飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管
5G网络设备芯片的国产化现状及展望
经济观察Econom ic Observation5G网络设备芯片的国产化现状及展望◎撰文I郭浩"三网〃的五类核心设备芯片5G网络设备芯片的国产化现状移动通信网络架构由三部分组成：接入网、承 载网、核心网。
接入网主要指基站，负责将手机等通 信终端连入网络，完成信息的收与发；承载网主要指 光纤网络，负责信息接入网与核心网之间的传输；核 心网主要由众多专业网元设备构成，负责数据的处 理、管理和分发。
5G依然采用传统的移动通信网络架构，但内部 发生了很多变化。
5G接入网由A A U、CU、D U构 成，涉及的芯片有基带芯片和射频芯片，其中射频 芯片包含功率放大器、低噪声放大器、射频幵关。
5G承载网全面采用光纤网，涉及的芯片主要在光模 块中，包含激光器芯片和探测器芯片。
5G核心网采 用了SBA 架构（Service Based Architecture)，淘汰复杂的电信专用设备，采用X86服务器与虚拟 软件，涉及的芯片主要是X86服务器CPU和存储芯5G基站基带芯片：华为、中兴具备设计能力，制造环节成瓶颈基带芯片是指用来将模拟信号转化为基带信号 (数字信号），或对接收到的基带信号进行解码的芯 片。
移动基站市场主要被华为、中兴、爱立信、诺 基亚占领。
其中，华为海思在2019年1月推出了 自行设计的天罡系列5G基站核心芯片，采用台积 电7nm制程，华为5G基站的基带处理芯片已使用 了天罡系列A S IC芯片。
中兴的5G基站使用中兴微 电子自行设计的5G多模软基带芯片MSC3.0,采用 的同样是台积电7nm制程，该芯片是中兴首款支持 5G的基带芯片，集成了多种5G算法硬件加速EP,完备地支持5G现有协议标准，并具备后续协议演进 的能力。
片。
综上，5G网络设备中的芯片如下图所示。
基站基獅片5G网络设备芯片国外M arvell推出的5G基带处理器OCTEON Fusion可用于服务多扇区宏基站、微基站、智能射频头和分布式单元。
高效率基站功放的研究与设计实现
高效率基站功放的研究与设计实现林锡贵【摘要】当今社会移动通信设备的研发和相关技术的发展突飞猛进,移动电话、各类局域网等移动网络工程基本涉及社会的方方面面.在这种时代潮流的推动下,基站的性价比日益引发相关行业的高度关注.文章从基站功率放大设备通常会遭受外界因素干扰的形式为切入点,以干扰基站现场工作的实际情况为基础,阐述了促进基站功率放大装置现场运行质量的相关研究和设计方案,旨在使放大器的参数得到全局性掌握和完善,增加基站整体的覆盖面积.【期刊名称】《无线互联科技》【年(卷),期】2018(015)016【总页数】2页(P29-30)【关键词】功放结构;高效率;设计实现【作者】林锡贵【作者单位】广州海格通信集团股份有限公司,广东广州 510663【正文语种】中文进入21世纪以来，通信行业取得重大进展，但是因为移动带宽的限制而使得带宽被大规模削减，大部分新的解决方案都依靠繁琐的调制手段来降低相关带宽的消耗，在诸多相关方案的操作中均是通过非恒包络的改善渠道，该方式使得射频信号所对应的峰均比变的范围进行了拓宽，功率放大器具备了更宽的外输变化数值，其对相关设备的线性度标准也更加苛刻。
线性度的增加通常依靠功率返还的操作进行作业，但是功率返还肯定会引发放大设备运行质量的大幅度下降。
Dherty制定的高性能措施可以有效地克服这一障碍，Dherty方案可以将放大设备在极大的功率波动区域内确保其仍有高性能的输出。
Dherty方案里的放大设备能够有效地解决并促进功率放大设备在功率返还时性能的提升，将其和前馈以及预失真线路相结合，能够在线性度以及性能两者之间获得优化考量，Dherty方案的核心理论是把接收信号的平均区域和峰值区域先分别完成放大，最终再重新进行合成，利用这种形式得到比以往要高的效率和性能。
1 功率放大器的基本原理和构造论述Dherty构造的原理开始是由贝尔实验所的W·H Dherty进行阐述分析的。
飞思卡尔高功率器件介绍
RF Power LDMOS TransistorN--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETThis 80watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720to 960MHz.•Typical Single--Carrier W--CDMA Performance:V DD =28Volts,I DQ =1400mA,P out =80Watts Avg.,Input Signal PAR =7.5dB @0.01%Probability on CCDF.Frequency G ps (dB)ηD (%)Output PAR(dB)ACPR (dBc)IRL (dB)920MHz 20.035.9 6.3--38.0--14940MHz 20.136.2 6.2--37.6--18960MHz20.036.16.1--37.5--17Features•Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation•Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems •Optimized for Doherty Applications•In Tape and Reel.R3Suffix =250Units,32mm Tape Width,13inch Reel.Document Number:AFT09S282NRev.0,10/2012Technical Data720--960MHz,80W AVG.,28VAFT09S282NR3AFT09S282NR3Table 1.Maximum RatingsRatingSymbol Value Unit Drain--Source Voltage V DSS --0.5,+70Vdc Gate--Source Voltage V GS --6.0,+10Vdc Operating VoltageV DD 32,+0Vdc Storage Temperature Range T stg --65to +150°C Case Operating Temperature Range T C --40to +150°C Operating Junction Temperature Range (1,2)T J--40to +225°CTable 2.Thermal CharacteristicsCharacteristicSymbol Value (2,3)Unit Thermal Resistance,Junction to CaseCase Temperature 80°C,80W CW,28Vdc,I DQ =1500mA,960MHz Case Temperature 91°C,282W CW,28Vdc,I DQ =1500mA,960MHzR θJC0.310.27°C/WTable 3.ESD Protection CharacteristicsTest MethodologyClass Human Body Model (per JESD22--A114)2Machine Model (per EIA/JESD22--A115)B Charge Device Model (per JESD22--C101)IVTable 4.Moisture Sensitivity LevelTest MethodologyRating Package Peak TemperatureUnit Per JESD22--A113,IPC/JEDEC J--STD--0203260°CTable 5.Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOff CharacteristicsZero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =70Vdc,V GS =0Vdc)I DSS ——10μAdc Zero Gate Voltage Drain Leakage Current (V DS =28Vdc,V GS =0Vdc)I DSS ——1μAdc Gate--Source Leakage Current (V GS =5Vdc,V DS =0Vdc)I GSS——1μAdcOn CharacteristicsGate Threshold Voltage(V DS =10Vdc,I D =370μAdc)V GS(th) 1.0 1.5 2.0Vdc Gate Quiescent Voltage(V DD =28Vdc,I D =1400mA,Measured in Functional Test)V GS(Q) 1.7 2.2 2.7Vdc Drain--Source On--Voltage(V GS =10Vdc,I D =3.6Adc)V DS(on)0.10.140.3Vdc1.Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.2.MTTF calculator available at /rf.Select Software &Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product.3.Refer to AN1955,Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.Go to /rf.Select Documentation/Application Notes --AN1955.(continued)AFT09S282NR3Table 5.Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)(continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitFunctional Tests (1)(In Freescale Test Fixture,50ohm system)V DD =28Vdc,I DQ =1400mA,P out =80W Avg.,f =960MHz,Single--Carrier W--CDMA,IQ Magnitude Clipping,Input Signal PAR =7.5dB @0.01%Probability on CCDF.ACPR measured in 3.84MHz Channel Bandwidth @±5MHz Offset.Power Gain G ps 19.020.022.0dB Drain EfficiencyηD 33.536.1—%Output Peak--to--Average Ratio @0.01%Probability on CCDF PAR 5.6 6.1—dB Adjacent Channel Power Ratio ACPR —--37.5--36.0dBc Input Return LossIRL—--17--10dBLoad Mismatch (In Freescale Test Fixture,50ohm system)I DQ =1400mA,f =940MHzVSWR 10:1at 32Vdc,416W CW Output Power(3dB Input Overdrive from 280W CW Rated Power)No Device DegradationTypical Performance (In Freescale Test Fixture,50ohm system)V DD =28Vdc,I DQ =1400mA,920--960MHz Bandwidth P out @1dB Compression Point,CWP1dB —280—W VBW Resonance Point(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)VBW res —60—MHz Gain Flatness in 40MHz Bandwidth @P out =80W Avg.G F —0.1—dB Gain Variation over Temperature (--30°C to +85°C)∆G —0.0156—dB/°C Output Power Variation over Temperature (--30°C to +85°C)∆P1dB—0.006—dB/°C1.Part internally matched both on input and output.AFT09S282NR3Figure2.AFT09S282NR3Test Circuit Component Layout*C26is mounted vertically.Table6.AFT09S282NR3Test Circuit Component Designations and ValuesPart Description Part Number Manufacturer C162pF Chip Capacitor ATC100B620JT500XT ATCC2,C5,C10,C13 4.7pF Chip Capacitors ATC600F4R7BT250XT ATCC3,C7,C14,C15,C22,C2310μF Chip Capacitors GRM32ER71H106KA12L MurataC4,C6,C16,C17,C18,C1947pF Chip Capacitors ATC600F470JT250XT ATCC8,C9,C11,C24 3.9pF Chip Capacitors ATC600F3R9BT250XT ATCC12,C20,C21 2.4pF Chip Capacitors ATC600F2R4BT250XT ATCC25470μF,63V Electrolytic Capacitor MCGPR63V477M13X26-RH MulticompC2636pF Chip Capacitor ATC100B360JT500XT ATCR1,R2 6.04Ω,1/4W Chip Resistor CRCW12066R04FKEA VishayPCB0.020″,εr=3.5RO4350RogersAFT09S282NR3TYPICAL CHARACTERISTICSI R L ,I N P U T R E T U R N L O S S (d B )820f,FREQUENCY (MHz)Figure 3.Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression(PARC)Broadband Performance @P out =80Watts Avg.--20--0--5--10--1513232221--4238343026--37--38--39--40ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)G p s ,P O W E R G A I N (d B )20191817161584086088090092094096098022--41--25A C P R (dB c )Figure 4.Intermodulation Distortion Productsversus Two--Tone SpacingTWO--TONE SPACING (MHz)10-----1100I M D ,I N T E R M O D U L A T I O N D I S T O R T I O N (d B c )-Figure 5.Output Peak--to--Average RatioCompression (PARC)versus Output PowerP out ,OUTPUT POWER (WATTS)--1--3700--2--4O U T P U T C O M P R E S S I O N A T 0.01%P R O B A B I L I T Y O N C C D F (d B )509011015020504540353025ηD ,D R A I N E F F I C I E N C Y (%)130A C P R (dB c )--50--20--25--30--40--35--4522G p s ,P O W E R G A I N (d B )212019181716P A R C (d B )--1.8--1--1.2--1.4--1.6--2--51AFT09S282NR3TYPICAL CHARACTERISTICS1P out,OUTPUT POWER(WATTS)AVG.Figure6.Single--Carrier W--CDMA Power Gain,DrainEfficiency and ACPR versus Output Power--10--20 16226050403020ηD,DRAINEFFICIENCY(%)Gps,POWERGAIN(dB)21201010030010--60ACPR(dBc) 191817--30--40--50 Figure7.Broadband Frequency Response1123f,FREQUENCY(MHz)191715GAIN(dB)2113700800900100011001200130014001500--402010--10--20IRL(dB)--30AFT09S282NR3V DD =28Vdc,I DQ =1400mA ,Pulsed CW,10μsec(on),10%Duty Cyclef (MHz)Z source (Ω)Z in (Ω)Z load (1)(Ω)Max Linear Gain (dB)Max Output PowerP1dBP3dB(dBm)(W)ηD(%)AM/PM (°)(dBm)(W)ηD (%)AM/PM (°)920 1.83-j3.18 1.66+j3.17 4.55-j3.2718.756.039653.5-8.056.949458.2-12940 2.01-j3.27 2.03+j3.31 4.97-j2.8618.755.939154.4-7.756.949057.6-119602.64-j3.342.55+j3.455.77-j1.7818.455.939153.9-7.956.948857.8-12(1)Load impedance for optimum P1dB power.Z source =Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.Z in =Impedance as measured from gate contact to ground.Z load =Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.source inloadFigure 8.Load Pull Performance —Maximum P1dB TuningV DD =28Vdc,I DQ =1400mA ,Pulsed CW,10μsec(on),10%Duty Cyclef (MHz)Z source (Ω)Z in (Ω)Z load (1)(Ω)Max Linear Gain (dB)Max Drain EfficiencyP1dBP3dB(dBm)(W)ηD(%)AM/PM (°)(dBm)(W)ηD (%)AM/PM (°)920 1.83-j3.18 1.70+j3.02 1.49-j1.6122.053.522566.2-1554.326769.6-22940 2.01-j3.27 2.12+j3.16 1.48-j1.8022.053.321566.6-1654.024870.1-249602.64-j3.342.66+j3.261.76-j1.7921.753.623067.4-1554.326970.6-22(1)Load impedance for optimum P1dB efficiency.Z source =Measured impedance presented to the input of the device at the package reference plane.Z in =Impedance as measured from gate contact to ground.Z load =Measured impedance presented to the output of the device at the package reference plane.source inloadFigure 9.Load Pull Performance —Maximum Drain Efficiency TuningAFT09S282NR3P1dB --TYPICAL LOAD PULL CONTOURS —940MHz34567213456721--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3--4.50--0.5--1.5--1--2--2.5--3.5--4--3I M A G I N A R Y (Ω)I M A G I N A R Y (Ω)NOTE:=Maximum Output Power=Maximum DrainEfficiencyFigure 10.P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)--4.5REAL (Ω)0--0.5--1.5I M A G I N A R Y (Ω)345Figure 11.P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)REAL (Ω)I M A G I N A R Y (Ω)Figure 12.P1dB Load Pull Gain Contours (dB)REAL (Ω)Figure 13.P1dB Load Pull AM/PM Contours (°)REAL (Ω)--1--2--2.5--3.5--467--3213456721Power Gain Drain Efficiency LinearityOutput PowerAFT09S282NR3P3dB --TYPICAL LOAD PULL CONTOURS —940MHzNOTE:=Maximum Output Power =Maximum DrainEfficiencyFigure 14.P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)--41REAL (Ω)--1--2Figure 15.P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)REAL (Ω)Figure 16.P3dB Load Pull Gain Contours (dB)REAL (Ω)Figure 17.P3dB Load Pull AM/PM Contours (°)REAL (Ω)Power Gain Drain Efficiency LinearityOutput Power--41--1--2014567--332I M A G I N A R Y (Ω)014567--332--41--1--2I M A G I N A R Y (Ω)014567--332--41--1--2I M A G I N A R Y (Ω)014567--332I M A G I N A R Y (Ω)AFT09S282NR3PACKAGEDIMENSIONSAFT09S282NR311RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.12RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.AFT09S282NR3AFT09S282NR313RF Device Data Freescale Semiconductor,Inc.PRODUCT DOCUMENTATION,SOFTWARE AND TOOLSRefer to the following documents,software and tools to aid your design process.Application Notes•AN1955:Thermal Measurement Methodology of RF Power AmplifiersEngineering Bulletins•EB212:Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS DevicesSoftware•Electromigration MTTF Calculator•RF High Power Model•.s2p FileDevelopment Tools•Printed Circuit BoardsFor Software and Tools,do a Part Number search at ,and select the “Part Number”link.Go to the Software &Tools tab on the part’s Product Summary page to download the respective tool.REVISION HISTORYThe following table summarizes revisions to this document.RevisionDate Description0Oct.2012•Initial Release of Data SheetRF Device Data Freescale Semiconductor,rmation in this document is provided solely to enable system and software implementers to use Freescale products.There are no express or implied copyright licenses granted hereunder to design or fabricate any integrated circuits based on the information in this document.Freescale reserves the right to make changes without further notice to any products herein.Freescale makes no warranty,representation,or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose,nor does Freescale assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit,and specifically disclaims any and all liability,including without limitation consequential or incidental damages.“Typical”parameters that may be provided in Freescale data sheets and/or specifications can and do vary in different applications,and actual performance may vary over time.All operating parameters,including “typicals,”must be validated for each customer application by customer’s technical experts.Freescale does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.Freescale sells products pursuant to standard terms and conditions of sale,which can be found at the following address:/SalesTermsandConditions.Freescale,the Freescale logo,AltiVec,C--5,CodeTest,CodeWarrior,ColdFire,C--Ware,Energy Efficient Solutions logo,Kinetis,mobileGT,PowerQUICC,Processor Expert,QorIQ,Qorivva,StarCore,Symphony,and VortiQa are trademarks of Freescale Semiconductor,Inc.,Reg.U.S.Pat.&Tm.Off.Airfast,BeeKit,BeeStack,ColdFire+,CoreNet,Flexis,MagniV,MXC,Platform in a Package,QorIQ Qonverge,QUICC Engine,Ready Play,SafeAssure,SMARTMOS,TurboLink,Vybrid,and Xtrinsic are trademarks of Freescale Semiconductor,Inc.All other product or service names are the property of their respective owners.E 2012Freescale Semiconductor,Inc.How to Reach Us:Home Page: Web Support:/support。
飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管
飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频
功率晶体管
飞思卡尔公司
【期刊名称】《电子技术应用》
【年(卷),期】2007(33)9
【摘要】飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。
MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。
【总页数】1页(P20)
【作者】飞思卡尔公司
【作者单位】飞思卡尔公司
【正文语种】中文
【中图分类】TN323.4
【相关文献】
1.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 [J], 飞思卡尔半导体
2.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 [J], 周鑫
3.飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准 [J],
4.飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能 [J],
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基于ADS的基站功率放大器仿真实现[图]
![基于ADS的基站功率放大器仿真实现[图]](https://img.taocdn.com/s3/m/53f9973703768e9951e79b89680203d8cf2f6a68.png)
基于ADS的基站功率放大器仿真实现[图]摘要：为了加快功率放大器的设计并降低网络运营成本提高网络质量，文中在详细分析基站功率放大器技术要求的基础上，主要论述了基站功率放大器的设计参数和仿真过程，提出了一种利用ADS 软件进行功放仿真和设计的方法。
利用该方法对中心频率为1960MHz 基站功放的功率增益、功率附加效率、三阶互调等参数进行了仿真和设计，同时和测试结果进行了比较。
结果表明利用该方法设计基站功放是可行的。
1 引言随着功放技术、基带处理技术与射频拉远等技术的重大突破，基站性能大幅度提高，现已经进入了新一代3G 基站时代。
移动网络在实际使用过程中，由于地形环境的影响很多基站并未达到预期的效果。
为了改善网络覆盖，通常有三种方法：①添加基站，覆盖盲区；②增设直放站，延伸并扩大原基站信号，以增强信号覆盖；③在原有的网络设备基础上，通过提高基站的发射功率扩大覆盖范围。
基站功放就是一种通过提升基站发射功率来优化网络覆盖的解决方案。
加装基站功放后，基站输出功率、有效覆盖面积增加，因此覆盖一定区域的基站数量可以减少。
文中就是在这种背景要求下，以飞思卡尔半导体的LDMOS 晶体管-MRF6S19060N 为例，在ADS 环境下仿真设计了一个应用在1930 ~ 1990MHz 基站的功率放大器。
基站功放属于大信号放大器，输入功率和可控衰减范围大、三阶交调抑制比要求高等都是基站功放设计的难点。
文中针对以上问题提出了单双音信号分别输入的仿真方法并给出了设计步骤，最后和测试结果进行了比较。
仿真结果与测试结果的一致性说明了仿真的有效性。
2 基站功率放大器的技术要求作为优化网络信号覆盖的一种解决方案，基站功率放大器（加塔顶放大器）具有较高的实用价值。
基站功放作为基站射频信号的输出必须保证其输出信号满足移动通信系统的技术规范对空中射频信号的所有技术要求。
主要有以下几个方面的要求：（1）输出功率。
输出功率应符合通信系统基站发射功率等级要求。
飞思卡尔芯片
飞思卡尔芯片飞思卡尔（Freescale）是一家拥有嵌入式半导体解决方案的全球领先制造商。
该公司的产品覆盖了自动驾驶汽车、智能手机、物联网以及工业自动化等领域。
飞思卡尔芯片是该公司的核心产品之一，下面将对其进行详细介绍。
飞思卡尔芯片是一种用于嵌入式系统的半导体芯片，具有高性能、低能耗的特点。
它可以运行复杂的应用程序，并提供丰富的外设接口，以满足各种设备的需求。
飞思卡尔芯片使用先进的制造工艺，具有较高的集成度和稳定性，同时还具有较低的功耗和散热性能。
飞思卡尔芯片提供了多种型号和系列，以满足不同应用场景的需求。
例如，i.MX系列是用于智能手机和平板电脑等移动设备的芯片，具有高性能、低功耗和丰富的多媒体功能。
QorIQ系列则是用于工业和网络设备的芯片，具有高性能、可靠性和安全性。
飞思卡尔芯片的应用范围非常广泛。
在汽车行业，它可以用于自动驾驶系统、车载娱乐系统和车身控制系统等。
在消费电子行业，它可以用于智能手机、平板电脑和智能家居设备等。
在工业自动化领域，它可以用于工业机器人、智能仓储系统和智能制造设备等。
与传统的微控制器相比，飞思卡尔芯片具有更强大的计算能力和更丰富的外设接口。
它可以支持更复杂的算法和应用程序，并且可以实现更高的系统集成度。
此外，飞思卡尔芯片还具有较低的功耗和散热性能，能够降低系统的能耗和散热压力。
飞思卡尔芯片还提供了丰富的软件和开发工具，以便开发人员快速开发和调试嵌入式系统。
它支持多种操作系统和开发环境，如Linux、Android和Microcontroller等。
同时，飞思卡尔芯片还提供了可靠的技术支持和培训，以帮助客户解决技术和应用问题。
总之，飞思卡尔芯片是一种用于嵌入式系统的半导体芯片，具有高性能、低能耗和丰富的外设接口。
它可以满足各种设备的需求，在多个行业具有广泛的应用前景。
随着物联网和智能制造技术的发展，飞思卡尔芯片将为各种智能设备的发展提供强大的支持。
LDMOS简介
什么是RF LDMOS晶体管DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET （lateral double-dif fused MOSFET）。
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOSLDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。
这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。
注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。
为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。
LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。
图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。
场极板的作用大小与场极板的长度密切相关[6]。
要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。
LDMOS元件具有基底，基底中形成有源极区与漏极区。
在源极与漏极区之间的一部分基底上提供了一个绝缘层，以便在绝缘层与基底表面之间提供一个平面介面。
然后在绝缘层的一部分之上形成绝缘构件，在部分绝缘构件与绝缘层之上形成栅极层。
通过使用此结构，发现存在有平直的电流通道，使之能减少接通电阻，同时维持高击穿电压。
LDMOS与普通MOS管主要有两点区别：1，采用LDD结构(或称之为漂移区)；2，沟道由两次扩散的横向结深控制。
LDMOS 的优势• 卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本• 卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低• 优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度• 卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高3G 数据率• 高功率密度，使用较少的晶体管封装• 超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让LDMOS 晶体管在双载子器件上提供7 bB 的增益改善• 直接源极接地，提升功率增益并免除BeO 或AIN 隔离物质的需求• 在GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计(采用低成本、低功率驱动晶体管)• 绝佳的稳定性，由于负漏极电流温度常数，所以不受热散失的影响• 比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象(VSWR)，提高现场实际应用的可靠度• 卓越的射频稳定度，在栅极与漏极间内置隔离层，可以降低回授电容• 在平均无故障时间(MTTF) 上有相当好的可靠度LDMOS主要的缺点1．功率密度低；2．容易受到静电的破坏。
飞思卡尔芯片简介
• RS08微控制器—S08內核的簡化版， 在某些應用領域更有效，更便宜。 例如簡單的電子機械設備遷移到固態 控制。 • S08微控制器—從通用HC08微控制器 轉化而來。總線速度更快，操作電壓 更低，S08更適用于電池供電的應用。 • ColdFire嵌入式控制器—可兼容，
微處理器
歡迎來到飛思卡爾獨家 推出的微控制器集
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飛思卡爾公司 的優勢
飛思卡爾公司是嵌入式控制領域的全球 帶頭人，是MCU技術的先驅，並是主要 技術創新者。我們開發了首個基于flash 存儲的MCU。微控制器集提供了接觸我 們市場主導產品的簡單方法。全套的工 具、培訓和支持，包括常規開發工具、 參考設計、應用筆記和網上直播。使得 你的設計更快捷。
關于微控制器集
飛思卡爾公司的微控制器集是業界首個也是唯一一個8位到32位兼容產品的路線圖。從入門 級的RS08和S08控制器到全特征的ColdFire產品，微控制器集使用相同的外圍模塊和開發工 具，簡化了設計過程並縮短推向市場的時間。逐步兼容即可將微控制器集內的設備從低端 到高端遷移到下一個兼容的設備上。例如：將MC9S08JM60 (JM60)遷移到MCF51JM128 (JM128)上，然後只要花少量時間和精力就可遷移到MCF5221x MCUs。 在優化產品性能，價格和功能時，您可能會產生從8位轉到32位的需求，反之亦然。您只要簡 單地更換板上的控制器，重新編譯代碼。微控制器集的8位和32位的連接點是我們的FlexisTM 系列微控制器。
8 KB SRAM
MCF51JM128:
• 50.33MHz V1 ColdFire 內核 • 25.17MHz總線頻率 • 2.7-5.5V的操作電壓 • 80引腳LQFP,64引腳LQFP, 64引腳QFP,44 引腳LQFP封裝
LDMOS介绍教学提纲
1992年研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压MO栅LDMOS，其沟道长度为
0.8µm，在6v工作时 1.5GHz下输出2w，增益5dB，漏极效率达65%，功率附加效率为
55%。1994年又研制出了在1.SGHz下连续波输出35W，增益13dB，漏极效率50%的微波
功率LDMOS。到1996年，Motorola的Alan Wood等人研制出了2GHz下连续波输出60w的
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。1971年Y.Tarui等人提出了横向
双扩散MOS的结构。1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer采用这种方案，做出了第一个
LDMOS。
LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在
相同的源/漏区域相继两次进行硼磷扩散，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）
高频率、更大功率方向发展。
LDMOS。80年代末，研究者们利用RESURF原理，对LDMOS进行优化设计，出现了
LDMOS的不同结构。其努力的方向是降低Ron及CGs，CGD，CDs，提高击穿电压BVDSS，
并分析研究了栅电阻对器件微波性能的影响。在LDMOS的研究过程中，研究者们发现，
限制器件增益和效率的主要因素是沟道长度、源极接地电感和栅电阻。
LDMOS介绍
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是 为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用， 也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型 晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以 上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于 相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。 LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有 破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的 瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。 LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且 随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二 倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以 防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的 情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。
英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管
华虹 Ｎ Ｏ出 席 ２ １ Ｅ ０ 中 国通 信 集 成 ０年
电路 技 术 与应 用 研 讨 会
恩智浦推 出 Ｅ ７ ３电能计量芯片 Ｍ７
为进一步推进通信专用集成电路技术的发展与
进 步 ，００（ 八届 ） 国通 信集 成 电路 技术 与 应用 ２１ 第 中 研 讨会 于 近 日在 武 汉 隆重 召 开 ， 上海 华 虹 Ｎ Ｃ电子 Ｅ 有 限公 司 （“ 虹 Ｎ Ｃ 应邀 出席 了此次 活动 。 华 Ｅ ”） 恩 智 浦 半 导 体 近 日宣 布 正 式 推 出 Ｅ ７ Ｍ７３电 能 计量 芯 片 ， 是全 球 首款 非计 费 式 电能计 量用 ３ 这 ２位 Ａ Ｍ解 决方 案 。近年 来 ， Ｒ 电力企 业 和管 理部 门纷纷
求 ；Ｖ Ｐ Ｒ功能及丰富的接 口扩展能力 ，为下一代广
播 电视 网络 （ Ｇ 预 留 了足够 的开 发 空 间。 Ｎ Ｂ）
在 １ — ． Ｈ 频带 中。 ．２ Ｇ ｚ ４ ６ 如此将可使用体积减少 ３ ％ ０
的器件 ， 设计 更 小 型且成 本 更低 的功 率 放大器 。 高峰 值 功 率非 常有 助 于设 计 Ｄ ｈｒ 放 大 器 ，以及 减 少 ｏｅｔ ｙ 其 它架 构 中 的零 件 数量 。
行 了优化 。
后将继续开发性价 比更 高的射频 工艺技术平台 ， 以 期实现高端无线通信芯片的国产化 。
此 次会 议促 进 了集 成 电路 上下 游企 业在 通信 领 域 的沟通合 作 ， 虹 Ｎ Ｃ将 持 续 加强 技 术升 级创 新 华 Ｅ 和 业务 开 拓 ， 先进 的技 术 和 更优 质 的服 务 ， 客 以更 与
作为世界领先的晶圆代工企业 ， 华虹 Ｎ Ｃ专注 Ｅ
采用先进计量基 础设施 （ Ｍ ） Ａ Ｉ 和智 能仪表来 推行
射频功放的设计
基于ADS的射频功率放大器仿真设计1.引言各种无线通信系统的发展，如GSM、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX和Wi-Fi，大大加速了半导体器件和射频功放的研究过程。
射频功放在无线通信系统中起着至关重要的作用，它的设计好坏影响着整个系统的性能。
因此，无线通信系统需要设计性能优良的放大器。
而且，为了适应无线系统的快速发展，产品开发的周期也是一个重要因素。
另外，在各种无线系统中由于采用了不同调制类型和多载波信号，射频工程师为减小功放的非线性失真，尤其是设计无线基站应用的高功率放大器时面临着巨大的挑战。
采用Agilent ADS 软件进行电路设计可以掌握设计电路的性能，进一步优化设计参数，同时达到加速产品开发进程的目的。
功放（PA）在整个无线通信系统中是非常重要的一环，因为它的输出功率决定了通信距离的长短，其效率决定了电池的消耗程度及使用时间。
2.功率放大器基础2.1功率放大器的种类根据输入与输出信号间的大小比例关系，功放可以分为线性放大器与非线性放大器两种。
输入线性放大器的有A、B、AB类；属于非线性放大器的则有C、E 等类型的放大器。
（1）A类：其功率器件再输入信号的全部周期类均导通，但效率非常低，理想状态下效率仅为50%。
（2）B类：导通角仅为180°，效率在理想状态下可达到78%。
（3）AB类：导通角大于180°但远小于360°。
效率介于30%~60%之间。
（4）C类：导通角小于180°，其输出波形为周期性脉冲。
理论上，效率可达100%。
（5）D、E类：其原理是将功率器件当作开关使用。
设计功放电路前必须先考虑系统规格要求的重点，再来选择电路构架。
对于射频功放，有的系统需要高效率的功放，有些需要高功率且线性度佳的功放，有些需要较宽的操作频带等，然而这些系统需求往往是相互抵触的。
例如，B、C、E类构架的功率放大器皆可达到比较高的效率，但信号的失真却较为严重；而A类放大器是所有放大器中线性度最高的，但它的最大缺点是效率低，这些缺点虽然可以用各种Harmonic Termination 电路的设计技巧予以改进，但仍无法提高到与高效率的功放相当的水平。
飞思卡尔用新型解决方案重新定义晶体管性能
飞思卡尔用新型解决方案重新定义晶体管性能硅片RF LDMOS 功率晶体管的全球领先厂商飞思卡尔半导体(NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF 功率解决方案，旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF 功率产品，将性能和能效提升至新的高度。
Airfast 系列是飞思卡尔推出的下一代RF LDMOS 产品，目的是通过实施全面的技术实现显著的性能提升，这些技术可以提供功率密度、信号带宽、成本效益和线性效率/增益。
Airfast RF 功率解决方案预计将带来具有业界最宽带宽的产品，支持超过150 MHz 的瞬时带宽的信号，并在多个通信频段上实现并发操作。
飞思卡尔射频功率器件的设计能够提供更高的器件效率，比业界最新一代的LDMOS 产品显著提高5%，线性效率也得到显著提高，预计可将功率密度提高25%。
飞思卡尔高级副总裁兼RF、模拟与传感器事业部总经理Tom Deitrich 表示，过去，RF 功率的性能完全取决于线性效率。
如今，我们的客户遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。
飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题，该产品系列基于一种更加全面的、完整的系统级RF 功率技术方法。
通过把创新技术与系统级平台相结合，Airfast RF 功率解决方案显著提高了线性效率和性能，可满足多种客户需求，例如易用性和灵活性。
根据ABI Research 的报告，飞思卡尔是领先的RF 功率解决方案供应商，拥有57%的市场份额，远远领先于市场份额排名第二的竞争厂商。
飞思卡尔的Airfast RF 功率解决方案的设计目的是通过广泛的投资和创新巩固并扩展其领先的市场份额，为全球顶级无线基础设施设备OEM 提供优势。
飞思卡尔在交付经济高效的LDMOS 塑料封装和多级集成方面居于业界领先地位，并通过提。
飞思卡尔面向中国TD—SCDMA无线网络推出RF功率系列产品
网络 接 受 服 务 。
为 一 ０ ６ｄ ± ｚ偏 移 下 的 通 道 带 宽 为 ３ ８ ３ ． Ｂ（ ５ＭＨ ．４ＭＨｚ 。 ）
ＭＲ ８ ２ １ ０ Ｒ Ｆ Ｐ ０ ０ ＨＳ ３产 品 特 性
在业 界被广 泛部署 。
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在Ｐ ＡＣ Ｒ
Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ是 在 中 国 开发 的第 三 代 无 线 标 准 ， 中 国 由 最 大 的 无 线 通 信 运 营 商 使 用 。根 据 Ｔ Ｓ Ｄ Ｄ— Ｃ ＭＡ 论 坛 ， 将
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在 输 入 信 号 峰 均 比为 ９ ９ｄ 的 状 态 下 测 量 ， 邻 ． Ｂ 相
信 道 功 率 比（ Ｃ Ｒ） 一 ３ ５ｄ ± ｚ偏 移 下 的 通 道 带 Ａ Ｐ 为 ３ ． Ｂ（ ５ＭＨ
宽 ３８ ．４ＭＨｚ 。 ）
两 款 器 件 的 工 作 电 压 均 为 ２ ３ 能 在 ３ 直 ６ Ｖ～ ２Ｖ， ２Ｖ
在 中 国 ， 分 同 步 码 分 多 址 存 取 （ Ｄ— Ｃ 时 Ｔ Ｓ ＤＭＡ） 线 无
网络 被 广 泛 应 用 ， 这 些 射 频 功 率 晶体 管 已 经 专 为 服 务 而 于 上 述 网络 的 基 站 中所 使 用 的 功 率 放 大 器 进 行 了优 化 。 这 些 先 进 的 器 件 是 专 为 Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ 设 计 的 飞 思 卡 尔
放 大 器 的 生 产 成 本 、 少 所 需 的 组 件 并 降 低 放 大 器 的 复 减
杂度 。
频 功 率 放 大 器 阵 营 中 的成 员 ，用 于 支 持 Ｔ Ｓ ＤＭＡ 的 运 Ｄ— Ｃ 行 ， 中包 括 ＭＲ ７ ２ ０ ０ ＤＭＯ Ｅ 其 Ｆ Ｐ ０ ４Ｈ Ｌ Ｓ Ｆ Ｔ和 ＭＤ Ｉ ２ ５ Ｎ ７Ｃ ０ ０ 多 级 集 成 功 率 放 大 器 集 成 电 路 ， 每 个 器 件 均 可 在 两 个 Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ频 带 上 交 付 １ 的 平 均 功 率 。 ０ｗ
LDMOS
横向扩散金属氧化物半导体
杨务诚
简介
80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了 新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是 VDMOS声效应功率晶体管。这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型 器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极 和源极之间流过适量的电流VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与 双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率 特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极 功率的二次穿问题，安全工作区大。因此，不论是开关应用还是线性应用， VDMOS都是理想的功率器件。 九十年代中后期开始大批量生产LDMOS,作为微波低端大功率(20W以上)器 件的主流技术, 2. 4GHz以下输出峰值可达到200W以上,年产量超过4亿美元。与 传统的双极型晶体管相比, LDMOS器件在2. 4GHz以下频段时,增益、线性度、开 关性能、散热性能、价格等方面都有着明显的优势。今后LDMOS将向更高频率、 更低成本方向发展,见表1。 现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间 熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于 VDMOS的性能价格比已优于比极功率器件，它在功率器件市声中的份额已达 42%。并将继续上升。世界各大半导体厂商如Freescale公司(占全球市场60% )、 Philips公司(占全球市场25% )、Infineon公司以及STM公司等竞相研究与开发。
阈值电压
阈值电压Vgs(th)定义为使半导体表面为反型层 时栅上所需加的电压。它由三部份组成：（1）栅 上首先需加电压VFB（平带电压）使半导体表面能 带是平的；（2）若要表面反型则半导体能带应有 2qφFB的弯曲，其中qφFB是体内费米能级到禁带中央 的距离，故栅上还应再加qφFB的电压；（3）能带弯 曲qφFB对应着表面反型层到体内有一过渡的耗尽层， 此耗尽层有一负的电荷面密度，这个负电荷需由栅 上相应的正电荷来屏蔽，因此氧化层上又需再加一 个电压Q/Cox，综上所述，得到阈值电压：
LDMOS介绍
现状
目前，LDMOS已经发展到比较成熟的阶段，国外各大公司都有多种LDMOS产品面世，满足从 300MHz~3GHz各个频段，各种功率的需求。 Motorola公司生产多种LDMOS产品。MRF282、284、286系列产品，在2GHz下对三个器件分别输 入0.5、2.4、4.75W的功率，各器件相应的峰值包络功率为10、30、60W。MRF1507是GSM基站用的 900MHz的LDMOS晶体管，是宽带通信和工业应用的一种低成本产品。MRF1507在520MHz下输出功 率为5W，增益为10dB，效率为63%，在7.5v直流供电便携式FM(频率调制)装置中用作UHF、VHF功率 放大器特别适合。目前，Motorola公司已经推出了针对GSM、EDGE、CDMA和W-CDMA基站放大器 应用的第六代LDMOS产品。第六代射频LDMOS技术的热性能也达到了业界领先。例如，125W(P1dB) 器件的热阻达到了0.4℃/w。正在开发的第七代LDMOS产品使用经济高效的超模压塑料封装和金属陶瓷 封装(采用飞思卡尔低热阻(Low Rth技术)来提高功率，降低成本。 Ericsson公司是生产LDMOS产品的主要厂商之一。相继研制出了工作于1.8-2.0GHz的增强型 LDMOS器件PTF10120和工作在2.1-2.17GHz的LDMOS器件PTF10134。PTFIO120型产品包含四个芯 片并安装推挽结构，输入输出端口设有内匹配电路。在1.8-2.0GHz的频率范围内，具有120W的峰值包 络功率，功率增益10.5dB。PTF10134是适用于PCS基站的金一金属化LDMOS晶体管。在2.110.5dB PTF10134 PCS LDMOS 2.12.17GHz的WCDMA中可提供100W的峰值包络功率，1dB压缩点的输出功率是110W。此外，Ericsson 公司推出了系列可以满足CDMA和WCDMA的线性和峰值功率需求的大功率LDMOS器件。它采用全金 金属化和氮化硅钝化层，使用周期长，可靠性高。 Philips公司推出了1030-l090MHz频率范围内输出功率200W，增益14dB，效率大于40%的LDMOS 产品。Philips公司生产的BLF0810一180LDMos晶体管用于CDMA蜂窝电话基站。与其他同类产品相比， 该技术使用更少数量的元件设计出封装尺寸更小、性能更高的晶体管。此外，这些晶体管采用双层金属 化和金线间连接技术，使得其平均无故障时间(MTBF)提高8一10倍。飞利浦已发展到第五代LDMOS， 生产的盯功率晶体管栅长只有0.4µm，四层金属镀膜，其推出的BLFSG22-100，增益达到17dB。 与国外大的半导体厂商相比，国内LDMOS研究起步较晚，加上现有工艺条件不是很成熟，与国外 差距较大，目前还处于探索研制阶段。仅有个别高校或研究机构针对LDMOS进行理论的研究和器件结 构上的调整，很少有真正立足于实现产品化而进行研究的。对于微波功率应用的LDMOS，中国电子科 技集团公司第十三研究所针对未来军事装备的需求进行了初步设计和研制，于2003年3月报道了采用 Mo栅工艺研制出的1GHz连续输出30W、增益11dB、漏极效率60%、IMD3为-30dB的LDMOS器件。 2005年5月报道了10Hz连续波输出60w、1oow的LDMOS器件,100W的LDMOS器件增益10.5dB，漏极 效率57.6%。国内其他研究机构鲜有器件性能报道。
射频功放的设计
射频功放的设计基于ADS的射频功率放⼤器仿真设计1.引⾔各种⽆线通信系统的发展，如GSM、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX和Wi-Fi，⼤⼤加速了半导体器件和射频功放的研究过程。
射频功放在⽆线通信系统中起着⾄关重要的作⽤，它的设计好坏影响着整个系统的性能。
因此，⽆线通信系统需要设计性能优良的放⼤器。
⽽且，为了适应⽆线系统的快速发展，产品开发的周期也是⼀个重要因素。
另外，在各种⽆线系统中由于采⽤了不同调制类型和多载波信号，射频⼯程师为减⼩功放的⾮线性失真，尤其是设计⽆线基站应⽤的⾼功率放⼤器时⾯临着巨⼤的挑战。
采⽤Agilent ADS 软件进⾏电路设计可以掌握设计电路的性能，进⼀步优化设计参数，同时达到加速产品开发进程的⽬的。
功放（PA）在整个⽆线通信系统中是⾮常重要的⼀环，因为它的输出功率决定了通信距离的长短，其效率决定了电池的消耗程度及使⽤时间。
2.功率放⼤器基础2.1功率放⼤器的种类根据输⼊与输出信号间的⼤⼩⽐例关系，功放可以分为线性放⼤器与⾮线性放⼤器两种。
输⼊线性放⼤器的有A、B、AB类；属于⾮线性放⼤器的则有C、E 等类型的放⼤器。
（1）A类：其功率器件再输⼊信号的全部周期类均导通，但效率⾮常低，理想状态下效率仅为50%。
（2）B类：导通⾓仅为180°，效率在理想状态下可达到78%。
（3）AB类：导通⾓⼤于180°但远⼩于360°。
效率介于30%~60%之间。
（4）C类：导通⾓⼩于180°，其输出波形为周期性脉冲。
理论上，效率可达100%。
（5）D、E类：其原理是将功率器件当作开关使⽤。
设计功放电路前必须先考虑系统规格要求的重点，再来选择电路构架。
对于射频功放，有的系统需要⾼效率的功放，有些需要⾼功率且线性度佳的功放，有些需要较宽的操作频带等，然⽽这些系统需求往往是相互抵触的。
例如，B、C、E类构架的功率放⼤器皆可达到⽐较⾼的效率，但信号的失真却较为严重；⽽A类放⼤器是所有放⼤器中线性度最⾼的，但它的最⼤缺点是效率低，这些缺点虽然可以⽤各种Harmonic Termination 电路的设计技巧予以改进，但仍⽆法提⾼到与⾼效率的功放相当的⽔平。
飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗
飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的迫切需求。
飞思卡尔的第八代高压（HV8）射频功率LDMOS 技术沿袭了公司一贯领先的射频功率晶体管技术，专门用来满足W-CDMA 和WiMAX 等高数据速率应用以及LTE 和多载波GSM 等新兴标准的严苛要求。
基于HV8 技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化，包括与数字预失真（DPD）结合使用的Doherty。
飞思卡尔HV8 技术的首要优势是提高了运行效率，这样就帮助降低了基站系统的总功耗，进而降低了运营成本。
此外，HV8 还能够适应先进系统架构的更严苛的操作环境要求。
“飞思卡尔实现了大幅的性能提高，使LDMOS 继续作为功率放大器的主导技术，”飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理Gavin P. Woods 表示，“当与先进架构结合使用或者在传统系统中使用时，我们的HV8 系列都有望在下一代发射器设计中实现相当高的系统效率水平。
”最初几款产品的功率水平将在100W 至300W 之间。
此外，HV8 产品还能够利用并扩大飞思卡尔的低成本模压封装系列，具有极高的价值，覆盖了700 MHz 至2.7 GHz 范围的主要频带。
针对900 MHz 频带内的运行做了优化的晶体管有望率先从HV8 射频功率LDMOS 技术中受益，以有效满足多载波GSM 系统的严苛要求。
Doherty 参考设计专门针对MC-GSM 市场做了优化，显示出出色的效率和DPD 校正性能，即使是在一些最严格的信号配置条件下。
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飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管
射频（RF）功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS 功率晶体管和一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
全新Airfast LDMOS功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。
新型Airfast GaN器件主要面向多频带应用，减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求。
综上所述，这些解决方案为地面移动应用提供了高级设计选择组合。
飞思卡尔新型AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N LDMOS功率放大器的设计意图是在极端恶劣的运行条件下完美运行，为地面移动无线射频应用提供卓越的性能、稳定性和增益。
这些器件是公共安全、专业移动无线基站和其他恶劣的M2M通信环境使用的移动VHF、UHF 和700-900 MHz收发器的理想选择。
即使同时让电压及驱动都超载来压迫放大器及RF功率晶体管，这三款新型Airfast RF LDMOS功率产品仍能够承受》65:1的VSWR。
他们整合。