模拟电子技术试题9
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】
《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】1.晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。
A 发射结反偏,集电结正偏 B 发射结、集电结均正偏 C 发射结正偏,集电结反偏2.电压跟随器是( )的特例。
A 反相比例运算B 同相比例运算C 加法运算 3.反相比例运算放大电路引入的是( )负反馈。
A 串联电压 B 并联电压 C 串联电流 4.三极管作放大管时一般工作在( )。
A 放大区 B 截止区 C 饱和区5.温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。
A 三极管 B 电容 C 电阻 6.场效应管是( )器件。
A 电流控制B 电压控制C 光电控制 7.差分放大电路是为了( )而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移 8.场效应管按性能分为耗尽型和( )。
A 绝缘栅型B 耗尽型C 增强型 9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45 B 0.9 C 1.2 10.整流的目是( )。
A 将交流变为直流B 将高频变为低频C 将正弦波变为方波。
11.射极输出器的输出电压与输入电压( )。
A 反相B 同相C 不确定一、单项选择题(共 20 题,每题 2 分,共 40 分)12.直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。
A 温度升高 B 零点漂移 C 功率输出增大 13.理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是( )这种现象。
A U+ =U- B U+=0 C I+=I- 14.利用二极管的( )可以交流电将变成直流电。
A 放大特性 B 稳压特性 C 单向导电性 15.滤波电路的作用是( )。
A 减小直流电的脉动 B 输出稳定电压 C 整流16.三极管是电流控制器件,三极电流关系为( )和IC=βIB 。
A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17.根据三极管结构的不同有NPN 和PNP 两种,而根据材料的不同分为( )两种。
模拟电子技术试卷及答案
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。
2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。
3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。
4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。
5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。
6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。
7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。
8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。
10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。
11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将(A)A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。
模拟电路试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一、填空题:(每空1分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有单向导电性。
2、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;3、自然界的物质按导电能力来分可分为(导体)、(半导体)、绝缘体3种4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、半导体材料中用得最多的材料是(硅)和(锗),他们都是四价元素6、半导体的特性通常有(热敏性)(光敏性)和掺杂性7、在半导体中参与导电的是(空穴)和(电子)8、在本征半导体中参入(五价)价元素,就可以得到N型半导体9、在本征半导体中参入(三价)价元素,就可以得到P型半导体10、硅二极管的死区电压是(0.5 )V,锗二极管的死区电压是(0.1 )V。
11、硅二极管的正向导通压降是(0.7)V,锗二极管的正向导通压降是(0.3)V12、整流电路是利用二极管的(单向导电)性13、指针式万用表红表笔接的是电池的(—)极,黑表笔接的是电池的(+ )极14、场效应管的三个工作区分别为(截至区)、可变电阻区、和(饱和区)15、发光二极管工作在(正向)偏置16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
17、三极管放大电路共有三种组态分别是:共(C )极、共(B )极、共( E )极3种。
18、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。
19、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;20、共集电极放大电路具有电压放大倍数小,输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级。
21、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
22、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,所以它广泛应用于电路中。
23、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位,称PN结为(正偏)反之称为(反偏)24、稳定二极管稳压时是处于(反向)偏置状态,而二极管导通时是处于(正向)偏置状态。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第九章理想运算放大电路及应用
第九章理想运算放大电路及应用9-1.填空(1)理想集成运放的A od= ,r id= ,r od= ,K CMR= 。
(2)运算放大器组成运算电路必须引入反馈,在电压比较器中则应。
(3)欲实现电压放大倍数Au=-100应该选用电路。
(4)欲实现电压放大倍数Au=+100应该选用电路。
(5)比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地。
答案:(1)∞,∞,0,∞。
(2)负反馈,开环或加入正反馈。
(3)反相比例放大电路。
(4)同相比例放大电路。
(5)反相。
9-2.判断下列说法是否正确。
(1)运算电路中集成运放一般工作在线性区。
()(2)反相比例运算电路输入电阻很大,输出电阻很小。
()(3)虚短是指集成运放两个输入端短路。
()(4)同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。
()(5)单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
()(6)无源滤波电路带负载后滤波特性将发生变化。
()(7)因为由集成运放组成的有源滤波电路往往引入深度电压负反馈,所以输出电阻趋于零。
()(8)由于有源滤波电路带负载后滤波特性基本不变,即带负载能力强,所以可将其用作直流电源的滤波电路。
()(9)无源滤波器不能用于信号处理。
()(10)按照将积分运算电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现微分运算的思路,将低通滤波电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现高通滤波。
()答案:(1)对;在运算电路中,为使集成运放工作在线性区,一定要引入负反馈,只有在引入深度负反馈的条件下,输出电压与输入电压运算关系才几乎仅仅决定于反馈网络和输入网络。
(2)错;反相运算电路输入电阻与反相输入端所接电阻大小有关。
(3)错;“虚短”的含义不是说两个端短路,而是指两个端电位近似相等。
(4)错;同相比例运算电路输入单端输入模式。
(5)错;迟滞比较器的抗干扰能力强于单限比较器。
(6)对;本题考查是否理解“有源”和“无源”滤波电路的特点。
有源滤波电路有其局限性,主要表现在:一是频率响应受组成它的晶体管、集成运放频率参数的限制。
模拟电子技术(模电)模拟试题
模拟电子技术(模电)模拟试题模拟电路复习预习方法:1、掌握基本理论:二极管、三极管的特点和用途,反馈的定义、分类、判断,功率放大的原理与分类,滤波器的基本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的基本原理及构成。
2、掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率计算,直流电源的简单计算。
3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。
习题一、半导体二极管及其应用1.本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于答案:C2.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度答案:B3.在掺杂半导体中,少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度答案:C4.在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变答案:B5.N 型半导体______a 带正电b 带负电c 呈中性答案:C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变答案:C7. 当 PN 结正向偏置时,耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄答案:C8.当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变答案:b●9.当环境温度升高时,二极管的死区电压将______ a 升高 b 降低 c 不变答案:b10.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将______ a 增大 b 减小 c 不变答案:a11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 a 正 b 负 c 零答案:b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案:c13.理想二极管的主要性能指标为 ______a UD=0,IR=0,b UD =0.3V ,IR=0c UD =0.5V ,IR =IS 答案:a13.稳压管通常工作于______,来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区答案:c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 ______ a 升高 b 降低 c 不变答案:c13.二极管的反偏电压升高,其结电容 ______ a 增大 b 减小 c 不变答案:b17.二极管正向偏置时,其结电容主要是 ______ a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断答案:b18.锗二极管的死区电压约为 ______ 答案:aa 0.1Vb 0.2Vc 0.3V19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案:c20.由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 ______ a 大b 小c 不变答案:b22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ,则二极管的静态电阻为 ______ a UD/ID b UT /ID c UD/IS 答案:a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。
模拟电子技术答案 第9章 功率放大电路
第9章 功率放大电路自测题一、选择合适的答案填入括号内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大( A )。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比;B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比;C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
(3) 在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( BDE )。
A .βB .I CMC .I CBOD .U CEOE .P CMF .f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ,则最大输出功率P OM =( C )。
A.2()2CC CES LV U R - B.21()2CC CES L V U R - C.21()22CC CES L V U R -图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2 所示,已知T l 和T 2的饱和管压降2CES U V =,直流功耗可忽略不计。
回答下列问题:(1)R 3、R 4 和T 3的作用是什么?(2)负载上可能获得的最大输出功率P om 和电路的转换效率η各为多少?(3)设最大输入电压的有效值为1V 。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ,电阻R 6至少应取多少千欧?解:(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为:2()162CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (3)由题意知,电压放大倍数为:61111.3u R A R =+≥== ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。
( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术试题.(答案)
模拟电子技术试题(答案)一.判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
(×)2.点接触型晶体二极管因其结电容很小,因此工作频率也很小,比较适用于做小信号检波。
(×)3.室温下,当锗晶体二极管导通后,在正常使用的电流范围内,管压降一般取0.7V。
(×)4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。
(√)5.正常情况下,二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。
(√)6.晶体二极管的阳极电位是10V,阴极电位是20V,则该晶体二极管处于导通状态。
(×)7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。
(×)8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。
(×)9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管,只是在制造工艺上采取了某些措施,以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。
(×)10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的,当有电流流过时,就能发出光来。
(√)11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态,在光的照射下,反向电流随光照强度的增加而上升。
(√)12.三极管工作于饱和状态时,其外加偏置电压为发射结正偏,集电结正偏。
(√)13.在三极管放大电路放大区,基极电流与集电极电流的比值保持不变,为一常数。
(√)14.根据输出特性曲线,三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区,相当于一个开关。
(×)15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV<sub>ceo</sub>的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。
(√)16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管,各电极对地的电位是:U<sub>1</sub>=-2.7V,U<sub>2</sub>=-6V,U<sub>3</sub>=-2V,则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。
电气工程专业基础:模拟电子技术试题及答案
电气工程专业基础:模拟电子技术试题及答案1、单选?电路如图11-8所示,晶体管β=50,Ube=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5k Ω,U=9V,当R=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电(江南博哥)流ICQ应等于3mA,此时应把R调整为()kΩ。
A.100B.72C.68D.86正确答案:C2、单选一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为A,反馈系数为F,能够稳定振荡的幅值条件是()。
A.|AF|>1B.|AF|<1C.|AF|=1D.|AF|=0正确答案:C3、单选?电路如图11-1所示,电路中VD可视为理想二极管,判断uo的值为()V。
A.6B.3C.-3D.9正确答案:A4、单选理想运算放大器的共模抑制比为()。
A.零B.约120dBC.无穷大D.AU正确答案:C5、单选固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将()。
A.增加B.减少C.基本不变D.无法判断正确答案:A6、单选桥式RC振荡电路是用来产生一定频率和幅度的()。
A.正弦交流信号B.正、负尖脉冲信号C.方波信号D.非周期信号正确答案:A7、单选?电路如图11-5所示,A点与B点的电位差U约等于()V。
A.0.3B.-2.3C.1.0D.1.3正确答案:A8、单选表明晶体管质量优劣的主要参数是()。
A.β、ICBO(ICEO)B.ICM、PCMC.,ICMD.,PCM正确答案:A9、单选射极输出器的反馈系数F()。
A.小于1B.等于1C.大于1D.等于0正确答案:B10、单选?电路如图11-14所示,若发射极交流旁路电容C因介质失效而导致电容值近似为零,此时电路()。
A.不能稳定静态工作点B.能稳定静态工作点,但电压放大倍数降低C.能稳定静态工作点,电压放大倍数升高D.电路失去放大作用正确答案:B11、单选?电路如图11-4所示,VD1,VD2均为理想二极管,设U2=6V,U1的值小于6V,则Uo=()。
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV,共模输入信号uic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为()。
A.β增加,ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加,uBE减小C.β和uBE 减小,ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比KCMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
电子技术-模拟试题含答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共集电极)、(共基极)放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于一),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号;在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数,同一数码在不同数位所代表的位权不同。
模拟电子技术试卷9
1昆 明 冶 金 高 等 专 科 学 校 试 卷课程名称:模拟电子技术 任课教师: 考试时间: 试卷类别: 专 业: 班 级: 学生姓名: 学 号: 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总 分一、单选题(每题1分) 1. 图示电路中,( )。
A .只要将二次线圈的同名端标在上端,就能振荡 B .将二次线圈的同名端标在下端,可能振荡 C .将二次线圈的同名端标在上端,可满足振荡的相位条件 D .将二次线圈的同名端标在下端,可满足振荡的振幅条件 2. 图示电路中,出现下列哪种故障必使三极管截止( )。
A. R B1开路 B. R B2开路 C. R C 短路 D. C E 短路图号3201 3. 图示电路( ) A .等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1 B .等效为NPN 管,电流放大倍数约为β2 C .连接错误,不能构成复合管 D .等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1β 2 图号3402 1V 2V 1β2β 4. 某集成运放频率特性如图所示,则用于放大100kHz 信号时能达到的最高电压放大倍数为 ( )。
A. 10B. 5000000C.50 D. 无法确定5. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ) ,则说明引入的是负反馈。
A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小6. 一过零比较器的输入信号接在反相端,另一过零比较器的输入信号接在同相端,则二者的( ) A .传输特性相同 B .传输特性不同,但门限电压相同 C .传输特性和门限电压都不同 D .传输特性和门限电压都相同7. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于8. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以( )A .增大差模输入电阻B .提高共模增益C .提高差模增益D .提高共模抑制比 9. 由迟滞比较器构成的方波产生电路,电路中( ) A .需要正反馈和选频网络B .需要正反馈和RC 积分电路C .不需要正反馈和选频网络D .不需要正反馈和RC 积分电路10. 对于理想模拟乘法器,下列说法不准确的为( )。
《模拟电子技术》试题及答案
《模拟电子技术》试题一、填空题(每空1分,共20分)1、如果按结构分类,二极管可分为型和型两种类型.2、BJT工作在截止区时,其发射结处于偏置,集电结处于偏置.3、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。
4、为消除乙类功放的交越失真,给BJT发射结加一定的偏压,使Q点上移,摆脱电压的影响。
这时,电路工作在状态。
5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器,在输入交流信号作用下,两管工作,为使输出电压波形对称,要求两管的性能。
6、双端输出差动放大器在电路完全对称时,其共模增益为,共模抑制比为。
7、运算放大器的输出电阻越小,它带负载的能力,如果是恒压源,带负载的能力.8、深度负反馈是指,负反馈深度等于。
9、正弦波振荡器主要由电路、电路和电路三部分组成。
二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
()2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
()3、BJT的β值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是β值越大越好。
()4、集电极电阻R C的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, R C的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
()6、分压偏置电路的发射极电阻R e越大,工作点稳定性越好.但R e过大,会使BJT的V CE减小,影响放大器的正常工作。
()7、射极输出器的输入电流是I B,输出电流是I E,因此,具有较高的电流放大倍数。
()8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路.()9、在运放电路中,闭环增益A F是指电流放大倍数。
()10、只要满足AF=1,ϕa+ϕf=2nπ这两个条件,就可以产生正弦波振荡.三、选择题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流()漂移电流。
电子技术模拟题(九)
模拟试题九一、填空题1.三极管放大电路的三种基本组态是、和,其中组态输出电阻低、带负载能力强;组态兼有电压放大作用和电流放大作用。
2.放大电路没有输入信号时的工作状态称为;放大电路有输入信号作用时的工作状态称为。
3.放大电路中的直流通路是指,交流通路是指。
4.在三极管放大电路中,若静态工作点偏低,容易出现失真;若静态工作点偏高,容易出现失真。
5.画三极管的简化微变等效电路时,其B、E两端可用一个等效代替,其C、E两端可用一个等效代替。
6.射极输出器是一种共放大电路。
7.射极输出器的电压放大倍数。
8.引入反馈可提高电路的增益,引入反馈可提高电路增益的稳定性。
9.将信号的一部分或全部通过某种电路端的过程称为反馈。
10.电压负反馈能稳定输出,电流负反馈能稳定输出。
11.负反馈对输出电阻的影响取决于端的反馈类型,电压负反馈能够输出电阻,电流负反馈能够输出电阻。
12.负反馈对输入电阻的影响取决于端的反馈类型,串联负反馈能够输入电阻,并联负反馈能够输入电阻。
13.以功率三极管为核心构成的放大器称放大器。
它不但输出一定的还能输出一定的,也就是向负载提供一定的功率。
14.功率放大器简称。
功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:类功放、类功放和类功放电路。
15.功放管可能工作的状态有三种:类放大状态,它的失真、效率;类放大状态,它的失真、效率;类放大状态,它的失真、效率;。
16.功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大,工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区,进入或,产生失真。
17.所谓“互补”放大器,就是利用型管和型管交替工作来实现放大。
18.OTL电路和OCL电路属于工作状态的功率放大电路。
19.为了能使功率放大电路输出足够大的功率,一般晶体三极管应工作在。
20.当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时,因晶体三极管的输入特性,故在两管交替工作时产生。
21.对于乙类互补称功放,当输入信号为正半周时,型管导通,型管截止;当输入信号为负半周时,型管导通,型管截止;输入信号为零(Ui=0)时,两管,输出为。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
《模拟电子技术》考试试题及答案
《模拟电子技术》考试试题及答案一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截至),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共集)、(共射)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电压)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=( 1+AF )BW,其中BW=( Fl-Fh ),( 1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于或近似等于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=( kuxuy ),电路符号是()。
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《模拟电子技术》试卷9
一、 判断下列说法是否正确,用“对”或“错”表示判断结果。
(共10分)
1. 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
2. 电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。
3. 使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。
4. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
5. 利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
6. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
7. 未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。
8. 集成运放在开环或施加负反馈情况下一定工作在非线性区。
9. 只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。
10. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
二、 选择填空 (共10分,每空1分)
1. 为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ;为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。
A)电流负反馈 (B)电压负反馈 (C)直流负反馈 (D)交流负反馈
2. RC 串并联网络在RC
f f π210==时呈 。
(A)感性 (B)阻性 (C)容性 (D) 不确定
3. 通用型集成运放的输入级多采用 。
(A)共基接法 (B)共集接法 (C)共射接法 (D)差分接法
4. 两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
(A)β (B)β2 (C)2β (D)1+β
5. 在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是 ;既能放大电流,
又能放大电压的电路是 。
(A)共基放大电路 (B)共集放大电路 (C)共射放大电路
6. 当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。
(A) > (B) < (C) = (D) ≤
7. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
(A) 大 (B) 小 (C) 相等
三、 分析题(共20分)
1、(10分)在图3-1电路中,已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B-E 间动态电阻为r be 。
填空:
静态时,I BQ 的表达式为 ,
I CQ 的表达式为 ,
U CEQ 的表达式为 ;
电压放大倍数的表达式为 ,
输入电阻的表达式为 ,输出电
阻的表达式为 ;若减小R B ,则I CQ 将 ,r be 将 ,u
A 将 ,R i 将 。
图3-1
2、(10分)电路如图3-2(a)所示,运放A 1、A 2构成何种电路,根据给定VI 波形(图3-2(b)),画出A 1的输出Vo1和A 2的输出Vo 的输出波形。
四、 计算题(共60分)
1. (5分)图4-1电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0。
2. (5分)在图4-2 OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U C ES 1 ,电源电压为
±9V ,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率Pom 及效率η。
图4-1
图
4-2
3. (5分)在图4-3电路中,要求R F =100 k Ω,比例系数为11,试求解R 和R '的
阻值。
4. (5分)求解图4-4电路的运算关系式。
5. (10分)在图4-5电路中,已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ,电流放大系数为β
=100,r be =1 k Ω,R B1=5 k Ω,R B2=15 k Ω,R E =2.3 k Ω,R C =R L =3 k Ω, V CC =12V 。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)估算信号源内阻为R S =1k Ω时,S
us U U A 0=的数值。
6. (10分)在图4-6电路中,已知V CC =12V ,V EE =6V ,恒流源电路I=1 mA ,
R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω;两只晶体管特性完全相同,且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω。
估算:
(1) 电路静态时T 1和T 2管的集电极电位;
(2) 电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0
图
4-3 图4-4
7. (10分)设图4-7各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种
组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。
8. (10分)在图4-8文氏桥振荡电路中,已知R 1=10 k Ω,R 和C 的可调范围分
别为1~100 k Ω、0.001~1μF 。
(1) 振荡频率的可调范围是多少?
(2)R F 的下限值为多少?
图4-7 (a) 图4-7 (b)
图
4-8
图4-5 图4-6。