国外IC芯片命名规则

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国外IC芯片命名规则(二)

国外IC芯片命名规则(二)

国外IC芯片命名规则(二)MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号(类型):C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3.改进类型或选择4.速度标示:-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示:LP 小功率晶体,RC 电阻电容,XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示:-20 2MHZ,-04 4MHZ,-10 10MHZ,-16 16MHZ-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ5.温度范围:空白0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃6.封装形式:L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51.产品系列:74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2.序列号3.速度4.封装: BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5.温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71.系列:ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2.技术:空白…NMOS C…CMOS L…小功率3.序列号4.封装:C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5.速度6.温度:空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7.质量等级:空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号(U.V EPROM和一次可编程OTP)M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81.系列:27…EPROM 87…EPROM 锁存2.类型:空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率3.容量:64…64K位(X8)256…256K位(X8)512…512K位(X8)1001…1M位(X8)101…1M位(X8)低电压1024…1M位(X8)2001…2M位(X8)201…2M位(X8)低电压4001…4M位(X8)401…4M位(X8)低电压4002…4M位(X16)801…4M位(X8)161…16M位(X8/16)可选择160…16M位(X8/16)4.改进等级5.电压范围:空白5V +10%Vcc,X 5V +10%Vcc6.速度:55 55n,60 60ns,70 70ns,80 80ns90 90ns, 100/10 100 n120/12 120 ns,150/15 150 ns200/20 200 ns,250/25 250 ns7.封装:F 陶瓷双列直插(窗口)L 无引线芯片载体(窗口)B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体(标准)M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体(低电压)8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101.电源2.类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8 8M,16 16M4.擦除:0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×166.改型:空白 A7.Vcc:空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns,90 90ns100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns9.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10.温度:1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71.器件系列: 29 快闪2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源3.容量:100T (128K×8.64K×16)顶部块,100B (128K×8.64K×16)底部块200T (256K×8.64K×16)顶部块,200B (256K×8.64K×16)底部块400T (512K×8.64K×16)顶部块,400B (512K×8.64K×16)底部块040 (12K×8)扇区,080 (1M×8)扇区016 (2M×8)扇区4.Vcc:空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc5.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns90 90ns, 120 120ns6.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61.器件系列:24 12C ,25 12C(低电压),93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2.类型/工艺:C CMOS(EEPROM) E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护(微导线)P SPI总线V 低电压(EEPROM)3.容量:01 1K 02 2K,04 4K,08 8K16 16K,32 32K, 64 64K4.改型:空白 A、 B、 C、 D5.封装:B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6.温度:1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61.前缀2.系列:62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3.版本:空白ROM T OTP (PROM)R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4.序列号5.封装:B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6.温度范围:1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81.前缀2.器件型号3.封装形式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4.温度范围:空白标准, B B级(MIL-STD-883),E -20℃至85℃I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.工艺等级:空白标准, B B级(MIL-STD-883)6.存取时间(仅限EEPROM和NOVRAM):20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制(仅限串行EEPROM):空白 4.5V至5.5V,-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V,-1.8 1.8V至5.5V7.端到末端电阻:Z 1KΩ,Y 2KΩ,W 10KΩ,U 50KΩ,T 100KΩ8. Vcc限制:空白 1.8V至3.6V,-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71.前缀2.器件型号3.速度:空白 2.5MHz, A 4.0MHz, B 6.0MHzH 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示4.封装形式:A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷,带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插,带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5.温度范围:E -40℃至100℃, M -55℃至125℃,S 0℃至70 ℃6.环境试验过程:A 应力密封,B 军品级,C 塑料标准,D 应力塑料,E 密封标准。

国家半导体产品命名规则

国家半导体产品命名规则

美国国家半导体(NS)产品命名规则概述美国国家半导体在销售的元件上进行标记,以便提供元件标识和制造的追溯性信息。

提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域,以及元件的性质和规格。

这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。

特定封装标记按每个元件的部件编号。

下面的链接讨论了常见的标记准则,以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。

特别代码标准制造信息(第一行)小组件制造信息(第一行)典型元件描述(第二行)其他的信息(第三行和第四行)极小组件标记军用/航空标记强化塑料标记其他标记晶圆制造厂代码装配厂代码制造日期代码裸片批次代码元件系列,产品线和元件类型电气等级信息温度范围代码封装代码ROM 代码标记特别代码元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入,以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。

美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品,例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”,另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码,它可被解码成“43ABE”的真正字元。

NS = 标准NS商标U = 晶圆制造厂代码Z = 装配厂代码X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本XY = 两个位的日期代码XYY = 三个位的日期代码XXYY = 四个位的日期代码TT = 两个位的裸片批次代码E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97)BBBBB= 五个位的裸片批次代码DD = 一或两个位的Die Step RevSS = 晶圆筛选代码C = 版权标记M = 印在圈内的M> = ESD标记EP = 强化塑料识别A = 检查批次号码DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码I = 微型 SMD 引脚1指示V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程样品“ES”* - 假如空间容许标准制造信息(第一行)元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。

TI美信芯片命名规则.

TI美信芯片命名规则.

AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级I = -20℃至+85℃ (工业级E = -40℃至+85℃ (扩展工业级A = -40℃至+85℃ (航空级M = -55℃至+125℃ (军品级封装类型:A SSOP(缩小外型封装B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP J CERDIP (陶瓷双列直插K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装M MQFP (公制四方扁平封装N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装R 窄体陶瓷双列直插封装(300milS 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300milX SC-70(3脚,5脚,6脚Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆1、 MAXIM 更多资料请参考 MAXIM前缀是“MAX”。

xilinx芯片命名规则

xilinx芯片命名规则

xilinx芯片命名规则Xilinx芯片命名规则是一种重要的标准,用于定义Xilinx芯片的名称和功能。

Xilinx公司是全球领先的可编程逻辑器件和软件解决方案供应商,其芯片的命名规则非常重要,因为它们涉及到了芯片的功能、性能和适用范围等方面。

以下是Xilinx芯片命名规则的详细信息:1.芯片名称:Xilinx芯片的名称由三部分组成,即系列、型号和封装。

系列指代芯片的应用领域,如“Virtex”系列适用于高性能计算,而“Artix”系列适用于低成本应用。

型号表示芯片的性能和功能,如“Virtex-7”表示第七代Virtex系列芯片,而“Artix-7”表示第七代Artix系列芯片。

封装表示芯片的封装方式,如“FGG484”表示芯片采用484球BGA封装。

2.芯片等级:Xilinx芯片的等级通常表示其性能和功能的级别。

例如,“UltraScale”表示超高性能级别,而“Spartan”表示中等性能级别。

3.寄存器数量:Xilinx芯片的名称通常还包括其内部寄存器的数量。

例如,“Virtex-6 LX240T”表示Virtex-6系列芯片,内部有240,000个逻辑单元和1,728个存储器块。

4.逻辑单元数量:Xilinx芯片的名称通常还包括其内部逻辑单元的数量。

例如,“Kintex-7 K325T”表示Kintex-7系列芯片,内部有325,000个逻辑单元。

5.速度等级:Xilinx芯片的名称通常也包括其工作速度等级。

例如,“Spartan-6 LX75”表示工作速度为75MHz的Spartan-6系列芯片。

以上是Xilinx芯片命名规则的详细信息。

芯片名称的规范化可以使人们更方便地辨认和选择芯片,同时也有助于推动芯片的开发和应用。

海思芯片命名规则

海思芯片命名规则

海思芯片命名规则海思芯片是华为公司旗下的一款专业芯片,其命名规则严格遵循一定的规范和规则,以便于用户理解和识别。

下面我们来详细了解一下海思芯片的命名规则。

1. 型号编号规则海思芯片的型号编号通常由字母和数字组成,其中字母代表芯片的系列或类型,数字代表该系列中的具体型号。

字母部分通常以"H"开头,表示海思(Hisilicon)芯片。

接下来的字母代表该系列的名称,例如"K"代表麒麟系列,"B"代表海思鲲鹏系列等。

2. 芯片功能标识海思芯片的命名中会包含一些功能标识,用以表示芯片的特性和用途。

这些标识通常由字母和数字组成,用以描述芯片的功能、性能、用途等。

例如,"9"表示芯片为第9代产品,"Pro"表示芯片为专业级别产品,"Lite"表示芯片为入门级别产品等。

3. 芯片系列标识海思芯片还会根据其所属的系列进行命名,以便于用户区分不同系列的芯片。

不同系列的芯片在性能、功耗、适用领域等方面存在差异。

例如,麒麟系列芯片代表高端旗舰级产品,海思鲲鹏系列芯片代表服务器级别产品,而麒麟芯片则代表中高端产品。

4. 芯片代号海思芯片的命名中通常会有一个代号,用以表示该芯片的代号和代表。

这个代号通常由字母和数字组成,有时还会包含一些特殊字符。

代号的选择通常与芯片的特性、性能和定位等有关。

例如,麒麟990芯片代表华为公司的旗舰产品,代表着高性能和领先技术。

5. 其他标识除了上述规则外,海思芯片的命名中还可能包含一些其他标识,以便于区分不同版本或型号的芯片。

这些标识通常是字母和数字的组合,用于区分芯片的不同配置、规格或版本等。

总结:海思芯片的命名规则严格遵循一定的规范,包括型号编号规则、芯片功能标识、芯片系列标识、芯片代号和其他标识等。

这些规则使得海思芯片的命名具有一定的规律和可读性,方便用户理解和识别不同型号和系列的芯片。

部分国际公司TTL集成电路型号命名规则

部分国际公司TTL集成电路型号命名规则

部分国际公司TTL集成电路型号命名规则(1)(美国)德克萨斯公司(TEXAS)例:SN 74 LS 20 J①②③④⑤说明:①表示德克萨斯公司标准电路②表示工作温度范围54系列:(一55~+125) ℃,74系列:(0~+70)℃③表示系列LS:低功耗肖特基系列ALS:先进的低功耗肖特基系列AS:先进的肖特基系列<空白>:标准系列,H:高速系列,L:低功耗系列,LS:低功耗肖特基系列,S:肖特基系列④表示品种代号,表征了逻辑功能。

⑤表示封装形式J:陶瓷双列直插N:塑料双列直插T:金属扁平W:陶瓷扁平(2)(美国)摩托罗拉公司(MOTOROLA)例:MC 74 194 P(注)①②③④说明:①表示摩托罗拉公司封装的集成电路②表示工作温度范围4,20,30,40,72,74,83:(0~+75)℃5,2l,3l,43,82,54,93:(-55~+125)℃③表示品种代号,表征了逻辑功能。

④表示封装形式F:陶瓷扁平L:陶瓷双列直插P:塑料双列直插(注:LS—TTL的型号同德克萨斯公司一致,如:SN74LSl94J)(3)(美国)国家半导体公司(NATIONAL SEMICONDUCTOR)例:DM 74 LS 161 N①②③④⑤说明:①表示国家半导体公司单片数字电路②表示工作温度74,80,8l,82,85,87,88:(0~+70)℃54,70,7l,72,75,77,78,93,96:(-55~+125) ℃83,96:(0~+75) ℃③表示系列<空白>:标准系列,H:高速系列,L:低功耗系列,LS:低功耗肖特基系列,S:肖特基系列④表示品种代号,表征了逻辑功能。

⑤表示封装形式D:玻璃——金属双列直插F:玻璃——金属扁平J:低温陶瓷双列直插N:塑料双列直插W:低温陶瓷扁平(4)(日本)日立公司(HITACHI)例:HD 74 LS 191 P①②③④⑤说明:①表示日立公司数字集成电路②表示工作温度范围74:(-20~+75)℃③表示系列<空白>:标准系列,LS:低功耗肖特基系列,S:肖特基系列④表示品种代号,表征了逻辑功能。

加拿大ic 号码命名规则

加拿大ic 号码命名规则

加拿大IC号码是指加拿大工业和科学部(Industry Canada)颁发的电子设备标识号码。

这一号码命名规则旨在确保电子设备的合规性和可追溯性,以保障加拿大市场的电信设备安全。

加拿大IC号码由两部分组成:IC标识码和设备类别码。

IC标识码是由加拿大工业和科学部分配的唯一标识号码,用于识别设备制造商或进口商。

设备类别码则反映了设备的特定类别或类型。

IC标识码通常由两个字母和四个数字组成,字母代表设备制造商或进口商的代码,而数字则表示分配给该公司的唯一标识号。

这种命名规则确保了每个制造商或进口商都能被准确识别,从而方便监管机构对其负责的设备进行追溯和管理。

设备类别码是一个用于标识设备类别或类型的数字代码。

这些代码根据设备的特性和用途进行分类,以便在市场上进行准确的识别和管理。

例如,手机和无线电设备可能有不同的设备类别码,以便能够准确地追踪和识别它们。

加拿大IC号码的命名规则有助于确保电子设备在加拿大市场上符合相关法规和标准。

这些号码可以帮助监管机构追溯设备的制造商或进口商,以便在需要时进行监管和调查。

此外,这些号码还可以帮助消费者验证设备的合规性和质量,以确保他们购买到的产品符合标准。

总之,加拿大IC号码是一种重要的设备标识号码,它的命名规则确保了电子设备在加拿大市场上的合规性和可追溯性。

这些号码对于监管机构和消费者来说都是至关重要的,它们有助于维护电信设备的安全性和质量。

IC命名规则

IC命名规则

发表于 2007-9-19 14:23:57分享:IC封装命名规则1、BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。

最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。

现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。

BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。

美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。

引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。

例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。

是在实际中经常使用的记号。

国外集成电路命名方法(二)

国外集成电路命名方法(二)

国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)
缩写字符:MOTA 译名:摩托罗拉公司(美)器件型号举例说明
缩写符号:MPS 译名:微功耗系统公司(美)器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写字符:NSC译名:国家半导体公司(美)
器件型号举例说明
缩写字符:PHIN译名:菲利浦公司(荷兰)器件型号举例说明
缩写字符:PMI译名:精密单片公司(美)器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写符号:QSI 译名:高级半导体公司
缩写字符:ZIL译名:吉劳格公司(美)
器件型号举例说明
缩写符号:SGL译名:硅通用公司(美)器件型号举例说明
器件型号举例说明(采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号)
缩写符号:SANYO(TSAJ)译名:三洋公司(日)器件型号举例说明。

国外IC芯片命名规则

国外IC芯片命名规则

MAXIM专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61.前缀:MAXIM公司产品代号2.产品字母后缀:三字母后缀:C=温度范围;P=封装类型;E=管脚数四字母后缀:B=指标等级或附带功能;C=温度范围;P=封装类型;I=管脚数3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电4 .温度范围:C= 0℃至70℃(商业级)I =-20℃至+85℃(工业级)E =-40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M =-55℃至+125℃(军品级)5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil)J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚)K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封P 塑封双列直插/ W 晶圆6.管脚数量:A:8 J:32 K:5,68 S:4,80B:10,64 L:40 T:6,160C:12,192 M:7,48 U:60D:14 N:18 V:8(圆形)E:16 O:42 W:10(圆形)F:22,256 P:20 X:36G:24 Q:2,100 Y:8(圆形)H:44 R:3,84 Z:10(圆形)I:28AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51.前缀:AD模拟器件, HA 混合集成A/D, HD 混合集成D/A2.器件型号3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5.封装形式:D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61.器件分类: ADC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP比较器REF电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2.器件型号3.老化选择4.电性等级5.封装形式:H 6腿TO-78 S 微型封装J8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6.军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61.前缀: EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2.器件型号3.封装形式:D陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4.温度范围: C ℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.腿数6.速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:ATMEL公司产品代号2.器件型号3.速度4.封装形式:A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插,一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体,一次可编程5.温度范围: C 0℃至70℃, I -40℃至85℃, M -55℃至125℃6.工艺:空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883,不符合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81.前缀:ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2.器件型号3.一般说明:A 改进参数性能L 锁定Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4.温度范围:H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5.封装形式:L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6.筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用7.输入编码: CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8.输出: V 电压输出 I 电流输出CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:CY Cypress公司产品, CYM 模块, VIC VME 总线2.器件型号:7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO7C9101 微处理器3.速度:A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插P 塑料PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5.温度范围: C 民用(0℃至70℃)I 工业用(-40℃至85℃)M 军用(-55℃至125℃)6.工艺: B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41.前缀:HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED)HM 存储器(RAM)HR光电器件(光纤)HN 存储器(NVM)PF RF功率放大器HG 专用集成电路2.器件型号3.改进类型4.封装形式:P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2.器件型号3.电性能选择4.温度范围: A -55℃至125℃,B -20℃至85℃, C 0℃至70℃I -40℃至125℃,M -55℃至125℃5.封装形式:A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型Q 2引线金属管帽6.管脚数:A 8,B 10,C 12,D 14,E 16,F 22,G 24,H 42, I 28, J 32,K 35, L 40, M 48, N 18,P 20, Q 2, R 3,S 4, T 6, U 7,V 8(引线间距0.2"",绝缘外壳) W 10(引线间距0.23"",绝缘外壳)Y 8(引线间距0.2"",4脚接外壳) Z 10(引线间距0.23"",5脚接外壳)NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41.前缀2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路,C 双极模拟电路D 单极型数字电路3.器件型号:4.封装形式:A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号(类型):C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3.改进类型或选择4.速度标示:-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns, -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示: LP 小功率晶体,RC 电阻电容,XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ,-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ5.温度范围:空白 0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃6.封装形式:L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51.产品系列:74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM7 4HC 高速CMOS2.序列号3.速度4.封装: BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5.温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71.系列:ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROMS28 EEPROMTS29 EEPROM2.技术:空白…NMOS C…CMOS L…小功率3.序列号4.封装: C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5.速度6.温度:空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7.质量等级:空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号(U.V EPROM和一次可编程OTP)M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81.系列:27…EPROM 87…EPROM锁存2.类型:空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率3.容量:64…64K位(X8)256…256K位(X8)512…512K位(X8)1001…1M位(X8)101…1M位(X8)低电压1024…1M位(X8)2001…2M位(X8)201…2M位(X8)低电压4001…4M位(X8)401…4M位(X8)低电压4002…4M位(X16)801…4M位(X8)161…16M位(X8/16)可选择160…16M位(X8/16)4.改进等级5.电压范围:空白5V +10%Vcc,X 5V +10%Vcc6.速度: 55 55n,60 60ns,70 70ns,80 80ns90 90ns, 100/10 100 n120/12 120 ns,150/15 150 ns200/20 200 ns,250/25 250 ns7.封装:F 陶瓷双列直插(窗口) L 无引线芯片载体(窗口)B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体(标准)M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体(低电压)8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101.电源2.类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8 8M,16 16M4.擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×166.改型:空白 A7.Vcc:空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns,90 90ns100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns9.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10.温度:1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71.器件系列: 29 快闪2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源3.容量:100T (128K×8.64K×16)顶部块,100B (128K×8.64K×16)底部块200T (256K×8.64K×16)顶部块,200B (256K×8.64K×16)底部块400T (512K×8.64K×16)顶部块,400B (512K×8.64K×16)底部块040 (12K×8)扇区,080 (1M×8)扇区016 (2M×8)扇区4.Vcc:空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc5.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns90 90ns, 120 120ns6.封装: M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61.器件系列: 24 12C , 25 12C(低电压),93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2.类型/工艺:C CMOS(EEPROM) E 扩展I C 总线W 写保护士 CS 写保护(微导线)P SPI总线LV 低电压(EEPROM)3.容量:01 1K,02 2K,04 4K,08 8K16 16K, 32 32K,64 64K4.改型:空白 A、 B、 C、 D5.封装: B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6.温度: 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61.前缀2.系列: 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3.版本:空白ROM T OTP(PROM)R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4.序列号5.封装:B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6.温度范围:1.5 0℃~70℃(民用)2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOTX XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81.前缀2.器件型号3.封装形式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公制微型封装Y 新型卡式4.温度范围:空白标准,B B级(MIL-STD-883),E -20℃至85℃I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.工艺等级:空白标准,B B级(MIL-STD-883)6.存取时间(仅限EEPROM和NOVRAM):20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制(仅限串行EEPROM):空白 4.5V至 5.5V,-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至 5.5V,-1.8 1.8V至5.5V7.端到末端电阻:Z 1KΩ,Y 2KΩ,W 10KΩ,U 50KΩ,T 100KΩ8. Vcc限制:空白 1.8V至3.6V,-54.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71.前缀2.器件型号3.速度:空白 2.5MHz, A 4.0MHz,B 6.0MHzH 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示4.封装形式:A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷,带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插,带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5.温度范围: E -40℃至100℃, M -55℃至125℃, S 0℃至70 ℃6.环境试验过程:A 应力密封,B 军品级,C 塑料标准,D 应力塑料,E 密封标准(注:专业文档是经验性极强的领域,无法思考和涵盖全面,素材和资料部分来自网络,供参考。

IC(芯片)命名-封装-批号-常识大全

IC(芯片)命名-封装-批号-常识大全

HOLTEK(合泰)IC一级代理商、代理LDO稳压IC,电压监测器,显示驱动IC,遥控编解码,单片机,时钟IC等全线产品,现货及价格等各方面都独具优势。

(可交货.也可以直接从Holtek出货)联系人:罗先生联系:05,IC产品的命名规则:大部分IC产品型号的开头字母,也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母,比如:MAXIM公司的以MAX为前缀,AD公司的以AD为前缀,ATMEL公司的以AT为前缀,CY公司的以CY为前缀,像AMD,IDT,LT,DS,HY 这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。

但也有很生产厂家不是这样的,如TI的一般以SN,TMS,TPS,TL,TLC,TLV等字母为前缀;ALTERA(阿尔特拉)、XILINX(赛灵斯或称赛灵克斯)、Lattice(莱迪斯),称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。

ALTERA的以EP,EPM,EPF为前缀,它在亚洲国家卖得比较好,XILINX的以XC为前缀,它在欧洲国家卖得比较好,功能相当好。

Lattice一般以M4A,LSP,LSIG为前缀,NS的以LM为前缀居多等等,这里就不一一做介绍了。

紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能,每个厂家规则都不一样,这里不做介绐,之后跟的几位字母(一般指的是尾缀)表示温度系数和管脚及封装,一般情况下,C表示民用级,I表示工业级,E表示扩展工业级,A表示航空级,M表示军品级下面几个介比较具有代表性的生产厂家,简单介绍一下:AMD公司FLASH常识:AM29LV 640 D(1) U(2) 90R WH(3) I(4)1:表示工艺:B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-filmM=MirrorBit2:表示扇区方式:T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom3:表示封装:P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGAC=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃MAXIMMAXIM产品命名信息(专有命名体系)MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。

marvell芯片家族命名规则

marvell芯片家族命名规则

Marvell芯片家族命名规则1. 引言Marvell是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和开发各种高性能芯片。

为了方便管理和区分不同的产品系列,Marvell制定了一套严格的芯片家族命名规则。

本文将详细介绍Marvell芯片家族命名规则的背景、要求和实施方式。

2. 背景在半导体行业中,产品众多且涉及的领域广泛。

为了避免混淆和误解,各个芯片家族需要有独特的命名规则。

Marvell作为一家拥有多个产品系列的半导体公司,也面临着这个问题。

因此,Marvell制定了一套统一的芯片家族命名规则,以便于公司内外的人员理解和识别。

3. 要求Marvell芯片家族命名规则需要满足以下要求:3.1 独特性每个芯片家族的命名必须是独一无二的,不能与其他芯片家族重复。

3.2 信息性芯片家族的命名应能够传达关于该系列芯片的基本信息,如应用领域、性能特点等。

3.3 简洁性命名应尽量简洁明了,易于记忆和使用。

3.4 规范性命名规则应严格遵守公司内部规定,确保统一性和一致性。

4. 实施方式为了满足上述要求,Marvell制定了一套详细的芯片家族命名规则。

下面将详细介绍Marvell芯片家族命名规则的实施方式。

4.1 命名前缀每个芯片家族的命名都以一个特定的前缀开头,该前缀与芯片家族的特性相关。

例如,以”M”开头的前缀表示高性能多核处理器,以”E”开头的前缀表示低功耗嵌入式处理器等。

4.2 命名主体命名主体是芯片家族的核心部分,用于传达关于该系列芯片的基本信息。

通常包括数字、字母和特殊符号的组合,以表达芯片的特性和用途。

例如,“88”表示高性能、“X”表示嵌入式、“G”表示网络等。

4.3 命名后缀命名后缀用于进一步区分同一系列中的不同产品。

通常是一个字母或数字的组合,表示不同的版本或配置。

例如,“A”表示第一版、“B”表示第二版等。

5. 示例下面是几个根据Marvell芯片家族命名规则命名的示例:5.1 M88X“M88X”是一个高性能多核处理器系列的命名。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61.前缀: MAXIM公司产品代号2.产品字母后缀:三字母后缀:C=温度范围; P=封装类型; E=管脚数四字母后缀:B=指标等级或附带功能; C=温度范围;P=封装类型; I=管脚数3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电4 .温度范围:C= 0℃至70℃(商业级)I =-20℃至+85℃(工业级)E =-40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M =-55?至+125℃(军品级)5.封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil)J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚)K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6.管脚数量:A:8 J:32 K:5,68 S:4,80B:10,64 L:40 T:6,160C:12,192 M:7,48 U:60D:14 N:18 V:8(圆形)E:16 O:42 W:10(圆形)F:22,256 P:20 X:36G:24 Q:2,100 Y:8(圆形)H:44 R:3,84 Z:10(圆形)I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51.前缀:AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2.器件型号3.一般说明: A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5.封装形式:D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61.器件分类: ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2.器件型号3.老化选择4.电性等级5.封装形式:H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6.军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61.前缀: EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2.器件型号3.封装形式:D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列 4.温度范围: C ℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.腿数6.速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:ATMEL公司产品代号2.器件型号3.速度4.封装形式:A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插,一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体,一次可编程5.温度范围: C 0℃至70℃, I -40℃至85℃, M -55℃至125℃6.工艺:空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883,不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81.前缀:ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2.器件型号3.一般说明:A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4.温度范围:H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃ R、S、T、V、W -55℃至125℃5.封装形式:L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6.筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用7.输入编码:CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8.输出: V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀: CY Cypress公司产品, CYM 模块, VIC VME总线2.器件型号:7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3.速度:A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5.温度范围:C 民用(0℃至70℃)I 工业用(-40℃至85℃)M 军谩(-55℃至125℃)6.工艺: B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41.前缀:HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED)HM 存储器(RAM) HR光电器件(光纤)HN 存储器(NVM)PF RF功率放大器HG 专用集成电路2.器件型号3.改进类型4.封装形式:P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2.器件型号3.电性能选择4.温度范围:A -55℃至125℃,B -20℃至85℃,C 0℃至70℃ I -40℃至125℃,M -55℃至125℃5.封装形式:A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6.管脚数:A 8,B 10,C 12,D 14,E 16,F 22,G 24,H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18,P 20, Q 2, R 3, S 4, T 6, U 7,V 8(引线间距0.2"",绝缘外壳)W 10(引线间距0.23"",绝缘外壳)Y 8(引线间距0.2"",4脚接外壳)Z 10(引线间距0.23"",5脚接外壳)NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41.前缀2.产品类型: A 混合元件 B 双极数字电路,C 双极模拟电路D 单极型数字电路3.器件型号:4.封装形式:A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号(类型):C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3.改进类型或选择4.速度标示:-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示:LP 小功率晶体,RC 电阻电容,XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示:-20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ, -16 16MHZ-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ5.温度范围:空白0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃6.封装形式:L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51.产品系列:74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2.序列号3.速度4.封装: BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5.温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71.系列:ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2.技术:空白…NMOS C…CM OS L…小功率3.序列号4.封装:C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5.速度6.温度:空白0℃~70℃ E -25℃~70℃ V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7.质量等级:空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号(U.V EPROM和一次可编程OTP)M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81.系列:27…EPROM 87…EPROM锁存2.类型:空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率 3.容量:64…64K位(X8)256…256K位(X8)512…512K位(X8)1001…1M位(X8)101…1M位(X8)低电压1024…1M位(X8)2001…2M位(X8)201…2M位(X8)低电压4001…4M位(X8)401…4M位(X8)低电压4002…4M位(X16)801…4M位(X8)161…16M位(X8/16)可选择160…16M位(X8/16)4.改进等级5.电压范围:空白 5V +10%Vcc, X 5V +10%Vcc6.速度:55 55n,60 60ns,70 70ns,80 80ns90 90ns,100/10 100 n120/12 120 ns,150/15 150 ns200/20 200 ns,250/25 250 ns7.封装:F 陶瓷双列直插(窗口)L 无引线芯片载体(窗口)B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体(标准)M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体(低电压)8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01.电源2.类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8 8M,16 16M4.擦除:0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×166.改型:空白 A7.Vcc:空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns,90 90ns100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns 9.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10.温度:1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 1.器件系列: 29 快闪2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源3.容量:100T (128K×8.64K×16)顶部块,100B (128K×8.64K×16)底部块200T (256K×8.64K×16)顶部块,200B (256K×8.64K×16)底部块 400T (512K×8.64K×16)顶部块,400B (512K×8.64K×16)底部块 040 (12K×8)扇区,080 (1M×8)扇区016 (2M×8)扇区4.Vcc:空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc5.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns90 90ns, 120 120ns6.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61.器件系列:24 12C ,25 12C(低电压),93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2.类型/工艺:C CMOS(EEPROM) E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护(微导线)P SPI总线V 低电压(EEPROM)3.容量:01 1K 02 2K,04 4K,08 8K16 16K,32 32K, 64 64K4.改型:空白 A、 B、 C、 D5.封装:B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6.温度:1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61.前缀2.系列: 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3.版本:空白 ROM T OTP(PROM)R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4.序列号5.封装:B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6.温度范围:1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81.前缀2.器件型号3.封装形式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4.温度范围:空白标准, B B级(MIL-STD-883),E -20℃至85℃I -40℃至85℃,M -55℃至125℃ 5.工艺等级:空白标准, B B级(MIL-STD-883)6.存取时间(仅限EEPROM和NOVRAM):20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制(仅限串行EEPROM):空白 4.5V至5.5V,-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V,-1.8 1.8V至5.5V 7.端到末端电阻:Z 1KΩ, Y 2KΩ, W 10KΩ,U 50KΩ, T 100KΩ 8. Vcc限制:空白 1.8V至3.6V,-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71.前缀2.器件型号3.速度:空白 2.5MHz, A 4.0MHz, B 6.0MHzH 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示4.封装形式:A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷,带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插,带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5.温度范围:E -40℃至100℃, M -55℃至125℃,S 0℃至70 ℃6.环境试验过程:A 应力密封,B 军品级,C 塑料标准,D 应力塑料,E 密封标准。

TI美信芯片命名规则

TI美信芯片命名规则

AXIM前缀是“MAX”。

DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。

2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。

3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃)说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃ 至70℃(商业级)I = -20℃ 至+85℃ (工业级)E = -40℃ 至+85℃ (扩展工业级)A = -40℃ 至+85℃ (航空级)M = -55℃ 至+125℃ (军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆1、 MAXIM 更多资料请参考 MAXIM前缀是“MAX”。

恩智浦芯片命名原则

恩智浦芯片命名原则

恩智浦芯片命名原则恩智浦芯片是全球领先的半导体公司,产品广泛应用于汽车、通信、计算机、消费电子、工业控制和医疗等领域。

在恩智浦的产品系列中,每种芯片都有一个名称,这个名称通常以一些字母和数字的组合形式表示。

这些名称并不是随意取的,而是有一定的命名原则的,下面就来详细介绍一下恩智浦芯片的命名原则。

1. 系列名称:恩智浦芯片的系列名称是表明这个芯片属于哪个产品系列的,通常由一些字母和数字组成,比如LPC、i.MX、QorIQ等。

这些名称通常是根据产品的功能、定位或市场来取的,方便用户快速了解这个芯片所属的产品系列。

2. 芯片型号:芯片型号是芯片的唯一标识符,通常由一些字母和数字组成,比如LPC1768、i.MX6、P1020等。

芯片型号的命名原则主要有以下几点:(1)第一个字母表示芯片所属的产品系列,比如L表示LPC系列,P表示Power Architecture系列,K表示Kinetis系列,M表示i.MX系列等。

(2)后面的数字表示芯片的性能等级、功耗等级、封装方式等。

通常性能越高,数字就越大。

(3)最后一个字母表示芯片功能特性,比如F表示Flash、G表示Graphics、V表示USB等。

芯片封装决定了芯片的使用环境、安装方式和电路布局等。

恩智浦的芯片封装主要有以下几种:(1)LQFP(低贮存器表面贴装)封装:通常用于一些较大的芯片,如LPC系列等。

(2)BGA(球栅阵列)封装:通常用于一些高性能的芯片,如i.MX系列等。

芯片的功能是芯片名称的重要组成部分,可以反映出芯片的主要用途。

恩智浦的芯片根据不同功能特点,设定了不同的名称规则,比如:(1)LPC系列:LPC是Low Power Communication的缩写,表示低功耗通信芯片系列,如LPC1768、LPC2148等。

(2)i.MX系列:i.MX是Integrated Media eXperience的缩写,表示集成多媒体功能的系列,如i.MX6、i.MX7等。

is42s32800d的命名规则

is42s32800d的命名规则

is42s32800d的命名规则
IS42S32800D是一个集成电路(IC)的型号,其中包含了一些特定的命名
规则。

首先,从型号中我们可以看出,这是一个由美国芯成(ISSI)公司生产的芯片。

此外,型号中包含的字母和数字表示该芯片的特性和功能。

其中,'S'可能表示该芯片属于某个系列或类型,例如SRAM(静态随机存
取存储器)。

'32800'可能表示该芯片的存储容量或性能等级,例如32Mb
或b等。

而最后的'D'可能表示该芯片的封装类型,例如双列直插式封装(DIP)。

因此,IS42S32800D的命名规则可能是根据美国芯成公司的命名规范来确
定的,其中包含了芯片的系列、存储容量、性能等级和封装类型等信息。

请注意,这只是对IS42S32800D命名规则的一种可能的解释,具体的命名规则可能因不同的公司或不同的产品而有所不同。

如果您需要更详细的信息,建议您查阅相关的技术规格书或联系美国芯成公司进行咨询。

常用的进口IC型号命名方法介绍

常用的进口IC型号命名方法介绍

常用的进口IC型号命名方法介绍半导体集成电路(SIC)的型号一般由三部分组成。

第一部分为前缀,主要反映制造厂家的信息。

第二部分用来表示器件功能分类。

第三部分为后缀,主要反映器件的质量和可靠性等级及封装形式(包括是否为裸芯片)。

这里正芯网将厚膜集成电路(HIC)常用的进口IC型号命名方法介绍如下。

一、54系列此系列为军用集成电路(74系列的为商用)。

TI(得克萨斯公司),Rochester(罗切斯特公司),Motorola(摩托罗拉公司),NSC(美国国家半导体公司),FC(仙童公司)等公司生产。

TI公司规定其54系列产品型号要在54的前面加上SN(如SN54HC00等),军标产品加SNJ。

54后接不同的英文字母表示不同的电路功能,也有54后直接跟数字的。

(1)54HC54HC表示高速CMOS逻辑集成电路,现在为SN54HC,仅TI 生产(Rochester作其补充)。

(2)54HCT54HCT也表示高速CMOS逻辑集成电路,现在为SN54HCT,仅TI生产(Rochester作其补充)。

(3)54LS54LS表示低功耗肖特基逻辑集成电路,TI生产的为SN54LS;Rochester,Motorola,NSC和FC公司生产的仍为54LS。

(4)54S54S表示肖特基逻辑集成电路,现在为SN54S,仅TI生产(Rochester作其补充)。

(5)54×××以54121(多谐振荡器)为例。

Rochester公司的为54121,TI公司的为SN54121,Lansdale公司的为54121和SL54121。

上述器件均为军品等级。

二、78/79生产厂家为ST Micro(以前为SGS—Thorn.son)。

原78××,79××电压基准器,现在型号为L78L××,L78L×,如L79L09等。

三、AD为Analog Devices公司产品,主要有ADC(模数转换),DAC(数模转换),放大器,电压基准器,湿度传感器等。

集成电路命名方法(国外)

集成电路命名方法(国外)

国外集成电路命名方法缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)器件型号举例说明缩写字符:ANA译名:模拟器件公司(美)器件型号举例说明()缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美)通用器件型号举例说明()模拟器件产品型号举例说明缩写字符:CYSC译名:丝柏(CYPRESS)半导体有限公司器件型号举例说明()缩写字符:HAS 译名:哈里斯公司(美)器件型号举例说明80C86系列型号举例说明缩写字符:INL 译名:英特希尔公司(美)器件型号举例说明缩写字符:MOTA 译名:摩托罗拉公司(美)器件型号举例说明缩写符号:MPS 译名:微功耗系统公司(美)器件型号举例说明NECJ译名:日本电气公司(日)NECE日本电气公司美国电子公司(美)器件型号举例说明缩写字符:NSC译名:国家半导体公司(美)器件型号举例说明缩写字符:PHIN译名:菲利浦公司(荷兰)器件型号举例说明缩写字符:PMI译名:精密单片公司(美)器件型号举例说明缩写字符:PRSC译名:特性半导体有限公司器件型号举例说明缩写符号:QSI 译名:高级半导体公司缩写字符:ZIL译名:吉劳格公司(美)器件型号举例说明缩写字符:RCA译名:美国无线电公司(现为GE-RCA公司)器件型号举例说明缩写符号:SGL译名:硅通用公司(美)器件型号举例说明缩写字符:SGSI译名:意大利国家半导体公司器件型号举例说明(采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号)缩写符号:SANYO(TSAJ)译名:三洋公司(日)器件型号举例说明缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)器件型号举例说明缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)器件型号举例说明(与欧共体相一致)缩写符号:THEF译名:汤姆逊公司(法)器件型号举例说明(与欧共体相一致)老产品型号举例说明汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明缩写符号:TI 译名:得克萨斯公司(美)器件型号举例说明缩写符号:VTC译名:VTC公司器件型号举例说明器件型号举例说明缩写符号:MATJ译名:松下电气公司(日)器件型号举例说明缩写符号:HITJ译名:日立公司(日)器件型号举例说明缩写符号:IDT译名:集成器件技术公司器件型号举例说明17。

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MAXIM专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61.前缀:MAXIM公司产品代号2.产品字母后缀:三字母后缀:C=温度范围;P=封装类型;E=管脚数四字母后缀:B=指标等级或附带功能;C=温度范围;P=封装类型;I=管脚数3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电4 .温度范围:C= 0℃至70℃(商业级)I =-20℃至+85℃(工业级)E =-40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M =-55℃至+125℃(军品级)5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装(300mil)J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70(3脚,5脚,6脚)K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封P 塑封双列直插/ W 晶圆6.管脚数量:A:8 J:32 K:5,68 S:4,80B:10,64 L:40 T:6,160C:12,192 M:7,48 U:60D:14 N:18 V:8(圆形)E:16 O:42 W:10(圆形)F:22,256 P:20 X:36G:24 Q:2,100 Y:8(圆形)H:44 R:3,84 Z:10(圆形)I:28AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51.前缀:AD模拟器件, HA 混合集成A/D, HD 混合集成D/A2.器件型号3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5.封装形式:D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61.器件分类: ADC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP比较器REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元 SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2.器件型号3.老化选择4.电性等级5.封装形式:H 6腿TO-78 S 微型封装J8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6.军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61.前缀: EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2.器件型号3.封装形式:D陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4.温度范围: C ℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.腿数6.速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:ATMEL公司产品代号2.器件型号3.速度4.封装形式:A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插,一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体,一次可编程5.温度范围: C 0℃至70℃, I -40℃至85℃, M -55℃至125℃6.工艺:空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883,不符合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81.前缀:ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2.器件型号3.一般说明:A 改进参数性能L 锁定Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4.温度范围:H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5.封装形式:L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6.筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用7.输入编码: CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8.输出: V 电压输出 I 电流输出CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:CY Cypress公司产品, CYM 模块, VIC VME 总线2.器件型号:7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO7C9101 微处理器3.速度:A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插P 塑料PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5.温度范围: C 民用(0℃至70℃)I 工业用(-40℃至85℃)M 军用(-55℃至125℃)6.工艺: B 高可靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41.前缀:HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED)HM 存储器(RAM)HR光电器件(光纤)HN 存储器(NVM)PF RF功率放大器HG 专用集成电路2.器件型号3.改进类型4.封装形式:P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2.器件型号3.电性能选择4.温度范围: A -55℃至125℃,B -20℃至85℃, C 0℃至70℃I -40℃至125℃,M -55℃至125℃5.封装形式:A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型Q 2引线金属管帽6.管脚数:A 8,B 10,C 12,D 14,E 16,F 22,G 24,H 42, I 28, J 32,K 35, L 40, M 48, N 18,P 20, Q 2, R 3,S 4, T 6, U 7,V 8(引线间距0.2"",绝缘外壳) W 10(引线间距0.23"",绝缘外壳)Y 8(引线间距0.2"",4脚接外壳) Z 10(引线间距0.23"",5脚接外壳)NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41.前缀2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路,C 双极模拟电路D 单极型数字电路3.器件型号:4.封装形式:A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号(类型):C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3.改进类型或选择4.速度标示:-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns, -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示: LP 小功率晶体,RC 电阻电容,XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ,-16 16MHZ-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ5.温度范围:空白 0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃6.封装形式:L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51.产品系列:74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM7 4HC 高速CMOS2.序列号3.速度4.封装: BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5.温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71.系列:ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2.技术:空白…NMOS C…CMOS L…小功率3.序列号4.封装: C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV 窗口陶瓷熔封双列直插5.速度6.温度:空白 0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7.质量等级:空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号(U.V EPROM和一次可编程OTP)M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81.系列:27…EPROM 87…EPROM锁存2.类型:空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率3.容量:64…64K位(X8)256…256K位(X8)512…512K位(X8)1001…1M位(X8)101…1M位(X8)低电压1024…1M位(X8)2001…2M位(X8)201…2M位(X8)低电压4001…4M位(X8)401…4M位(X8)低电压4002…4M位(X16)801…4M位(X8)161…16M位(X8/16)可选择160…16M位(X8/16)4.改进等级5.电压范围:空白5V +10%Vcc,X 5V +10%Vcc6.速度: 55 55n,60 60ns,70 70ns,80 80ns90 90ns, 100/10 100 n120/12 120 ns,150/15 150 ns200/20 200 ns,250/25 250 ns7.封装:F 陶瓷双列直插(窗口) L 无引线芯片载体(窗口)B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体(标准)M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体(低电压)8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101.电源2.类型: F 5V +10%, V 3.3V +0.3V3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8 8M,16 16M4.擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×166.改型:空白 A7.Vcc:空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns,90 90ns100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns9.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10.温度:1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71.器件系列: 29 快闪2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源3.容量:100T (128K×8.64K×16)顶部块,100B(128K×8.64K×16)底部块200T (256K×8.64K×16)顶部块,200B (256K×8.64K×16)底部块400T (512K×8.64K×16)顶部块,400B (512K×8.64K×16)底部块040 (12K×8)扇区,080 (1M×8)扇区016 (2M×8)扇区4.Vcc:空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc5.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns90 90ns, 120 120ns6.封装: M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61.器件系列: 24 12C , 25 12C(低电压),93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2.类型/工艺:C CMOS(EEPROM) E 扩展I C 总线W 写保护士 CS 写保护(微导线)P SPI总线LV 低电压(EEPROM)3.容量:01 1K,02 2K,04 4K,08 8K16 16K, 32 32K,64 64K4.改型:空白 A、 B、 C、 D5.封装: B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6.温度: 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61.前缀2.系列: 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3.版本:空白ROM T OTP(PROM)R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4.序列号5.封装:B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6.温度范围:1.5 0℃~70℃(民用)2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXXX X X1 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81.前缀2.器件型号3.封装形式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公制微型封装Y 新型卡式4.温度范围:空白标准,B B级(MIL-STD-883),E -20℃至85℃I -40℃至85℃,M -55℃至125℃5.工艺等级:空白标准,B B级(MIL-STD-883)6.存取时间(仅限EEPROM和NOVRAM):20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制(仅限串行EEPROM):空白 4.5V至 5.5V,-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至 5.5V,-1.8 1.8V至5.5V7.端到末端电阻:Z 1KΩ,Y 2KΩ,W 10KΩ,U50KΩ,T 100KΩ8. Vcc限制:空白 1.8V至3.6V,-5 4.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71.前缀2.器件型号3.速度:空白 2.5MHz, A 4.0MHz,B 6.0MHzH 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示4.封装形式:A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷,带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插,带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5.温度范围: E -40℃至100℃, M -55℃至125℃, S 0℃至70 ℃6.环境试验过程:A 应力密封,B 军品级,C 塑料标准,D 应力塑料,E 密封标准。

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