X射线光电子能谱分析方法及原理

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X射线光电子能谱分析法

X射线光电子能谱分析法

50000 40000 30000 20000 10000 0 292 290 288 286 COOH C=O C-OH
Intensity /Counts
50000 40000 30000 20000 10000 COOH C=O C-OH C-C
35000 30000 25000 20000 15000 10000 5000 0 292 290 288 286 284 282 COOH C=O
合物体系中失活前后谱图变
化对比。
07:28:23
固体化合物表面分析
三种铑催化
剂X射线电子能
谱对比分析;
07:28:23
纳米碳管氧化
80000 70000 60000
Intensity /Counts
A
90000 80000 70000
Intensity /Counts
100000
B C-C
Intensity /Counts
07:28:23
[4+2]
[2+2]
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吡啶在单晶硅表面的吸附:B酸和L酸测定 样品处于-90oC,吸附吡啶后用XPS记录N 1s 峰。有二个, 彼此相隔2eV,均属氧化态。Eb 高的与B酸有关,Eb 低的与L 酸有关
B酸意味着表面有质子存在,吡啶中的N接受质子而氧化。这 样吡啶分子吸附在B位时带正电
07:28:22
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电子结合能
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X射线光电子能谱分析法
X-ray photoelectron spectroscopy
光电子的能量分布曲线:采用特定元
素某一X光谱线作为入射光,实验测定的待 测元素激发出一系列具有不同结合能的电 子能谱图,即元素的特征谱峰群; 谱峰:不同轨道上电子的结合能或电

x射线光电子能谱法的原理及应用

x射线光电子能谱法的原理及应用

X射线光电子能谱法的原理及应用1. 引言X射线光电子能谱法是一种广泛应用于材料表征与分析的方法。

本文将介绍X射线光电子能谱法的基本原理,并探讨其在材料科学、表面化学和纳米材料等领域中的应用。

2. 原理2.1 X射线光电子能谱法概述X射线光电子能谱法基于光电效应,利用X射线激发材料表面的原子产生光电子,并通过测量光电子能量和强度来分析材料的表面成分和化学键。

该方法可以提供有关元素种类、元素的化学状态、表面化学计量比以及电子能级结构等信息。

2.2 光电子的产生与检测•X射线入射:通过专用的X射线源照射样品表面,产生硬X射线。

•光电子产生:硬X射线与样品表面原子发生光电效应,使得电子从原子中被释放出来,形成光电子。

•光电子能量测量:通过能量分析器测量光电子的能量,获得能谱图。

2.3 光电子能谱分析原理•能量角分辨:通过能量分辨仪器测量光电子的能谱,获得元素的化学键状态和电子能级结构等信息。

•电子逃逸深度:根据光电子的逃逸深度,可以推断表层或界面的性质和元素分布。

•化学计量比分析:通过测量光电子峰的强度和位置来确定化学计量比。

3. 应用3.1 材料科学•元素分析:X射线光电子能谱法可用于表面或界面元素的分析,能够提供材料的化学成分信息,帮助了解材料的结构和性能。

•化学状态分析:通过能谱分析,可以获得元素的化学状态信息,如氧化物的形态、有机物的结构等。

•薄膜分析:X射线光电子能谱法在薄膜的制备、性质表征和界面反应等方面具有广泛应用。

3.2 表面化学•催化剂研究:X射线光电子能谱法可以研究催化剂的表面组成和变化,了解催化反应的机理和性能。

•腐蚀研究:通过测量表面元素分布和化学状态的变化,可以研究材料的腐蚀行为和腐蚀机制。

3.3 纳米材料•纳米颗粒表面状况:X射线光电子能谱法可用于研究纳米颗粒的表面成分和性质,为纳米材料的制备和应用提供重要参考。

•纳米结构表面修饰:通过分析纳米材料的表面修饰情况,可以控制纳米材料的性质和功能。

X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS)

X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS)

半导体工业
晶体缺陷分析、界面性质研究 等。
环境科学
大气污染物分析、土壤污染研 究等。
X射线光电子能谱分析的优缺点
1 优点
提供元素化学状态信息、非破坏性分析、高表面敏感性。
2 ห้องสมุดไป่ตู้点
样品需真空处理、分析深度有限、昂贵的设备和维护成本。
总结和展望
X射线光电子能谱分析是研究材料表面的有力工具。未来,随着仪器和技术的 不断进步,XPS将在更多领域发挥重要作用。
X射线光电子能谱分析方 法及原理(XPS)
X射线光电子能谱分析(XPS)是一种表面分析技术,通过测量材料的X射线光 电子能谱来研究材料的电子结构和化学组成。
X射线光电子能谱分析的基本 原理
XPS基于光电效应,探测材料与X射线相互作用所放出的光电子。通过测量光 电子能量和强度,可以推断材料表面元素的化学态。
X射线光电子能谱分析的仪器和实验设备
XPS仪器
包含X射线源、光电子能谱仪 和数据处理系统。
电子枪
产生高能电子束,用于激发材 料表面。
光电子能谱仪
测量光电子的能量和角度,用 于分析材料的电子结构。
X射线光电子能谱分析的样品准备方法
1 表面清洗
去除杂质和氧化层,以确保准确测量。
2 真空处理
在超高真空条件下进行实验,避免气体影响。
3 固定样品
使用样品架或夹具将样品固定在仪器中。
X射线光电子能谱分析的数据处理和解 析方法
峰面积计算
根据光电子峰的面积计算元素含量。
能级分析
通过分析光电子的能级分布,推断材料的化学状态。
谱峰拟合
将实验谱峰与已知标准进行拟合,确定元素的化学态和含量。
X射线光电子能谱分析的应用领域

X射线光电子能谱分析法

X射线光电子能谱分析法

X射线光电子能谱分析法X射线光电子能谱分析法(XPS)是一种常用的表面分析技术,它通过测量材料表面的X射线光电子能谱来研究材料的化学组成、表面形貌以及表面电子结构等信息。

XPS技术具有高表面分辨率、高化学分辨率和宽能量范围等优点,被广泛应用于材料科学、表面科学和界面科学等领域。

下面将详细介绍XPS的原理、仪器结构、测量步骤以及应用。

XPS的原理:XPS基于光电效应,即当光子与物质相互作用时,能够使物质中的电子获得足够的能量从而被抛出。

通过测量被抛出的光电子的能量以及其强度,可以得到材料表面的各种信息。

XPS谱图由两个平行的轴表示,一个是电子能量轴,用来表示光电子的能量,另一个是计数轴,用来表示光电子的强度。

XPS的仪器结构:XPS的典型仪器结构包括光源、透镜系统、分析室、光电子能谱仪、多道分析器和检测器等部分。

其中,光源产生具有特定能量和强度的X射线,透镜系统用于聚焦X射线到样品表面,分析室用于保持真空环境,并可进行样品的表面清洁和预处理,光电子能谱仪用于测量光电子能谱,多道分析器用于对光电子的能量进行分析,检测器用于测量光电子的强度。

XPS的测量步骤:1.样品表面处理:对于有机材料,样品表面可能存在有机污染物,需要通过加热或离子轰击等方法进行表面清洁。

对于无机材料,一般不需要进行表面处理。

2.真空抽取:将样品放入真空室中,并进行抽取,以保证测量时的真空环境。

3.光源和透镜系统调节:调节光源的能量和透镜系统的聚焦,使其能够产生精确的X射线束。

4.测量样品表面:将样品置于X射线束中,测量样品表面的X射线光电子能谱。

5.数据分析:对测量得到的光电子能谱进行分析,得到材料的化学组成、表面形貌以及表面电子结构等信息。

XPS的应用:1.表面化学组成分析:XPS可以确定材料表面的元素组成和化学状态,对于催化剂、薄膜材料等具有重要意义。

2.表面形貌研究:通过测量不同位置的XPS谱图,可以了解材料表面的形貌特征,如晶体结构、晶粒尺寸等。

X射线光电子能谱的原理及应用(XPS)

X射线光电子能谱的原理及应用(XPS)

X射线光电子能谱的原理及应用(XPS)(一)X光电子能谱分析的基本原理X光电子能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。

该过程可用下式表示:hn=Ek+Eb+Er 其中: hn:X光子的能量;Ek:光电子的能量;Eb:电子的结合能;Er:原子的反冲能量。

其中Er很小,可以忽略。

对于固体样品,计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子,而是选用费米能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb,由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek,式(103)又可表示为:hn=Ek+Eb+Φ (10.4)Eb= hn- Ek-Φ (10.5)仪器材料的功函数Φ是一个定值,约为4eV,入射X光子能量已知,这样,如果测出电子的动能Ek,便可得到固体样品电子的结合能。

各种原子,分子的轨道电子结合能是一定的。

因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可以了解样品中元素的组成。

元素所处的化学环境不同,其结合能会有微小的差别,这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移,由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。

例如某元素失去电子成为离子后,其结合能会增加,如果得到电子成为负离子,则结合能会降低。

因此,利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。

(二)电子能谱法的特点( 1 )可以分析除H 和He 以外的所有元素;可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布,且直接得到电子能级结构的信息。

( 2 )从能量范围看,如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”,那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。

它提供有关化学键方面的信息,即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。

而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰少,元素定性的标识性强。

( 3 )是一种无损分析。

( 4 )是一种高灵敏超微量表面分析技术。

XPS原理及分析

XPS原理及分析

XPS原理及分析X射线光电子能谱(XPS)是一种用于研究固体表面化学性质的表面分析方法。

它利用X射线照射样品表面,通过测量样品表面光电子的能谱,来获得样品表面元素的化学状态、化学成分以及化学性质的信息。

XPS的基本原理是根据光电效应:当X射线通过样品表面时,部分X射线会被样品上的原子吸收,从而使得原子的内层电子被激发出来。

这些激发出的电子称为光电子。

光电子的能量与原子的内层电子能级相关,不同元素的光电子能谱特征能量不同。

通过测量光电子的能量分布,可以推断出样品表面元素的化学状态和化学成分。

XPS分析的步骤如下:1.准备样品:样品必须是固体,并且表面必须是光滑、干净、无杂质的。

样品可以是块状、薄膜或粉末。

2.X射线照射:样品放在真空室中,通过X射线照射样品表面。

X射线能量通常在200-1500eV之间。

3.光电子发射:被照射的样品会发射出光电子。

光电子的能量与原子的内层电子能级有关。

4.能谱测量:收集并测量光电子的能量分布。

能谱中的光电子峰表示不同元素的化学状态和存在量。

5.数据分析:根据能谱中的光电子峰的位置和峰面积,可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。

XPS的主要应用领域包括固体表面成分分析、材料表面效应研究、化学反应在表面的过程研究等。

XPS可以提供关于固体材料的表面化学性质、形态结构以及表面反应过程的有关信息,因此被广泛应用于材料科学、化学、表面物理等领域。

总结而言,XPS是一种非常有用的表面分析技术,可以提供有关固体表面化学性质和化学成分的信息。

通过测量光电子的能量分布,可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。

X射线光电子能谱分析法

X射线光电子能谱分析法

X射线光电子能谱分析法X射线光电子能谱分析法(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)是一种非常重要的表面分析技术,广泛应用于材料科学、化学、表面物理、生物技术和环境科学等领域。

本文将对X射线光电子能谱分析法进行详细介绍,包括基本原理、仪器分析系统和应用领域。

一、基本原理X射线光电子能谱分析法是利用X射线照射固体表面,使其产生光电子信号,并通过测量光电子的动能和数量,来确定样品表面的化学成分及其状态。

其主要基于光电效应(photoelectric effect)和X射线物理过程。

光电效应是指当光子入射到固体物质表面的时候,会将表面电子激发到导带或导带以上的能级上,并逃离固体形成受激电子。

这些逃逸的电子称为光电子,其动能与入射光子的能量有关。

X射线物理过程主要包括光子的透射、散射和与原子内电子的相互作用等。

当X射线入射到固体表面时,会发生漫反射和荧光特性,造成信号的背景噪声。

同时,X射线的能量足够高,可以与样品的内层电子发生作用,如光电子相对能谱(Photoelectron RELative Energies)和化学平移分量(Chemical Shift)等。

二、仪器分析系统X射线光电子能谱分析系统包括光源、样品室、分析仪和检测器等。

光源常用的是具有较窄X射线能谱线宽的准单色X射线源,如AlKα线或MgKα线。

样品室的真空度一般要达到10^-8Pa左右,以避免空气对样品的干扰。

分析仪是用于测量光电子动能和数量的关键部件,常见的配备有放大器、电子能谱仪和角度分辨收集器等。

放大器将来自检测器的信号放大,并进行滤波处理以滤除高频噪声。

电子能谱仪是用于测量光电子动能的装置,一般包括一个径向入射、自由运动的光电子束和一个动能分析系统。

角度分辨收集器则用于测量光电子的角度分布。

检测器用于测量光电子的数量,常见的有多种类型的二极管(如能量分辨二极管和多道分析器)和面向瞬态X射线源的时间分辨仪器。

X射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy,简称XPS)是一种用来表征材料表面元素化学状态和电子能级分布的表征技术。

它利用X射线照射材料表面,测量和分析材料表面光电子的能谱,通过分析能谱图可以得到有关材料的化学组成、表面化学键的种类和键长、元素的电子与核心电子之间的相互作用等信息。

本文将对X射线光电子能谱分析技术的原理、仪器设备及应用领域进行详细介绍。

X射线光电子能谱分析的原理可以用以下几个步骤来概括:首先,用X射线照射材料表面,激发材料表面的原子和分子。

然后,从激发的原子和分子中发射出光电子。

这些光电子的能量与产生它们的原子或分子的能级差有关。

最后,测量和分析这些光电子的能谱,从而得到材料表面的化学组成和电子能级分布信息。

为了进行X射线光电子能谱分析,需要使用专门的仪器设备,包括X射线源、能量分辨光电子能谱仪和电子能谱仪。

X射线源通常使用非常亮的单晶或多晶X射线管。

光电子能谱仪用来测量光电子的能谱,并将所获得的信号转化为能谱图。

电子能谱仪则用来检测、放大和记录电子能谱图。

X射线光电子能谱分析可以在多个领域应用,具有广泛的研究意义和实际应用价值。

在材料科学领域,它可以用来表征材料表面的成分和化学状态,研究材料的性质和行为;在表面科学领域,它可以研究表面的形貌和变化,探索表面的特性和反应;在催化剂和材料化学领域,它可以分析催化剂的表面状态和反应过程;在电子器件和光学器件领域,它可以研究界面和界面化学反应的机理等。

总结起来,X射线光电子能谱分析是一种非常重要的表征技术,可以提供关于材料表面的成分、化学状态和电子能级分布等信息。

通过XPS技术,可以探索材料的性质、表面的形貌以及材料的化学反应机理等,对于材料科学、表面科学、催化剂和电子光学器件等领域的研究和应用具有重要意义。

X射线光电子能谱及其应用简介

X射线光电子能谱及其应用简介

XPS应用
化合态识别
❖化合态识别-光电子峰
S的2p峰在不同化学状态下的结合能值
XPS应用
化合态识别
XPS应用
化合态识别
❖化合态识别-光电子峰
Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离
XPS应用
化合态识别
❖化合态识别-光电子峰
C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化
CF4
C6H6
CO
CH4
半 峰 高 宽 0.52
0.57
0.65
0.72
(eV)
THANkS
结合能( Eb):电子克服原子核束缚和周围电子的作
用,到达费米能级所需要的能量。
费米(Fermi)能级:T=0K固体能带中充满电子的最高能级
真空能级:K电子达到该能级时完全自由而不受核的作用
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XPS的基本原理
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XPS基本原理
对于固体样品,计算结合能的参考点不 是选真空中的静止电子,而是选用费米 能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗 的能量为结合能 Eb,由费米能级进入 真空成为自由电子所需的能量为功函数 Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek,
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筒镜形电子能量分析器
筒镜分析器示意图
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真空系统
电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。
1、使样品室和分析 器保持一定的真空 度,以便使样品发 射出来的电子的平 均自由程相对于谱 仪的内部尺寸足够 大,减少电子在运 动过程中同残留气 体分子发生碰撞而 损失信号强度。
hv=Ek+Eb+Φ

X射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)是一种重要的表面分析技术,广泛应用于物质表面成分、电子态和化学状态的研究。

本文将从XPS的原理、仪器构成、数据分析以及应用等方面进行详细介绍。

XPS原理基于光电效应,即当材料表面受到X射线照射后,光电子从表面脱离。

这些脱离的光电子具有一定的动能,其动能与被照射材料的原子核和电子状态相关。

通过测量脱离光电子的动能和相应的能谱,可以获得材料表面的成分和电子结构等信息。

XPS仪器通常由X射线源、光学系统、光电子能谱仪以及数据采集与分析系统组成。

X射线源通常采用非常纯净的铝或镁,通过加热产生X射线,其能量通常在0.5-2.5 keV范围内。

光学系统将X射线聚焦在材料表面,使其与表面相互作用。

此外,还需要一个真空系统以及样品调节装置,以保证实验过程的可靠性。

在光电子能谱仪中,光电子在进入光学透镜之后,通过缝隙进入光谱学荧光屏,其中光电子会击中荧光屏产生荧光,然后荧光被光电二极管或者多道采集系统接收。

通过测量光谱的能量分布,可以得到XPS的能谱图像。

数据采集与分析系统用于处理和分析得到的XPS数据。

根据样品组成和光电子的能量分布,可以识别和测量各种元素的化学状态和含量。

此外,还可以通过能级分别效应等技术,研究材料的表面电子结构和化学键性质。

XPS在材料科学和表面化学等领域具有广泛的应用。

首先,XPS被广泛应用于材料表面组分分析。

通过测量光电子的能量分布,可以确定元素的存在和相对含量,从而判断材料的组成。

其次,XPS可以提供元素的化学状态信息,即原子与其他元素的化学键类型和性质。

这对于研究各种材料的界面和表面反应具有重要意义。

此外,XPS还可以通过研究表面电荷分布和电子能带结构等信息,研究材料的电子结构与性质。

总结来说,X射线光电子能谱是一种重要的表面分析技术,可以提供材料的组分、化学状态以及电子结构等信息。

X射线光谱与电子能谱分析法

X射线光谱与电子能谱分析法

X射线光谱与电子能谱分析法首先,我们来看一下X射线光谱的原理和应用。

X射线光谱是指物质在X射线照射下,通过对X射线的吸收和辐射进行分析来获取物质结构和性质的方法。

这种方法主要依赖于物质对X射线的吸收和散射过程,通过对X射线吸收谱、荧光谱和散射谱的分析可以得到物质的化学成分和晶体结构。

因此,X射线光谱在材料科学、地质学、化学等领域被广泛应用。

X射线光谱的应用非常广泛。

例如,在材料科学中,通过X射线光谱可以研究材料的晶体结构和相变行为,从而了解材料的力学性能和热学性能。

在地质学中,可以通过X射线光谱来分析岩石和矿物的成分和结构,从而帮助地质学家了解地球的历史演变和地质构造。

在化学中,可以通过分析X射线吸收谱来确定化合物中的元素种类和含量,从而揭示化学反应的机理和热力学性质。

接下来,我们来看一下电子能谱的原理和应用。

电子能谱是指通过测量物质中电子能级的分布情况来研究物质结构和性质的方法。

这种方法主要利用物质中原子和分子的电子能级的离散性,通过测量电子的能级和能量来研究物质的能带结构和价带特性。

因此,电子能谱在固体物理学、化学和生物学等领域被广泛应用。

电子能谱的应用也非常广泛。

例如,在固体物理学中,可以通过电子能谱来揭示材料的电子结构和能带特性,从而理解材料的导电机制和光学性质。

在化学中,可以通过电子能谱来研究分子的轨道结构和化学反应的机理,从而探索分子的化学性质和反应性质。

在生物学中,可以通过电子能谱来研究蛋白质和DNA分子的结构和功能,从而了解生物分子的结构和功能。

最后,我们来比较一下X射线光谱和电子能谱这两种分析方法。

首先,X射线光谱主要研究物质的晶体结构和元素成分,而电子能谱主要研究物质的电子能带结构和能带特性。

其次,X射线光谱需要通过X射线的吸收和辐射来分析物质,而电子能谱则是通过电子的能级和能量来分析物质。

另外,X射线光谱通常需要使用X射线生成设备和光谱仪器,而电子能谱则需要使用电子能谱仪进行测量。

电子行业X射线光电子能谱分析

电子行业X射线光电子能谱分析

电子行业X射线光电子能谱分析1. 引言在电子行业中,X射线光电子能谱分析技术被广泛应用于材料表面成分分析、薄膜厚度测量以及材料电子结构研究等领域。

本文将介绍X射线光电子能谱分析的原理、仪器设备及其在电子行业中的应用。

2. 原理X射线光电子能谱分析是通过照射材料表面的X射线束来激发材料中的原子产生光电子,然后通过能谱仪器来分析和检测这些光电子的能量分布情况。

其基本原理可简单分为三个步骤:激发、发射和分析。

2.1 激发X射线束照射到材料表面后,会与材料中的原子发生相互作用。

其中一个主要过程是光电效应,即X射线光子被原子的内层电子吸收并将其击出成为光电子。

这个过程中,吸收光子的能量等于内层电子的束缚能。

2.2 发射原子内层电子被击出后,会形成空位。

其他外层的电子会跃迁填充这些空位,并释放出能量。

其中一种能量释放的方式是通过发射光电子。

经过能量守恒定律的计算,可以得到光电子的能量与原子的束缚能之间的关系。

2.3 分析通过光电子能谱仪器,可以测量并记录光电子的能量。

根据能谱的分析,可以得到材料中各元素的成分、化学状态以及材料的电子结构等信息。

常用的能谱仪器有X射线光电子能谱仪(XPS)和角色谱仪。

3. 仪器设备X射线光电子能谱分析需要使用专用的仪器设备,主要包括:1.X射线光电子能谱仪(XPS):用于产生X射线束、照射到材料表面并测量光电子的能量。

XPS仪器通常包含X射线发射系统、分析室、能量分辨系统和数据采集系统等部分。

2.能谱仪器:用于测量和分析光电子的能谱信息。

常见的能谱仪器有圆盘状能谱仪、柱状能谱仪以及角色谱仪等。

4. 应用X射线光电子能谱分析在电子行业中有广泛的应用,主要包括以下几个方面:4.1 表面成分分析X射线光电子能谱分析可以用于表面成分的定性和定量分析。

通过测量光电子的能谱,可以获得材料表面的元素组成、含量以及化学状态等信息。

这对于材料研发、产品质量控制以及表面处理等方面具有重要意义。

4.2 薄膜厚度测量电子行业中常常使用薄膜作为制造材料。

X射线光电子能谱的原理及应用XPS

X射线光电子能谱的原理及应用XPS

X射线光电子能谱的原理及应用(XPS)(一)X光电子能谱分析的基本原理X光电子能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。

该过程可用下式表示:hn=Ek+Eb+Er 其中: hn:X光子的能量;Ek:光电子的能量;Eb:电子的结合能;Er:原子的反冲能量。

其中Er很小,可以忽略。

对于固体样品,计算结合能的参考点不是选真空中的静止电子,而是选用费米能级,由内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb,由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ,剩余的能量成为自由电子的动能Ek,式(103)又可表示为:hn=Ek+Eb+Φ (10.4)Eb= hn- Ek-Φ (10.5)仪器材料的功函数Φ是一个定值,约为4eV,入射X光子能量已知,这样,如果测出电子的动能Ek,便可得到固体样品电子的结合能。

各种原子,分子的轨道电子结合能是一定的。

因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可以了解样品中元素的组成。

元素所处的化学环境不同,其结合能会有微小的差别,这种由化学环境不同引起的结合能的微小差别叫化学位移,由化学位移的大小可以确定元素所处的状态。

例如某元素失去电子成为离子后,其结合能会增加,如果得到电子成为负离子,则结合能会降低。

因此,利用化学位移值可以分析元素的化合价和存在形式。

(二)电子能谱法的特点( 1 )可以分析除H 和He 以外的所有元素;可以直接测定来自样品单个能级光电发射电子的能量分布,且直接得到电子能级结构的信息。

( 2 )从能量范围看,如果把红外光谱提供的信息称之为“分子指纹”,那么电子能谱提供的信息可称作“原子指纹”。

它提供有关化学键方面的信息,即直接测量价层电子及内层电子轨道能级。

而相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰少,元素定性的标识性强。

( 3 )是一种无损分析。

( 4 )是一种高灵敏超微量表面分析技术。

X射线光电子能谱分析分析

X射线光电子能谱分析分析

一、X射线光电子能谱的测量原理X射线光电子能谱(X-ray photoelectron Spectroscopy,简称XPS)也就是化学分析用电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称ESCA),它是目前最广泛应用的表面分析方法之一,主要用于成分和化学态的分析。

用单色的X射线照射样品,具有一定能量的入射光子同样品原子相互作用,光致电离产生了光电子,这些光电子从产生之处输运到表面,然后克服逸出功而发射,这就是X射线光电子发射的三步过程。

用能量分析器分析光电子的动能,得到的就是x射线光电子能谱。

根据测得的光电子动能可以确定表面存在什么元素以及该元素原子所处的化学状态,这就是x射线光电子谱的定性分析。

根据具有某种能量的光电子数量,便可知道某种元素在表面的含量,这就是x射线光电子谱的定量分析。

为什么得到的是表面信息呢?这是因为:光电子发射过程的后两步,与俄歇电子从产生处输运到表面然后克服逸出功而发射出去的过程是完全一样的,只有深度极浅范围内产生的光电子,才能够能量无损地输运到表面,用来进行分析的光电子能量范围与俄歇电子能量范围大致相同。

所以和俄歇谱一样,从X射线光电子谱得到的也是表面的信息,信息深度与俄歇谱相同。

如果用离子束溅射剥蚀表面,用X射线光电子谱进行分析,两者交替进行,还可得到元素及其化学状态的深度分布,这就是深度剖面分析。

X射线电子能谱仪、俄歇谱仪和二次离子谱仪是三种最重要的表面成分分析仪器。

X射线光电子能谱仪的最大特色是可以获得丰富的化学信息,三者相比,它对样品的损伤是最轻微的,定量也是最好的。

它的缺点是由于X射线不易聚焦,因而照射面积大,不适于微区分析。

不过近年来这方面已取得一定进展,分析者已可用约100 μm直径的小面积进行分析。

最近英国VG公司制成可成像的X射线光电子谱仪,称为“ESCASCOPE”,除了可以得到ES-CA谱外,还可得到ESCA像,其空间分辨率可达到10μm,被认为是表面分析技术的一项重要突破。

X射线光电子能谱分析方法及原理XPS

X射线光电子能谱分析方法及原理XPS

实际测量时,利用标准样品的基准谱线来校正 被测谱线的结合能,称为内标法:
Eb(测)=Ek(标)+Eb(标)-Ek(测)
(其中, Ek(标)和Eb(标)已知, Ek(测)可由谱仪测出)
• 化学位移:又称结合能位移,原子的内层电子结合
能随原子周围化学环境变化的现象称为化学位移。
影响化学位移的因素有: (如图所示)。
XPS谱图中伴峰的鉴别:
(在XPS中化学位移比较小,一般只有几ev,要想对 化学状态作出鉴定,首先要区分光电子峰和伴峰)
• 光电子峰:在XPS中最强(主峰)一般比较对称且半宽
度最窄。
• 俄歇电子峰:Auger有两个特征:
1.Auger与X-ray源无关,改变X-ray,Auger不变。
2.Auger是以谱线群的形式出现的。
• 振激和振离峰:振离峰以平滑连续 强度I
谱的形式出现在光电子主峰低动能的
主峰
一边,连续谱的高动能端有一陡限。 振激峰也是出现在其低能端,比主峰 振离峰 振激峰
高几ev,并且一条光电子峰可能有几 条振激伴线。(如右图所示)
动能Ek
• 能量损失峰:其特点是随X-ray的波动而波动。
• 多重分裂峰:多重分裂峰的相对强度等于终态的统
• 相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰 较少,元素定性的标识性强。
• 能够观测化学位移,化学位移同原子氧化态、原 子电荷和官能团有关。化学位移信息是利用XPS进 行原子结构分析和化学键研究的基础。
• 可作定量分析,即可测定元素的相对浓度,又可 测定相同元素的不同氧化态的相对浓度。
• 是一种高灵敏超微量表面分析技术,样品分析的 深度约为20Å,信号来自表面几个原子层,样品量 可少至10-8g,绝对灵敏度高达10-18g。

X射线光电子能谱(XPS)的基本原理及应用

X射线光电子能谱(XPS)的基本原理及应用
工作流程
准备样品 - 放置于真空室中 - 照射X射线 - 测 量电子能谱 - 分析和解释结果。
XPS在材料表征中的应用
半导体材料
XPS可用于研究半导体材料的表面化学状况和 界面特性。
聚合物材料
对聚合物材料进行表面分析,了解其化学成分 和表面改性效果。
金属合金
生物材料
XPS可用于表征金属合金的成分和表面氧化状态。 研究生物材料表面的化学活性,用于医学和生 物工程领域。
XPS可用于确定催化剂表面的活性位点,帮助优化催化剂设计。
Hale Waihona Puke 2反应机理研究通过分析催化剂表面的元素状态和化学键情况,揭示催化反应的机理。
3
失活机制研究
通过分析催化剂失活前后的表面化学状态,探究失活机制并提出改进策略。
总结和展望
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种强大的表面分析技术,广泛应用于材料科学和表面化学领域。未来,随 着技术的进一步发展,XPS将在更多领域发挥重要作用。
X射线光电子能谱 (XPS) 的基本原理及应用
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种先进的分析技术,可用于研究和表征材料的 表面组成和化学状态。
定义和概述
1 什么是XPS?
2 工作原理
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种非接触性的表面 分析技术,通过测量材 料表面上光电子的能谱 来了解元素的化学状态、 组成和表面反应性。
2
能谱测量
测量电子的能量和强度,建立能谱图,分析元素和化学状态。
3
定量分析
通过峰面积计算得到元素的相对含量,进一步分析材料组成。
XPS仪器的组成和工作流程
X射线源
发射足够强的X射线束以激发样品表面原子。
电子能谱仪

XPS原理及分析

XPS原理及分析

XPS原理及分析X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,简称XPS)是一种常用的表面分析技术,它可以通过测量材料中逸出的光电子能谱,获得关于材料的元素组成、化学状态和电荷状态等信息。

本文将详细介绍XPS的基本原理和在材料分析中的应用。

一、XPS原理简介XPS基于光电效应,利用高能X射线照射样品,当X射线能量足够高时,可以将样品表面的原子或分子的内层电子击出,形成光电子。

这些光电子的能量与原子或分子的电子结构和化学状态相关。

通过测量光电子能量和强度,可以分析样品表面化学成分、原子的化学键性质、表面缺陷等信息。

二、XPS仪器和实验过程XPS实验通常采用准直束X射线源,将高能量的单色X射线照射到样品表面,使样品的表面原子被击出。

击出的光电子经过分析器进行能量分辨,并通过光电倍增管等探测器检测产生的电荷信号。

最后,通过电子学系统进行信号放大和处理,得到光电子能谱。

三、XPS应用领域1. 表面化学分析:XPS可以确定材料的元素组成、化学价态和化学键状态,揭示材料表面的化学变化和物理性质。

广泛应用于催化剂、合金材料和半导体器件等领域的研究和开发。

2. 薄膜表征:通过XPS可以分析薄膜的组成和结构,了解材料的生长机制和质量。

在光电子器件、涂层和导电膜等领域有重要应用。

3. 反应动力学研究:XPS可以实时观察反应过程中表面物种的变化,研究反应机理和动力学性质。

被广泛应用于催化反应、电化学反应等领域。

4. 界面分析:XPS可以研究材料与其他材料之间的界面相互作用,揭示材料的界面化学和电子结构特性。

在纳米材料、生物界面等研究中具有重要价值。

四、XPS的局限性1. 表面敏感性:XPS只能分析样品表面几纳米到十几纳米的深度,对于较厚的材料或易氧化的表面容易受到误差。

2. 低解析度:XPS在能量分辨率和空间分辨率上存在限制,无法观察到低能区域和微小尺度的结构。

3. 非定量分析:由于XPS信号强度与元素的浓度和电子逃逸深度有关,因此XPS分析结果需要进行定量校正。

(完整版)X射线光电子能谱分析(XPS)

(完整版)X射线光电子能谱分析(XPS)

第18章X射线光电子能谱分析18.1 引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法,特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。

目前常用的表面成分分析方法有:X射线光电子能谱(XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。

AES 分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究,而XPS的应用面则广泛得多,更适合于化学领域的研究。

SIMS和ISS由于定量效果较差,在常规表面分析中的应用相对较少。

但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。

本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。

X射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。

该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。

由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献,1981年,Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。

三十多年的来,X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。

XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析,业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。

XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。

目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。

在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。

在X射线源上,已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源;传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源;X射线的束斑直径也实现了微型化,最小的束斑直径已能达到6μm大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。

图像XPS技术的发展,大大促进了XPS在新材料研究上的应用。

在谱仪的能量分析检测器方面,也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器,使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。

X射线光电子能谱分析

X射线光电子能谱分析

Eb
0k时固体能带中充 满电子旳最高能级
hv Ek Eb 功函数
为预防样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱仪旳良 好电接触,两者费米能级一致。样品与仪器触电电位差。
实际测到旳电子动能为:
Ek' Ek (sp s ) hv Eb sp
Eb hv Ek' sp
仪器功函数
hv Ek Eb 功函数来自D.多重分裂:原子电离后空位与自旋电子发生偶合,得 到不同终态,相应每一种终态,在图谱上将有一条谱 线。
配位体相同步,多重分裂与未成对电子数正有关。多重 分裂谱线能量差与配位体离子电负性有关,能够用于 判断价态。
E.能量损失谱线:光电子穿过样品表面时, 同原子间发生非弹性碰撞、损失能量后 在图谱上出现旳伴峰。
§7.1 电子能谱旳基本原理
基本原理就是光电效应。 在高于某特定频率旳电磁波照射下,物质内部旳电 子会被光子激发出来即光生电。
自由原子旳光电效应能量关系
hv Ek Eb
对孤立原子或分子, Eb 就是把
电子从所在轨道移到真空需旳 能量,是以真空能级为能量零 点旳。
对固体样品,必须考虑晶体势场和表面势场对光电子 旳束缚作用,一般选用费米(Fermi)能级为参照点。
第七章 电子能谱
X-射线光电子能谱仪,是一种表面分析技术, 主要用来表征材料表面元素及其化学状态。 基本原理:使用X-射线与样品表面相互作用, 利用光电效应,激发样品表面发射光电子, 利用能量分析器,测量光电子动能, 根据BE.bE=hhvv-KE.Ek' -W.spF进而得到激发电子旳结合能 。
我们就是为了得到样品旳结合能!
能量分析器
电子能量分析器其作用是探测样品发射出来旳不同 能量电子旳相对强度。它必须在高真空条件下工作 即压力要低于10-3帕,以便尽量降低电子与分析器 中残余气体分子碰撞旳几率。

X射线光电子能谱分析方法及原理

X射线光电子能谱分析方法及原理

X射线光电子能谱分析方法及原理X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS),是一种表面分析技术,也被称为电子能谱电子分析(ESCA)。

它是利用光电效应原理,通过测量物质表面的电子能谱,来研究物质的化学成分和性质。

该方法广泛应用于材料科学、表界面科学、固体表面物理、化学和生物科学等领域。

XPS方法的基本原理是:将样品暴露在高真空条件下,用X射线激发样品表面的电子,测量被激发的电子的能量和强度分布,从而获得样品表面的电子能谱。

X射线能量通常在1-2keV范围内,这使得只有表面层的电子被激发出来,从而实现对表面层的分析。

通过测量不同材料或不同样品位置的电子能谱,可以得到物质的化学成分以及化学键,原子的价态和表面状态等相关信息。

XPS技术的核心设备是X射线源、光电子能谱仪和数据分析装置。

X射线源通常采用镁、铝或不锈钢等作为材料,并通过电子轰击产生恒定的X射线。

光电子能谱仪主要由光学系统、分析室、检测器和数据采集系统组成。

光学系统负责将X射线束聚焦并入射样品表面,使其发生光电效应;分析室通过光学镜片将发射的光电子分散,并通过电场聚焦和能量滤波器选择出特定能量范围的光电子;检测器通过电荷放大和信号处理将光电子信号转化为电信号,再通过数据采集系统进行记录和分析。

XPS方法的实验操作流程主要包括样品准备、真空抽取和射线照射、测量光电子能谱和数据分析。

样品准备过程包括清洗、磨光和放置在高真空环境中等步骤,以确保样品表面的纯净和平坦度。

真空抽取和射线照射是为了消除空气中的气体和杂质,并确保光电子能谱的准确测量。

测量光电子能谱时,可以通过调整X射线源的功率和选择不同的分析参数,来获得不同深度的电子能谱。

数据分析过程主要包括光电子峰的识别和拟合,以及数据的定量和定性分析。

XPS方法具有高灵敏度、高空间分辨率和广泛的表面化学信息获取能力等优点,因此被广泛应用于材料科学、表界面科学和生物医学科学等领域。

它不仅可以用来研究表面物理和化学过程,还可以用来研究各种材料的电子结构、化学键和表面功能化修饰等。

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非导电材料的表面荷电效应;
固体的热效应;

自由分子的压力效应;
凝聚态物质的固态效应.
ΔEk
Ek
Ek’
E=0
Eb
Eb’
ΔEb 化学位移为: ΔEb= ΔEk
• 光电效应:原子在X-ray的作用下,内层电子得到能量
而发生电离成为自由电子(光电子)的现象。
• 光电截面σ:表示光离子化几率。与下列因素有关:
• 能量损失(Energy loss):由于光电子在穿过样品表面时同
原子(或分子)发生非弹性碰撞而引起的能量损失。
• X射线伴线(X-ray statellites):X-ray不是单一的Ka,还
有Ka1,2,3,4,5,6以及Kβ。(主要有Ka3,4构成)
• 多重分裂(Multiplet splitting):一般发生在基态有未成对
产生的伴峰不同于其 强
AlKa1,2
它伴峰的主要标志。 度
(I) 非弹性散射
AlKa3,4
动能(ev) 结合能(ev)
利用XPS谱图鉴定物质成分:
• 利用某元素原子中电子的特征结合能来鉴别物质。
• 自旋-轨道偶合引起的能级分裂,谱线分裂成双 线(强度比),特别对于微量元素:
对于P1/2和P3/2的相对强度为1:2,d3/2和d5/2为2:3,f5/2和f7/2 为3:4;下图是Si的2P电子产生的分裂峰(1:2):
XPS 的工作原理:
X-ray
样品 电离放出光电子 能量分析器
(记录不同能量的电子数目)
检测器

电 子
hν(X-ray)




: A(中性分子或原子)+ hν(X-ray)
eA+*(激发态的离子)+e-(光电子)
XPS谱线中伴峰的来源:
• 振离(Shake-off):多重电离过程(能量差为带有一个内层
的实用性很强的表面分析方法。 • 现今世界上关于XPS的刊物主要有:
Journal of Electron Spectroscopy. Related Phenomena.
基本概念:
• 光电子能谱: 反应了原子(或离子)在入射粒 子(一般为X-ray)作用下发射出来的电子的能 量、强度、角分布等信息。
• X-ray: 原子外层电子从L层跃迁到K层产生的 射线。 常见的X射线激发源有:
Mg :Ka1,2(1254ev,线宽0.7ev ) Al :Ka1,2(1487ev ,线宽0.9ev ) Cu :Ka1,2(8048ev,线宽2.5ev ) Ti :Ka1,2(4511ev,线宽1.4ev )
• 电子结合能:由光电过程的Einstein方程:
hν=Eb+1/2mv2 ,求出 :Eb= hν-Ek。
引入Fermi能级后,光电过程的能量关系如图所示:
自由电子能级
Ek’
Ek

(X-ray)
ΔV
фѕ
导带 价带
自由电子能级
фѕp Fermi能级
Eb
样品与谱仪间的接触
电位差ΔV等于样品与
样品
谱仪的功能函数之差:
X—射线光电子能谱
( X-ray Photoelectron Spectroscopy )
主要内容:
• XPS 的发展 • 基本概念 • XPS 的工作流程及原理 • XPS谱线中伴峰的来源 • XPS谱图中伴峰的鉴别 • 利用XPS谱图鉴别物质 • XPS的实验方法 • XPS谱图的解释步骤 • XPS 的特点
• 样品荷电的校正:
(绝缘体的荷电效应是影响结果的一个重要因素)
1.消除法: 用电子中和枪是目前减少荷电效应的最好方法; 另一种方法是,在导电样品托上制备超薄样品, 使谱仪和样品托达到良好的电接触状态。
2.校正法: 主要有以下几种方法: a.镀金法;b.外标法; c.内标法;d.二次内标法; e.混合法;f.氩注入法。
• 样品的安装:
一般是把粉末样品粘在双面胶带上或压入铟箔(或 金属网)内,块状样品可直接夹在样品托上或用导 电胶带粘在样品托上进行测定。
其它方法:
1.压片法:对疏松软散的样品可用此法。 2.溶解法:将样品溶解于易挥发的有机溶剂中,然 后将其滴在样品托上让其晾干或吹干后再进行测量。
3.研压法:对不易溶于具有挥发性有机溶剂的样品, 可将其少量研压在金箔上,使其成一薄层,再进行 测量。
自旋与轨道偶合产生能级分裂: j=| ι +ms|=| ι ±1/2| , 在 ι > 0的各亚壳层将分裂成两个能级,XPS中出现双峰。
XPS 的工作流程:
光 源(X-ray)
过滤窗 样品室
真空系统 (1.33×10-5—1.33×10-8Pa)
能量分析器 检测器
磁屏蔽系统(~1×10-8T)
扫描和记录系统
电子的原子中。
• 俄歇电子(Auger electron):当原子内层电子光致电
离而射出后,内层留下空穴,原子处于激发态,这种 激发态离子要向低能态转化而发生弛豫,其方式可以 通过辐射跃迁释放能量,波长在X射线区称为X射线荧 光;或者通过非辐射跃迁使另一电子激发成自由电子, 这种电子就称为俄歇电子。对其进行分析能得到样品 原子种类方面的信息。
XPS谱图的解释步骤:
• 在XPS谱图中首先鉴别出C1s、O1s、C(KLL) 和 O(KLL)的谱峰(通常比较明显)。
• 鉴别各种伴线所引起的伴峰。 • 先确定最强或较强的光电子峰(或俄歇电子
峰),再鉴定弱的谱线。 • 辨认p、d、f自旋双重线,核对所得结论。
XPS 的特点:
• 可以分析除H和He以外的所有元素。
a.原子中不同能级σ不同;b.不同元素σ随原子序数Z的增大而 增大;c.一般地说,同一元素壳层半径愈小σ愈大;d.电子结 合能与入射光的能量愈接近σ 愈大;e.对同一壳层: σ随角 量子数(ι)的增大而增大。
• 原子能级:与原子中的四个量子数有关,其物理意义为:
a.主量子数n;b.角量子数ι ;c.磁量子数ml;d.自旋量子数ms
• 相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干扰 较少,元素定性的标识性强。
• 能够观测化学位移,化学位移同原子氧化态、原 子电荷和官能团有关。化学位移信息是利用XPS进 行原子结构分析和化学键研究的基础。
• 可作定量分析,即可测定元素的相对浓度,又可 测定相同元素的不同氧化态的相对浓度。
• 是一种高灵敏超微量表面分析技术,样品分析的 深度约为20Å,信号来自表面几个原子层,样品量 可少至10-8g,绝对灵敏度高达10-18g。
由图可知:

Eb=hν - фѕ- Ek’ Ek’+ фѕ= Ek+ фѕp
фѕ-фѕp
(功能函数就是把一个电子从Fermi 能级移到自由能级所需要的能量)

Eb= hν - Ek- фѕp ( фѕp平均值约为4ev)
(其中,Ek’为从样品出射光电子的动能;Ek为谱仪测量到的光电子的动能)
上式即为原子内层电子结合能公式。
计权重。如:Mn2+离子具有5个未成对电子,从Mn2+内
层发射一个s电子,其J值为(5/2+1/2)和 (5/2-1/2),其 强度正比于(2J+1),即其分裂峰的相对强度为7 :5;
• X-ray伴线产生的伴峰:X-ray的伴线能量比主线
(Ka1,2)高,因此样品XPS中光电子伴峰总是位于主 峰的低结合能一端(如下图所示),这也是X-ray伴线
• 利用俄歇化学位移标 识谱图鉴定物质:
2P3/2
Si 2p
如:Cu与CuO的化学位移为0.4eV
2P1/2
Ag与Ag2SO4化学位移为0.1eV 而对它们来说俄歇化学位移相当大。
105
电子结合能(eV) 95
XPS的实验方法:
• 样品的预处理 :(对固体样品)
1.溶剂清洗(萃取)或长时间抽真空除表面污染物。 2.氩离子刻蚀除表面污物。注意刻蚀可能会引起表 面化学性质的变化(如氧化还原反应)。 3.擦磨、刮剥和研磨。对表理成分相同的样品可用 SiC(600#)砂纸擦磨或小刀刮剥表面污层;对粉末 样品可采用研磨的方法。 4.真空加热。对于能耐高温的样品,可采用高真空 下加热的办法除去样品表面吸附物。
其过程为:
A+hν
(A+)*+e-(光电子)
两 者
A++ hν’(X荧光)
只 能
A2++e-(俄歇电子)
选 择

(原子序数Z<30的元素以发射俄歇电子为主)

俄歇电子产生过程图解:
俄歇电子e-
hv(X-ray荧光)
Energy
处于激发态离子 产生X-ray荧光过程
处于激发态离子 产生俄歇电子的过程
实际测量时,利用标准样品的基准谱线来校正 被测谱线的结合能,称为内标法:
Eb(测)=Ek(标)+Eb(标)-Ek(测)
(其中, Ek(标)和Eb(标)已知, Ek(测)可由谱仪测出)
• 化学位移:又称结合能位移,原子的内层电子结合
能随原子周围化学环境变化的现象称为化学位移。
影响化学位移的因素有: (如图所示)。
• 振激和振离峰:振离峰以平滑连续 强度I
谱的形式出现在光电子主峰低动能的
主峰
一边,连续谱的高动能端有一陡限。 振激峰也是出现在其低能端,比主峰 振离峰 振激峰
高几ev,并且一条光电子峰可能有几 条振激伴线。(如右图所示)
动能Ek
• 能量损失峰:其特点是随X-ray的波动而波动。
• 多重分裂峰:多重分裂峰的相对强度等于终态的统
XPS谱图中伴峰的鉴别:
(在XPS中化学位移比较小,一般只有几ev,要想对 化学状态作出鉴定,首先要区分光电子峰和伴峰)
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