根轨迹的基本条件和规则

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根轨迹法

根轨迹法

根轨迹法一、定义:〈①〉()()()01111*0=+++=+∏∏==nj imi ip s z s Ks G 。

其中*K 为根轨迹增益。

开环放大倍数∏∏===nj jmi ipzKK 11*闭环特征方程的根随参数*K 而变化的轨迹,称为根轨迹。

其符合两个条件:()()()()⎪⎩⎪⎨⎧=∠+=∠=非最小相位系统或最小相位系统相角条件:幅值条件:,2,121000ππk s G k s G s G〈②〉几条规则:①实轴上的根轨迹〈最小相位系统〉右边有奇数个零极点时,有根轨迹 〈非最小相位系统〉右边有偶数个零极点时,有根轨迹 ②根轨迹条数=Max (n,m ),起点为开环极点(0=g K ),终点为开环零点(∞→g K )③渐进线条数:(n-m )条,与实轴交点坐标:mn --=∑∑零点极点1σ与实轴夹角:()mn k -+±=πϕ121。

④分离点与会合点:使0*=dsdK ,并使*K >0的点 ⑤复数极点出射角:∑∑-+︒=量辐角其他极点至该极点的向零点至极点的向量辐角1801p θ对非最小相位系统∑∑-='量辐角其他极点至该极点的向零点至极点的向量辐角1p θ 复数零点的入射角:∑∑+-︒=角极点至该零点的向量辐量辐角其他零点至该零点的向1801z θ对非最小相位系统∑∑+-='角极点至该零点的向量辐量辐角其他零点至该零点的向1z θ⑥与虚轴交点:(a )用劳斯判据确定,用辅助方程求得(b )ωj s =代入闭环特征方程,由实部=0,虚部=0求得例1:()()()210++=s s s Ks G解:渐进线(3条):()()10321-=--+-=σ,()πππϕ,3312=+±=k由()()0211=+++s s s K,则()()21++-=s s s K ,()()026323223*=++-=++-=s s dsss s d ds dK ,得 ⎩⎨⎧-=-==-=385.0,577.1385.0,423.0*22*11K s K s 与虚轴的交点:方法一02323=+++K s s s ,劳斯阵:Ks K sKs s 0123323021-要与虚轴有交点,则有一行全零,即6032=⇒=-K K辅助方程:j s s 20632,12±=⇒=+ 方法二将ωj s =代入特征方程:()()()02323=+++K j j j ωωω2,60320332==⇒=-=-ωωωωK K 虚部:实部:,则与虚部的交点6,22,1=±=K j s 根轨迹如下图例2:()()32220+++=s s s K s G 解:渐进线一条。

第四章 根轨迹

第四章  根轨迹

求得
s 1 = − 0 . 422 , s 2 = − 1 . 578
法2: D ( s ) N ′( s ) − D ′( s ) N ( s ) = 0 可得 3 s 2 + 6 s + 2 = 0
s1 = −0.422, s2 = −1.578
§4-2根轨迹的绘制法则
验证:由于 s 2 ∈ [ − 2 , − 1] ,不存在根轨迹,故不 是分离点。而 s1不仅属于[-1,0]且能使 K g > 0 ,s2 使 Kg < 0 注:此方法对求复平面上的分离,会合点也有 效。 5、根轨迹的渐近线
§4-2根轨迹的绘制法则
2.根轨迹数(分支数)和它的对称数 根轨迹数(分支数) 分支数等于开环极点数n(特征方程阶数)。 由实系数特征方程知,特征根不是实根,就是共 轭复根,故根轨迹一定对称于实轴。 3.实轴上的根轨迹 由轴上某个区段,若它的右侧开环零极点总 数 为奇数,则该区段为一根轨迹分支 由辐角条件可知:
K g → ∞时系统有n-m条根轨迹趋于无穷远处
,成为一条直线,即根轨迹渐近线。
§4-2根轨迹的绘制法则
(1)倾角:开环有限零点极点到无穷远特征 根矢量辐角都相等 α i = β i = ϕ ,即由辐角条件
∑α − ∑ β
i =1 i j =1
m
n
j
= m ϕ − n ϕ = ( 2 k + 1)π , k ∈ Z
§4-2根轨迹的绘制法则
设闭环系统特征方程为:F(s) = Kg (s)N(s) + D(s) = 0
Kg > 0 若有重根将使 F ′ ( s ) = 0 ∴ K g N ′( s ) + D ′( s ) = 0

根轨迹法(自动控制原理)ppt课件精选全文完整版

根轨迹法(自动控制原理)ppt课件精选全文完整版
1 K (s z1 )( s z2 )....( s zm ) 0 (s p1 )( s p2 )....( s pn )
课程:自动控制原理
第4章 根轨迹法
➢ 以K为参变量的根轨迹上的每一点都必须满足以上方程, 相应地,称之为‘典型根轨迹方程’。
也可以写成
m
n
(s zl ) K (s pi ) 0
可见,根轨迹可以清晰地描绘闭环极点与开环增益K之间的 关系。
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第4章 根轨迹法
2.根轨迹的基本条件
❖ 考察图示系统,其闭环传递函数为:
Y(s) G(s) R(s) 1 G(s)H(s)
闭环特征方程为:
1 G(s)H(s) 0
➢ 因为根轨迹上的每一点s都是闭环特征方程的根,所以根轨 迹上的每一点都应满足:
l 1
i 1
对应的幅值条件为:
相角条件为:
n
( s pi ) K i1
m
(s zl )
l 1
m
n
(s zl ) (s pi ) (2k 1)180
k 1,2,
l 1
i 1
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第4章 根轨迹法
❖ 上述相角条件,即为绘制根轨迹图的依据。具体绘制方法 是:在复平面上选足够多的试验点,对每一个试验点检查 它是否满足相角条件,如果是则该点在根轨迹上,如果不 是则该点不在根轨迹上,最后将在根轨迹上的试验点连接 就得到根轨迹图。
显然,位于实轴上的两个相邻的开环极点之间一定有分离 点,因为任何一条根轨迹不可能开始于一个开环极点终止 于另一个开环极点。同理,位于实轴上的两个相邻的开环 零点之间也一定有分离点。
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第4章 根轨迹法

根轨迹法的基本法则

根轨迹法的基本法则

为求根轨迹从P3点处的出射角,在其附
近找一个实验点Sa,并认为该点在根轨
迹上,则它应满足幅角条件:
m
n
(s z j ) (s pi ) (2k 1)
j 1
i 1
P3 s3 a
j j
-1 -2 -3 -4 (2k 1)180o 前提:Sa无限靠近P3
例如,某系统开环零极点分布 如图。现在要判断实轴上的某
P1j 1Fra bibliotek Sai 1
j
点Sa是不是根轨迹上的点. P5 Z2
各开环零、极点的幅角: P2
P4 Z1
P3
0
(sa - z2 ) 0o (sa - p5 ) 0o
(sa - p1) 1 (sa - p2 ) 2
G(s)
K (s 1)
s(s 4)(s2 2s 2)
四个开环极点:0、-1+j、-1-j、-4 一个开环零点:-1
共有四条根轨迹,
实轴上的根轨迹为0→-1 , -4→-∞
渐近线与实轴交点:
n
m


a
i 1
pi z j
j 1
nm

(0) (1
j) (1 4 1
求出重根为: s1、2 = - 2.07
之间找;若求出的重根点在 实轴上但不符合“实轴上根 轨迹”的判断规则就要舍去
法则六 根轨迹的起始角与终止角
复数极点附近根轨迹形态怎样?
在复数极点附近取一个试验点Sa,各零、极点到试 验点Sa的矢量幅角和应满足幅角条件,当Sa点无限 趋近该复数极点时,可求出根轨迹从该点出射方向。
i1
j 1
i1
闭环特征方程的根(即闭环极点)与特征方程的系数关系:

根轨迹绘制的基本法则

根轨迹绘制的基本法则

规则七、 根轨迹与虚轴的交点:交点和相应的Kr值 利用劳斯判据求出。 根轨迹与虚轴的交点对应于临界稳定状态,此时系统 出现虚根。 在例4-2-2中,系统闭环特征方程式为:
1 Kr ( s 5) s ( s 1)( s 2)
1 3 6 2K r 3 5K r
0,
s( s 1)( s 2) K r ( s 5) 0
同理可证明入射角。
例4-2-3
设系统开环零极点图如图4-7。p
0 0
j
3
确定根轨迹离开共轭复数根的出射角。
其中 ( p3 z1 ) 85 , ( p3 p1 ) 135
( p3 p2 ) 45 , ( p3 p4 ) 90
0 0
×●
P3
P2 × ●
n m j j 1 i 1
i
nm
对例4-2-2,渐近线与实轴夹角为:

l 180 n m


180 l 2

( l 1,3,) 90 , 90 ( 270 )
0
0 0
交点坐标为:
1 2 ( 5 ) 2
1 , 即(1,j0)。
j

× × ×
﹣2 ﹣1
P3
s0 点为从 p3 出发的根轨迹上一点。
z ( p1 p 2 p 3 p 4 ) 180 l
0
j
×●
z
P3
P1
p 3 180 l z ( p1 p 2 p 4 )
0
P2
×●
Z1
×
01 P
P2

P2 × ●

绘制根轨迹的基本规则

绘制根轨迹的基本规则
大),则另一些极点必然向左移动(变小)。
n
n
m
闭环极点之积为: si a0 Kgb0 p j Kg zi
i1
j 1
i1
n
m
当有为零的开环极点: si K gb0 K g zi
i 1
i 1
根据上述9个性质(或准则),可以大致画出根轨迹的形状。
为了准确起见,可以用相角条件试探之。
如果实轴上相邻开环零点(其中一个可为无穷远零点)之 间有根轨迹,ห้องสมุดไป่ตู้这相邻零点之间必有会合点。
如果实轴上根轨迹在开环零点与开环极点之间,则它们之 间可能既无分离点也无会合点,也可能既有分离点也有会合 点。
[分离角]:在分离点或会合点上,根轨迹的切线和实轴的夹角称
为分离角 d 。 d
与相分离的根轨迹的支数k有关: d
③求分离会合点的另一个公式
m
(s zi )
设系统开环传递函数为:
Gk (s) K g
i 1 n
(s pj)
j 1
因闭环特征方程为: Gk (s) 1
m
n
即闭环特征方程为: F(s) Kg (s zi ) (s pj ) 0
i 1
j 1
重根时还满足
dF(s) ds
d ds
Kg
m i 1
(s zi )
n
(s
j 1
p j ) 0
n
m
(s p j ) Kg (s zi )
(1)
j 1
i1
d n
dm
ds
(s pj ) Kg
j 1
ds
(s zi )
i1
(2)
(2) (1)
d n

自动控制第五章根轨迹法

自动控制第五章根轨迹法

15
绘制根轨迹的规则
【例5-2】已知负反馈系统的开环传递函数为:
解:(1)根轨迹的分支数和对称性 开环极点分别为: 系统的根轨迹有三条分支 (2)根轨迹的起点与终点 起始于系统的三个开环极点,并趋向于无穷远处
K1 Kb
j Kc
K1

(3)根轨迹的渐近线
Kc K1
16
绘制根轨迹的规则
闭环特征根s1,s2 随着K1值得 改变而变化。
(1) K1= 0:s1 = 0,s2 = 2,是根轨迹的起点,用“”表示。 j K1 (2) 0 < K1<1 :s1 ,s2 均是负实数。 K1 s1 ,s2 。 s1从坐标原点开 始沿负实轴向左移动; s2从(2, K1= 0 K1= 0 K1=1 j0)点开始沿负实轴向右移动。 1 0 2 (3) K1= 1: s1 = s2 = 1,重根。
+

K s(0.5s+1)
C(s)
式中,K为系统的开环比例系数。 K1 = 2K 称为系统的开环 根轨迹增益。
系统的闭环传递函数为:
K1 ( s) 2 s 2s K1
系统的闭环特征方程为: s2 + 2s + 2K1 = 0
4
一、根轨迹
用解析法求得系统的两个闭环特征根为:
s1,2 1 1 K1
K1
分离角为:
Kb

Kc K1
17
绘制根轨迹的规则
一般情况下,如果根轨迹位于实轴上相邻的开环极点之间, 则在这两个极点之间至少存在一个分离点;同样,如果根 轨迹位于实轴上两个相邻的开环零点之间(其中一个可在 无穷远处),则这两个零点之间至少存在一个汇合点。

180根轨迹绘制法则

180根轨迹绘制法则
s(s 2.5)(s 0.5 1.5 j)(s 0.5 1.5 j)
解:将开环零极点标注在s平面上。
j
由法则1,确定根轨迹起点和终点。
由法则2,确定有4条根轨迹分支。
由法则4,确定实轴上的根轨迹 [-∞,-2.5]、[-1.5,0] 。
由法则3,确定根轨迹有1条渐近线
-3 -2 -1 0
K1 K1 0
K1 0
m
1
n

1
j1 d z j i1 d pi
K1
分分离点离点
分离角: (2k 1) / l
K1
K1 0
K1
会合? 点? ?
K1 0
式中,zi , pj 分别为开环系统 的零点和极点; l 为在s平面上 相遇又立即分开的根轨迹的条 数,k 0,1, , l 1。
称为终值角,以 zi 标志。
根轨迹的
j
起始角 [s]
p1 p1
p3
0

p2
p2
根轨迹的j 终止角
p1
z1
p1
z1
z1
0
z2
z2 p2 z2源自p2j[s] p1
p1
[s]

0

p2 p2
出射角对(a)复极点,
(b入) 射角对复零点。
法则6:根轨迹起始角和终值角。
用试探法得d≈-2.3。
由法则6,确定起始角和终止角。
p3 (2k 1) (135o 90o 26.6o ) 71.6o p4 71.6o 本题无须确定终止角。
由法则7,确定根轨迹与虚轴的交点。
闭环特征方程为:s4 5s3 8s2 6s K* 0

(自动控制)第四章:根轨迹法

(自动控制)第四章:根轨迹法

动态性能:从根轨迹图可以分析出系统的工作状态,
如过阻尼状态、欠阻尼状态……
根轨迹增益、闭环零极点与开环零极点的关系 l f
* G(s)= KG
∏( s-p ) i i=1
f i i 1 H q
q
∏( s-z ) i i=1
;
l
j=1 * H (s)= KH h
f l m
∏(s-zj )
C(s)
C ( s) 2k 2 R ( s ) S 2 S 2k
特征方程(闭环):
S2+2s+2k=0

k s(0.5s+1)
特征根:s1,2= -1±√1-2k k=0时, s1=0, s2=-2
K:0 ~ ∞
0<k<0.5 时,两个负实根 ;若s1=-0.25, s2=? k=0.5 时,s1=s2=-1 0.5<k<∞时,s1,2=-1±j√2k-1 j
注意:一组根对应同一个K;
K一变,一组根变; K一停,一组根停;
-2
-1
0
由以上分析,s1、s2两条根轨迹反映了系统特征根随参 数k变化的规律,组成了系统的根轨迹。 1.二阶系统有两个特征根,它的根轨迹有两条分支; 一个n阶系统的根轨迹则应有n条分支。 2.k=0时的闭环极点,s1=0、s2=-2正好是开环传递函 数的两个极点,因此说,系统开环极点就是它各条根轨 迹的起点。 3. k=∞时的闭环极点,是根轨迹的终点。 4.特征方程的重根点是根轨迹的分支离开负实轴进入复 数平面的分支点。
a.系统响应单调上升(ξ>1)系统具有两个不相等的负实根┈ 过阻尼响应。 b.系统响应衰减振荡(0<ξ<1)系统具有一对负实部的共 轭复根┈欠阻尼响应。

根轨迹法(自动控制原理)

根轨迹法(自动控制原理)

i1
l 1
nm
规则4:实轴上的根轨迹
➢ 实轴上的开环零点和开环极点将实轴分为若干段,对其中任一段,如果其右
边实轴上的开环零、极点总数是奇数,那么该段就一定是根轨迹的一部分。
❖ 该规则用相角条件可以证明,设实轴上有一试验点s0。 ➢ 任一对共轭开环零点或共轭极点(如p2,p3),与其对应的相角(如θ2,θ3)
第四章 根轨迹法
4.1 根轨迹的基本概念 4.2 绘制典型根轨迹 4.3 特殊根轨迹图 4.4 用MATLAB绘制根轨迹图 4.5 控制系统的根轨迹分析
内容提要
➢ 根轨迹法是一种图解法,它是根据系统的开环零 极点分布,用作图的方法简便地确定闭环系统的 特征根与系统参数的关系,进而对系统的特性进 行定性分析和定量计算。
规则3:渐近线
❖ 当n>m时,根轨迹一定有n-m支趋向无穷远;当n<m时,根轨迹一定有m-n支 来自无穷远。可以证明:
➢ 当n≠m时,根轨迹存在|n-m|支渐近线,且渐近线与实轴的夹角为:
所有渐近线交于k实轴上(2的k一n点1,)m1其8坐00标,为 k 0,1,2,,| n m | 1
n
m
pi zl
之和均为360°,也就是说任一对共轭开环零、极点不影响实轴上试验点s0的相 角条件。
➢ 对于在试验点s0左边实轴上的任一开环零、极点,与其对应的相角(如θ4,φ3) 均为0。
➢ 而试验点s0右边实轴上任一开环零、极点,与其对应的相角(如θ1,φ1,φ2) 均为180°。
所以要满足相角条件,s0右边实轴上的开环零、极点总数必须是奇数。
❖ 1948年伊凡思(W.R.Evans)提出了根轨迹法,它不 直接求解特征方程,而用图解法来确定系统的闭环 特征根。

第4章 根轨迹法

第4章 根轨迹法
,即系统的开环极点。
时,由根轨迹方程知根轨迹的终点为
,即系统的开环零点。
但是,当
时,
条根轨迹趋向于开环零点(称为有限零点),还有
条根轨迹将趋于无穷远处(称为无限零点)。
如果出现
的情况,必有
条根轨迹的起点在无穷远处。
规则2 根轨迹的分支数、对称性和连续性根轨迹的分支 数等于 , 根轨迹对称于实轴并且连续变化。
由根轨迹的对称性和连续性,根轨迹只需作出上半部分,对称画出另一部分,且根轨迹连续变化。
规则3 根轨迹的渐近线 当开环极点数大于开环零点数时,有n-m条根轨迹 趋于无穷远处,无穷远处的渐近线与实轴的交点为 , 渐近线与实轴正方向的夹角(倾角)为
例4-1单位负反馈系统的开环传递函数为
规则10 根之积 根据特征方程根和系数的关系,得
第1章 引 论
例:系统的开环传递函数为
开环极点为
渐近线于实轴的交点为
渐近线的倾角为
与虚轴的交点为
第1章 引 论
根轨迹的分会点:
第1章 引 论
第1章 引 论
第1章 引 论
例:系统的开环传递函数为
开环极点为
渐近线于实轴的交点为
4.6 MATLAB绘制系统的根轨迹 对于比较复杂的系统,人工绘制根轨迹十分复杂和困难,MATLAB绘制系统根轨迹是十分方便的。 通常将系统的开环传递函数写成如下形式
分别为分子和分母多项式。
采用MATLAB命令: pzmap(num,den)可以绘制系统的零、极点图; rlocus(num,den)可以绘制系统的根轨迹图; rlocfind(num,den)可以确定系统根轨迹上某些点的增益。
渐近线的倾角为
与虚轴的交点为

2绘制根轨迹的基本法则

2绘制根轨迹的基本法则
K
g
s ( s + 1 )( s + 5 )
,试确定根轨
上例已经确定了渐近线、实轴上的根轨迹段和分离(会合)点等, 下面确定根轨迹与虚轴的交点。
方法一:闭环特征方程: 3 + 6s 2 + 5s + K g = 0 ,令 s = jω 代入闭环特 s 征方程 ( jω ) 3 + 6( jω ) 2 + 5( jω ) + K g = 0 分解为实部和虚部: K g − 6ω 2 ) + j (5ω − ω 3 ) = 0 ( K g − 6ω 2 = 0 ω = 1,± 5 于是有: ,显然交点为 ⇒ 3 K g = 0,30 5ω − ω = 0 方法二:构造劳斯表
根据根轨迹相角条件可以写出的方向角其它各极点指向的方向角各零点指向的方向角其它各极点指向的方向角由各零点指向的方向角其它各极点指向的方向角由各零点指向的方向角其它各极点指向的方向角由各零点指向考虑到k的取值为所以上式可以写成为
4.2 绘制根轨迹的基本法则
一、 180°根轨迹作图法则
法则1:根轨迹的起点和终点 根轨迹的起点是指根轨迹增益 K g = 0 时,闭环极点在s平面上的位置, K g时闭环极点在s平面上的位置。 =∞ 而根轨迹的终点则是指 根轨迹起始于系统的开环极点(包括重极点),而终止于开环零点。 根轨迹起始于系统的开环极点(包括重极点),而终止于开环零点。 ),而终止于开环零点 法则2:根轨迹的连续性和对称性 根轨迹具有连续性,且对称于实轴。 根轨迹具有连续性,且对称于实轴。 法则3:根轨迹的分支数 根轨迹的分支数取传递函数分子、分母阶数 和 的大者 的大者。 根轨迹的分支数取传递函数分子、分母阶数m和n的大者。 法则4:根轨迹的渐近线 当系统的开环增益Kg→∞时趋向无穷远处的根轨迹共有n-m条,n-m条 根轨迹趋向无穷远的方位由渐近线决定。

4-2 根轨迹的绘制法则

4-2 根轨迹的绘制法则

1 解: 求系统开环零点,并标于s平 • 面上; z1 (2)根轨迹的分支数为 p4 z3 4条; p3 -2 -1 (3)实轴上的根轨迹为: -3 z2 (-∞, -3],[-2.5, 0]; p2 (4)渐近线n-m=1条;渐近线 夹角180°;
1
0 σ -1 -2
(5)分离点:无; (6)起始角与会合角:
pi (2k 1) ( z p p p ); k 0, 1, 2,
j 1
j i
m
n
j 1 (i j )
n
j i
zi (2k 1) ( z z p z ); k 0, 1, 2,
j 1 ( j i )
例5:系统的特征方程为: K* 1 G( s) H ( s) 1 0 s ( s 1)( s 2) 其根轨迹与虚轴交点为 s1,2 j 2,求交点处的K* 值及第三个特征根。
s( s 1)( s 2) K * 0 解:系统特征方程为
即:
s3 3s 2 2s K * 0
j 1
m
6
起始角与 终止角
j 1 (i j )

n j 1
D( s) 1 G ( s) H ( s)
则根据分离点必然是重根点的条件, 可以得 出分离点的确定公式:
1 1 d z d p j 1 j 1 j i
m
n
dK ( 0) ds
*
上述方程是求取分离点或会合点的必要条件, 是否确实为分离点或会合点,需要用相角条件进 行判断。分离点或会合点可能在s平面上任何一 点。(对于复杂的方程,多用试探法)
法则4:实轴上的根轨迹。实轴上某一区域,若 其右边开环零、极点个数之和为奇数, 则该区域是根轨迹。(180°根轨迹)

根轨迹法PPT课件

根轨迹法PPT课件
定闭环极点位置。另一方面分析设计系统时经常要研究一个 或者多个参量在一定范围内变化时对闭环极点位置及系统性 能的影响.
W.R.EVAOVS(依万斯)于1948年首先提出了求解特征方程 式根的图解法─根轨迹法。
根轨迹简称根迹,它是开环系统某一参数从零变到无穷
时,闭环系统特征方程的根在 s 平面上变化的轨迹。
解: n 3,m 0
① p1 0,p2 1,p3 2 为根轨迹的起点;
开环无零点,故三个分支终点均趋向无穷远。

a
(2q 1)
nm
(2q 1)
3
60、180、300
(q 0,1,2)
n
m
a
i 1
pi z j
j 1
nm
3 0 1 3
③ 实轴上根轨迹:
( ,2],[1,0]
j
p3 2
第四章 线性系统的根轨迹法
§4-1 根轨迹法的基本概念 §4-2 绘制根轨迹的基本条件和基本规则 §4-3 参数根轨迹 §4-4 正反馈回路和零度根轨迹 §4-5 利用根轨迹法分析系统的暂态响应
§4-1 根轨迹法的基本概念
一、根轨迹的概念
从上一章讨论知道,闭环系统的动态性能与闭环极点在
s 平面上的位置是密切相关的,分析系统性能时往往要求确
对于实轴上0至1线段的实数根而言,其对应的K*值在
b 点为极大值。
可以证明,当l 条根轨迹分支进入并立即离开分离点时,
分离角为 (2k 1) l .
k 0,1, ,l -1
例4-3:求上例中 b 点的坐标。
[规则3] 根轨迹的渐进线
当开环有限极点数 n大于有限零点数时,有 (n m)
条根轨迹分支沿着与实轴交角为 a 、交点为 a的一组

系统根轨迹判定原理

系统根轨迹判定原理

系统根轨迹判定原理
系统根轨迹的判定原理基于根轨迹方程和开环系统的参数。

根轨迹是系统开环传递函数某一参数从0到无穷大变化时,闭环极点即特征方程的根在s平面上变化的轨迹。

根轨迹的判定主要基于以下原理:
1. 相角条件与K无关,故为s是根轨迹上的点的充分必要条件;而幅值条件则是用来确定,根所对应的K。

2. 根轨迹的绘制规则:起于开环极点或无穷远处终于开环零点或无穷远处。

3. 根轨迹的分支数=max{极点数,零点数},实轴上的根轨迹分支连续变化;根轨迹渐近线条数=零点数与极点数之差。

4. 渐近线与实轴交点为:(极点之和-零点之和)/(极点数-零点数);根轨迹分会点:dK/ds=0(必要不充分条件,一般都符合)。

5. 起始角终止角:一般是共轭极点/零点时设定一个靠近该极点的点,利用相角条件,算出起始、终止角;分会角:+-(2k+1)/(离开或聚合的根轨迹分支数)。

6. 根轨迹与虚轴交点:带jw入G(s),令实部为零,求得虚部即可。

因此,通过分析开环系统的参数变化和根轨迹方程,可以判定系统的稳定性和性能。

自动控制原理(4)

自动控制原理(4)

4.1 根轨迹的基本概念
根据如下控制系统框图介绍根轨迹的基本概念。
R(s)
+ -
K
C(s)
s(0.5s 1)
图4-1 控制系统框图
1.将图4-1所示系统的开环传递函数转化为:
G(s) K k ; k 2K s(0.5s 1) s(s 2)
上式便是绘制根轨迹所用的开环传递函数的标准 形式——零极点增益形式。

G(s)H (s)
K1 sm


m
zj
j 1
s m1

m j 1
zj

sn

n i1

pi
s n1

n i1

pi

上式可化为:
G(s)H(s)
K1
snm
τzj、τpi ——分之和分母中的时间常数。
由上两式不难看出
m
(z j )
K K1
j 1 n
( pi )
i1
zj
1
zj
,
( j 1, 2 , , m)
;
pi

1
pi
,
(i 1 , 2 , , n)
由此可以得到另一种形式的幅值条件和相角条件:
m
s zj


n i1

pi


m j 1

zj
s nm1

在n>m的条件下,当K1→∞时,有(n-m)条根轨
迹分支趋向于无穷远,即s→∞。这时可以只考虑高次项,
将上式近似写为:
G(s)H(s)

第4章 根轨迹法

第4章  根轨迹法
j 1 i 1 n
(2k 1)180 (2k 1)
k 0, 1, 2,
zj
4.2 绘制根轨迹的基本规则
1.根轨迹的对称性
根轨迹关于实轴对称。因为系统的闭环极 点为实根或复根,复根共轭成对出现且关于 实轴对称,因此系统的根轨迹关于实轴对称。
2.根轨迹的条数(分支数)
zj
[例4-3]
已知单位负反馈系统的开环传递函数为
Kr G(s) H (s) s ( s 2)( s 4)
试概略绘制该系统的根轨迹。
[解] 根据开环传递函数可知,无系统的开环
零点,则m=0;开环极点有3个,即n=3,分别 为 p1 0 、p2 2 和 p3 4 。将开环极点 用“×”在复平面上标出,如图4-4所示。根据 根轨迹绘制规则确定其根轨迹。
p 180 ( p1 z1 ) ( p1 p2 ) 180 90 90 180
1
zp j
l
[例4-4] [解]
p p 180
2 1

×j 2
-2
-1
0 0
σ
j2 ×
图4-5 例4-4系统的根轨迹
4.4 本章小结
第4 章
根轨迹法
根轨迹法的基本概念 绘制根轨迹的基本规则 参量根轨迹的绘制 本章小结
4.1 根轨迹法的基本概念
1948年,伊凡斯(W.R.Evans)提出 了一种简便的求解闭环极点的图解方 法—根轨迹法。
4.1.1 根轨迹
根轨迹定义
根轨迹与系统性能的关系
根轨迹定义
根轨迹:当控制系统的开环传递函数的某个 参数从零变化到无穷大时,闭环极点在s平面上 的变化轨迹称之为根轨迹。 根轨迹法:利用根轨迹进行线性控制系统分 析和设计的方法称为根轨迹法。 [例4-1]单位负反馈控制系统如图4-1所示, 试分析参数K变化对系统性能的影响

根轨迹的基本条件和规则

根轨迹的基本条件和规则
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次课
授课时间
2 学时
授课题目(章、节) 主要内容 根轨迹法的基本概念 绘制 180°根轨迹的基本法则
第四章 根轨迹法(1、2 节)
目的与要 求
了解根轨迹法、根轨迹的定义 掌握根轨迹方程(幅值方程和相角方程) 掌握绘制 180°根轨迹的基本法则(起点和终点、连续性和对称性、分支数、渐近线、实 轴上的根轨迹分布) 重点:根轨迹的定义、根轨迹方程、绘制 180°根轨迹的基本法则 难点:根轨迹方程、绘制根轨迹的基本法则 授课、例题讲解
E( s)
G (s)
C( s )
H (s)
Kg
∏ (s − z )
i
m
∏ (s − p )
j =1 j
i =1 n
= Kg
∏s−z
i =1 n j =1
m
i
∏ s− p
m
e
j
n ⎤ ⎡ m j ⎢ ( s − zi )− ( s − p j ) ⎥ ⎥ ⎢ i =1 j =1 ⎦ ⎣


= −1 = e j ( 2 k +1)π
n
= 0,±1,±2,
另外, 0 ≤ K g < +∞ 时,负反馈系统的根轨迹称为 180 0 根轨迹,正反馈系统的根轨迹就称为 0 0 根 轨迹。 4.2 绘制根轨迹的基本法则 1. 180 0 根轨迹作图法则 法则 1:根轨迹的起点和终点 根轨迹的起点是指根轨迹 增 益 K g = 0 时,闭环极点在 S 平面上的位置,而根轨迹的终点则是指
于是,根轨迹方程又可以分解为幅值方程和相角方程如下
幅值方程: K g
∏ s − zi ∏ s− p
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授课题目(章、节) 主要内容 目的与要 求 绘制 180°根轨迹的基本法则
第四章 根轨迹法(2 节)
掌握绘制 180°根轨迹的基本法则:分离点、会合点的确定、与虚轴的交点、出射角与入 射角的计算、极点的和与积。 重点:绘制 180°根轨迹的基本法则 难点:分离点、会合点的确定、出射角与入射角的计算 授课、例题讲解
ϕa =
渐近线与实轴的交点为:
( 2 k + 1) π , n−m
k = 0 ,1, 2 ,
,n − m −1
σ
a
=

n
j =1
pj −

m
i =1
zi
n−m
法则 5:实轴上根轨迹的分布 实轴上某区域,若其右边的开环零点和开环极点个数之和为奇数,则该区域必是根轨迹。
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⎧Re[ DB ( jω )] = 0 ,求解得到 ω 值,即为根轨迹与虚轴的交点坐标频率。 ⎩Im[DB ( jω )] = 0
方法二:由劳斯稳定判据,令劳斯表中出现全零行,但第一列元素符号保持不变,此时系统处于 临界稳定状态,并可求得根轨迹与虚轴的交点。 例 1:设单位负反馈控制系统的开环传递函数为 GK ( s ) = K g s ( s + 1)( s + 5) ,试绘制系统的闭环 根轨迹,并求根轨迹的分离(会合)点以及与虚轴的交点。
E( s)
G (s)
C( s )
H (s)
Kg
∏ (s − z )
i
m
∏ (s − p )
j =1 j
i =1 n
= Kg
∏s−z
i =1 n j =1
m
i
∏ s− p
m
e
j
n ⎤ ⎡ m j ⎢ ( s − zi )− ( s − p j ) ⎥ ⎥ ⎢ i =1 j =1 ⎦ ⎣


= −1 = e j ( 2 k +1)π
K g = ∞ 时闭环极点在 S 平面上的位置。
根轨迹起始于系统的开环极点(包括重极点) ,而终止于开环零点。 然而实际的控制系统中, 开环传递函数的分子多项式阶次 m 与分母多项式阶次 n 之间, 满足 n ≥ m 的 关系。如果 n > m ,那么剩余的 n − m 条根轨迹分支终止于无穷远处。 法则 2:根轨迹的连续性和分支数 根轨迹具有连续性,且对称于实轴。 法则 3:根轨迹的分支数 根轨迹的分支数与开环有限零点数 m 和有限极点数 n 中的大者相等。当 n ≥ m 时,分支数等于 n , 即系统的阶数。 法则 4:根轨迹的渐近线 所谓根轨迹的渐近线,是指当 n > m 时,应有 n − m 条根轨迹分支的终点在无穷远处,所谓渐近线, 可以认为当 K g → ∞ 时,根轨迹与渐近线是重合的。 渐近线与实轴正方向的夹角为:
于是,根轨迹方程又可以分解为幅值方程和相角方程如下
幅值方程: K g
∏ s − zi ∏ s− p
j =1 i =1 n j
m
= 1 ⇒ K g ∏ s − zi = ∏ s − p j ⇒ K g =
i =1 j =1
n
∏ s− p ∏ s−z
i =1 j =1 m
n
j
i
⎡ m ⎤ n ⎢ ( s − z ) − ( s − p ) ⎥ = ( 2 k + 1) π = 2 kπ + π i j ⎥ ⎢ 相角方程: , k = 0,±1,±2, j =1 ⎣ i =1 ⎦ (2)幅值方程、相角方程的几何意义 从绘制根轨迹图的角度来看,根轨迹上的任意一点只要满足相角方程,即可画出根轨迹了,可以 说相角方程是根轨迹的充分必要条件。而幅值方程的作用主要用来确定已知点对应的增益。
其闭环特征方程为: 1 + 法则 7:根轨迹与虚轴的交点 根轨迹与虚轴的交点,实质上就是闭环系统的临界稳定工作点。因此临界工作点的求法有如下两 种方法。 方法一:在闭环特征方程 DB ( s) = 0 中,令 s = jω ,得到 DB ( jω ) = 0 ,将 DB ( jω ) 分为实部和
虚部,即 Re[ DB ( jω )] + j Im[DB ( jω )] = 0 于是有 ⎨
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2 学时
授课题目(章、节) 主要内容 根轨迹法的基本概念 绘制 180°根轨迹的基本法则
第四章 根轨迹法(1、根轨迹方程(幅值方程和相角方程) 掌握绘制 180°根轨迹的基本法则(起点和终点、连续性和对称性、分支数、渐近线、实 轴上的根轨迹分布) 重点:根轨迹的定义、根轨迹方程、绘制 180°根轨迹的基本法则 难点:根轨迹方程、绘制根轨迹的基本法则 授课、例题讲解
n
= 0,±1,±2,
另外, 0 ≤ K g < +∞ 时,负反馈系统的根轨迹称为 180 0 根轨迹,正反馈系统的根轨迹就称为 0 0 根 轨迹。 4.2 绘制根轨迹的基本法则 1. 180 0 根轨迹作图法则 法则 1:根轨迹的起点和终点 根轨迹的起点是指根轨迹 增 益 K g = 0 时,闭环极点在 S 平面上的位置,而根轨迹的终点则是指
⎧π 3 = 600 , k = 0 (2 K + 1)π (2 K + 1)π ⎪ ϕa = = = ⎨π = 1800 , k = 1 n−m 3 ⎪5π 3 = 3000 , k = 2 ⎩
p j − ∑ zi n−m
=
。 实轴上根轨迹分布为(0,-1)(-5,- ∞ ) , 根轨迹分离(会合)点。 由开环传递函数,可以得到闭环特征方程式 K g + s ( s + 1)( s + 5) = 0 ,则
p1 + p2 + p3 = −2 3
ds ( s + 1)( s + 5) = 3s 2 + 12s + 5 = 0 ,求得: ds ds s1 = −0.473, s2 = −3.52 ,由于 s2 不在根轨迹上,所以分离(会合)点为 s1 = −0.473 。 根轨迹的分离(会合)角, θ d = 180 0 k = 180 0 2 = 90 0 。
ϕa =
(2k + 1)π n−m
=
(2k + 1)π 3
⎧π 3 (60 0 ), k = 0 ⎪ = ⎨π (180 0 ), k = 1 ⎪5π 3 (−60 0 ,300 0 ), k = 2 ⎩
p1 + p 2 + p3 0 − 1 + j − 1 − j 2 = =− 3 3 3 ( 0) (4)实轴上的根轨迹为 - ∞, ,即整个负实轴;
重点与难 点 教学手段 思考题或 作业题
4.1 引言 根轨迹分析法:当开环系统的一个或多个参数发生变化时,根据系统的开环零点和极点,借助于 若干条绘图法则,绘制出闭环特征根变化的轨迹。利用根轨迹法可以分析闭环系统的稳定性,计算(或 估算)闭环系统的暂态和稳态性能指标,确定闭环系统的某些参数对于系统性能的影响以及对闭环系 统进行校正等。 1.根轨迹 根轨迹: 当系统开环传递函数种某个参数 (如本例中的根轨迹增益 K g ) 在某一范围内 (如 0 → ∞ ) 连续变化时,闭环特征根在 S 平面上移动的轨迹,称为根轨迹。 可以由根轨迹图来分析系统的性能。 R(s) 2.根轨迹方程 (1)负反馈系统的根轨迹方程 典型负反馈控制系统的结构图 如右图所示。 根轨迹方程是关于复变量 s 方程,写成极坐标形式如下


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(3)正反馈系统的根轨迹方程 若系统为正反馈时,其根轨迹方程为
幅值方程为: K g
∏ s−z
i =1 n j =1
m
i
∏ s− p
( s − zi )−
=1
j
⎡ ⎢ 相角方程为: ⎢ ⎣

m
i =1

⎤ 0 ( s − p j ) ⎥ = 2 kπ = 0 , k ⎥ j =1 ⎦
σa =
(5)根轨迹无分离(会合)点; (6)起始于 p 2 = −1 + j , p3 = −1 − j 根轨迹分支向着 ϕ a = π 3 , 5π 3 的两条渐近线逼近; (7)根轨迹与虚轴的交点 闭环特征方程:
s 3 + 2s 2 + 2s + K g = 0
3 2
令 s = jω 代入特征方程, ( jω ) + 2( jω ) + 2( jω ) + K g = 0 或
⎧ K g − 2ω 2 = 0 ⎧ω = ± 2 ⎪ ⎪ ⇒⎨ ⎨ 3 ⎪K g = 4 ⎪2ω − ω = 0 ⎩ ⎩
2
根据 s 2 行的辅助方程: F ( s ) = 6s + K g = 0 , 求得 s = ± j 5 ,因此根轨迹与虚轴的交点坐标为:
( K g = 30, s = ± j 5 ) 。
根轨迹草图如下。
Re -4 -3 -2
分离点
-1
0
法则 8:根轨迹的出射角和入射角 当开环零点和开环极点处于复平面时,根轨迹离开开环极点处的切线与正实轴的方向夹角,称为根 轨迹的出射角(出发角) 。同样,根轨迹进入开环零点处的切线与正实轴的方向夹角,称为根轨迹的入射 角(终止角) 。用公式表示为:
x
i =1 i≠ x
j =1
由 z x 与 z x +1 的共轭性, ϕ
z x +1
= −ϕ
zx

例:设单位反馈控制系统的开环传递函数为: G K ( s ) = K g s ( s 2 + 2 s + 2) ,试绘制系统的完整根轨 迹,并要求计算出射角。 解:开环极点为 p1 = 0, p 2 = −1 + j , p3 = −1 − j ,无开环零点, n = 3, m = 0 (1)由于 n = 3, m = 0 ,所以根轨迹有 3 条分支; (2)根轨迹起始于开环极点 p1 = 0, p 2 = −1 + j , p3 = −1 − j ,终止于无穷远处。 (3)3 条根轨迹的渐近线夹角和交点坐标
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