理学半导体中量子跃迁的特点
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
半导体中与光有关的量子（电子或空穴） 跃迁主要发生在导带与价带之间。
1.受激吸收 受激吸收之后出现电子-空穴对
光电导、光探测器原理。
h
2.自发发射 半导体发光二极管（LED）工作原理。
h
3.受激发射 半导体激光器（LD） 工作原理。
h h
h
半导体中量子跃迁特点： ①电子态密度高（N～10²³㎝ˉ³）
量子跃迁速率大 增益系数大
②量子效率高，响应速度快
（碰撞能量交换时间短）可直接调制2.5GHz
③能wenku.baidu.com转换效率高 可将载流子直接注入有源区
气体～20％，固体～5％，半导体～60－70％，量子点～100％。
④由于不纯和的相互作用，选者定则不严格
→谱线宽
1.受激吸收 受激吸收之后出现电子-空穴对
光电导、光探测器原理。
h
2.自发发射 半导体发光二极管（LED）工作原理。
h
3.受激发射 半导体激光器（LD） 工作原理。
h h
h
半导体中量子跃迁特点： ①电子态密度高（N～10²³㎝ˉ³）
量子跃迁速率大 增益系数大
②量子效率高，响应速度快
（碰撞能量交换时间短）可直接调制2.5GHz
③能wenku.baidu.com转换效率高 可将载流子直接注入有源区
气体～20％，固体～5％，半导体～60－70％，量子点～100％。
④由于不纯和的相互作用，选者定则不严格
→谱线宽