第四章 存储器

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第4章 存储器

第4章 存储器


2.数据总线匹配和存储器接口
奇 存 储 体 (512KB) 偶 存 储 体 (512KB)
00001H 00003H 00005H · · ·
00000H 00002H 00004H · · ·
FFFFFHH
FFFFEHH
A19~A1
D15~D8
BHE
D7~D0
A0
图4.23 8086的存储体组织
字选择线

位 线
T1
C
D
图4.8
单管动态存储元
2. DRAM存储芯片实例(见图4.9)
4.2.3 存储器芯片的读/写时序
tCYC tRAS RAS
CAS
tCAS
地址
行地址 tRCS
列地址 tRCH
tCYC:读周期时间 tRAS:RAS脉冲宽度 tCAS:CAS脉冲宽度 tRCS:读命令建立时间 tRCH:读命令保持时间 tDOH:数据输出保持时间
4.1 存储器系统概述
4.1.0 存储器系统的Cache—主存层次结构
硬件管理
CPU
Cache
主存储器
图4.0 Cache—主存存储层次
4.1.1 存储器分类
1.按存储介质分类 (1)半导体存储器 (2)磁表面存储器 (3)光盘存储器 2.按存取方式分类 (1)随机存储器RAM (2)只读存储器ROM (3)顺序存储器SAM (4)相联存储器 3. 按在计算机中的作用分类 (1)主存储器 (2)外存储器 (3)高速度缓冲存储器(Cache) (4)控制存储器 4. 按信息的可保存性分类
R/W 32K×8
D7~D0
R/W D7 ~D0
图4.26
内存与CPU的连接框图

第四章-存储器04-高速缓冲存储器

第四章-存储器04-高速缓冲存储器

Cache 000 001 010 011 100 101 110 111 000 001 010 011 100 101 110 111
调入
4.1、地址映象——直接映像
例2:设一个Cache中有8块,访问主存进行读操作的块地址依次为: 10110、11010、10110、11010、10000、00100、10010, 求每次访问时Cache的内容。
硬件完成功能: 访存地址 转成 Cache地址 辅助存储器
Cache 的全部功能都是 由硬件完成的, 对程序员来说是透明的。
4.1、地址映象
映象:其物理意义就是位置的对应关系,将主存地址变成Cache地址。
常见的映象方式主要有三种: 1)直接映象 2)全相联映象 3)组相联映象
CPU Cache 字 数据总线 字
2位 主存区号标记 00 主存块号 比较 3位 区内块号 100 Cache块号 未命中 访问内存 000 001 010 011 100 101 110 111 块内地址 块内地址
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111
调入
块表 000 001 010 011 100 101 110 111
4、高速缓冲存储器(Cache)
考研试题精选:
假设:CPU执行某段程序时,共访问Cache 3800 次,访问主存200 次,已知Cache存取周期为50ns,主存存取周期为250ns。
求:Cache—主存系统的平均存取时间和效率。 解: 系统命中率 h = 3800 / 3800 + 200 = 0.95
Cache
000 001 010 011 100 101 110 111 调入
块表 000 10 001 010 11 011 100 101 110 10 111

微型计算机系统原理及应用 第4章 半导体存储器

微型计算机系统原理及应用  第4章  半导体存储器

17
4.3 半导体只读存储器(ROM)
4.3.1 掩膜式只读存储器ROM ROM制造厂家按用户提供的数据,在芯片制造时
写定。用户无法修改。
18
4.3.2 可编程的只读存储器PROM 只能写入一次。
19
4.3.3 可编程、可擦除的只读存储器EPROM
1. 紫外线擦除的EPROM 进行照射10~20min,擦除原存信息,成为全1状态。
8
2.静态RAM的结构 将多个存储单元按一定方式排列起来,就组成了一个静 态RAM存储器。
9
典型的SRAM 6116:2KB,A0~A10,D0~D7形成 128*16*8(每8列组成看作一个整体操作)的阵列
片选CS# 输出允许 OE#
读写控制 WE#
10
典型的SRAM芯片6264 (8KB)
29
存储器芯片的选用
RAM、ROM区别:
–ROM:ROM用来存放程序,为调试方便,多采用EPROM
–RAM:存储器容量不大,功耗较小时,可采用静态RAM;
系统较大,存储器容量很大,功能和价格成为主要矛盾, 要选择动态RAM,这时要考虑刷新问题。
组成存储器模块时,需要考虑的因素主要有:容
量、速度、负载等:
14
2. 双端口RAM举例
CY7C130/131/140/141 1K*8bit高速双端口SRAM A0~A9:地址线 I/O0~I/O7:数据线 CE#:片选 OE#:输出允许线 R/W#:读写控制 BUSY#: INT#:
15
存储器的基本组成 半导体存储器的内部结构为例
译码电路: 重合译码方式 存储体:核心。一个 基本存储电路可存入 一个二进制数码
A12 A7 A6 A5 A4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 Vcc WE CS 2 A8 A9 A 11 OE A 10 CS 1 D7 D6 D5 D4 D3

计算机操作系统第四章-存储器管理

计算机操作系统第四章-存储器管理

第四章存储器管理第0节存储管理概述一、存储器的层次结构1、在现代计算机系统中,存储器是信息处理的来源与归宿,占据重要位置。

但是,在现有技术条件下,任何一种存储装置,都无法从速度、容量、是否需要电源维持等多方面,同时满足用户的需求。

实际上它们组成了一个速度由快到慢,容量由小到大的存储装置层次。

2、各种存储器•寄存器、高速缓存Cache:少量的、非常快速、昂贵、需要电源维持、CPU可直接访问;•内存RAM:若干(千)兆字节、中等速度、中等价格、需要电源维持、CPU可直接访问;•磁盘高速缓存:存在于主存中;•磁盘:数千兆或数万兆字节、低速、价廉、不需要电源维持、CPU 不可直接访问;由操作系统协调这些存储器的使用。

二、存储管理的目的1、尽可能地方便用户;提高主存储器的使用效率,使主存储器在成本、速度和规模之间获得较好的权衡。

(注意cpu和主存储器,这两类资源管理的区别)2、存储管理的主要功能:•地址重定位•主存空间的分配与回收•主存空间的保护和共享•主存空间的扩充三、逻辑地址与物理地址1、逻辑地址(相对地址,虚地址):用户源程序经过编译/汇编、链接后,程序内每条指令、每个数据等信息,都会生成自己的地址。

●一个用户程序的所有逻辑地址组成这个程序的逻辑地址空间(也称地址空间)。

这个空间是以0为基址、线性或多维编址的。

2、物理地址(绝对地址,实地址):是一个实际内存单元(字节)的地址。

●计算机内所有内存单元的物理地址组成系统的物理地址空间,它是从0开始的、是一维的;●将用户程序被装进内存,一个程序所占有的所有内存单元的物理地址组成该程序的物理地址空间(也称存储空间)。

四、地址映射(变换、重定位)当程序被装进内存时,通常每个信息的逻辑地址和它的物理地址是不一致的,需要把逻辑地址转换为对应的物理地址----地址映射;地址映射分静态和动态两种方式。

1、静态地址重定位是程序装入时集中一次进行的地址变换计算。

物理地址= 重定位的首地址+ 逻辑地址•优点:简单,不需要硬件支持;•缺点:一个作业必须占据连续的存储空间;装入内存的作业一般不再移动;不能实现虚拟存储。

计算机组成原理4第四章存储器PPT课件精选全文

计算机组成原理4第四章存储器PPT课件精选全文

4.2
11
4.2
请问: 主机存储容量为4GB,按字节寻址,其地址线 位数应为多少位?数据线位数多少位? 按字寻址(16位为一个字),则地址线和数据线 各是多少根呢?
12
数据在主存中的存放
设存储字长为64位(8个字节),即一个存 取周期最多能够从主存读或写64位数据。
读写的数据有4种不同长度:
字节 半字 单字 双字
34
3. 动态 RAM 和静态 RAM 的比较
主存
DRAM
SRAM
存储原理
电容
触发器
集成度


芯片引脚


功耗


价格


速度


刷新


4.2
缓存
35
内容回顾: 半导体存储芯片的基本结构 4.2
…… ……










线



线



片选线
读/写控制线
地址线(单向) 数据线(双向) 芯片容量
D0
…… D 7
22
(2) 重合法(1K*1位重合法存储器芯片)
0 A4
0,00

0,31
0 A3
X 地
X0
32×32
… …
0址
矩阵
A2

0码
31,0

31,31
A1
器 X 31
0 A0
Y0 Y 地址译码器 Y31 A 9 0A 8 0A 7 0A 6 0A 5 0

第4章-嵌入式系统的存储器系统PPT课件

第4章-嵌入式系统的存储器系统PPT课件
冲,二级缓冲。
DRAM的体)电容存储电荷来储存信息, 必须通过不停的给电容充电来维持信息。
DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何
的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机 内存就是DRAM的。
4.1.3 存储管理单元
MMU(Memory Manage Unit, 存储管理单元)
在CPU和物理内存之间进行地址转换,将地址从逻辑空间映射到 物理空间,这个转换过程一般称为内存映射。
MMU主要完成以下工作: (1)虚拟存储空间到物理存储空间的映射。
采用了页式虚拟存储管理,它把虚拟地址空间分成一个个固定大 小的块,每一块称为一页,把物理内存的地址空间也分成同样大 小的页。MMU实现的就是从虚拟地址到物理地址的转换。 (2)存储器访问权限的控制。 (3)设置虚拟存储空间的缓冲特性。
(或旁路转换缓冲/页表缓冲/后援存储器)
当CPU访问内存时,首先在TLB中查找需要的地址变换条目,如果该 条目不存在,CPU再从位于内存中的页表中查询,并把相应的结果 添加到TLB中,更新它的内容。
当ARM处理器请求存储访问时,首先在TLB中查找虚拟地址。如果系 统中数据TLB和指令TLB是分开的,在取指令时,从指令TLB查找相应 的虚拟地址,对于内存访问操作,从数据TLB中查找相应的虚拟地址。
当进行数据写操作时,可以将cache分为读操作分配cache和写操 作分配cache两类。
对于读操作分配cache,当进行数据写操作时,如果cache未命中, 只是简单地将数据写入主存中。主要在数据读取时,才进行 cache内容预取。
对于写操作分配cache,当进行数据写操作时,如果cache未命中, cache系统将会进行cache内容预取,从主存中将相应的块读取到 cache中相应的位置,并执行写操作,把数据写入到cache中。对 于写通类型的cache,数据将会同时被写入到主存中,对于写回 类型的cache数据将在合适的时候写回到主存中。

计算机组成原理第4章 存储系统

计算机组成原理第4章 存储系统

第四章存储系统4.1概述4.1.1技术指标4.1.2层次结构4.1.3存储器分类存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。

构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。

一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,均可以存储一位二进制代码。

这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位,称为一个存储位或存储元。

由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。

根据存储材料的性能及使用方法不同,存储器有各种不同的分类方法。

(1)按存储介质分作为存储介质的基本要求,必须有两个明显区别的物理状态,分别用来表示二进制的代码0和1。

另一方面,存储器的存取速度又取决于这种物理状态的改变速度。

目前使用的存储介质主要是半导体器件和磁性材料。

用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。

用磁性材料做成的存储器称为磁表面存储器,如磁盘存储器和磁带存储器。

(2)按存取方式分如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关,这种存储器称为随机存储器。

半导体存储器是随机存储器。

如果存储器只能按某种顺序来存取,也就是说存取时间和存储单元的物理位置有关,这种存储器称为顺序存储器。

如磁带存储器就是顺序存储器,它的存取周期较长。

磁盘存储器是半顺序存储器。

(3)按存储器的读写功能分有些半导体存储器存储的内容是固定不变的,即只能读出而不能写入,因此这种半导体存储器称为只读存储器(ROM)。

既能读出又能写人的半导体存储器,称为随机读写存储器(RAM)。

(4)按信息的可保存性分断电后信息即消失的存储器,称为非永久记忆的存储器。

断电后仍能保存信息的存储器,称为永久性记忆的存储器。

磁性材料做成的存储器是永久性存储器,半导体读写4.2 半导体随机读写存储器主存储器由半导体存储芯片构成,容量较小时可采用SRAM芯片,容量较大时一般采用DRAM芯片。

主存中的固化区采用ROM芯片,包括PROM、EPROM、EEPROM、等。

计算机组成原理 第 4 章 存储器系统(修改版)

计算机组成原理  第 4 章 存储器系统(修改版)

磁芯存储器
2013-11-14
10
3.5英寸软盘
2013-11-14
11
硬盘
2013-11-14
12
(2)半导体存储器
• 半导体存储器是用半导体器件组成的存储器。 • 根据制造工艺不同,可分为双极型和MOS型。
2013-11-14
13
U盘
2013-11-14
14
(3) 光存储器
• 利用光学原理制成的存储器,它是通过 能量高度集中的激光束照在基体表面引 起物理的或化学的变化,记忆二进制信 息。如光盘存储器。
2013-11-14
3
4.1.1
存储器分类
• 1.按与CPU的连接和功能分类
• (1) 主存储器 CPU能够直接访问的存储器。用于存 放当前运行的程序和数据。主存储器设在 主机内部,所以又称内存储器。简称内存 或主存。
2013-11-14
4
(2) 辅助存储器
• 为解决主存容量不足而设置的存储器, 用于存放当前不参加运行的程序和数据。 当需要运行程序和数据时,将它们成批 调入内存供CPU使用。CPU不能直接访问 辅助存储器。 • 辅助存储器属于外部设备,所以又称为 外存储器,简称外存或辅存。
写操作(存操作) 地址 (MAR) AB
MEM
CPU MEM MDR
MEM
CPU
CB 读命令 (Read)
MEM
存储单 元内容 (M)
DB
MEM
CB 写命令 MEM (Write) DB 存储单元 MDR M
2013-11-14
28
CPU与主存之间的数据传送控制方式
• 同步控制方式:数据传送在固定的时间间隔内 完成,即在一个存取周期内完成。 • 异步控制方式:数据传送的时间不固定,存储 器在完成读/写操作后,需向CPU回送“存储器 功能完成”信号(MFC),表示一次数据传送完 成。 • 目前多数计算机采用同步方式控制CPU与主存之 间的数据传送。 • 由于异步控制方式允许不同速度的设备进行信 息交换,所以多用于CPU与外设的数据传送中。

第4章 存储器管理练习答案

第4章 存储器管理练习答案

第四章存储器管理一、单项选择题1、存储管理的目的是(C )。

A.方便用户B.提高内存利用率C.方便用户和提高内存利用率D.增加内存实际容量2、在( A)中,不可能产生系统抖动的现象。

A.固定分区管理B.请求页式管理C.段式管理D.机器中不存在病毒时3、当程序经过编译或者汇编以后,形成了一种由机器指令组成的集合,被称为(B )。

A.源程序B.目标程序C.可执行程序D.非执行程序4、可由CPU调用执行的程序所对应的地址空间为(D )。

A.符号名空间B.虚拟地址空间C.相对地址空间D.物理地址空间5、存储分配解决多道作业[1C]划分问题。

为了实现静态和动态存储分配,需采用地址重定位,即把[2C]变成[3D],静态重定位由[4D]实现,动态重定位由[5A]实现。

供选择的答案:[1]:A 地址空间 B 符号名空间 C 主存空间 D 虚存空间[2]、[3]: A 页面地址 B 段地址 C 逻辑地址 D 物理地址 E 外存地址 F 设备地址[4]、[5]: A 硬件地址变换机构 B 执行程序 C 汇编程序D 连接装入程序E 调试程序F 编译程序G 解释程序6、分区管理要求对每一个作业都分配(A )的内存单元。

A.地址连续B.若干地址不连续C.若干连续的帧D.若干不连续的帧7、(C )存储管理支持多道程序设计,算法简单,但存储碎片多。

A.段式B.页式C.固定分区D.段页式8、处理器有32位地址,则它的虚拟地址空间为( B)字节。

A.2GBB.4GBC.100KBD.640KB9、虚拟存储技术是( A)。

A.补充内存物理空间的技术B.补充相对地址空间的技术C.扩充外存空间的技术D.扩充输入输出缓冲区的技术10、虚拟内存的容量只受( D)的限制。

A.物理内存的大小B.磁盘空间的大小C.数据存放的实际地址D.计算机地址字长11、虚拟存储技术与(A )不能配合使用。

A.分区管理B.动态分页管理C.段式管理D.段页式管理12、(B )指将作业不需要或暂时不需要的部分移到外存,让出内存空间以调入其他所需数据。

计算机组成原理第4章 主存储器

计算机组成原理第4章 主存储器

4.5 读/写存储器


VDD Xi
静态存储器(SRAM)
其中T1~T4组成两个反相器,构成双稳 态触发器,可存储一位二值信息。T5、 T6两只门控管相当于模拟开关,它们 的栅极接到字线上。由字选择线(行地 址译码器输出Xi )控制该单元是否被 选中。还有两条位线连接到T5、T6 上 用来传送读写信号,T7、T8的开关状 态控制位线与输入/输出缓冲器间是否 接通,它们的开关状态受列译码器输出 Yj控制。
T3
T4
·
A
T1 T2
B
·
Bj
T8
T6
Bj

T7
D A3
Yj A1
D A2
R/W
I/O
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器

静态存储器(SRAM)
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.5 读/写存储器

动态存储器(DRAM)
计算机组成与结构
延安大学计算机学院
4.1 主存储器处于全机中心地位

在现代计算机中,主存储器处于全机中心地位,其原 因是:
当前计算机正在执行的程序和数据均存放在存储器中。 DMA(直接存储器存取)技术和输入/输出通道技术,在
存储器与输入/输出系统之间直接传送数据。
共享存储器的多处理机,利用存储器存放共享数据,


EEPROM:可用电擦除的可编程序只读存储器。
Flash Memory: 快擦型存储器(可以整块擦除,也可局部擦除)。

上述各种存储器中,RAM为“易失性存储器”,其余的 称为“非易失性存储器”(断电以后信息不会丢失)。

第四章 存储器管理(1-2)

第四章 存储器管理(1-2)

物理地址空间
Load A data1
100
Load A 200
1100
Load A 1200
编译 连接
data1 3456 200 3456
地址映射
1200 3456 。 。
第四章 存 储 器 管 理
地址映射的方式
静态地址映射: 1)程序被装入内存时由操作系统的连接装入程序完成 程序的逻辑地址到内存地址的转换; 2)地址转换工作是在程序执行前由装入程序集中一次 完成。 假定程序装入内存的首地址为BR,程序地址为VR,内存 地址为MR,则地址映射按下式进行:MR=BR+VR
② 便于实现对目标模块的共享:将内存中的一个模块可 以连接到多个程序中。 ③ 要运行的程序都必须在装入时,全部连接调入内存。
第四章 存 储 器 管 理
3. 运行时动态链接(Run-time Dynamic Linking) 动态链接方式:将对某些模块的链接推迟到执行时才实施, 亦即,在执行过程中,当发现一个被调用模块尚未装 入内存时,立即由OS去找到该模块并将之装入内存, 把它链接到调用者模块上。特点如下: 特点:凡在执行过程中未被用到的目标模块,都不会被调 入内存和被链接到装入模块上,这样不仅可加快程序 的装入过程,而且可节省大量的内存空间。
硬件支持:在动态地址重定位机构中,有一个基地址寄存器BR和一 个程序地址寄存器VR,一个内存地址寄存器MR。
转换过程:MR=BR+VR
第四章 存 储 器 管 理
把程序装入起始地址为100的内存区
0 100
重定位寄存器 1000

MOV r1,[50]
0 1000 1100
… …
MOV r1பைடு நூலகம்[50]

第4章存储器讲解解析

第4章存储器讲解解析

15. 设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ(低 电平有效)作访存控制信号,R/W作读/写命令信号(高电平 为读,低电平为写)。现有这些存储芯片: ROM(2K×8位,4K×4位,8K×8位), RAM(1K×4位,2K×8位,4K×8位), 及74138译码器和其他门电路(门电路自定)。 试从上述规格中选用合适的芯片,画出CPU和存储芯片的 连接图。要求如下: (1)最小4K地址为系统程序区,4096~16383地址范围为 用户程序区;(2)指出选用的存储芯片类型及数量; (3)详细画出片选逻辑。
由于存储器单 体的存取周期为T, 而CPU的总线访存 周期为(1/8)T, 故体内逻辑要支持 单体的独立工作速 率。因此在SRAM 芯片的外围加了地 址、数据的输入/输 出缓冲装置,以及 控制信号的扩展装 置。
-RD
A15~3
-OE A12~0
-WE
D7~0
8KB SRAM
D7~0 -CE
片选信号扩展
……
3片4K×8位
……
……
A15=1
65535
(2)选片:ROM:4K × 4位:2片; RAM:4K × 8位:3片;
(3)CPU和存储器连接逻辑图及片选逻辑:
+5V
MREQ A15 A14 A13 A12
C B A
G2A
Y0
G2B 74138(3:8)
Y1
G1
Y2 Y3
CPU
A11~0
CS0 4K× 4 ROM 4K× 4 ROM
8KB 1体
A12~0 -Y1
8KB 2体
A12~0 -Y2
8KB 7体

……
A12~0 -Y7

主存储器

主存储器
计算机组成原理第四章 吴艺娟 1
§4.1 主存储器分类
一、作为存储介质的基本要求 1、其基本存储单元要具有两个明显稳定的物理 状态用来存储二进制信息; 2、便于和电信号转换; 3、便于读写; 4、速度高; 5、容量大; 6、可靠性高; 7、价格适中。
计算机组成原理第四章 吴艺娟 2
二、主存储器的类型 1、随机存储器RAM 如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取, 且存取时间和存储单元的物理位置无关,这种存储器称 为随机存储器。主存储器主要由RAM组成。 2、只读存储器ROM 只读存储器的内容只能读出不能写入,它通常用来 存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。 由于它和随机存储器分享主存储器的同一个地址空间, 所以仍属于主存储器的一部分。 3、可编程只读存储器PROM 一次性写入的存储器。 4、可擦除可编程只读存储器EPROM 用紫外线擦除其内容,擦除后可再次写入。
计算机组成原理第四章 吴艺娟
29
计算机组成原理第四章 吴艺娟
30
计算机组成原理第四章 吴艺娟
31
4.9.2 重叠与交叉存取控制 一、对多个并行存储模块的两种访问方法 1、同时访问 所有模块同时启动一次存储周期,相对各自的数据寄 存器并行地读写信息。 适于多数据流或多指令流的并行处理。 2、交叉访问 适于以流水线工作方式工作的计算机系统。 二、存取控制 主存控制基本结构: 排队线路 “忙”标志触发器Cm 节拍发生器 控制线路 32 计算机组成原理第四章 吴艺娟
计算机组成原理第四章 吴艺娟 11
(高电平有效) 高电平有效)
(T1~T6)六管静态存储元 六管静态存储元
计算机组成原理第四章 吴艺娟 12
静态MOS存储元读过程 静态MOS存储元读过程

操作系统第四章课后答案

操作系统第四章课后答案

操作系统第四章课后答案第四章存储器管理1. 为什么要配置层次式存储器?这是因为:a.设置多个存储器可以使存储器两端的硬件能并行工作。

b.采用多级存储系统,特别是Cache技术,这是一种减轻存储器带宽对系统性能影响的最佳结构方案。

c.在微处理机内部设置各种缓冲存储器,以减轻对存储器存取的压力。

增加CPU中寄存器的数量,也可大大缓解对存储器的压力。

2. 可采用哪几种方式将程序装入内存?它们分别适用于何种场合?将程序装入内存可采用的方式有:绝对装入方式、重定位装入方式、动态运行时装入方式;绝对装入方式适用于单道程序环境中,重定位装入方式和动态运行时装入方式适用于多道程序环境中。

3. 何为静态链接?何谓装入时动态链接和运行时动态链接?a.静态链接是指在程序运行之前,先将各自目标模块及它们所需的库函数,链接成一个完整的装配模块,以后不再拆开的链接方式。

b.装入时动态链接是指将用户源程序编译后所得到的一组目标模块,在装入内存时,采用边装入边链接的一种链接方式,即在装入一个目标模块时,若发生一个外部模块调用事件,将引起装入程序去找相应的外部目标模块,把它装入内存中,并修改目标模块中的相对地址。

c.运行时动态链接是将对某些模块的链接推迟到程序执行时才进行链接,也就是,在执行过程中,当发现一个被调用模块尚未装入内存时,立即由OS去找到该模块并将之装入内存,把它链接到调用者模块上。

4. 在进行程序链接时,应完成哪些工作?a.对相对地址进行修改b.变换外部调用符号6. 为什么要引入动态重定位?如何实现?a.程序在运行过程中经常要在内存中移动位置,为了保证这些被移动了的程序还能正常执行,必须对程序和数据的地址加以修改,即重定位。

引入重定位的目的就是为了满足程序的这种需要。

b.要在不影响指令执行速度的同时实现地址变换,必须有硬件地址变换机构的支持,即须在系统中增设一个重定位寄存器,用它来存放程序在内存中的起始地址。

程序在执行时,真正访问的内存地址是相对地址与重定位寄存器中的地址相加而形成的。

微机原理第四章

微机原理第四章

机 了磁芯存储器的地位。目前,绝大多数计算机都使用的是
原 半导体存储器。

2.按存储器的存取方式分类
按存取方式可分为随机存取存储器、只读存储器等
(1) 随机存储器 RAM (Random Access Memory)
随机存储器(又称读写存储器)是指通过指令可以随机
地对各个存储单元进行读和写,在一切计算机系统中,主
1intel2164a的内部结构8位8位a0a1aa2a3a4a5a6a7vddvss128128存储矩阵1128行译码器128128存储矩阵128读出放大器读出放大器128读出放大器读出放大器微机原理地址锁存器14io门输出缓冲器dout行时钟缓冲器列时钟缓冲器写允许时钟缓冲器数据输入缓冲器rascaswedin121128列译码器128读出放大器128读出放大器121128列译码器128128存储矩阵128128存储矩阵1128行译码器?存储体
动态RAM的基本存储单元,由一个MOS管T1和位于其 栅极上的分布电容C构成。当栅极电容C上充有电荷时,
表示该存储单元保存信息“1”。反之,当栅极电容上没
有电荷时,表示该单元保存信息“0”。
动态RAM存储单元实质上是
字选线

依靠T1管栅极电容的充放电原理 来保存信息的 ,电容上所保存的
机 原
电荷就会泄漏。在动态RAM的使
(2) Intel 2164A的外部结构:
Intel 2164A是具有16个引脚的双列直插式芯片。
• A0~A7:地址信号的输入引脚; • R A S :行地址选通信号输入引脚;
• C A S :列地址选通信号输入引脚;
• W E :写允许控制信号输入引脚;
微 机
• DIN :数据输入引脚; • DOUT:数据输出引脚; • VDD:+5V电源引脚;

计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]

计算机组成原理第四章课后习题和答案解析[完整版]

第4章存储器1. 解释概念:主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。

答:主存:主存储器,用于存放正在执行的程序和数据。

CPU可以直接进行随机读写,访问速度较高。

辅存:辅助存储器,用于存放当前暂不执行的程序和数据,以及一些需要永久保存的信息。

Cache:高速缓冲存储器,介于CPU和主存之间,用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。

RAM:半导体随机存取存储器,主要用作计算机中的主存。

SRAM:静态半导体随机存取存储器。

DRAM:动态半导体随机存取存储器。

ROM:掩膜式半导体只读存储器。

由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读出而不能写入。

PROM:可编程只读存储器,由用户根据需要确定写入内容,只能写入一次。

EPROM:紫外线擦写可编程只读存储器。

需要修改内容时,现将其全部内容擦除,然后再编程。

擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。

EEPROM:电擦写可编程只读存储器。

CDROM:只读型光盘。

Flash Memory:闪速存储器。

或称快擦型存储器。

2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息?按速度、容量和价格/位排序说明。

答:计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。

按速度由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按容量由小至大排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按价格/位由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘。

3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么要分这些层次?计算机如何管理这些层次?答:存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。

Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,CPU访存速度加快,接近于Cache的速度,而寻址空间和位价却接近于主存。

主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,即从程序员的角度看,他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存。

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④由于地址信号是高电平有效,而片选信号是 低电平有效,所以,用于片选的地址线需通过 反相器再接入存储芯片的CS端。
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使用线选法有两点要引起注意: ①片1地址空间为0800H~0FFFH,片2为 1000H~17FFH,片3为2000H~27FFH,片4为 4000H~47FFH。可见,片2和3、3和4之间的 地址分布不连续。 片间的非有效地址不得使用。若不慎使 用了非有效地址,可能造成同时选中多片的 地址单元,造成严重错误。如地址1800H将同 时选中片1和片2的0号地址单元。
①存取速度: 应与CPU相匹配,
②容量、结构: 在满足总容量的前提下, 选用集成度高、容量大的芯片 ,因为这样的芯片的总线负载 小,价格也相对较低。
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二、存储器地址译码方法 在系统中存储器往往由多片存储芯片组 成,因此存储器地址译码不仅要进行片的寻 址,还要进行片内存储单元的寻址。这样就 需要进行片选译码和片内地址译码。
第六章 存储器接口
现代计算机中都采用三级存储结构:
高速缓存(Cache)
主存
外存
前2者统称为内存。本章只讨论 CPU与内存之间的接口技术。
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6.1 半导体存储器 一、半导体存储器分类: 通常按制造工艺和存取方式
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二、半导体存储器的主要性能指标 1. 存储容量:所含存储元的数量。1存储元可存1 个二进制位。 表示方法: 存储单元数×每单元所含二进位数 如1024×4表示该存储芯片有1K个存 储单元、每单元4位。 2. 存取时间:又称读写周期。完成一次存储器操 作所需时间。 3. 功耗:每存储单元消耗功率的大小。 单位有µW/位、译码方法并画出地址位图。 由于两类芯片的容量不同,则片内寻 址所需的地址位数不同,RAM需要12根, ROM需要11根。于是用于片选译码的地址 线位数也不同。 鉴于这种情况,有两种译码方法可用: 一、是各自设计独立的片选译码电路。 二、是先按大容量芯片进行一次译码 ,并把译码输出的一部分直接作为大 容量芯片的片选。另一部分译码输出 则与对小容量芯片来说也应参加片选 的地址线共同进行二次译码,以产生 小容量芯片的片选信号。
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分析: ① 2 KB 芯 片 的 片 内 译 码 需 要 1 1 根 地 址 线 (211=2048)。 ②总容量要求8KB,所以需要4片2KB的芯片, 由于采用线选法,需要4根地址线来实现。 ③由上可见,总共需要15根地址线。而CPU能 提供16根地址线。故选用低11位A10~A0作片内 寻址,4根片选线可在高5位地址线中任选4根 ,现选A11~A14。
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3. 存储芯片的选用 ⑴芯片类型的选用 要考虑对存储器总体性能的要求及要存 放的内容。 ①Cache:用于存放当前访问频率最高的 程序和数据,提高CPU的访内存速度, 需要高速、小容量即可。 通常选双极性RAM或高速MOS静态 RAM芯片。
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②主存:用于存放可或不可改写的数据,要兼顾速度和 容量两方面。故需要RAM和ROM两类芯片。
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6.2 存储器接口技术
同样是要完成三大总线的连接。
一、存储器接口中应考虑的问题 1. 存储器与CPU间的时序配合 以最大模式下8086的读操作总线周期为例说明。 它包含4个时钟周期T1,T2,T3,T4 在T1周期主要用于发送地址。包含有: CPU发出指令队列状态信号QS1和QS0、 状态信号 (供总线控制器8288生成 控制信号之用)。 还产生高4位地址有效信号BHE和高4位地址, 同时输出地址A15~A0。 并由8288产生信号ALE把所有地址信号锁存 在锁存器中。 8 8288还产生DT/R信号。
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T1 T2 T3 T4
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若系统需要Tw周期,则要设计等待信号发生器。
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通常保证外设的RDY信号在T2快结束时(即T2上升沿过 后)到达。RDY的低电平被T3的下降沿直接同步到触发 器2使READY变低电平,送入CPU使之进入等待状态, 插入一个等待周期Kw。而RDY的低电平在T3的上升沿 才被同步到触发器1。假定RDY在T3快结束时变为高电 平,但由于此时触发器1的输出低电平使与门被关闭, 所以新周期的下降沿无法同步RDY的高电平,直到新周 期上升沿先将它同步到触发器1后,又一个新的时钟周 期的下降沿才把高电平的RDY同步到触发器2,可见 CPU已经等待了一个时钟周期KW。此时READY输出高 电平,使CPU继续运行,这才进入T4周期。也可以说, 只要RDY在TW的上升沿到来之前变为高电平,情况就 如同上述。如果RDY在TW的上升沿之后变为高电平, CPU就必须再等待一个TW。也就是再插入第2个等待周 期。所以说在TW周期对READY的采样是在上升沿进行 13 的。(参考《Intel微处理器结构、编程与技术大全》)
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上图中存储器地址分布
片1: 0000H~07FFH 片2: 0800H~0FFFH 片3: 1000H~17FFH 片4: 1800H~1FFFH ………………………….. 片8: 3800H~3FFFH 片9: 4000H~47FFH 片10: 8000H~87FFH 注:混合译码法在其线选法译码部分也存在 地址重叠和地址不连续的问题。
片选译码: 采用高位地址。译码电路由用户自行设 计。 片内译码: 采用低位地址。用户将芯片所需的片内译 码地址线接入芯片的引脚即可,具体译码由片 内自带的译码器执行。
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1. 片选控制的译码方法
⑴线选法 直接用高位地址线作存储芯片的片选信 号,每根地址线选通一块存储芯片。(见图) 常用于所需存储容量不大,所用芯片数 量不多,CPU寻址空间远远大于存储容量的 情况。 例:欲设计一个微机系统,存储容量为8KB ,选用2KB的存储芯片实现。所选CPU地址 总线为16根,可寻址空间是64KB。试设计存 储器地址译码电路,要求片选译码电路用线 选法设计。
4. 可靠性:指对电磁场和温度变化等的抗干 扰能力。
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三、存储芯片的组成
片选信号执行对芯片的使能。 M位地址通过地址译码器,实现2M个单元选一 。 读写信号W/R实现读写控制。
被读写的单元的N位数据通过数据缓冲器接入 数据总线。 设进入存储芯片的地址线宽度(即MAR的编址数) 为M位,数据线宽度为N位。则:存储单元数=2M ,存储容量=2M×N。
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2. 地址译码电路的设计
一般步骤: ①确定实际存储器在系统整个寻址空间中的 位置; ②根据所选用的存储芯片的容量,画出地址 分配图或列出地址分配表。 ③根据地址分配图或分配表确定译码方法, 并画出相应的地址位图; ④选用合适的器件,画出译码电路图。
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例:设某微机系统地址总线为16位,实际存储容 量28KB,其中,RAM区20KB,采用4KB的 DRAM芯片;ROM区8KB,采用2KB的EPROM 芯片。试设计该存储器的地址译码电路。 设计: ①系统16位地址线的最大寻址空间为64KB。 现 选 用 低 2 8 KB 的 内 存 空 间 , 地 址 范 围 0 0 0 0 0 H~06FFFH。 其 中 , 0 0 0 0 0 H~04FFFH 为 RAM区,05000H~06FFFH为ROM区。 ②根据芯片容量画地址分配图或地址分配表。
RAM: 容 量 要 求 小 ( ≤ 6 4 K) 则 用 SRAM。不需要动态刷新,接口简单 。容量大则用DRAM,集成度高、 功耗小,价格低。但需要动态刷新 。 ROM:常选用EPROM(光可擦可编 程ROM)和E2PROM(在线电可擦可编 程ROM)。
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⑵芯片型号的选用
从存取速度、存储定量、结构和价格考虑。
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②由于有空闲的地址线,其值可任意为0或1,则 会造成地址重迭。例:本例A15空闲, 则地址 0FFFH与8FFFH 将选中片1内同一地址单元。这 也会给编程带来一些麻烦。
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(2)全译码法 各芯片地址线与低位地址总线直接相连,其余 高位地址总线全部参与芯片的片选译码。
例:用具有16根地址线的CPU寻址64KB存储 器(由8片8KB存储芯片构成),其全译码方式的原理 图如下:
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例如,系统CPU提供16位地址线,可寻址64KB, 但系统当前只需要24KB的内存。采用2-4译码器, A15未参加译码。由于它的取值可为0或1,这就造 成了地址重迭的问题。
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⑷混合译码法 此法将线选法与部分译码法相结合。把用于片 选的若干高位地址线分为两组,低位组用于部分 译码法,高位组用于线选法。 例如,系统CPU提供16位地址线,可寻址 64KB,但系统当前只需要由10片2KB的存储芯片 构成的20KB的内存。可采用混合译码法如下:
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现在我们采用二次译码法。
先按4KB容量RAM芯片进行片选译码,只能 用地址线A15~A12,使用A14~A12通过3-8译 码器可输出8个信号。 将其中5个用于5片RAM的片选信号,另外2 个会同小容量ROM芯片所需的片选地址线A11 进行二次译码,产生4个ROM芯片的片选信号 。剩余1根译码输出留作以后系统扩充时使用 。 地址线A15的值固定为0,故可用于作译码允 许控制。 据此分析,可画出地址位图如下:
T2周期主要用于发送读/写信号,实现低16 位地址总线转换成数据总线。 此时8288发出读信号和DEN信号。DEN使总 线收发器被选通,并配合方向信号DT/R就提供了 数据由内存流向CPU的通道。(见图) T3周期把数据送上数据总线,并在开始的下降 沿检测READY信号是否为低电平(未就绪)。未就绪 表示数据尚未送上数据总线,需要等待。于是CPU 产生一个等待周期TW,并在TW的下降沿继续检测 READY信号,为高电平则表示数据已经送上数据 总线,进入T4周期。否则继续生成一个TW待周期。 T4周期CPU从数据总线读取数据,S2~S0呈无操 作状态,各信号线恢复初态,准备执行下一总线周 期。
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此法译码的存储器地址连续而且唯一,具有 全部存储空间的寻址能力。 在存储容量较小时,可先用若干连续的译码 输出作片选线,其余空闲,留作扩充。(上图) ⑶部分译码法 此法是用部分高位地址线进行译码产生片选信 号。 常用于不需要全部地址空间的寻址能力(即CPU 提供的寻址空间大于系统实际的存储容量),而采用 线选法时地址线又不够用。 由于有部分高位地址线未参加地址译码,所以 也存在地址重迭的问题。
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