实验二——反相器版图绘制
版图反相器实验报告
画反相器原理图
一、实验目的:学会设计反相器,并会进行瞬时仿真和直流仿真
二、实验步骤:
1、打开S-edit程序
2、另存文件File----Save As
3、Setup----grid
4、添加VDD、GND、PMOS、NMOS和输入/输出端
5、连线和添加电源
6、保存、仿真
7、添加器件模型
8、添加直流分析表
9、添加输出对象
10、直流仿真结果
10、瞬时仿真结果
画反相器版图
一、实验目的:学会设计PMOS、NMOS版图
二、实验步骤:
1、打开程序L-Edit
2、另存新文件File—Save As
3、取代设定
4、规则查看
5、设计环境查看
11、生成仿真文件
12、添加器件模型、电源和输出对象
13、输出瞬时仿真结果
14、输出直流仿真结果
版图和原理图的一致性对比1、打开LVS
2、建立对比表单
3、输出比较结果
说明仅仅是工艺相同。
CMOS反向器版图设计实验报告
上海电力学院VLSI原理和设计报告题目:CMOS反向器的版图设计院系:电子与信息工程学院专业:电子科学与技术年级:姓名:学号:指导老师:刘伟景一、实验目的1、熟悉virtuoso editing、LSW设计窗口及操作2、熟练掌握设计快捷键的操作3、培养CMOS数字集成电路设计中减小芯片面积的设计技巧和方法的能力4、认识版图数据文件二、实验设备硬件环境:英特尔I5 PC机、SUN BLADE工作站软件环境:solaris操作系统、Cadence集成电路设计软件三、实验内容实验一UNIX上机实验(1)实验内容及步骤:1.在主目录/home/student/stu231 或/home/student/stu231创建自己的子目录(姓名全拼)。
注意:以后的新建文件和目录全部都在子目录中进行。
2.对根目录进行详细列表并将结果存入自己的子目录下新文件lsl.log中,并用cat命令显示该文件内容,再用file命令查看该文件类型。
3.用cat命令将自己建立的lsl.log文件扩展3次形成一个新文件ls2.log,并用more命令显示该文件内容,统计该文件的行数,并将此信息追加到文件末尾。
4.对自己的子目录打包后压缩,查看形成的新文件信息后,在进行解压和解包。
5.为自己创建一个新的目录new,将自己原目录下的文件拷贝到新目录new中。
6.删除新目录及其下的所有文件。
7.用定向的方法把who命令形成的结果保存到文件who.log中,并查看该文件内容。
8.用chmod命令修改文件who.log的可执行权限使其成为可执行文件,并运行该文件查看结果。
9.进入VI编辑器再次修改文件who.log的内容,其内容为对目录的详细列表,并使改变who.log的可执行权限,使得其权限形式为“r w x r- x r - -”。
并执行之。
实验二:UNIX上机实习(续)10.进入VI编辑器修改lsl.log文件内容,利用全局替换命令将“root”修改为“stu”。
集成电路课程设计--cmos反相器的电路设计及版图设计
目录摘要 (3)绪论 (5)1软件介绍及电路原理 (6)1.1软件介绍 (6)1.2电路原理 (6)2原理图绘制 (8)3电路仿真 (10)3.1瞬态仿真 (10)3.2直流仿真 (11)4版图设计及验证 (12)4.1绘制反相器版图的前期设置 (12)4.2绘制反相器版图 (13)4.3 DRC验证 (15)结束语 (17)参考文献 (18)摘要CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。
集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段,CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。
本文将简单的介绍基于ORCAD和L-EDIT的CMOS反相器的电路仿真和版图设计,通过CMOS反相器的电路设计及版图设计过程,我们将了解并熟悉集成电路CAD的一种基本方法和操作过程。
关键词:CMOS反相器ORCAD L-EDIT版图设计AbstractThe huge development potential of CMOS technology itself is the foundation of sustainable development of IC high speed. The manufacturing level of development of the integrated circuit to the deep sub micron technology, CMOS low power consumption, high speed and high integration have been fully reflected. In this paper, the circuit simulation and layout design of ORCAD and L-EDIT CMOS inverter based on simple introduction, through the circuit design and layout design process of CMOS inverter, we will understand and a basic method and operation process, familiar with IC CAD.Keywords: CMOS inverter layout ORCAD L-EDIT绪论20世纪是IC迅速发展的时代。
IC版图实验二
专业:_ __ 姓名:___ ____ 学号:__ ____ 地点:__ ____ 日期:___ 课程名称:__IC 版图设计 指导教师:__ _ 实验名称:_ Virtuoso 原理图设计 实验成绩:__ ____ 一、 实验目的和要求 1、熟练掌握Virtuoso 平台绘制原理图的方法。
2、理解网表文件与原理图的对应关系。
3、掌握CMOS 电路的结构特点。
4、掌握Virtuoso 绘制原理图时的相关快捷键的使用方法。
二、 实验原理 1、原理图是根据电路需要完成的功能,通过仿真得到的电路器件的拓扑结构并给出器件相关参数的电路图。
原理图的主要目的是为给版图的绘制提供相关的依据,同时原理图添加了后仿的寄生参数后可以进行更精确的仿真。
2、网表文件是基于SPICE 文件格式来表示电路器件连接关系的代码文件,网表文件与原理图存在一一对应的关系,在进行LVS 比对时,原理图和版图都会转换成网表文件的形式后才能比对,因此给出网表文件就相当于给出对应的原理图。
三、 实验设备 序号 名称 数量 备注 1 电脑 1 2 服务器(含Linux 系统) 1 3 Virtuoso 软件平台 1 4 Xmanager 远程登录软件 1 四、 实验内容 1、根据网表文件绘制反相器的原理图。
2、根据网表文件绘制半加器的原理图。
五、 实验操作步骤及运行结果(使用截图和文字说明)启动Virtuoso ,并打开Library Manager 即库管理器窗口,在库管理器library 栏中选择自己要创建的版图所属的库(左上图),选择自己上次新建的库。
点击file-new-cellview ,弹出的菜单中将Type 改为layout ,单击ok 或按回车键即可启动版图编辑器窗口编辑新版图。
在版图编辑器窗口中按字母E 键,可以弹出一个名为Display Options 的窗口。
在弹出的窗口中,将Grid Controls 中的type 改为none ,Snap Spacing 都改为0.005,接着选择Save To Library ,单击OK 。
反相器版图
目录一、课程设计的目的 (2)二、用Cadence软件画CMOS反相器的版图 (2)三、心得体会 (4)一、课程设计的目的1、学习对LINUX Cadence软件的使用。
2、了解反相器版图的结构及工作原理。
3、了解版图设计规则。
二、用Cadence软件画CMOS反相器的版图1、CMOS反相器的原理图CMOS反相器的原理CMOS反相器由PMOS和NMOS构成,当输入高电平时,NMOS导通,输出低电平,当输入低电平时,PMOS导通,输出高电平。
IN OUT0 11 02、画版图首先建立自己的文件夹并导入库文件,运行Cadence,如图在其中建立自己的工艺库、设计库和版图库,再用自己的库打开画版图的界面,如图绘制版图如图步骤:PSUB→NWELL→ACTIVE→POLY1→NIMP→PIMP→CONTACT→METAL1PSUB —NWELL —ACTIVE —POLY —NIMP—PIMP—CONTACT—METAL1 —3、改进意见及建议(1)画成插齿形状,增大了宽长比,可以提高电路速度(2)尽可能使版图面积最小。
面积越小,速度越高,功耗越小。
(3)尽可能减少寄生电容和寄生电阻。
尽可能增加接触孔的数目可以减小接触电阻。
(4)尽可能减少串扰,电荷分享。
做好信号隔离,添加隔离环。
三、心得体会通过这次课程设计,我学会了怎么运用LINUX和Cadence的一些基本操作做一个反相器的IC版图,也学会了实际画版图时应注意哪些细节,增强了我的实际操作能力,希望以后多多设置这样的课设。
CMOS反相器版图设计
XXXXXXX实验报告课程名称:集成电路设计实验名称:CMOS反相器版图设计学号姓名:指导教师评定:____________________________ 签名:_____________________________一、实验目的1、了解集成电路版图设计流程。
2、利用L-Edit 进行NMOSFET 版图设计。
3、利用L-Edit 进行CMOS反相器设计。
二、实验器材计算机一台,Tanner L-Edit软件三、实验原理CMOS 反相器由PMOS 和NMOS 晶体管组成,利用PMOS晶体管版图和NMOS 晶体管版图可以完成COMS反相器版图的设计。
四、实验步骤1、设计PMOS晶体管版图。
2、设计N MOS晶体管版图。
3、设计CMOS反相器版图:(1)启动版图编辑器L-Edit。
(2)新建文件。
新建一个Layout 文件,文件的设置信息可以从前面创建的文件中复制。
(3) 对文件进行重命名。
将L-Edit 编辑器默认的文件名Layout 改为Inverter。
(4) 设置格点与坐标。
格点与坐标的设定方式与创建PMOS 晶体管时设定的方法一致。
(5) 调用PMOS 和NMOS 晶体管作为例化单元。
使用Cell---Instance 命令来调用PMOS 单元。
在出现的Select Cell to Instance 对话框中,通过点击Browse按钮浏览到“MOS”文件,可以看到该文件下面有PMOS 和NMOS 两个单元,点击PMOS,然后点击“OK”,可以看到Inverter 文件cell0 单元的版图已经添加了PMOS 单元。
利用同样的方法,可以将NMOS 单元也添加进来。
(6) 连接PMOS 和NMOS 晶体管的栅极。
从CMOS 反相器电路可知,PMOS晶体管和NMOS 晶体管的栅极要连在一起作为反相器的输入端,所以在放置这两个晶体管的时候可以将两者的栅极对准,以便连接。
具体操作是,选择Layer的多晶硅(Poly)层和方框绘图工具后,在版图区域中画一个宽度与晶体管栅极相等的多晶硅矩形,如图1 所示。
CMOS反相器版图设计与仿真报告
CMOS反相器版图设计与仿真报告在此次实例设计中采用Tanner Pro 软件中的L-Edit组件设计CMOS反相器的版图,进而掌握L-Edit的基本功能和使用方法。
ﻩ操作流程如下:进入L-Edit—>建立新文件—>环境设定—>编辑组件—>绘制多种图层形状—>设计规则检查—>修改对象—>设计规则检查—>电路转化—>电路仿真。
一、绘制反相器版图1)打开L-Edit程序,并将新文件另存以合适的文件名存储在一定的文件夹下:在自己的计算机上一定的位置处打开L-Edit程序,此时L-Edit自动将工作文件命名为Layout1.sdb并显示在窗口的标题栏上。
而在本例中则在L-Edit文件夹中新建立“反相器版图”文件夹,并将新文件以文件名“Ex11”存与此文件夹中。
如图一所示。
图错误!未定义书签。
打开L-Edit,并另存文件为Ex112)取代设定:选择File->Replace Setup命令,在弹出的对话框中单击浏览按钮,按照路径..\Samples\SPR\example1\lights.tdb找到“lights.tdb”文件,单击OK即可。
此时可将lights.tdb文件的设定选择性的应用到目前编辑的文件中。
如图二所示。
图错误!不能识别的开关参数。
取代设定3)编辑组件:L-Edit编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件为单位,一个文件中可以包含多个组件,而每一个组件则表示一种说明或者一种电路版图。
每次打开一个新文件时便自动打开一个组件并命名为“Cell0”;也可以重命名组件名。
方法是选择Cell->Rename 命令,在弹出的对话框中的Rename cell as文本框中输入符合实际电路的名称,如本设计中采用组件名“inv”即可,之后单击OK按钮。
如图三所示。
图错误!未定义书签。
重命名组件为inv4)设计环境设定:绘制布局图必须要有确实的大小,因此要绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。
数字集成电路设计实验报告
数字集成电路设计实验报告Prepared on 24 November 2020哈尔滨理工大学数字集成电路设计实验报告学院:应用科学学院专业班级:电科12 - 1班学号: 32姓名:周龙指导教师:刘倩2015年5月20日实验一、反相器版图设计1.实验目的1)、熟悉mos晶体管版图结构及绘制步骤;2)、熟悉反相器版图结构及版图仿真;2. 实验内容1)绘制PMOS布局图;2)绘制NMOS布局图;3)绘制反相器布局图并仿真;3. 实验步骤1、绘制PMOS布局图:(1) 绘制N Well图层;(2) 绘制Active图层; (3) 绘制P Select图层; (4) 绘制Poly图层; (5) 绘制Active Contact图层;(6) 绘制Metal1图层; (7) 设计规则检查;(8) 检查错误; (9) 修改错误; (10)截面观察;2、绘制NMOS布局图:(1) 新增NMOS组件;(2) 编辑NMOS组件;(3) 设计导览;3、绘制反相器布局图:(1) 取代设定;(2) 编辑组件;(3) 坐标设定;(4) 复制组件;(5) 引用nmos组件;(6) 引用pmos组件;(7) 设计规则检查;(8) 新增PMOS基板节点组件;(9) 编辑PMOS基板节点组件;(10) 新增NMOS基板接触点; (11) 编辑NMOS基板节点组件;(12) 引用Basecontactp组件;(13) 引用Basecontactn 组件;(14) 连接闸极Poly;(15) 连接汲极;(16) 绘制电源线;(17) 标出Vdd与GND节点;(18) 连接电源与接触点;(19) 加入输入端口;(20) 加入输出端口;(21) 更改组件名称;(22) 将布局图转化成T-Spice文件;(23) T-Spice模拟;4. 实验结果nmos版图pmos版图反相器的版图反相器的spice文件反相器的仿真曲线5.实验结论通过对仿真曲线的分析,当输入为高电平时,输出为低电平;当输入为低电平时,输出为高电平。
实验二 CMOS反相器版图设计
实验二CMOS反相器的版图设计主要内容:1.pmos1)N Well (横24纵15)2)Active(横14纵5)3) P Select(横18纵9)4)Poly(横2纵9)5) Active Contact(横2纵2)6) Metal1(横4纵4)2.Nmos1)Active(横14纵5)2) N Select(横18纵9)3)Poly(横2纵9)4) Active Contact(横2纵2)5) Metal1(横4纵4)3. 引用pmos、nmos4. 新增PMOS基板节点元件Basecontactp1)N Well (横15纵15)2)Active(横5纵5)3) N Select(横9纵9)4) Active Contact(横2纵2)5) Metal1(横4纵4)5. 新增NMOS基板节点元件Basecontactn1)Active(横5纵5)2) N Select(横9纵9)3) Active Contact(横2纵2)4) Metal1(横4纵4)6. 引用Basecontactp、Basecontactn7. 连接栅极Poly8. 连接漏极9.绘制电源线(横39纵5)10. 绘制地线(横39纵5)11.标出Vdd与GND节点12.连接电源与接触点(PMOS左边接触点与Basecontactp;连接地与接触点(NMOS左边接触点与Basecontactn。
13.加入输入端口PortA1)Poly Contact(横2纵2)2) Poly (横5纵5)3) Metal1(横10纵4)4) Via (横2纵2)----- Via在Metal1中5)Metal2(横4纵4)------ Metal2与Via、Metal1重叠14. 加入输出端口OUT1) Via (横2纵2)----- Via在Metal1中5)Metal2(横4纵4)------ Metal2与Via、Metal1重叠。
MEMS实验使用L-Edit画反相器布局图[指南]
MEMS 实验使用L-Edit画反相器布局图[指南] XXXXXXXX大学(MEMS)实验报告实验名称使用L-Edit 画反相器布局图实验时间年月日专业姓名学号预习操作座位号教师签名总评一、实验目的:1、进一步熟悉L-Edit的使用,并且能正确、快速的使用这些工具;2、进一步掌握版图设计的设计规则;3、能运用L-Edit 实现器件的布局图,掌握软件的基本设定、理解版图图层间的关系;4、绘制反相器布局图;二、基本原理:运用实验三中的nmos组件与pmos组件完成反相器布局图的设计。
版图设计操作的基本流程为:进入L-Edit---建立新文件---环境设定---编辑组件---绘制多种图层形状--设计规则检查---修改对象---设计规则检查---电路转化。
三、实验内容及步骤(1)打开L-Edit程序——另存新文件——取代设定——编辑组件——坐标设定。
(2)复制组件:选择Cell—Copy命令,或单击按钮,打开Select Cell to Copy对话框,单击其中的Browser按钮,在出现的对话框中选择实验三所编辑的文件exp3.tdb,再在Select Cell to Copy对话框中选择 nmos 组件,单击OK按钮,则可将nmos组件复制至Ex11.tdb文件中。
之后再以同样的方式将pmos组件复制到exp4.tdb文件中。
实验截图:(3)引用 nmos 组件:选择Cell—Instance命令,打开Select Cell to Instance对话框,可以看到,在组件列表中有Cell0,nmos与 pmos这3个组件,选择nmos 组件再单击OK按钮,可以看到编辑画面出现一个nmos组件。
实验截图:(4)引用pmos组件:选择Cell—Instance命令,打开Select Cell to Instance对话框,可以看到,在组件列表中有Cell0,nmos与pmos这3组件,选择pmos 组件再单击OK按钮,在编辑画面多出一个与nmos重叠的pmos组件,可利用Alt 键加鼠标拖曳的方式分开pmos与nmos。
集成电路版图设计-反相器-传输门
集成电路版图设计实验报告学院:电气与控制工程学院班级:XXXXXXXXXX 学号:XXXXXXXX 姓名:XXXX完成日期:2015年1月22日一、实验要求1、掌握Linux常用命令(cd、ls、pwd等)。
(1)cd命令。
用于切换子目录。
输入cd并在后面跟一个路径名,就可以直接进入到另一个子目录中;cd..返回根目录;cd返回主目录。
(2)ls命令。
用于列出当前子目录下所有内容清单。
(3)pwd命令。
用于显示当前所在位置。
2、掌握集成电路设计流程。
模拟集成电路设计的一般过程:(1)电路设计。
依据电路功能完成电路的设计。
(2)前仿真。
电路功能的仿真,包括功耗,电流,电压,温度,压摆幅,输入输出特性等参数的仿真。
(3)版图设计(Layout)。
依据所设计的电路画版图。
一般使用Cadence 软件。
(4)后仿真。
对所画的版图进行仿真,并与前仿真比较,若达不到要求需修改或重新设计版图。
(5)后续处理。
将版图文件生成GDSII文件交予Foundry流片。
3、掌握Cadence软件的使用(1)使用Cadence Schematic Editor绘制原理图。
(2)由Schematic产生symbol。
(3)在测试电路中使用Analog Environment工具进行功能测试。
(4)使用Cadence Layout Editor根据原理图绘制相应版图,以0.6umCMOS设计规则为准。
(5)对所设计的版图进行DRC验证,查错并修改。
以PMOS为例,部分设计规则如下:(um)N-Well包含P+Active的宽度:1.8MOS管沟道最小宽度:0.75 最小长度:0.6Active区伸出栅极Ploy的最小延伸长度:0.5Contact最小尺寸:0.6*0.6Contact与Contact之间的最小间距:0.7Active包最小尺寸Contact的最小宽度:0.4 非最小尺寸Contact的最小宽度:0.6Active上的Contact距栅极Poly1的最小距离:0.6Metal1包最小尺寸的Contact:0.3Metal1与Metal1之间的最小间距:0.8二、实验内容1、CMOS反相器设计(电路设计、仿真、版图设计、验证)2、CMOS传输门设计(电路设计、仿真、版图设计、验证)三、实验结果1、CMOS反相器(1)Schematic当输入端in输入高电平时,MOS管M1截止,M2导通,输出端out 输出低电平。
反相器的版图绘制
反相器的版图绘制一、前言反相器是数字电路中实现逻辑非的逻辑门,其输出电压的逻辑电平与输入电压相反。
反相器在电路中很多应用,比如音频放大、时钟振荡器等。
反相器既可用晶体管来构成,也可由CMOS来充当,这里我们研究的是由一个NMOS器件与一个PMOS器件组成的最简单的CMOS反相器。
CMOS反相器由一个NMOS 器件与一个PMOS器件构成,NMOS与PMOS的栅极连接在一起作为CMOS反相器的输入端,NMOS与PMOS的漏极相连接作为CMOS反相器的输出端,NMOS与PMOS的源极分别接地与接高电平。
二、反相器的版图绘制过程1、前期准备在绘制版图之前,必须要做一些前期准备工作。
首先就是在candence软件中为我们接下来要进行的设计建一个library与一个cell。
然后我们要根据设计好的版图来计算版图中各部分的尺寸大小。
对于反相器的版图绘制过程来说,就是确定NMOS与PMOS的器件长度与宽度,器件中接触孔、金属、多晶硅的尺寸以及其与有源区的相对位置。
2、版图绘制对于CMOS反相器的版图,可以将其两个主要部分——NMOS与PMOS,然后便是两个器件之间的连接部分、NMOS源极接地部分与PMOS源极接高电平的部分以及反相器的输入、输出端。
Ⅰ)、NMOS部分首先进行NMOS部分的版图绘制。
选中n型有源区ndiff,按快捷键R画一个宽4.8um,高3.6um的矩形(如图1所示)。
然后选中多晶硅poly,按快捷键P画一个宽0.6um,高4.2um的矩形多晶硅区,接着按K键,从有源区左边缘拉一条2.1um的标尺,从有源区的上端和下端各向外拉一条长0.6um的标尺,再根据标尺移动多晶硅,使其左边缘距有源区的左侧2.1um,且多晶硅上、下边缘分别超出有源区的上、下边缘0.6um(如图2所示)。
接着选中接触孔contact,画出四个长宽均为0.6um的矩形,将其分别放置到四个角,使其距有源区两侧都为0.9um(如图3所示)。
实验二TTL反相器电路的制作与调试
实验⼆TTL反相器电路的制作与调试《数字电⼦技术基础(数字部分)》TTL⾮门电路的制作与调试院系:电⼦与信息⼯程学院TTL⾮门电路的制作与调试⼀、实验⽬的1、掌握TTL⾮门电路的基本结构与电路原理。
2、测试分⽴元件⾮门电路输⼊输出电压转移特性、观测其开关电路的波形并计算TTL⾮门电路延时时间。
⼆、实验原理由分⽴元件构成的TTL⾮门电路原理图、逻辑符号如图⼀、图⼆所⽰。
图⼀TTL反相器的基本电路图⼆⾮门逻辑符号三、实验仪器设备GOS-610双踪⽰波器,YB1603P功率函数信号发⽣器,数字万⽤表,电源(5V)。
三极管8050四只,电阻130Ω、1KΩ、1.6 KΩ、4 KΩ各⼀只,⼆极管4007⼀只,可调电阻47 KΩ⼀只,跳线两对,导线三根,7*9cm万⽤实验板⼀块。
四、实验内容及⽅法1 、按照图三所⽰电路图焊接分⽴元件构成的TTL反相器。
图三分⽴元件构成的TTL反相器焊接⽰意其中导线1接⼊5V电源,导线2接地,导线3为信号输⼊端,挂钩出为信号输出端。
连接图如下图(⼀)图(⼀)焊接好后检查电路:(1)检查电路各接点是否焊接正确,焊点处是否有虚焊现象。
(2)确认焊接⽆误后在导线1处接⼊5V电源、导线2处接地,并将跳线1、跳线2⽤跳线帽短接。
(3)将数字万⽤表调⾄20V电压测量档测试导线3处电压,同时调节可调电阻,直⾄导线3处电压降⾄0V,此时测试输出端挂钩处电压,正常状态下为4.3V~5V。
再调节可调电阻是导线3处电压升⾄5V,测试输出端挂钩处电压,观测是否为0V~0.3V。
(4)若第三步测试正常说明电路焊接成功,可进⾏后续实验,否则请检查电路。
2、测量TTL反相器的电压传输特性实验步骤:(1)导线1处接⼊5V电源、导线2处接地,将跳线1、跳线2⽤跳线帽短接,三极管射级输⼊0V~5V的可调电源。
此时相当于可调电阻为T1图⽚如下所⽰:图(⼆)图(三)(2)⽤数字万⽤表测试挂钩处的输出电压V0随跳线2处的输⼊电压V1的变化情况,记录20组以上的成对电压数据,电压数据范围为0V~5V,测试数据填⼊表⼀。
使用Tanner L-edit绘制反相器版图并进行电路仿真实验结果
使用Tanner L-edit绘制反相器版图并进行电路仿真实验结果目录使用Tanner L-edit绘制反相器版图并进行电路仿真实验结果 (1)实验二、编辑PMOS的布局图 (3)1.取代设定 (3)2.PMOS的布局图 (3)3.设计规则检查 (4)4.截面观察 (4)实验三、编辑NMOS的布局图 (5)1.NMOS的布局图 (5)2.设计规则检查 (5)3. 截面观察 (6)实验四、编辑反相器布局图 (7)1.复制组件 (7)2.引用组件 (7)3. PMOS基板节点组件 (8)4. NMOS基板节点组件 (8)5.连接栅极漏极电源线 (8)实验五、利用T-Spice对反相器进行仿真 (9)1.添加输入端口 (9)2.添加输出端口: (9)3.标注Vdd、GND、A、OUT节点后的反相器 (9)4.转化 (10)5. T-Spice对反相器进行参数设定 (11)6. T-Spice对反相器进行仿真 (11)7.观看结果 (12)实验二、编辑PMOS的布局图1.取代设定2.PMOS的布局图3.设计规则检查4.截面观察实验三、编辑NMOS的布局图1.NMOS的布局图2.设计规则检查3. 截面观察实验四、编辑反相器布局图1.复制组件2.引用组件3. PMOS基板节点组件4. NMOS基板节点组件5.连接栅极漏极电源线实验五、利用T-Spice对反相器进行仿真1.添加输入端口2.添加输出端口:3.标注Vdd、GND、A、OUT节点后的反相器4.转化5. T-Spice对反相器进行参数设定6. T-Spice对反相器进行仿真7.观看结果。
CMOS反相器的版图设计
CMOS反相器的版图设计实验一:CMOS反相器得版图设计一、实验目得1、创建CMOS反相器得电路原理图(Schematic)、电气符号(s ymbol)以及版图(layout);2、利用’gpdk090’工艺库实例化MOS管;3、运行设计规则验证(Design Rule Check,DRC)确保版图没有设计规则错误。
二、实验要求1、打印出完整得CMOS反相器得电路原理图以及版图;2、打印CMOS反相器得DRC报告。
三、实验工具Virtuoso四、实验内容1、创建CMOS反相器得电路原理图;2、创建CMOS反相器得电气符号;3、创建CMOS反相器得版图;4、对版图进行DRC验证。
1、创建CMOS反相器得电路原理图及电气符号图首先创建自己得工作目录并将/home/iccad/cds、lib复制到自己得工作目录下(我得工作目录为/home/iccad/iclab),在工作目录内打开终端并打开virtuoso(命令为icfb &)。
在打开得icfb–log中选择tools—>LibraryManager,再创建自己得库,在当前得对话框上选择File-〉New->Library,创建自己得库并为自己得库命名(我得命名为lab1),点击OK后在弹出得对话框中选择Attach to an exiting techfile并选择gpdk090_v4、6得库,此时Library manager 得窗口应如图1所示:图1 创建好得自己得库以及inv创建好自己得库之后,就可以开始绘制电路原理图,在Library manager窗口中选中lab1,点击File—〉New->Cell view,将这个视图命名为inv(CMO S反相器)、需要注意得就是Library Name一定就是自己得库,ViewName就是schematic,具体如图2所示:图2inv电路原理图得创建窗口点击OK后弹出schematic editing得对话框,就可以开始绘制反相器得电路原理图(schematic view)、其中nmos(宽为120nm,长为100nm。
反 相 器 版 图 设 计
09.11
工艺选择
电路原理图输 入与模拟
版图设计
设计验证 首先将芯片加工需要的工艺信息输入数据, 首先将芯片加工需要的工艺信息输入数据, 然后进行原理图的设计与模拟验证, 然后进行原理图的设计与模拟验证,在得到正确 的原理图和网表后可进行版图设计; 的原理图和网表后可进行版图设计;最后再进行 版图验证以得到最终正确的版图。 版图验证以得到最终正确的版图。
Layer Well (p,n) Active Area (n+,p+) Select (p+,n+) Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Color Yellow Green Green Red Blue Magenta Black Black Black Representation
3. 绘制反相器版图
3.4 绘制一个 晶体管 绘制一个n晶体管 • n_select层:( ,-31.5)-( ,-12) )-(33, ) 层:(4, )-( • Active有源区(7,-28.5)-( , -15) 有源区( , )-(25, 有源区 )-( ) • 有源区接触 (10,-25) 2×2,与周围间距 , ) × ,与周围间距3 • Metal1地线(13.5,-16.5)( 地线( )(13.5,-37)( ,-37) )(33, ) 地线 , )( , )( )(4, )与周边间距1.5 (33,-47)( ,-47)与周边间距 , )( • P_select (20,-37)-( ,-47) )-(31, ) , )-( • Active有源区(22,-39)-( ,-45) 有源区( , )-( )-(29, ) 有源区 • 衬底接触 (24.5,-41) 2×2 , ) × • n_transistor , GND label • Metal1 输出 (23.5,8.5)( ,8.5)( ,35.5) , )(18, )(18, ) )( )( 与周边间距1.5 与周边间距 • Poly 输入
实验二——反相器版图绘制
然后会弹出设置 Technology 库的窗口,选中 csmc_tf,然后“OK”
这样,一个新的设计库“test1”就建好了。主窗口中 ToolsàLibrary Manager,会看到 Library 列表中增加了一个新的库“test1”。选中该库(鼠标左键在窗口中点击 test1),会看 到 cell 和 view 两栏都是空白的,这是因为这个库中目前还没有任何设计单元存在。
IM
第二层多晶硅电阻阻挡层
PC poly Cap,用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅
详细的工艺信息请参考设计规则(0.6umDPDMMixedSignalTechnologyTopological DesignRule.pdf),本次实验将会用到的层为 TB、TO、GT、SP、SN、W1、A1、W2、A2
需要选中显示的图层包括前面第四部分列出的设计图层:TB、TO、GT、SP、SN、W1、A1、 W2、A2,以及用于标记的 A1TEXT、A2TEXT、TEXT、boarder、prBoundry层。(注意:应被 选择的是后面标记为“dg”的层)
选择完成后,点击“OK”。
完成以上操作后,可以看到 LSW 窗口中变为只显示所设置的图层了。
设置图层的颜色图案:LSW 窗口中选中 EditàDisplay Resource Editor,会出现一个 “Display Resource Editor”窗口,在这里可以改变图层的颜色和图案。由于时间关系,本次 实验中不进行该操作,有兴趣的同学可以在完成实验后自己进行操作。
(4)、Layout 窗口介绍: 版图窗口由三部分组成:Icon menu , menu banner , status banner. Icon menu (图标菜单)缺省时位于版图图框的左边,列出了一些最常用的命令的图标,要 查看图标所代表的指令,只需要将鼠标滑动到想要查看的图标上,图标下方即会显示出相应 的指令。 menu banner(菜单栏),包含了编辑版图所需要的各项指令,并按相应的类别分组。 status banner(状态显示栏),位于 menu banner 的上方,显示的是坐标、当前编辑指令 等状态信息。 请熟悉一下版图编辑窗口中各个部分的状态,功能,以及菜单和图标对应的内容。随 后的反相器版图设计工作将主要在该窗口中进行。
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Cadence 的设计文件组织分为设计库(library)、类(category,可以不用)、单元(cell)、 视图(view)四级。并在库定义文件 cds.lib 中进行定义设计环境中可见的设计库。
cds.lib |---library1 | |-----cell1 | | |---view1 | | |----view2 | | |----… | | |----viewN | |-----cell2 | | |---view1 | | |----view2 | | |----… | | |----viewN |---library2 | |-----cell1 | | |---view1 | | |----view2 | | |----… | | |----viewN | |-----cell2 | | |---view1 | | |----view2 | | |----… | | |----viewN
(2)、设计规则 绘制版图的过程中,必须遵循一定的设计规则。这是因为最终版图是要用于芯片制造的, 所以绘制的必须是符合生产工艺要求的版图,而工艺要求就是通过设计规则来进行定义的。 在绘制过程中按照设计规则进行版图设计,然后再经过设计规则检查(DRC, design rule check)来确保完成的版图没有违反设计规则。
在随后出现的对话框中 ASCII Technology File 一项中输入 csmc0p6um.tf , 然口点 “OK” 会出现一个信息窗口,提示已经成功建立工艺库。
2、基础知识讲解:
(1)、图层 本部分,我们将练习绘制一个反相器的版图。首先,来了解一下需要用到的图层:本课 程中使用 CSMC 双硅双金属混合信号工艺,主要的设计层包括
TB
tub,n阱,作为pmos器件衬底
TO
Thin Oxide,有源区,作为mos的源漏区
GT gate,多晶硅1,作为mos栅极
SP
P+注入区
SN N+注入区
W1 接触孔,金属1到多晶硅和有源区的接触孔
A1
铝1,的接触孔
A2
铝2,第二层金属
CP bond pad,pad开孔
(3)、设置图层和图层显示 上一步点 OK 后,自动打开了两个窗口:inv_1 的 layout 编辑窗口,以及 LSW 窗口。
关于 LSW 和版图的很多选项和功能,在以后的实验中会慢慢熟悉,这里我们先来设置 一下 LSW 中显示的图层,以及改变图层颜色和图案的方法。
设置 LSW 中显示的图层:我们看到,LSW 中显示的图层很多,但对于一个简单单元 的 layout,可能只需要用到其中的一小部分。为了方便起见,我们可以修改 LSW 中显示的 图层(这样并没有删除图层,随时都可以更改让其恢复显示)
(1)工艺文件 将 display.drf 和 csmc0p6um.tf 拷贝到/root 目录下。 关闭 cadence 软件,然后重新启动(icfb)
(2)软件选项设置 主窗口 optionsàuser preference,在弹出的设置窗口中将 undo limit 设置为 10。
(3)建立工艺库(technology library):新建一个库(library),而且该库的类型为 technology library。 主窗口中 FileàNewàLibrary(1), 会出现 New Library 设置窗口
确定 Compile a new techfile 被选中(2),然后将路径设置为你希望该库存放的位置, 例如这里我们设置为共享目录/mnt/hgfs/vlsi_database(3),也可以通过双击 Directory 栏 来完成该操作。然后“Name”栏输入工艺库的名字,例如我们取名为 csmc_tf (4), 然后点 OK(5)。
(2)、建立反相器设计单元(cell)的版图视图(layout view)。 在 主 窗 口 中 FileàNewàcell view, 或 者 Library Manager 窗 口 中 使 用 菜 单 FileàNewàCell View,弹出的窗口中确定 Library Name 为前面新建的设计库(1), Cell Name 可以自己决定,例如我们输入 inv_1 (2),View Name 输入“layout”(3),此 项也可以不填,通过下面的 Tool 下拉菜单选中 Virtuoso,则会自动改变为 layout。 最 后点“OK”(4)。
然后会弹出设置 Technology 库的窗口,选中 csmc_tf,然后“OK”
这样,一个新的设计库“test1”就建好了。主窗口中 ToolsàLibrary Manager,会看到 Library 列表中增加了一个新的库“test1”。选中该库(鼠标左键在窗口中点击 test1),会看 到 cell 和 view 两栏都是空白的,这是因为这个库中目前还没有任何设计单元存在。
三、 版图设计之前的准备工作 1、 设计环境与工艺文件设置
版图设计需要准备的外部文件主要有两个,一个是 display 文件(display.drf), 另一个 是工艺文件(*.tf)。其中,工艺文件用于定义版图设计中与工艺相关的一些信息,例如表示 有源区、多晶硅、金属等的各个图层;display 文件用于定义各个图层的显示方式。需要首 先将这两个文件放置到相应的位置。
这些图层,对于我们的设计工具来说,是通过工艺文件来进行定义的。图层的显示方式, 是通过 display.drf 文件来进行定义的。可以使用 vi 或者文本编辑器打开这两个文件,查看一 下大致的内容。
具体的绘制过程中,以不同的颜色或者图案来表示不同的图层,把这些图层按照一定的 关系和规则绘制在一起,最终形成表示半导体器件和互联关系的版图。完成的版图在经过设 计验证后,可以用于制造掩模,最终在半导体制造厂完成生产制造。
IM
第二层多晶硅电阻阻挡层
PC poly Cap,用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅
详细的工艺信息请参考设计规则(0.6umDPDMMixedSignalTechnologyTopological DesignRule.pdf),本次实验将会用到的层为 TB、TO、GT、SP、SN、W1、A1、W2、A2
按照实验一中的说明依次启动 VMWARE、Linux AS4 虚拟机、然后打开一个终端窗口。
在终端中输入以下命令: icfb↙
出现的主窗口如图 1-1-1 所示:
图 2-2-1Candence 主窗口
注意以下几个事项: (1)输入 icfb↙后,终端窗口的前台由于在运行该 cadence软件,不再接受新的命令。 如果要在终端窗口中运行其他命令,可以重新打开一个终端,或者使用命令 bg将 cadence 软件转入后台运行,这时原来的终端窗口就可以重新接受命令了。
实验二、版图基础
一、 实验内容 1、 熟悉 cadence 定制设计软件平台的基本界面与使用、设计文件组织方式。 2、 了解工艺文件、版图设计等的大致概念,熟悉 cadence 软件版图设计相关的 功能。 3、 绘制反相器版图
二、 Cadence 定制软件平台的基本界面与使用 1、 进入 cadence 软件
library(库)是一组设计单元的集合,存放一些单元(cell)。一个单元是由多种视图(view) 组成的。单元可以是一个简单的单元,像一个与非门,也可以是比较复杂的单元(由子单元 组合而成)。View 是某一个单元的不同表示形式,例如常用的 schematic 是单元的电路图, symbol 是单元的符号,layout 是单元的版图等等。
3、一些预先的工作
(1)、建立一个设计库:我们打算绘制的反相器版图,实际上是建立反相器“单元”(Cell) 的一个版图视图(layout view)。我们前面讲到过,单元是放在设计库中的。所以,需 要先建立一个设计库。
主窗口中 FileàNewàLibrary, 会出现 New Library 设置窗口,与前面建立工艺库 不同的是,这次要确定“Attach to an existing techfile”选项被选中。 库名“Name”可以自行设定,例如设定为 test1,然后点“OK”。
需要选中显示的图层包括前面第四部分列出的设计图层:TB、TO、GT、SP、SN、W1、A1、 W2、A2,以及用于标记的 A1TEXT、A2TEXT、TEXT、boarder、prBoundry层。(注意:应被 选择的是后面标记为“dg”的层)
选择完成后,点击“OK”。
完成以上操作后,可以看到 LSW 窗口中变为只显示所设置的图层了。
LSW 窗口中选中 EditàSet Valid Layers,会出现一个“Set Valid Layers”窗口 缺省是全部选中的状态,即每个图层后面的选择框是黑色的。因为我们需要设置选中的 图层较少,可以先点击左上角的按钮“None Valid”,这时可以看到所有的选择框都变成未 被选中的状态。然后再逐个选中需要显示的图层即可
操作:打开软件后,在主窗口中点选 toolsàlibrary Manager, 观察设计数据的组织结 构;选中某个 library 中一个 cell 的一个 view,打开查看,然后关闭
(2) 查看主窗口的菜单
点选各个菜单,看一下每个菜单下面大致有哪些子条目。
例如在 File 菜单下,主要的菜单项有 New、Open、import、export、refresh、Exit 等。 例如 New 菜单项的子菜单下有 Library、Cellview 两项。Library 项打开 New Library 窗口, Cellview 项打开 Create New File 窗口;open 菜单可以选择打开某一个设计,通过 library manager 也可以达到同样的目的;import/export 用于将设计数据导入/导出该 cadence 设计环 境;其他各个菜单项就不一一列举了,在随后的实验中用到时再做说明。