第3讲 晶体三极管2015

I' B
IE
I EN 穿透电流
三、三极管的特性曲线
1、 输入特性曲线
i B = f (u BE ) U
CE = C
三极管放大电路的静态 分析中，经常将 b-e间的 直流压降看作是固定的， 硅管约为 0.7V ，锗管约 为0.2V。
三、三极管的共射输入特性和输出特性 2、输出特性曲线 iC = f (u CE ) I =C
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极 电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
二、三极管的电流放大作用
3、电流分配关系
I CBO
I CN 直流电流放大系数 β = ' IB
IC I CN
交流电流放大系数
β=
∆iC ∆iB
IB
一般情况下，直流电流放大系数 与交流电流放大系数差别很小，在分 析估算中常取 β ≈ β 1）三电极电流关系：iE=iB+iC 2）iC ≈ β iB ， iE ≈(1+ β)iB 3） iC>>iB ，iC≈iE 4） ICEO ≈(1+ β )ICBO 集电结反向电流
I CBO
IC I CN
IB
1)发射 发射区多子(电子)向基区 扩散，形成电子电流 IEN。 2)复合和扩散 电子到达基区后， 少数与空穴复合，形成复合电流 IBN ，多数向集电结方向扩散 。 3)收集 集电区收集扩散到集电结 边缘的电子形成收集电流 ICN。
IBN
IE
I EN
另外，集电结处少子漂移形成 漂移电流I CBO。
B
（1）放大区 E结正偏，C结反偏 恒流性： 是指在 iB一定时，
iC 基本不随U CE 而变化。
∆iC
∆iB
受控性： 是指 iB的变化 控制 iC的变化。 （2）截止区 E结反偏 IB≤0 （3）饱和区 E结、C结都正偏 饱和压降UCES 对小功率管约为(0.3～0.5)V。
四、温度对三极管特性的影响
一、三极管Baidu Nhomakorabea结构和符号
二、三极管的电流放大作用
1、三极管放大的条件：
内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏
从电位的角度看： NPN ： UC>UB>UE PNP ： UC<UB<UE
二、三极管的电流放大作用
2、三极管内部载流子的传输过程
最大集电 极电流 c-e间击穿电压
最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
安全工作区
作业和课外任务
1、作业： 1-2(4)、1-4(3) (6)；1-12；1-13；1-14； 1-4（4）（5）；1-7；1-18；1-19 2、课外任务： （1）请同学们在QQ讨论组上自学讨论1.4场效应管 内容。 （2）1. 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ （3）如何用万用表判别晶体管的类型和电极？
T (℃) ↑→ I CBO ↑ →β ↑ → uBE不变时iB ↑ ，即iB不变时uBE ↓
五、主要参数 α 、ICBO、 ICEO • 直流参数：β 、
•
α = IC IE
∆iC β = ∆iE 1 + β
α= 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
§1.3 晶体三极管
一、三极管的结构和符号 二、三极管的电流放大作用 三、三极管的特性曲线 四、温度对三极管特性的影响 五、主要参数
一、三极管的结构和符号
三极管有三个区、两个PN结、三个电极。
面积很大，杂 质浓度居中
很薄且掺杂 浓度很低 杂质浓 度最高
箭头表示发射结正向导通时的电流方向。
注意：三极管用作放大管时，其发射极和集电极不能互换！！