 270 页图 8.6.3 273 页倒 6 行 275 页图 8.11 276 页 2 行 305 页 7 行 308 页图 9.7.2(a)图 9.7.3(b) 及 358 页实验图 11.15.2 349 页实验图 11.11.1 353 页 13 行 365 页 12 行 输出电阻越大 0.13 Rbmin=βRc=100×3kΩ=300kΩ Icm=Icccr 解 R'L= Rc//R'L=3kΩ//3kΩ=1.5kΩ 分压偏置 Rc ω<<ωβ
《电工与电子技术基础》教材勘误表A
Page40Page 46Page 51Page 58Page 68Page 80【例3.1】星形连接的对称负载，每相负载阻抗为Z=6+j8，接入线电压为u AB=3802sin(ωt+30˚)的三相对称电源，求线电流i A、i B、i C。
应改为：【例3.1】星形连接的对称负载，每相负载阻抗为Z=6+j8Ω，接入线电压为u AB=3802sin(ωt+30˚)V 的三相对称电源上，求线电流i A、i B、i C。
Page 1445.6三极管放大电路如图5. 5（a）所示，已知U CC= 12 V，R B =3 kΩ，R C =3 kΩ，三极管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值I B 、I C 、U CE ；（2）如三极管的输出特性如图5. 5（b ）所示，试用图解法求放大电路的静态工作点；（3）在静态时（u i =0）C 1和C 2上的电压各为多少？并标出极性。
应改为：5.6三极管放大电路如图5. 5（a ）所示，已知U CC = 12 V ，R B =240k Ω，R C =3 k Ω，三极管的β=40，忽略U bE 。
（1）试用直流通路估算各静态值I B 、I C 、U CE ；（2）如三极管的输出特性如图5. 5（b ）所示，试用图解法求放大电路的静态工作点；（3）在静态时（u i =0）C 1和C 2上的电压各为多少？并标出极性。
Page 1455.9 在题5.9图所示的电路中，已知U CC = 12 V ，R B =300 k Ω，R C =2 k Ω，R E =2 k Ω，三极管的β=50，r be =1k Ω。
试画出该放大电路的微变等效电路，分别计算由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数，求出U i =1V 时的U o1和U o2。
应改为：5.9 在题5.9图所示的电路中，已知U CC = 12 V ，R B =300 k Ω，R C =2 k Ω，R E =200Ω，三极管的β=50，r be =1k Ω。
《实例解读模拟电子技术完全学习与应用》勘误表-2013-11-22
《实例解读模拟电子技术完全学习与应用》勘误表由于作者水平有限、出版印刷过程中的失误，导致以下错误的发生，在此表示抱歉。
我们将不断把发现的错误更正过来。
同时非常感谢许多读者仔细地阅读给我们反馈的错误！勘误表于2013-11-22更新，适用于2013年1月第一次印刷版本中的更正1.P46，图3-18中电阻R1阻值应该为1 kΩ。
2.P47，图3-19中电阻R1阻值应该为1 kΩ，右侧计算式更正为：=⋅=⨯=+Ω+3.P49，图3-23下面一段，“R3分别为20kΩ和50kΩ。
”更正为“R3分别为25kΩ和35kΩ。
”4.P142，图8-7中，左图的“PNP型三极管”改成“NPN型三极管”5.P337，图16-14以及P339图16-16中，放大器的同相输入端和反相输入端标反了，正确应该为：6.P251，图12-10的JFET7.P254，图12-17（b）右边的应该是n-channel。
8.P275，图14-2中，左侧坐标从上往下数的第二个数值不是-0，应该是-3。
9.P321，第二段“补偿引脚消灭输入补偿电压...，可知其条件范围为±10-±15V”，这里单位错了，不是“V”是“mV”。
10.P321，第二段“LM741的输入补偿电压会随着温度...”，不是“LM741”，而是“LM741A/LM741E”。
11.P335，图16-11（b）有误，更正为：12.P366,18.3.3标题上面一段，“式中，系数a1、a2、和a1、a2、...bn”中，后面的“a1、a2、...bn”应为“b1、b2、...bn”13.P400，图19-10有小问题，现更正为：14.P445，“电阻触摸屏较其他几种触摸屏在电子产品中有更多的应用”，更正为“电阻触摸屏一度在许多电子产品中有所应用”。
15.P493，23.5标题下第一段的继电器电路符号不清楚，应该为：。
模拟电路第五版模拟勘误表(三)
电子技术基础模拟部分第五版勘误表（三）（2007.10.12～2008.7.1发现的）35页倒12行～倒9行改为：输入电阻R i ，是从输入端看进去的电阻，当电路中R 1＝R 2＝R 3＝R 4时，利用虚短（v p －v n ）→0和虚断（i i ＝0）的概念。
在（v i2－v i1）作用下，可得流入v i2端口的电流等于流出v i1端口的电流，则v i2－v i1 ＝ (R 2+R 1) i ＝2R 1i ，因此等效输入电阻为R i ＝ii1i2v v −＝12R （2.4.6）272页 1行～倒4行改为：(3) 电压增益由图6.2.7a 在负载开路时可画出差模信号的半边电路T 4、T 2的小信号等效电路如图6.2.7b 所示，图中T 1～T 4的β 和r be 值相同，则i b4 = i b3。
由图a 中c 1节点可知2i b3 + β i b3 = β i b1，即b1b1b32i i ββi ≈⋅+=。
由图6.2.7b 电路中c 2节点，按照KCL 有 0)2(2ce2o2ce4o2be id be id =−−−−r r r βr βvv v v ce2o2ce4o2be id r r r βv v v += 由此可得单端输出电压增益bece4ce2id o2d2)||(r r r βA ==v v v （6.2.20）（a ） （b ）图6.2.7（a ）有源负载差分式放大电路交流通路 （b ）差模输入半边电路T 4、T 2的小信号等效电路由式(6.2.20)可见，单端输出的电压增益接近于双端输出的电压增益，该电路的输出电阻ce4ce2o ||r r R =，差模输入电阻R id ＝2r be ；对于共模增益也有类似的结论，即单端输出的共模电压增益接近于双端输出的共模电压增益，也就是说在电路完全对称的理想情况下，单端输出的共模电压增益也为零，共模输入电阻[]o5be ic )1(221r βr R ++=，r o5是从T 5的集电极看进去的电流源的内阻。
电路与模拟电子技术 勘误表
图 2.11(a)中 R2 支路的电流 I S
(1) 大小关系
I 2 （更正图见“更正的图”文件夹
2to11） (3.14) (1) 大小关系 U m = RI m
U = RI
5
P38
U m = RI m
U = RI
(3.14)
6
P41
图 3.12(b) jBL 图 3.25(b) jX C 此时 ϕ = 0 ， u 与 i 同相，电路发生串 联谐振，式(3.82)是发生串联谐振的条 件，即
ui 、 uo
IB ≈ U CC 9 = = 30(µA) RB 300 × 103
图 7.11(b)缺“地”符号 V − U BE 4.1 − 0.7 IC ≈ I E = B = = 1.7(mA) RE 2 × 103
Xd = Xi − Xf (2) 电压、电流反馈的判别下面的第 二行中
• •
P66
11
相电压的有效值用 U p 表示，即
相电压的有效值用 U p 表示，即
U p (下标是正体)
12 13 14 15 16 17 18
P77 P86 P100 P101 P102 P106 P107
图 4.16 Z 图 5.12 图 6.3 图 6.5 图 6.6 图 6.13 图 6.14
Z1 更正图见“更正的图”文件夹 4to16 更正图见“更正的图”文件夹 5to12 更正图见“更正的图”文件夹 6to3 更正图见“更正的图”文件夹 6to5 更正图见“更正的图”文件夹 6to6 更正图见“更正的图”文件夹 6to13 更正图见“更正的图”文件夹 6to14
更正图见“更正的图”文件夹 7to11 V − U BE 4.1 − 0.6 IC ≈ I E = B = = 1.7(mA) RE 2 × 103
电路基础勘误表-正文和答案
电路基础勘误表1――正文部分1．P.37，倒数第6行，“路，而且其中受控源只能为N s 中的电压或电流”改为： “路，而且其中受控源控制量只能为N s 中的电压或电流”2．P.42，图2-37 d ）d)I sc改为：d )I sc3．P.57 图2-65 e) 图右边受控源I 改为αI4．P.73，图3-11 b ）CCωj 1-改为：C1j -5．P.73，表3-1 R 、L 、C 元件的交流电特性中的元件相量模型CCωj 1-改为：C1j-6．P.76，倒数第5行，“从电路构成来看，导纳是由电导和电纳串联组成，”改为：“从电路构成来看，导纳是由电导和电纳并联组成，”7．P.79，倒数第10行，“解 电源电流的振幅相量为U A 06Sm∠=I ，R 、L 并联的等效导纳为”改为：“解 电源电流的振幅相量为A 06Sm∠=I ，R 、L 并联的等效导纳为”8．P.93，第3行，“1）当同名端联在同一节点上时（同名端如图3 – 39a 中“.”所示）” 改为：“1）当同名端联在同一节点上时（同名端如图3 – 39a 中“*”所示）”9．P.97，图3 – 47 b ）IR L j X L112)(j Z M ω222)(j M L R ωω++改为：R L j X L11j Z M ω222)(j Z M L R ωω++10．P.97，图3-48 b ）R L112)(j Z M ω222)(j Z M L R ωω++改为：R L11j Z M ω222)(j M L R ωω++11．P.99，图3-49 b ）改为：i12．P.113图3-71改为：313. P.115 题3-29 在“R 1＝3Ω，”后加“R 2＝10Ω ，1L ω＝4Ω ，14．P.116，图3-91 c ）1Ωab改为：1Ωab15．P.117，图3-962j ωLj 1C ω改为：2j ωLj 1C ω16．P.117，图3-980°100 V4Ω改为：0°100 V4Ω17. P.146，题4-16中“ω=14rad/s ”改为“ω=104rad/s ”18．P.159，第8行，“ +++='2p152p92p33N N I I I I ” 改为： +++='2p152p92p3N N 3I I I I19．P.159，倒数第2行，“5−4 图5-12所示电路中，u S1 = 141V ，u S2 = 202cos ω t V ，i S = (2 + 202cos ω t ) A ，ω = 10rad/s 。
最新(完美版)电路勘误
前言《电路考前必做1200题》由于排版问题，出现很多不应该出现的错误，对此，衡真教育进行了及时的修正，尽量将对大家的影响减少到最小。
同时，感谢大家的理解和支持，对给大家带来的不便，深表歉意!最后，希望大家能利用好这套书，夯实自己的专业基础，考上满意的岗位。
衡真教育 2015年8月1日第一章7题答案改为B12题选项： A 2.5 2.5; B 2.5 5;C 5 2.5;D 5 5;27题题干改为CBA三点电位28题题干改为CBA三点电位45题答案改为B109答案改为B重复题目：111题干改为电动势的方向是从高电压指向低电位，即电压降的方向。
（）122题干改为关于参考方向的选取中，若参考点改变，各点电位不变，任意两点间的电压不变。
（）123题干改为电压源电流源的特性可以用电阻来衡量。
（）124题干改为使电荷运动的是电位而非电位差。
（）125题干改为如果构成电路的无源元件均为非线性原件，则称为线性电路。
（）第二章29题A 选项为31/2232题目替换为.电路如图所示，表示无限阶梯网络，其a ，b 端口等效电阻为。
A.Ω236.3B. 10 ΩC. 5 ΩD. 3 Ω题32图36题答案选D42题图中R L =Ω444题目替换为. 所示电路中，利用电源等效变换过程，求i为 。
A. 0.5AB. 2AC. 1AD. 0.125A题44图45题目替换为. 所示电路中，已知Ω==Ω==1,24321R R R R ，利用电源等效变换，求电压比s u u 0为 。
A. 0.3 B. 0.5C. 0.8D. 0.96Ω题45图k46题目选项单位为47题答案选D53题答案选BA57题答案选AD59题答案选CD71题答案选BC81题干改为等效电阻必小于任意一个并联电阻98题答案选A99题答案选B第三章9题目补图，。
A. 4 3 4B.6 3 4C.6 3 3D. 4 3 6题9图16题答案选B53题答案选ABCD107题答案选A第四章15题目补图，。
第五版模拟勘误表(四)
电子技术基础模拟部分第五版勘误表（四）
（2008.7.1～2009.7.1发现的）
页码
重要程度位置 错误
正确
受控源A v o v id 未标正负号
图7.6.3 b
在图中标注上“+”下“-” 358 一般v i 未标正负号 在图中标注上“+”下“-”
图8.2.1 a 、b 385 一般...公式（8.3.11）... ...公式（8.3.1）...
15行
394 重要脚注第2行 418 “A Pracfical Method... “A Practical Method...
一般也是Q 为0.707时的3dB 截止角频率，
5行 也是3dB 截止角频率， 419 重要式中n 为阶滤波电路... 式中n 为滤波电路... 10行 420 一般倒12行 它的电路型式很多， 它的电路形式很多， 513 一般倒1行 f H ≈3.13 MHz
f H ≈2.2 MHz
576 重要...上限频率变化约0.78倍，增益-带宽积约1.11倍 ...上限频率变化约0.75倍，增益-带宽积约1.06倍 1行 577 重要
图7.1.2 b
图7.2.2 a。
23小林电路勘误
23小林电路勘误
摘要：
一、问题背景介绍
二、勘误内容详解
1.错误描述
2.正确解答
三、总结与建议
正文：
【提纲】
一、问题背景介绍
23小林电路勘误这篇文章，主要针对的是电气工程领域中的一个小问题。
在一次电路设计与分析过程中，原作者发现了一些错误，并在本文中进行了详细的勘误。
这个问题具有一定的代表性，对于电气工程师和相关从业者来说，了解这个问题及其解决方案具有重要意义。
二、勘误内容详解
1.错误描述
在原文中，作者对一个电路元件的参数设置存在错误。
具体来说，作者误将一个电容元件的容量值设为了错误的数值。
这个错误可能会导致电路的设计和分析结果失准，影响后续的工程实践。
2.正确解答
针对这个错误，作者在文章中给出了正确的电容容量值。
同时，对电路中
其他相关元件的参数也进行了修正。
修正后的电路元件参数如下：- 电容C1：容量值为100pF，而非原文中的错误值
- 电感L1：感值为100nH，而非原文中的错误值
- 电阻R1：阻值为100Ω，而非原文中的错误值
三、总结与建议
本文针对23小林电路原文中的错误进行了勘误，并给出了正确的电路元件参数。
对于电气工程师和相关从业者来说，了解这个问题的原因和解决方案，有助于提高电路设计与分析的准确性，避免在实际工程中出现问题。
在今后的电路设计与分析工作中，建议作者和读者注意以下几点：
1.对电路元件参数进行仔细核对，确保其准确性；
2.在引用他人研究成果时，注意检查原文中的错误；
3.加强电路基础知识的学习，提高自己的分析和解决问题的能力。
模拟电子技术实验中易错问题的探讨及避免措施
模拟电子技术实验中易错问题的探讨及避免措施摘要：列举了模拟电子技术实验教学中，学生经常出现的错误，并对这些易错问题的原因进行剖析，给出一些应对措施，对于保证电子设备正常运转和保障实验教学顺利进行，具有一定的指导意义。
关键词：模拟电子技术；实验；问题分析Abstract：This paper enumerates the mistakes that the students often make in analog electronic technology experiments，and analyzes the causes of these false-prone problems. I also give some countermeasures，which are of great significance to ensure the normal operation of electronic equipment and ensure the smooth progress of experimental teaching.Key words：analog electronic technology；experiment；problem analysis相对大学物理实验来说，模拟电子技术实验需要用基础电学实验课程的一些知识以及更多的常规检测设备的使用[1]。
非传统物理相关专业的学生，比如我院的光电技术和光学工程专业的学生，在电学知识储备和通用设备使用技巧方面欠缺使得他们在完成模拟电子技术实验时显得力不从心。
一些非常实用和常见仪器（如万用表、示波器）的使用[2-3]，也需要重新学习。
对于物理专业学生来讲，在完成模拟电子技术实验同样也面临着困难，比如电路接线比电工更复杂、模拟电路的元件也比较小和脆弱。
因此也常常出现损坏和其他问题。
本文将提供模拟电子技术实验在实际教学中出现频率比较高的一些问题，逐一进行分析和探究，并给出一些应对性措施，供相关实验教学的教师借鉴之用。
电路理论基础第四版教材勘误
电路理论基础第四版教材勘误表1 28页， 习题1.18 图中受控电压源应改为“受控电流源”，正确图如下:2 37页第12行原为： 电流源与电阻并联的等效电路 改为：电流源与电导并联的等效电路 3 108页第8行和第9行原为：并联电容后的电源视在功率 2387.26S '=VA电源电流/10.85I S U ''=≈ A改为并联电容后的电源视在功率 2315.79S '=≈VA电源电流 /10.53I S U ''=≈ A3-2 117页 例题4.18根据式（4.108）……，应为式（4.93）3-3 128页，习题4.4图(c)中电感值j 15-Ω应改为j 15Ω 正确图如下:(c)4 128页，习题4.6中10C X =Ω，应该为10C X =-Ω；5 129页 图题4.9原为改为6 130页 题图4.15 原为R iU +-oU +-改为R iU +-oU +-7 132页，习题4.38中S20V U =&，100rad/s ω= 改为S200V U =∠︒&，10rad/s ω=； 7-1 141页 例题 第三个公式应为A C U ''8 170页，习题6.2中用到了谐振的概念来解题，在本章不合适，另换一个题。
将原来的题改为：6.2 图示RLC 串联电路的端口电压V )]303cos(50cos 100[11ο-+=t t u ωω，端口电流A )]3cos(755.1cos 10[1i t t i ψωω-+=，角频率3141=ωrad/s ，求R 、L 、C 及i ψ的值。
u+-图题6.29 194页7.6 RLC 串联电路的谐振频率为876Hz ，通频带为750Hz 到1kHz改为7.6 RLC 串联电路的谐振频率为875Hz ，通频带宽度为250Hz ， 10 255页，图9.2（c ）中的附加电源错，正确图如下：(c)-+)(s U C11 273页，习题9.18中 211R =Ω改为 210R =Ω 12 346页第六行公式有错，书中为00(d )d (d )d (d )i u i i x G x u x C x u x x x t x∂∂∂∂-+=+++∂∂∂∂改为00(d )d (d )d (d )i u u i i x G x u x C x u x x x t x∂∂∂∂-+=+++∂∂∂∂ 13 372页c S c Z u u R Z +=+应为c S 1cZ u u R Z +=+ 13 375页图题13.12中，线段24应加粗（表示传输线）14 378页式（A.1） 改为B v f ⨯=q （解释：即f 为黑体，表示为矢量） 15 378页 倒数16行至14行中的f 均改为黑体来表示矢量，即将这三行中的f均改为黑体。
《模拟电子技术基础》勘误表2013
Rt rbe (1 ) Re
共射放大电路
（4.2.6）
Ri rbe (1 ) Re
图 4.2.2 图中的虚线少画一根 （4.2.6）
第 4 行：例如，式 4.1.29 中就是把流过 式（4.4.14） ： I DQ I DSS (1
VGSQ VP )2
例如，式 4.2.5 中就是把流过 共射放大电路 输出端加一极性电容
即，放大电路引入并联负反馈后，输 入电阻减小到 (1 AF ) 倍
P270
式 8.6.5：
X id X i X f X X i f
F 1 时 ， 使 A
此式用绝对值的表达有误
P271
第 5 行（2）当
当
F 1 A
时
，
使
a f (2n 1) （n 为整数） 。
P142
图题 4.29：图中 Rb11 和 Rb12 的位置
图题 4.29 电路图中新书的 Rb11 和 Rb12 倒，建议： 可将已知电路值倒过 来
P T1 (max) P T2 (max)
*
P185 P186 P204 P207
P T (max) P T (max)
（4） ：将 V om 代入式 6.2.2 得
反馈深度p264倒数第3也就是说放大电路引入串联负反馈后输入电阻增加也就是说放大电路引入串联负反馈后输入电阻增加到p265即放大电路引入并联负反馈后输入电阻减小即放大电路引入并联负反馈后输入电阻减小到p270式865
《模拟电子技术基础》教材勘误表 页 P43 P45 P70 P72 P73 新书： 式 2.4.3
由于输入失调电流 IIO 很小 -1000 与式 9.2.11 只差一个负号 图 9.2.9 例 9.2.3 电路图
《模拟电路分析与设计基础》勘误表
《模拟电路分析与设计基础》勘误表第1章 半导体材料及二极管页数 行数 错误 改正P5 倒数第6行 o d o n N p =+ 226316351010/510/d N cm cm -=⨯⨯=⨯ P11 正数第16行 4T v V = T v V >>P12 倒数第13行 4D T v V = D T v V >>P12 倒数第11行 s s i I ≈- D s i I ≈-P18 正数第7行 D ON v V ≥ D ON v V >P20 倒数第2行 2cos 3t ωπ⋅⋅⋅--⋅⋅⋅ 2cos 23t ωπ⋅⋅⋅--⋅⋅⋅ P21 图1.24(b) B r V V + B ON V V +P27 倒数第9行 min max z z I I I ≤≤ min max z z z I I I ≤≤P28 正数第3行 0.0941%9o o VV ∆±==± //0.094(//)z L o I z L r R V V V R r R ∆=∆=±+ 0.0941%9o o V V ∆±==± P29 公式（3）中 min L I max L IP29 正数第7行 Im Im Im ()0.1()ax z in z ax z V V V V V V ---- Im max Im Im ()0.1()ax z L in z ax z V V I V V V V ---- P31 倒数第2行1J C ω可以与d r 相比较 1J C ω可以与d r 相比拟 P35 倒数第7行 金属中少子 金属中少数 P39 题图1.10 D 2箭头向下 D 2箭头向上P40 题1.13 没有给出I V 的值 20I V V = P41 题1.18 题中所给出的参数不合适 修改如下1．18设计一稳压管稳压电路，要求其中的直流输入电压I V 系由汽车上铅酸电池供电，电压在12~13.6V 之间波动。
《模拟电子电路基础》勘误表
P299， 式
9.2.21
，
“
UO U REF ( I ADJ
U REF ) R2 R1
”
应
改
为
“ UO U REF ( I ADJ
U REF ) R2 ” R1
P315， 题 9.6 图，VT3 下端集电极应和地相连 P316， 题 9.11，题目条件中加入“U23= U22=20V” P318， 题 9.17， “两个恒流源电路分别如题 9.16a、b 图所示”应改为“9. 17” P322 P324 P325 倒4行 倒4行 图 10.2.2 βVCEO 大是话筒 U（BR）CEO 大的话筒
P353
图 11.3.5 a）应改为
P356， 题 11.5b）图中加一连接点，如下图
P356
题 11.5c）图删除，d）图标号改为 c） ，e）图标号改为 d） 。
+ Ube0
－
gm0Ube0 rbe0 rce0 it
R
rce1
gm1Ube1 + Ube1
－
+
ut
rbe1 rD2
P222， 正数第六行“IREF=(VCC-UBE2)/R”更改为“IREF=(VCC-UBE3)/R” 。 例 7.2.2 上面的两个公式中的“rce3”更改为“rce1” ， “rbe3”更改为“rbe1” 。 P230， 倒数第 13 行“而输出电流为 IE” ，更改为“而输出电流为 IEE” 。 P232， 倒数第 16 行“电流为 2ib3+βib3=βic1，即 ib3=[β/(2+β)]i1≈ic1”，更改为 “2ib3+βib3=ic1，即 ib3=[1/(2+β)]ic1≈ib1”。 P234， 倒数第 13 行中“同时带有负载的…”更改为“同时带有源负载的…”。 图 7.3.13 中 M1 管的箭头错误，正确的表示如下所示。
勘误表f
《电工电子技术基础》勘误表第1章1、p1页：倒数1行，将R S改为R i；U i改为U S2、p11页：倒数14行，将“电阻值”改为“电导值”3、p18页：图1-25图标后加“电路”二字，即“图1-25 电阻并联及其等效电路”4、p20页：7行，加R4-5、p21页：图1-30中的I2及方向移出圆外右侧。
6、p23页：2行，I1＝—7/3A；I2＝11/3A；3行，将—16V改为—14/3V7、p24页：3行，改为负号，即4行，I1改为I28、p28页：倒数2行，将e改为op29页：1行，图1-42（b）中将e改为o9、p30页：（题1.12）倒数1行，将R2改为R L10、p32页：（题1.21）题1.21图中，将I3改为I ；（题1.22）题1.22图中，补充条件U S1=3V，U S2=3.6V；（题1.24）题1.24（d）图中，6V恒压源上加电源符号，上为“+”，下为“—”第2章1、p42页：第10行Q´= UI=120×…改为Q´= UI´=120×…〖例2.7〗中，将X C的计算下移，补2、p51页：去掉倒数第4行3、p54页：〖例2.11〗16行将36.9°改为53.1°18行将156.9°改为173.1°；将83.1°改为66.9°4、p56页：19行将电流改为电源5、p59页：图2-26改为6、p67页：（题2.26），倒数第4行中，后二个u UV改为u VW和u WU5、p68页：（题2.32），倒数第1行中，去掉“无”第3章1、p72页：7行R m等式改为表3-1电路的R等式改为2、p73页：倒数12行U m等式改为U m= 2πfNΦm3、p76页：1行式3-13中K改为k4、p81页：将“不慎将低压侧误接到220 V的交流电源上”中的“220 V”，改为“1100 V”第4章1、p91页：第15行中，将“T m”改为“T M”，后面p94（倒数7行）、p95（3、4行）、p118（8行，题4.7）同理第5章1、p121页：图5-4（b）中将外电场方向由右改为左2、p139页：图5-25（b）图标N沟道“增强型”改为“耗尽型”（c）N沟道耗尽型改为增强型3、p144页：（题5.7）将（1）“I＝0.4A”改为“I＝0.4mA”第6章1、p149页：式（6-10）中改为u o＝u ce＝－i c R C＝I cm R C sin（ωt－π）1、p151页：（倒数第8行）增加“R L＝18kΩ”2、p152页：（第7行）将“i B＝20sinωtμA”改为i B＝I BQ＋i b＝40＋20sinωt（μA）（第9行）将“u CE＝V CC－i C R C”改为u CE＝V CC－i C R C´（倒数第8行）将“在1.5～4.5mA之间”改为“在1～3mA之间”；将“i C＝1.5sinωt mA”改为“i c＝sinωt mA”。
模电实验反思总结
模电实验反思总结引言在模电实验中，通过实际操作与实验的结果与数据分析，我们能够更好地理解和掌握电子电路的原理和设计方法。
然而，在实验过程中，我们也会遇到一些问题和困惑。
本文将对模电实验过程中的一些反思和总结进行探讨，并提出进一步改进的建议。
实验一：二极管的静态特性测量反思与总结在实验一中，我们通过测量二极管的静态特性，了解了二极管的开启压降和温度特性。
然而，在实验中，我们发现了一些问题。
首先，在测量二极管的开启压降时，我们可能会遇到测量误差较大的情况。
这可能是由于实验仪器的精度问题，也可能是由于测量时电路连接不良，导致电压测量值的偏差。
为了减小这些误差，我们可以选择更精确的实验仪器，并在实验过程中加强电路连接的质量控制。
其次，在温度特性的测量中，我们发现了在不同温度下二极管的电压变化不是很明显。
这可能是由于我们选取的温度范围不够大，或者是温度的变化速度不够快导致的。
为了准确测量二极管的温度特性，我们可以选择更大范围的温度变化，并控制变温速度。
改进建议为了提高实验的准确性和可靠性，我们可以采取以下改进措施： 1. 使用更精确的实验仪器，以提高测量的精度。
2. 加强电路连接的质量控制，避免由于接触不良导致的测量误差。
3. 扩大温度变化的范围，并控制变温速度，以更准确地测量二极管的温度特性。
实验二：放大电路的直流特性反思与总结实验二中，我们学习了放大电路的直流特性，并通过测量直流电平与输入电压的关系，验证了放大电路的放大倍数和输入输出特性。
然而，在实验过程中，我们也遇到了一些问题。
首先，在测量放大倍数时，我们可能会遇到误差较大的情况。
这可能是由于实验仪器的精度问题，也可能是由于电路连接不良导致的。
为了减小这些误差，我们可以选择更精确的仪器，并加强电路连接的质量控制。
其次，在输入输出特性测量中，我们发现输出电压并未完全线性变化。
这可能是由于电路参数的不理想造成的，例如特定的元器件误差或偏置电流偏差。
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● 第一章第1页图1.1和1.2中坐标加上箭头 第2页图1.3和1.4中坐标加上箭头 第5页第四行“（1.1”改为（1.11） 第6页图1.9中坐标加上箭头 第7页题1.2“它被连接在电阻为100k Ω、开路电压为10mV 的信号源和100Ω之间”改为“它被连接在内阻为100k Ω、开路电压为10mV 的信号源和100Ω负载之间” 图题1.2中坐标加上箭头● 第二章第9页图1.9中坐标加上箭头 倒数第9行“O v v v A +--=”改为“O v v v A+--=” 第10页 式（2.9）改为oo 1i 2121//(//)(//)1(//)i i r R R r R A R r R R r =+++第11页“3.同相组态的输出电阻”里的o o 1i 2//(//)R r R r R =+ 改为oo 1i 2121//(//)(//)1i i r R R r R A R r =++第13页式（2.16）中的R 2改为R 3 图2.14中的A 3交换+、-号位置 第14页图2.15中R 1改为R 图2.16中坐标加上箭头 第15页图2.17中R 1改为R “微分电路应用广泛”去掉 图2.18中坐标加上箭头第16页第5行中的“I Omax /v V A >或I Omin /v V A <时，运放将达到输出饱和电压，V Omax 和V Omin分别在正负电源的1V 左右”改为“I Omax /v v A >或I Omin /v v A <时，运放将达到输出饱和电压，v Omax 和v Omin 分别在正负电源的1V 左右” 第19页图2.5、2.6和2.7中坐标加上箭头● 第三章第27页图3.8中坐标加上箭头第28页图3.9和3.11中坐标加上箭头 第29页图3.12和3.13中坐标加上箭头 第31页图3.16和3.18中坐标加上箭头 第32页图3.19和3.21中坐标加上箭头 第33页图3.23中坐标加上箭头第34页第5行改为“当i 3V v <-时，io DD 333V v v r R r --=-⨯-≈-+；”图3.25（b第37页题3.7题目改为“电路如图题3.4所示。
（1）V +=5V ，利用恒压降模型求电路的I D 和v o ；（2）在室温条件下，V +有ΔV +的变化利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
”图题3.4中V DD 改为V +第38页图题3.7中VD Z2上下掉个方向第四章勘误表 第4章所有坐标轴的箭头都没有加，需加上！ 本章中所有的总电压增益Gv 改为AvsP45，式4.8 ()D nGS t DS W i k v V v L'≈- P46，式4.11 ()()()22DS D nGS t n GS tDS A 111122v W W i k v V k v V v LV L λ⎛⎫''=-+=-+ ⎪⎝⎭P46，1A V λ=-改为1AV λ= P48,'21()(1)2DS D n GS t A v W i k v V L V =--改为'21()(1)2DS D n GS t Av W i k v V L V =-+ P49，图4.18（c ）改为GS t v V >（截止）>图4.18 （c ）P50,图4.19中PMOS 的两个N +改为P +，S 和D 的位置互换。
P52 “2.vDS 对iD 的影响”这部分中第二段第二行“近源极端的电压v GS 最小”改为“近源极端的电压|v GS |最小”P53图4.25中曲线与纵轴的交点4mA 处标注DSS I 。
P54, 式4.18 2GS DS D DSS t A 11v v i I ⎛⎫⎛⎫=-+ ⎪⎪⎝⎭⎝⎭P54 , 4.3.1节第5行中：则需要将工作点选取在饱和区和截止区，如果是设计放大电路，则应将工作点选取在放大区。
改为：则需要将工作点选取在变阻区和截止区，如果是设计放大电路，则应将工作点选取在饱和区。
P55,图4.27中直流电压源GG V 符号的正负极性位置调换，电压标注为上正下负。
P57，例4.1的题4 目中新增条件：'21/,1nt Wk mA V V V L== P65，习题4.1 （V DS <0V ，V GS <V t ）P65, 习题4.3转移特性曲线改为输出特性曲线P6.5，习题4.41t V V =和2GS V V =中间增加“当工作在变阻区时” P66, 图题4.1（b ）最下面3GS V V =-改为2GS V V =- 习题4.8场效应管放大器如图题4.3所示。
n k '(W /L )=0.5mA/V 2，t 2V V = （1）计算静态工作点Q ；（2）求A v 、A vs 、R i 和R o 。
2图题4.3P66, 习题4.94.9 图题4.4所示电路中FET 的t 1V V =，静态时I DQ = 0.64mA ，nk '(W /L )=0.5mA/V 2求： （1）源极电阻R 应选多大？（2）电压放大倍数A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o ； （3）若C S 虚焊开路，则A v 、R i 、R o 为多少？图题4.4P67, 习题4.10,图修改如下(30)SS V V --图题4.5P67, 习题4.11,图修改，V p 改为V tP67,习题4.12 对于图题4.7所示的分压偏置电流改为分压偏置电路。
3.5p V V =-改为 3.5t V V =-P68, 习题4.16图修改2G R 1G R图题4.11 P69, 习题4.184.18 对于图题4.13所示的共栅极电路，2/m g mA V =：（1）确定A v 和G v ；（2）R L 变为2.2k Ω，计算A v 和A vs ，并说明R L 的变化对电压增益有何影响； （3）R sig 变为0.5k Ω（R L 为4.7k Ω），计算A v 和A vs ，说明R sig 的变化对电压增益有何影响。
SV +-18VOV图题4.13.P69 习题4.19已知图中NEMOSFET 参数为,,输入信号电压有效值为10mV ，则（1）计算图中所示的级联放大器的直流偏置、输入电阻、输出电阻及输出电压； （2）如果输出端负载为10k ，计算其负载电压。
iv ov Fμ05.0SS (5)SS V V -P69, 习题4.20，增加条件G 10R M =Ω，35S R k =Ω，35D R k =Ω第五章勘误表本章中所有的总电压增益Gv 改为Avs P71，图5.2图5.2 放大模式下NPN 晶体管电流示意图 P73, 式（5.15）下增加 可以推出集电极电流可表示为 p73,图5.4中b 图D R 改为C R ，晶体管的箭头应由基级指向I v 这端。
P74, 倒数第三行公式修改为 P74, 最后一行公式修改为 P76 图5.8中的V G 改为V BP77，图5.11箭头方向修改，如下图P79，在假设成立下增加：该例题两种方法的计算误差为11%，主要原因是这道题目不满足条件，通常在工程上认为”<<”至少在10倍以上，本题在9倍左右，因此该题误差超过了10%。
严格来讲，在本题的条件下不能采用近似方法求解。
图5.13，v be ，v gs 改为v π，见下图：BE Tv V c s I I e =1C o CE i r v -∂⎡⎤≡⎢⎥∂⎣⎦(1)BET v VCE C s Av i I e V =+(1)B E R R β<<+πv倒数第6行、第7行，式（5.23），倒数第3行中的v be 均改为v π P80, 图5.14，式（5.25）中中的v be 均改为v π式(5.26)下面一行V T =26mV 改为25mV ；再下面一行“C Ao CE C i V r V I ∂==∂”改为“1C A o 'CE C()i V r V I -∂==∂” 图5.15(a)中的v gs 改为v πP81, 图5.17（a ）中R s 改为 R E ，C s 改为C E 图5.17（b ）中，i i 下需加一指向三极管的箭头 P83, 图5.19(a)中-V SS 改为-V EE第4行R in 改为R i , 式（5.36）A v 改为A voP84, 式（5.43）R D 改为R C P85，式（5.45）、（5.47）R D 改为R C图5.21（a ）(b),R in 改为R i , R out 改为R o , (b)图受控源箭头方向标反，原R o 改为R o ‘,i b 标方向，见下图图5.21 （b ）图5.21下一行和式（5.49）中R in 均改为R i , P86，图5.22受控源箭头方向标反，见下图第五章习题习题5.5加条件V CEQ =5V习题5.6“温度升高40℃、降低60℃两种情况下的V CEQ 值”这句话去掉习题5.7“求基极、集电极和发射极的直流电流”改为“求基极、集电极和发射极的直流电压”习题5.8，加条件100β=习题5.12中的图题5.10图中三极管集电极与电阻R B1连接点去掉，修改如下图题5.10习题5.13，“微变等效电路”改为“小信号等效电路” 习题5.16，I = 1mA 去掉，图题5.14改为BR E R LR习题5.17，增加条件100β=增加三道习题如下：5.19放大电路如图所示，已知该电路的静态工作点位于输出特性曲线的Q 点处。
1．确定R c 和R b 的值（设V BEQ ＝0.7V ）；2．为了把静态工作点从Q 点移到Q 1点，应调整哪些电阻？调为多大？若静态工作点移到Q 2点，又应如何调整？iv ov (12)V V图5.195.20 已知图示电路中的晶体管50β=，调整R b2使静态电流CQ I 1mA =，所有电容对交流信号可视为短路。
1．求该电路的电压放大倍数Av ；2．若晶体管改换成100β=的管子，其它元件不变，则Av 将发生什么变化？（约增大一倍，约减小到原有的12，基本不变）(12)CC V V iv ov题图5.205.21 如题图5.21所示，Vcc=9V, 127ΩR k =，215ΩR k =， 1.2ΩE R k =， 2.2Ωc R k =，100β=，100A V V =，求E I 。
如果放大器接有10Ωsig R k =的信号源和2Ωk 的负载，求v A ，i R 和o R图题5.21第6章本章中大部分MOSFET 符号在编辑重画是给画错了，请自行修正，正确的符号参见第四章。
第94页式（6.19）中的R 改为R REF第96页式（6.28）中的v d1和v d2改为“v D1”和“v D2” 第97页式（6.38）改为“od1od2D o //R R R r ==”第98页图6.13（a ）中的I 改为I SS式（6.49）改为“icm R =∞”，式（6.50）改为“ocm1ocm2D R R R ==” 6.23、6.24 第100页式（6.68）改为“od1od2C o //R R R r ==”第101页图6.19（a ）中的I 改为I EE第102~104页图6.21和6.22中坐标加上箭头，I 改为I SS ，图6.23和6.24中坐标加上箭头，I 改为I EE第106页图6.27（a ）、（c ）中的VT1改为第107页图6.29中电流源边上叫标注“I REF ” 第109页式（6.105）改为“m o2o4(//)vd A g r r =” 第110页式（6.121）改为“m o2o4(//)vd A g r r =”第113页 6.7节中的V IO 全都改为V OS ，I IO 改为I OS ，共八处第114页题6.3中的“V GS(th)=2V ”改为“V t =2V ”，图题6.3中“V DD （2V ）”改为“V DD （5V ）” 第115页题6.7中的“BE 0.7V =V ”改为“BE ||0.7V V =”第116页题6.12在“G1id =v v ”后加一个条件，“'20.8,(/) 3.5/tp p V V k W L mA V =-=”题6.13（3）中V i 改为v i ，图题6.11中第三个BJT 旁边加注VT 3，稳压管电压“V Z =5.3V”改为“V Z =5.4V”第117页题6.15和题6.16中的Rin 改为Ri第7章功率放大器1、图7.1、7.3、7.4、7.5、7.7、7.10的坐标箭头没有画；2、p121，式7.3和式7.5，及文字和图7.3中的1()CE sat v 和2()CE sat v 中的v 均改为大写V ；3、p121，图7.2和图7.3中EE V -改为CC V -；4、p122，式7.6中om P 改为L P ；5、p122，“假设CC EE V V =”这句话删除；6、p122，式7.7中EE V 改为CC V ；7、p122，2、转换效率下面第2行中“且CC EE V V =”这句话删除； 8、p123，式7.12中om P 改为L P ；9、p125，例7.1中()CE sat v 均改为()CE sat V ，o P 改为L P ； 10、p126，式7.24中所有的be r 和be v 均改为r π和v π；11、p128，图7.16中，在1R 支路上标注电流参考方向——“向下”，并注明电流大小为R I ； 12、p131，1、晶体管的最大管耗DM P 改为CM P ，max 0.2DM L P P >改为max 0.2CM L P P >； 13、p131，最大管压降()BR CEO v 改为()BR CEO V ；()2BR CEO CC v V >改为()2BR CEO CC V V >； 14、p132，例7.2中3DM P W =和()30BR CEO v V =改为3CM P W =和()30BR CEO V V =； 15、p132，()22430CEM CC BR CEO v V V v V ==<=改为()22430CEM CC BR CEO V V V V V ==<=16、p133，“FET 虽然没有直流失调电压的因素”改为“FET 虽然没有直流失调电流的因素”； 17、习题7.3，要求电路在负载低到100Ω时晶体管1VT 电路的电流变化率不超过10%，新增“1VT ”和“%”；18、习题7.7，PNP 改为NPN ；19、习题7.8，“（1）正负电源CC V 的最小值”改为“（1）正负电源CC V 的值”；“（3）每个管子允许的管耗CM P 的最小值”改为“每个管子允许的管耗DM P 的最大值；20、习题7.11（2）“则1VD ”改为“则1VT ”；图题7.4中vi 应接到VT2的基极，断开vi 与VD1阴极的连线21、习题7.12的图7.5中，断开运放输出端和二极管之间的导线，在运放输出端和2VD 阴极之间连接一根导线。