部分高频场效应管参数
场效应管系列参数
场效应管系列参数上一页场效应管系列参数(1)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位IRF530*N100V14A88W<0.16GDS IRF540*N100V28A150W<77m GDS IRF630*N200V9A74W<0.4GDS IRF640*N200V18A125W<0.18GDS IRF644*N250V14A125W<0.28GDS IRF730*N400V 5.5A74W<1.0GDS IRF740*N400V10A125W<0.55GDS IRF830*N500V 4.5A74W<1.5GDS IRF840*N500V8A125W<0.85GDS IRF1010E*N60V81A170W<12m GDS IRF2807*N<GDS IRF3205*N55V110A200W<8m GDS IRF3710*N<GDS IRFP054#N60V70A230W<14m GDS IRFP064#N60V70A300W<9m GDS IRFP140#N100V31A180W<77m GDS IRFP150#N100V41A230W<55m GDS IRFP240#N200V20A150W<0.18GDS IRFP250#N200V30A190W<85m GDS IRFP260#N200V46A280W<55m GDS IRFP264#N250V38A280W<75m GDS IRFP350#N400V16A190W<0.3GDS IRFP360#N400V23A280W<0.2GDS IRFP450#N500V14A190W<0.4GDS IRFP460#N500V20A280W<0.27GDS IRFZ44N*N60V50A150W<28m GDS IRFZ46N*N50V50A150W<24m GDS IRFZ48N*N60V50A190W<18m GDS IRFZ24N*N60V17A60W<0.1GDS场效应管系列参数(2)型号沟道类型耐压（V）V电流( I ) A功率(PD/P沟)W内阻(Rds)脚位2SK30N NF/Uni,Ra50V Idss>0.3ma Up<5v DGS 2SK117N NF/ra,50V Idss>0.6ma Up<1.5v<SGD 2SK701N60V+_2A15W<0.6R SDG 2SK702N100V+_5A50W<0.45R GDS 2SK703N100V+_5A35W<0.45R GDS 2SK787N900V+_8A150W<1.6R GDS 2SK790N500V15A150W<0.4R GDS 2SK792N900V3A100W<4.5R GDS 2SK794N900V5A150W<2.5R GDS 2SK827N450V+_18A150W<0.38R GDS 2SK832N900V+_4A85W<4R GDS 2SK851N200V30A150W<85mr GDS 2SK957N900V2A40W<8.5R GDS 2SK962N900V8A150W<2R GDS 2SK1019N450V35A300W<0.2R GDS 2SK1020N500V30A300W<0.25R GDS 2SK1082N800V7A125W<2.2R GDS 2SK1117N600V6A100W<GDS 2SK1118N600V6A45W<GDS 2SK1119N1000V4A100W<GDS 2SK1120N1000V8A150W<GDS 2SK1169N450V20A120W<0.25R GDS 2SK1170N500V20A120W<0.27R GDS 2SK1271N1400V+_5A240W<4R GDS 2SK1317N1500V 2.5A100W<12R GDS 2SK1358N900V9A150W<1.4R GDS 2SK1359N1000V5A125W<3.8R GDS 2SK1426N60V100A200W<12mr GDS 2SK1500N500V+_25A160W<0.25R GDS延吉市大众摩配商店版权所有。
常用高频场效应管参数
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
－
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
－
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
－
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
－
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
－
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
－
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz
N-02
MOS双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
四、高频场效应管
GaAs微波低噪声场效应管适用于卫星接收及微波通信等
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
场效应管参数及应用
场效应管参数及应用场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用来放大电信号或者作为开关的电子器件。
它是一种三端口的半导体器件，由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）组成。
FET有多种类型，其中最常见的是金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），还有金属-半导体场效应管（MESFET）和绝缘体-半导体场效应管（JFET）。
场效应管具有以下几个重要参数：1.漏极-源极饱和电流（IDSS）：在栅极短路时，漏极-源极之间的电流。
它是FET的最大电流值，一旦超过该值，FET可能会损坏。
2. 开启电压（VGS(th)）：当栅极电压达到一定值时，FET开始导通。
这个值被称为开启电压，它决定了FET的灵敏度和工作状态。
3.增益（μ）：增益是指FET输出电流与输入电流之比。
它决定了FET的放大效果，即输入信号经过FET放大后的输出信号强度。
4.漏极电流（ID）：漏极电流是FET的输出电流，也是通过FET的电流。
它取决于栅极电压和源极电压。
5. 最大电源电压（VDSmax）：FET能够承受的最大漏极-源极电压。
一旦超过该值，FET可能会损坏。
6.漏极电导（gDS）：漏极电导是指当FET处于导通状态时，漏极电流随漏极电压的变化率。
它决定了FET的开关速度和功耗。
场效应管在电子设备中有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.放大器：FET作为放大器能够放大弱小的输入信号，并产生强大的输出信号。
它常用于音频放大器、射频电路和功率放大器等领域。
2.开关：由于FET具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此它可以作为开关用于控制电流流动。
它广泛应用于数字电路、模拟电路和功率开关等领域。
3.模拟开关：FET在模拟开关电路中起到将模拟信号发送到特定路径的作用。
它通常用于电路选择、模拟开关和模拟复用等应用。
4.振荡器：FET可以用作振荡器，产生连续振荡信号。
它通常用于无线电设备和通信系统中的频率合成器和本地振荡器。
部分场效应管型号用途参数
部分场效应管型号用途参数型号材料管脚用途参数3DJ6 NJ 低频放大20V0.35MA0.1W2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118)2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.22SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.22SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.82SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US50 2SK1379 NMOS GDS 激励,开关60V50A150W78/640nS0.0172SK1387 NMOS GDS 激励,开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388 NMOS GDS 激励,开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.52SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.22SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励,开关500V18A150W120/210nS0.362SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.072SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.402SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.12SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055 BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 N MOS GDS 开关600V120AIRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3 IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60A NMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50 NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60A NMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60A NMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动。
80n07场效应管参数
80n07场效应管参数80N07场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子设备中。
80N07是一种常见的场效应管，本文将介绍其相关参数。
1. 导通电阻（RDS(on)）：导通电阻是指场效应管在导通状态下的电阻大小。
对于80N07场效应管来说，其导通电阻为80mΩ。
导通电阻的大小决定了场效应管的导通能力，导通电阻越小，场效应管的导通能力越强。
2. 最大漏源电压（VDS）：最大漏源电压是指场效应管能够承受的最大漏源电压。
对于80N07场效应管来说，其最大漏源电压为75V。
超过这个电压值，场效应管可能会损坏。
3. 最大漏源电流（ID）：最大漏源电流是指场效应管能够承受的最大漏源电流。
对于80N07场效应管来说，其最大漏源电流为80A。
超过这个电流值，场效应管可能会过载而损坏。
4. 阈值电压（VGS(th)）：阈值电压是指场效应管的控制电压达到一定值时，场效应管开始导通的电压。
对于80N07场效应管来说，其阈值电压为2-4V。
当控制电压大于等于阈值电压时，场效应管开始导通。
5. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管的输入端电容。
对于80N07场效应管来说，其输入电容为3800pF。
输入电容的大小影响场效应管的响应速度和输入电路的带宽。
6. 输出电容（Coss）：输出电容是指场效应管的输出端电容。
对于80N07场效应管来说，其输出电容为790pF。
输出电容的大小影响场效应管的开关速度和输出电路的带宽。
7. 反馈电容（Crss）：反馈电容是指场效应管的漏极和栅极之间的电容。
对于80N07场效应管来说，其反馈电容为190pF。
反馈电容的大小影响场效应管的高频特性和稳定性。
80N07场效应管具有较低的导通电阻、较高的最大漏源电压和最大漏源电流，适用于高功率应用。
其阈值电压较低，需要较小的控制电压即可导通。
此外，80N07场效应管的输入电容、输出电容和反馈电容较小，有利于提高开关速度和频率响应。
irfpg50场效应管参数
irfpg50场效应管参数IRFPG50场效应管是一种常用的功率场效应管，具有许多重要的参数。
本文将介绍IRFPG50场效应管的主要参数及其意义。
首先，IRFPG50场效应管的最大漏极电流（ID）是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极电流。
这个参数决定了场效应管的功率处理能力。
如果超过了最大漏极电流，场效应管可能会过热并损坏。
其次，IRFPG50场效应管的漏极-源极电压（VDS）也是一个关键参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个电压，场效应管可能会发生击穿，导致损坏。
因此，在设计电路时，需要确保VDS不超过IRFPG50的额定值。
另一个重要的参数是IRFPG50场效应管的栅极-源极电压（VGS）。
它表示在特定的工作条件下，场效应管的栅极-源极电压范围。
超过这个范围，场效应管可能无法正常工作。
因此，在使用IRFPG50场效应管时，需要确保VGS在规定的范围内。
此外，IRFPG50场效应管的导通电阻（RDS(on)）也是一个重要的参数。
它表示在特定的工作条件下，场效应管导通时的电阻。
导通电阻越小，场效应管的导通能力越好，功率损耗也越小。
因此，在功率放大电路中，选择低导通电阻的场效应管可以提高效率。
最后，IRFPG50场效应管的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也是需要考虑的参数。
输入电容表示场效应管的栅极和源极之间的电容，输出电容表示场效应管的漏极和源极之间的电容。
这些电容会影响场效应管的频率响应和开关速度。
因此，在高频应用中，需要选择具有较小输入和输出电容的场效应管。
综上所述，IRFPG50场效应管的参数对于电路设计和性能优化非常重要。
最大漏极电流、漏极-源极电压、栅极-源极电压、导通电阻、输入电容和输出电容都需要在设计中合理考虑。
只有充分理解和正确使用这些参数，才能充分发挥IRFPG50场效应管的优势，实现高效、稳定的电路设计。
常用功率场效应管参数大全
常用功率场效应管参数大全功率场效应管（Power MOSFET）是常用的功率驱动器件之一，具有高效率、低开关损耗、低驱动电流等优点，广泛应用于功率放大、开关、驱动等领域。
下面将介绍功率场效应管的常用参数。
1.静态参数静态参数用于描述功率场效应管在静止状态下的性能。
(1) 雅功耗（Drain Power Dissipation，Pd）：指功率场效应管在规定条件下最大允许的耗散功率。
(2) 雅耗（Gate Efficacy，η）：指单位面积底板的立体角功率。
(3) 雅-换算导热阻（Outlet Thermal Resistance，Rth,j-ch）：指从场效应管的结到环境之间的温度差与单位功率热流之比。
(4) 输入电容（Input Capacitance，Ciss）：指场效应管的栅结与源结之间的电容。
(5) 输出电容（Output Capacitance，Coss）：指场效应管的漏结与栅结之间的电容。
(6) 反馈电容（Feedback Capacitance，Crss）：指栅结与源结之间的电容。
(7) 静态栅极电压（Gate-Source Voltage，Vgs(th)）：指场效应管在截止与导通之间的栅极电压。
(8) 静态漏极电流（Drain Current，Idss）：指场效应管在最大栅极电压下的静态漏极电流。
2.动态参数动态参数用于描述功率场效应管在动态工作状态下的性能。
(1) 开启时间（Turn-on Time，ton）：指从场效应管的栅极电压上升到90%的开启电平所需的时间。
(2) 关断时间（Turn-off Time，toff）：指从场效应管的栅极电压下降到90%的关断电平所需的时间。
(3) 正向传导电阻（Forward Transconductance，Gfs）：指场效应管在导通状态下，输出电流与栅极电压之间的比值。
(4) 带宽（Bandwidth）：指场效应管在特定条件下能够放大信号的频率范围。
场效应管参数含义
场效应管参数含义场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种控制输入电压来改变输出电流的三极管。
它具有高输入电阻、低输出电阻、高放大倍数等优点，被广泛应用于电子电路中。
场效应管具有许多参数，这些参数描述了场效应管的特性和性能。
以下是常见的场效应管参数及其含义：1.静态参数：静态参数用于描述场效应管在静态条件下的性能。
a.静态射极漏电流（IDSS）：这是指在封装器件上限制的条件下，栅极短路时漏极到源极的电流。
这是场效应管关闭时的最大漏电流。
b. 确定工作点的零（平衡）栅极-漏极电压（VGS(off)）：这是指当漏极电流为零时，栅极到源极的电压。
该参数用于确定场效应管工作在关闭状态的电压范围。
c.漏极电流温度系数（IDSSTC）：这是指在特定温度下，封装管子样品的射极漏电流变化的率。
它表示了温度变化对射极漏电流的影响。
2.动态参数：动态参数用于描述场效应管在动态响应下的性能。
a. 输入电容（Ciss）：这是指由于栅极-源极间有载流注入或抽出而导致的输入电容。
它与场效应管的输入电流和电压变化相关。
b. 输出电容（Coss）：这是指由于漏极-源极间有载流注入或抽出而导致的输出电容。
它与场效应管的输出电流和电压变化相关。
c. 反转传输电容（Crss）：这是指由于栅极-源极和漏极-源极间电流注入或抽出而导致的电容。
它与场效应管的电流和电压变化相关。
d. 开关时间（Ton，Toff）：这是指场效应管从打开到关闭或从关闭到打开所需的时间。
这些参数决定了场效应管在开关应用中的速度和效率。
3.最大参数：最大参数用于描述场效应管在特定工作条件下的极限值。
a.最大耐压（VDS）：这是指场效应管可以承受的最大漏极-源极电压。
超过这个值可能会导致器件损坏。
b.最大漏极电流（ID）：这是指场效应管可以承受的最大漏极电流。
超过这个值可能会导致器件过热。
c.最大功耗（PD）：这是指场效应管可以承受的最大功耗。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数[编辑本段]4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S 极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.。
常用高频发射管
常用高频发射三极管、发射场效应管、发射电子管、发射模块砷化镓(GaAS)场效应发射管MOS型AB类场效应发射管 (28V)双极型 A、AB类发射管24V双极型丙类无线发射管(13.5V)摩托罗拉(MOTOROLA)专用发射管用于高频发射的电子管的型号及作用FU-13 发射管功率放大FU-15 发射管功率放大及振荡FU-15J 发射管功率放大及振荡FU-17 发射管功率放大及高频振荡FU-17T 发射管功率放大及高频振荡FU-19 发射管功率放大及高频振荡FU-25 发射管高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅FU-27F 发射管 110Hz以下功率放大,振荡和调幅FU-29 发射管米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大FU-29T 发射管米波范围内作功率放大,振荡以及在短波范围内作线性放大FU-31 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-32 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-32T 发射管米波波段作功率放大和振荡FU-33 发射管功率放大和振荡FU-400F 发射管大功率音频扩大机,电视发射机FU-46 发射管高频放大,振荡,倍频,调频FU-483F 发射管超高频振荡FU-5 发射管调幅及低频功率放大FU-50 发射管功率放大和高频振荡FU-500F 发射管无线电设备中功率放大和振荡FU-50J 发射管功率放大和高频振荡FU-7 发射管高低频功率放大,倍频,振荡和阳极调幅FU-80 发射管 50MHz频率以下作功率放大和振荡FU-80J 发射管 50MHz频率以下作功率放大和振荡FU-81 发射管功率放大和振荡FU-811 发射管功率放大和振荡FU-81J 发射管功率放大和振荡常用高频发射管资料与代换部分大功率功放模块和常用高频发射管的参数！高频功率放大模块t"Io*型号频率功率型号频率功率gE\MM57704EL 335-360M 13W M67741L 135-160M 30W Y]O7 M57704L 400-420M 13W M67741H 150-175M 30W kM57704H 450-470M 13W M67742 68-88M 30W 14)M57706 145-175M 8W M67743L 68-81M 7W oM57710A 156-160M 30W M67743H 77-88M 7W XM57716 430-450M 17W M67748L 135-150M 7W AqvKh@ M57719L 135-145M 14W M67748H 150-175M 7W ?31xM57719 145-175M 14W M67749L 400-430M 7W L-gM57721L 350-400M 7W M67749H 440-470M 7W BKS!M57726 144-148M 43W M67760LC 806-870M 20W iQaM57729EL 335-360M 30W M67775 1465-1477M 7.5W wPp M57729SL 360-380M 30W M67776H 896-941M 5W CS~oM57729UL 400-420M 30W 4(M57729L 400-420M 30W M67781L 135-160M 40W D/4PN M57729H 450-470M 30W M67781H 150-175M 40W {di6M57735 50-54M 19W M67783 1240-1300M 1.4W ZJM57737 144-148M 30W M67789 1465-1477M 3W "M57774 220-225M 30W M68702L 135-160M 60W 'vUPM57775 806-866M 0.4W M68702H 150-175M 60W #RC'#/ M57782 824-851M 7W M68703LA 400-430M 50W rEG =a M57788M 430-450M 40W M68703HA 440-470M 50W I*M57796MA 144-148M 7W M68706 250-270M 30W w_NdM57796H 150-175M 7W M68710L 400-430M 2W 5p#dM57797MA 430-450M 7W M68711 889-915M 3.8W :e`/`M57797H 450-470M 7W M68721 118-137M 10W &M67702 150-175M 60W M68729 220-245M 30W )4M67709L 350-390M 13W M68732SL 330-380M 7W aQq'M67711 1240-1300M 16W M68743H 896-941M 3.8W ]vP7 M67715 1240-1300M 1.2W M68745L 806-870M 3.8W z\\M67723H 276-284M 1.5W M68745H 896-941M 3.8W I[_M67730L 175-200M 30W MHW803-3 870-905M 3W 75M67732 1240-1300M 1W S-AV17 144-148M 60W IV%M68762SL 360-380M 30W M68732H 118-137M 10W Do2xD常用发射三级管资料oX©『中国业余无线电』-- 『中国业余无线电』X型号功率增益电压频率工作状态封装123脚:[E©『中国业余无线电』-- 『中国业余无线电』l2N3375 10W 5dB 28V 400MHz FM/AM/SSB TO-60]P2N3553 2,5W 10dB 28V 175MHz FM/AM TO-39 C B E2S\PD2N3632 20W 7dB 28V 175MHz FM TO-60g2N3866 5W 10dB 28V 400MHz WINTransceiver TO-39 C B E S2N3924 4W 6dB 13,6V 175MHz WINTransceiver TO-39?|.B2N4427 2W 10dB 12V 175MHz WINTransceiver TO-39l8N42N5108 1W 5dB 24V 1200MHz WINTransceiver TO-39 ]$Q2N5109 3,5W 11dB 15V 200MHz WINTransceiver TO-39({;8[#2N5421 3W 9dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-39p7iTn2N5913 2W 7dB 12,5V 175MHz WINTransceiver TO-39h~}ETQ2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39z.2SC730 0,8W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E|2SC1096 10W 60MHz FM TO-2205Aa^2SC1173 10W 100MHz FM/AM/SSB TO-220-SF?:S2SC1306 16W 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E P6Di!Y2SC1307 16W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E~|97WO 2SC1590 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C L(2SC1591 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C%2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E ZuG_N32SC1728 8W 80MHz WINTransceiver TO-202 E B C a2SC1729 14W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E D~FW2SC1909 10W 14,5dB 13,5V 50MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E(S#K,2SC1944 13W 11,1dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E>s?1Q2SC1945 16W 14,5dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C"&G02SC1946 25W 6,7dB 13,5V 175MHz FM T-31E{![5RK2SC1946A 30W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E l2SC1947 3W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E O2SC1957 1,8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B i@T2SC1966 3W 7,8dB 13,5V 470MHz FM T-31E_X52SC1967 7W 6,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E Kf2SC1968 14W 3,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E>AS%e2SC1968A 14W 5,4dB 13,5V 470MHz FM T-31E]Nv)2SC1969 18W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E ZGtG]2SC1970 1,5W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C~DmS7# 2SC1971 7W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C jVWs2SC1972 14W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C]e^0i2SC1973 1W 50MHz WINTransceiver TO-92L B C E fcPr2SC1974 13W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E'S2SC1975 4W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E l'.2SC2028 1,8W 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B>52SC2029 6W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E&Q2SC2036A 1,4W WINTransceiver TO-202 B C E_)bN{Q2SC2050 10W 12dB 13,5V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E n,C_2SC2053 0,2W 15,7dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E GjVm02SC2055 0,25W 15,3dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E t2SC2056 1,5W 9dB 12V 175MHz FM TO-39 C B E p\=_2SC2075 4W 13,5V 27MHz WINTransceiver TO-220 B C E yc42SC2078 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E Cgb}2SC2086 0,45W 13dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E#g{2SC2092 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E M2SC2094 15W 8,8dB 13,5V 175MHz FM/AM/SSB T-31E tS;2SC2166 6W 13,8dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E e7/~2SC2207 16W WINTransceiver TO-220 B C E mt2SC2237 6W 13,8dB 13,5V 175MHz FM T-31E?)B32SC2312 18,5W 27MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E q+J2SC2314 1,8W 17dB 12V 180MHz FM/AM TO-126 E C B O2SC2509 13W 14dB 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E$Y!2SC2527 60W WINTransceiver TO-220V2SC2538 0,6W 10dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E iny2SC2539 14W 14,5dB 13,5V 175MHz FM T-31E fhm02SC2660 30W 30MHz WINTransceiver TO-220DF2SC2695 23W 1,9dB 13,5V 520MHz FM T-31E X4@SK2SC3001 6W 13dB 7,2V 175MHz FM T-31E|2SC3017 1W 11dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E A*2SC3018 3W 13dB 7,2V 175MHz FM T-31E=.2SC3020 3W 10dB 12,5V 520MHz FM T-31E:/a`"2SC3021 7W 7,7dB 12,5V 520MHz FM T-31E3A= x&2SC3022 18W 4,8dB 12,5V 520MHz FM T-31E M)5L|(2SC3103 2,8W 6,7dB 7,2V 520MHz FM T-31E GOIF/22SC3104 6W 4,8dB 7,2V 520MHz FM T-31E T4os2SC3133 13W 14dB 12V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C W2SC3297 15W 100MHz WINTransceiver TO-220Qu2SC3299 20W WINTransceiver TO-220#2SC3668 1W 100MHz WINTransceiver g$F<&.2SC3807 15W 260MHz WINTransceiver TO-126s2SC4137 4W 400MHz WINTransceiver TO-126$cv_B<2SC4693 FM/AM TO-92L B C E Q]4KTC1006 1W 100MHz FM/AM TO-92L E C B CKTC1969 16W 12dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E t,=XcuKTC2078 4W 11dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E 6&PYNMRF161 5W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C~CcMy MRF162 15W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C)MRF163 25W 12dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C$&X>5MRF237 4W 12dB 18V 175MHz WINTransceiver TO-390sj4vQMRF260 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C^IMRF261 10W 5,2dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C[/MRF262 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C`N>U`MRF264 30W 5,2dB 12,5V 136-174MHz WINTransceiver TO-220 B E C K&fh MRF340 8W 13dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220 B E C dMRF342 24W 11dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220 B E C Sg95MRF344 60W 6dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220MuyUMRF454 80W 12dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB BgEMRF455 60W 13dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB i)2MRF475 12W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E Y?Z- | MRF476 3W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E|%lMRF477 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C[JM;0 MRF479 15W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220a/e<.iMRF485 15W 10dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220SMRF486 40W 15dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220i{JgODMRF496 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220Y;g6MRF497 60W 10dB 13,5V 27-50MHz WINTransceiver TO-220 B E C Lm|kg MRF517 0,75W 10dB 20V 1000MHz WINTransceiver TO-39y]zmzjMRF607 1,75W 11,5dB 16V 175MHz WINTransceiver TO-39w>zMRF660 7W 5,4dB 12,5V 400-512MHz WINTransceiver TO-220#gz[MS1226 30W 18dB 28V 30MHz FM/AM/SSB z2j$AMS1227 20W 15dB 12,5V 30MHz FM/AM/SSB Xp&$Q无线电台常用高频发射管参数型号电流功率频率型号电流功率频率C1945 6A 20W 30MHz C2538 0.4A 0.7W 175MHzC1969 6A 20W 30MHz C2539 4A 35W 175MHzC2078 3A 10W 30MHz C2628 4A 40W 175MHzC2904 22A 200W 37MHz C2630 14A 100W 175MHzC1162 2.5A10W 37MHz C2694 20A 140W 175MHzC1946 7A 50W 175MHz C2905 15A 120W 520MHzC1947 1A 10W 175MHz C3101 1A 10W 520MHzC1970 0.6A5W 175MHz C3102 18A 170W 520MHzC1971 2A 13W 175MHz C3022 7A 50W 520MHzC1972 4A 25W 175MHz C1947 1A 10W 175MHzC2053 0.3A0.6W 175MHz C1959 0.5A 0.5W 300MHz C2131 0.6A4W 520MHz C2068 0.5A 1.5W 95MHzC2407 0.2A0.6W 500MHz C2229 0.5A 0.8W 120MHz C2482 0.7A0.9W 50MHz。
《场效应管参数》
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ARRAY 9.2A 60W <58/5 28A 150W 0E779A 75W <0E418A 125W30A 150W5.5A 75W <1E10A 125W <62/1 13A 150W 0.4E 8A 125W <0E85 13A 150W10A 70W 0.27R 16A 90W 0.16R 28A 150W 0.077 9A 75W 0.4E18A 125W 0.18R 14A 125W <E28 5.5A 100W 1.0R 10A 125W 0.55R 5.5A 40W <E55 3A 75W 3.0R4.5A 100W 1.5R 3A 35W 1.5R 4.5A 40W 0.85R 4.5A 40W 0.85R 19A 125W11A 125W <E5 12A 88W 0.3R19.0A 150W 0R2 1.75A 20W 3R0 3.5A 40W 1R56.5A 75W 0R811A 125W 0R53.9A 100W 2R2 6.2A 125W 1R24.1A 125W <3E 1.3A 1.3W <E27 V 1A 1.3W <E6V 0.6A 1E5 1W <9 6A 20W 0.3E70A 230W <0E014 70A 300W <E009 31A 180W OE77 40A 180W 0E55 20A 150W 0E18 33A 180W11A 150W <E55 18A 250W 0E328A 410W 0.2E 14A 180W 0E425A 410W OE27 V 19A 150W OE26.8A 150W 1.2E 13A 250W 0.60E 5.4A 150W <2E7.8A 190W <1E2 4.7A 150W <2E5 6.7A 190W <1E6 9.6A 50W 0.28W 5A 40W <120/70 6A 250W 0E028 0A 250W 0.018E0.5A 100MHzA 0.4W 30E0.35WA Up<4V VHFA Up<6.5V VH7A 0.8W 50MHz 15A 0.25W 50MHz2A 1W 120MHz0.1A 50MHz.7A 1W 30MHzA 1W 120MHz.15A 0.4W 130MHz .5A 0.625W.5A 0.625W.15A 0.625W.15A 0.625W0mA 0.2W 500MHzA 30W 3MHzTRANS.PR. TRANS.PR.IST. TRANSISTO RAY+DIODE 1.5A20mA 0.5W 450MHz .1A 0.3W 4GHz00V 20A 175W B>00/400V 20A 1758A 90W00V 10A 175W00V 50A 250W 1usV 30A 200WV 50A 300WV 50A 300W20A 250W 3MHz 20A 250W 3MHz 15A 180W 0.8MHz 15A 180W 0.8MHz 00V 16A 250W16A 250W 4MHz 16A 250W16A 250W 4MHz 10A 175W10A 150W5A 150W 4MHz10A 150W10A 150W16A 150WA 125W > 2.5MHz 0A 200W200W4A 75W TO220 8A 75W8A 75W8A 80W8A 50W 30MHz 8A 50W 30MHz 5A 100W 13MHz 6A 100W 14MHz 8A 125W 0.3US 15W >65MHzA 15W >40MHzA 15W >40MHz2A 15W >16MHz 2A 15W B>1K5 10A 90W AFPOWER 10A 90W AFPOW. .5A 20W VIDPOW .5A 20W VIDPOW 00V 8A 80WV 4A 40W B>750 5A 80W B>7505A 35W 13MHz 8A 45W 0.3us 5A 35W 13MHz 10A 150W 3MHz V 12A 150W 3MHz 10A 150W0mA 635mW 500MHz 5A 0.625W DRIV1A 0.21W 50MHz 0.5A 0.625W5A 0.625W2A 625mW 100MHz .5A 0.625W.3A 625mW 20MHz5A 0.625W DRIV1A 0.35W >125MHz .5A 0.625WmA 0.35W 650MHz6A 4W 174MHzA 60W 30MHz4W 50MHz0V 4A 40W >10MHz A 125W 1E8.8A 0.5W PLASTI5A 0.5W 12/18ns .8A 0.5W PLASTI6A 0.4W PLASTI.6A 0.4W PLASTI mA 0.2W 600MHz5A 0.625W 100MHz A 47K/47KV 40A 160W 0.04E ANSIST0R112.5/117.5V8A 50W 0.7us8A 50W 0.7usV 8A 50W 0.3us10A 100W7A 70W 0.3us0V 5A 25W 0.3us7A 85W7A 95W10A 140W7A 35W7A 55WV 5A 25W POWERARRAY5A 1W 100MHz5A 1W 100MHzV 20mA 0.5W 200MHz V 20mA 0.5W 190MHz 60V 4A B>1K30V 1A B>10060V 4A B>1K50V 4A B>1K100V 4A B>1K2*60V 4A 20W B>160V 1.5A B>402x60V 3A B>4060V 2A B>2KARRAYARRAYV 2.9A 80W <4E0V 2.1A 40W <4EV 4.3A 100W <2E20V 2.7A 40W <2E2V 4A 110W <3E0V 2.5A 45W <3E0V 14.6A 190W 0.0 60V 70A 142W 0.014E V 10A 60W8A 80W15A 80W2A 50W2A 50W5A 65W5A 65W8A 70W8A 70W10A 125WV 10A 80W0V 10A 125W0/400V 7A 80W 10A 3W15A 90W NF/S-L A 30W >3MHz15A 90W NF/S-L 0A 80W0A 80W 3MHz5A 125W 3MHz5A 125W 3MHzA 65W 3MHzA 65W40W 2usTIPL761A SI-N 1000V 4A 100WTIPL762A SI-N 800V 6A 120W POWER TIPL763A SI-N 1000V 8A 120W 8MHz TIPL790A SI-N 150V 10A 70W 10MHz TIPL791A SI-N 450V 4A 75WU440 2xN-FET 25V 30mA 0.35WUPA63H 2xN-FET 60V Idss>20mA 0.5UPA81C N-ARRAY 8x40V 0.4A B>1K VN10KM N-FET 60V 0.31A 5E Up<2.5 VN66AFD N-FET 60V 2A 12W 3E Up<2. VN88AFD N-FET 80V 1.3A 20W Up<2.5 ZTX213 SI-P 45V 0.2A 0.3W 350MHz ZTX342 SI-N 120V 0.1A 0.3WZTX450 SI-N 60V 1A 1W 150MHzZTX550 SI-P 60V 1A 1W >150MHzZTX653 SI-N 120V 2A 1W >140MHz ZTX753 SI-P 120V 2A 1W TO92ZTX753M1TA SI-P 120VBU108 1500V 5A 12.5W --BU208A 1500V 5A 12.5W --BU208D 1500V 5A 12.5W *BU209A 1700V 5A 12.5W --BU308 1500V 5A 12.5W --BU500 1500V 6A 75W --BU508A 1500V 7.5A 75W -- BUY71 2000V 2A 40W --C1942 1500V 3A 50W --C2027 1500V 5A 50W --C2125 2200V 5A 50W --C3480 1500V 3.5A 80W *C3481 1500V 5A 120W *C3482 1500V 6A 120W *C3484 1500V 3.5A 80W -- C3485 1500V 5A 120W --C3486 1500V 6A 120W --C3685 1500V 6A 120W --C3686 1500V 7A 120W --C3687 1500V 8A 150W --C3688 1500V 10A 150W -- C3729 1500V 5A 50W --C3883 1500V 5A 50W *C4199A 1500V 10A 100W -- C4291 1500V 5A 100W --C4292 1500V 6A 100W --C4303A 1500V 6A 80W -- D348 1500V 7A 50W --D820 1500V 5A 50W --D821 1500V 6A 50W --D822 1500V 7A 50W --D838 2500V 3A 50W --D869 1500V 3.5A 50W * D870 1500V 5A 50W *D871 1500V 6A 50W *D898 1500V 3A 50W *D899 1500V 4A 50W *D900 1500V 5A 50W *D903 1500V 7A 50W --D904 1500V 7A 60W --D950 1500V 3A 42W *D951 1500V 3A 65W *D952 1500V 3A 70W *D953 1500V 5A 80W *D954 1500V 5A 95W *D957A 1500V 6A 50W -- D994 1500V 8A 50W --D995 2500V 3A 50W --D1016 1500V 7A 50W -- D1142 1500V 3.5A 50W * D1143 1500V 5A 65W * D1172 1500V 5A 65W * D1173 1500V 5A 70W * D1174 1500V 5A 85W *D1175 1500V 5A 100W * D1290 1500V 3A 50W * D1291 1500V 3A 65W * D1341 1500V 5A 50W -- D1342 1500V 5A 50W * D1343 1500V 6A 50W -- D1344 1500V 6A 50W * D1397 1500V 3.5A 50W * D1398 1500V 5A 50W * D1399 1500V 6A 60W * D1402 1500V 5A 120W -- D1403 1500V 6A 120W -- D1426 1500V 3.5A 80W * D1427 1500V 5A 80W * D1428 1500V 6A 80W * D1431 1500V 5A 80W -- D1432 1500V 6A 80W -- D1433 1500V 7A 80W -- D1434 1500V 5A 80W -- D1454 1500V 4A 50W * D1455 1500V 5A 50W * D1456 1500V 6A 50W * D1545 1500V 5A 50W -- D1546 1500V 6A 50W --D1547 1500V 7A 50W -- D1548 1500V 10A 50W -- D1554 1500V 3.5A 40W * D1555 1500V 5A 50W * D1556 1500V 6A 50W * D1557 1500V 5A 80W -- D1632 1500V 4A 70W * D1635 1500V 5A 100W * D1650 1500V 3.5A 50W * D1651 1500V 5A 60W * D1652 1500V 6A 60W * D1653 1500V 2.5A 50W -- D1654 1500V 3.5A 50W -- D1655 1500V 5A 60W -- D1656 1500V 6A 60W -- D1710 1500V 6A 100W -- D1711 1500V 7A 100W -- D1729 1500V 3.5A 60W * D1730 1500V 5A 100W * D1731 1500V 6A 100W * D1732 1500V 7A 120W * D1737 1500V 3.5A 60W -- D1738 1500V 5A 100W -- D1739 1500V 6A 100W --D1876 1500V 3A 50W * D1877 1500V 4A 50W * D1878 1500V 5A 60W * D1879 1500V 6A 60W * D1880 1500V 8A 70W * D1881 1500V 10A 70W * D1882 1500V 3A 50W * D1883 1500V 4A 50W -- D1884 1500V 5A 60W -- D1885 1500V 6A 60W -- D1886 1500V 8A 70W -- D1887 1500V 10A 70W -- D1911 1500V 5A 50W * D1941 1500V 6A 50W -- C3885 1400V 7A 50W -- C3888 1400V 7A 80W -- C3891 1400V 6A 50W * C3893 1400V 8A 50W * C3896 1400V 8A 70W -- C4123 1500V 7A 60W * C4125 1500V 10A 70W * C4294 1500V 6A 50W * C3886 1400V 8A 50W -- C3889 1400V 8A 80W --C3892 1400V 7A 50W *C3895 1400V 7A 60W --C4122 1500V 6A 60W *C4124 1500V 8A 70W *C4293 1500V 5A 50W *C4769 1500V 7A 60W *BU2506AF 1500V 3.5A 50W -- BU2507AF 1500V 6A 45W -- BU2508AF 1500V 8A 45W -- BU2520AF 1500V 10A 45W -- BU2522AF 1500V 10A 80W -- BU2523AF 1500V 10A 80W -- BU2525AF 1500V 12A 80W -- BUW11AF 1000V 5A 100W -- BUW13AF 1000V 15A 175W -- BUW48AF 1000V 60A 150W -- BUT12A 1000V 10A 100W -- BUS13A 1000V 15A 125W -- BUX48A 1000V 7A 175W -- BUX48C 1200V 15A 175W -- BUX85 1000V 3A 40W -- BUX98A 1000V 30A 250W -- BU2506DF 1500V 3.5A 50W * BU2507DF 1500V 6A 125W *。
场效应管的主要参数
场效应管的主要参数Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温T a---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.。
场效应管主要参数
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
场效应管主要参数
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4.1.4效应管的主要参数及特点
1.直流参数
(1)阈值电压（称为开启电压、夹断电压) 增强型MOSFET阈值电压：开启电压UGS,th ； 耗尽型MOSFET和JFET阈值电压：夹断电压UGS,off 。
(2)饱和漏极电流IDSS 耗尽型MOSFET、JFET，当uGS=0时所对应的漏极电流。
uBS C
① 图解法：作图计算转移特性曲线 i D=f(uGS) 的斜率；
② 解析法：根据iD=K(uGS-UGS,th)2，计算得
gm 2K(uGS UGS,th )=2 K iD
重要！
结论：gm与 iD和导电因子K成正比关系。
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(2) 衬底跨导gmb反映了Leabharlann 底偏置电压对漏极电流iD的控制作用
gmb
diD duBS
uDS C
uGS C
跨导比 g mb
gm
（3） 动态漏极电阻rds
rd s
duDS diD
uBS C
uGS C
反映了uDS对iD的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线
上的斜率。一般是几十～几百千欧姆。
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4. 极间电容 主要的极间电容有：
Cgs—栅极与源极间电容，约1～3PF Cgd —栅极与漏极间电容，约1～3PF Csd —源极与漏极间电容，约0.1～1PF Cgb —栅极与衬底间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容
(3)直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比。结型场 效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。
场效应管的主要参数
时，已把S极和衬底连在一起，这时D、S就不能互 换。
模拟电子技术
• 极间电容
rd
uDS iD
UGS 常数
场效应管三个电极之间也有电容效应，极间电容包括CGS、 CGD和CDS等。极间电容的大小一般为几个pF，在低频小信号 时可以忽略其影响。
1.3 极限参数
• 漏极最大允许耗散功率PDM 该功率转化为热能, 使管子的温度升高，PDM决定于场效应管允许的最
高温度限制。该参数相当于晶体管的PCM 。 • 漏源击穿电压 U(BR)DS
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场效应管的主要参数
1.1 直流参数 • 开启电压UGS(th):是uDS当一定时（如uDS =10V）, 漏极电流ID
达到某一数值(如10μA)时，所需加的栅源电压uGS值。 • 夹断电压 UGS(off):当uDS一定时（如uDS =10V）,使漏极电流I
D减小到某一个微小电流(如1μA)时,所需的栅源电压uGS值。 • 饱和漏极电流 IDSS: 栅源之间的电压uGS等于零, 而漏、源
之间的电压大于夹断电压UGS(off)时对应的漏极电流。 • 直流输入电阻 RGS: 在漏极和源极短路时，栅源之间的电
阻就是RGS 。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很 高。结型为107 Ω左右，MOS管可达1015Ω以上。
1.2 交流参数
• 低频跨导gm:
gm
iD uGS
uDS 常数
gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
当uDS过大使漏极产生雪崩击穿，从而使电流iD急剧上升时的uDS ，称 为漏源击穿电压。 • 栅源击穿电压 U(BR)GS
场效应管的主要参数
一：场效应管的主要参数(1)直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS(2)交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
本站链接:场效应管的参数查询二：场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。
三.符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：四.场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
五主板上用的场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流。
aod446场效应管参数
aod446场效应管参数
AOD446是一种场效应管（MOSFET），其参数包括以下几个方面：
1. 最大漏源电压（VDS）：指场效应管能够承受的最大漏源电压。
对于AOD446来说，它的最大漏源电压一般为600V。
2. 最大漏源电流（ID）：指场效应管能够承受的最大漏源电流。
AOD446的最大漏源电流一般为11A。
3. 最大功耗（PD）：指场效应管的最大功耗限制。
对于
AOD446来说，其最大功耗一般为150W。
4. 阈值电压（Vth）：指当场效应管的栅极电压达到一定阈值时，漏源电流开始增加的电压。
AOD446的阈值电压一般在
2V附近。
5. 开关特性：包括开启电阻（RDS(on)）和关闭电阻
（RDS(off)）。
开启电阻是指场效应管在导通状态时的漏源电阻；关闭电阻是指场效应管在截止状态时的漏源电阻。
这些参数对于场效应管的开关速度和功耗具有重要影响。
6. 输入和输出电容：输入电容（Ciss）是指场效应管的栅极和源极之间的电容；输出电容（Coss）是指场效应管的漏极和源极之间的电容。
这些电容值对于高频应用和电路稳定性有重要影响。
以上是AOD446场效应管的一些基本参数，具体的参数值可能会因制造商或不同型号而略有差异。
场效应管参数d414
场效应管参数d414场效应管参数D414是指一种特定型号的场效应管。
场效应管是一种三端器件，具有控制电流的能力。
D414是一种N沟道型的场效应管，具有低电阻、高电流和高频特性。
本文将从以下几个方面介绍D414的参数特点和应用。
D414的主要参数之一是漏极电流（IDSS）。
漏极电流是指在栅极电压为零时，场效应管的漏极电流。
D414的漏极电流通常较大，可以达到几十毫安甚至更高的数值。
这使得D414在某些高电流应用中表现出色。
D414的栅源电压（VGS）范围也是重要的参数。
栅源电压是指场效应管栅极和源极之间的电压。
D414的栅源电压范围一般为-20V至-30V，这意味着在正常工作条件下，栅极电压应保持在这个范围内，以确保场效应管正常工作。
D414的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也是需要考虑的参数。
输入电容是指场效应管的栅源电容，输出电容是指场效应管的漏极和源极之间的电容。
这两个参数对于高频应用非常重要。
D414的输入电容和输出电容较小，适合高频应用，能够提供较好的信号传输和处理能力。
另一个重要的参数是漏极电阻（RDSON）。
漏极电阻是指场效应管在导通状态下的漏极和源极之间的电阻。
D414的漏极电阻较低，通常在几欧姆至几十欧姆之间。
这意味着D414可以提供较低的导通电阻，减少功耗，提高效率。
D414还具有一些其他特点。
比如，它具有较好的温度稳定性，能够在不同温度下保持较稳定的性能。
同时，D414的封装形式多样，可以满足不同应用的需求。
D414是一种性能优良的场效应管，具有较大的漏极电流、适宜的栅源电压范围、较小的输入输出电容、低的漏极电阻等特点。
它广泛应用于各种电子设备中，如功放、电源管理、开关电源等领域。
在选择和应用D414时，需要根据具体的需求和特点进行合理选择，以充分发挥其优势和性能。
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用途
构造
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
2SK507
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK508
振荡用
结型
0.8
15
50
26
－
－
－
SOT-23
2SK302
高放
MOS
0.2
20
30
14
1.7
28
100MHz
SOT-23
2SK238
－
－
－
10
2GHz
－
GaAs双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
*3SK240
超低噪声
1.0
9
50
19
1.0
20.5
0.8GHz
SC-82
*3SK228
－
1.0
12
50
34
1.3
19.6.
0.9GHz
SC-82
*3SK239
－
1.0
MGF0905
Po=33dBm
1.65
8
800
800
－
8
1.65GHz
14×4.3×1mm
FLL351
Po=3.3W
2.3
10
－
－
35.5
11.5
2.3GHz
－
FLL120
Po=10W
2.3
10
－
－
40
10
2.3GHz
－
FLL500I
Po=50W
2
12
－
－
－
10
2GHz
－
FLL600
Po=60W
2
12
SOT143
3SK151
变频适用
0.25
15
30
27
5.5
24.5
245MHz变频
SOT143
3SK197
变频适用
0.25
12
35
27
5.5
24
230MHz变频
SOT143
3SK195
－
0.2
13
30
13
1.1
27
200MHz
SOT143
3SK123
－
0.9
18
25
18
2.8
17
900MHz
SOT143
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
－
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
－
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
FHX06X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
ATF10136
超低噪声
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
超低噪声
12
2
25
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
超低噪声
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
SGM5102
－
12
5
30
25
1.8
8.5
N-02
MGF1423
－
12
6
60
35
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF4310
－
12
4
50
－
<1.4
>9.5
12GHz
N-02
MGF1423
－
12
3
80
－
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF1902
－
12
3
100
－
<4.0
>5
12GHz
N-02
MGF1903
－
12
3
80
－
<2
>8
12GHz
N-02
GaAs微波中功率场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
MGF1601
Po=21dBm
12
12
250
90
－
8
8GHz
N-02
ATF10136
Po=20dBm
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
Po=20dBm
12
2
25
12
50
31
1.3
19
0.9GHz
SC-82
3SK229
－
1.0
12
50
34
1.3
20
0.9GHz
SOT143
3SK184
－
1.0
13
50
23
1.2
16
0.9GHz
SOT143
3SK165
－
2.0
8
80
22
1.6
17
2GHz
SOT143
CF930
－
2.0
10
80
25
1.5
17
2GHz
SOT143
3SK241
高放
结型
0.2
20
10
3.5
3.0
21
100MHz
SOT-23
2SK210
高放
结型
0.2
18
10
7.0
1.8
24
100MHz
SOT-23
2SK360
高放
MOS
0.2
20
12
14
2.0
30
100MHz
SOT-23
2SK168
高放
结型
0.2
30
20
10
1.7
27
100MHz
TO-92
2SK241
高放
MOS
3SK132
－
0.9
20
25
22
2.8
22
900GHz
SOT143
3SK146
－
0.8
13
30
16
2.6
17.5
800MHz
SOT143
3SK199
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
3SK207
－
0.8
13
30
21.5
1.9
19.5
800MHz
SOT143
小信号高频场效应管
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
Po=20dBm
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
GaAs微波大功率场效应管
型号
特点
fT
(GHz)
VDS
(V)
ID
(mA)
Gm
(ms)
P1dB
(dBm)
PG
(dB)
测定条件
外形
MGF0904
Po=28dBm
1.65
8
200
200
13
1.65GHz
14×4.3×1mm
0.2
20
30
10
1.7
28
100MHz
TO-92
2SK192
高放
结型
0.2
18
10
7
1.8
24ห้องสมุดไป่ตู้
100MHz
TO-92
－
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
－
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
－
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
－
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz