6.1 载流子的漂移运动

在半导体中，热载流子所表现出来的重要效应主要有两个方面： 其一是非线性的速度-电场关系：Si中的载流子在高电场时即呈 现出漂移速度饱和现象，这就是由于热载流子发射光学波声子(约 0.05eV)的结果。GaAs中的电子当被电场“加热”到能量kTe达到 0.31eV时（Te是所谓热载流子温度），即从主能谷跃迁到次能谷， 从而产生负阻现象。 其二是碰撞电离效应：热电子与晶格碰撞、并打破价键，即把 价电子激发到导带而产生电子-空穴对
Hale Waihona Puke Baidu
这些热载流子效应所造成的影响，有 的是很有用处的。例如n-GaAs中出现 的负阻现象，即可用来实现所谓转移电 子器件——一种重要的微波-毫米波器 件。
又如，利用MOSFET中的热载流子可 以向栅氧化层注入的作用，能够制作出 存储器。再如，利用热载流子的碰撞电 离效应，可以制造出雪崩二极管等器件。