芯片制程(以 Intel 芯片为例)
芯片制造工艺流程
芯片制造工艺流程芯片制造工艺流程是指将芯片设计图纸转化为实际可用的芯片产品的一系列工艺步骤。
芯片制造工艺流程包括晶圆制备、光刻、薄膜沉积、离子注入、蚀刻、清洗和封装等环节。
下面将详细介绍芯片制造的工艺流程。
1. 晶圆制备芯片制造的第一步是晶圆制备。
晶圆是以硅为基材制成的圆形片，是芯片制造的基础材料。
晶圆的制备包括原料准备、熔炼、拉晶、切割和抛光等工艺步骤。
晶圆的质量和表面平整度对后续工艺步骤有着重要影响。
2. 光刻光刻是芯片制造中的关键工艺步骤，用于将设计图案转移到晶圆表面。
光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光、显影和清洗等步骤。
在曝光过程中，使用光刻机将设计图案投射到光刻胶上，然后经过显影和清洗，将图案转移到晶圆表面。
3. 薄膜沉积薄膜沉积是将各种材料的薄膜沉积到晶圆表面，用于制备导电层、绝缘层和其他功能层。
常用的薄膜沉积工艺包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和溅射等。
这些工艺可以制备出不同性质的薄膜，满足芯片设计的要求。
4. 离子注入离子注入是将掺杂剂注入晶圆表面，改变晶体的导电性能。
离子注入工艺可以制备出n型和p型晶体区域，用于制备晶体管和其他器件。
离子注入工艺需要精确控制注入剂的种类、能量和剂量，以确保晶体的性能满足设计要求。
5. 蚀刻蚀刻是将不需要的材料从晶圆表面去除，形成所需的结构和器件。
蚀刻工艺包括干法蚀刻和湿法蚀刻两种。
干法蚀刻利用化学气相反应去除材料，湿法蚀刻则利用腐蚀液去除材料。
蚀刻工艺需要精确控制蚀刻速率和选择性，以确保所需的结构和器件形成。
6. 清洗清洗是将制造过程中产生的杂质和残留物从晶圆表面去除，保证晶圆表面的洁净度。
清洗工艺包括化学清洗、超声清洗和离子清洗等。
清洗工艺需要严格控制清洗液的成分和温度，以确保晶圆表面的洁净度满足要求。
7. 封装封装是将晶圆切割成单个芯片，并将芯片封装在塑料封装或陶瓷封装中，形成最终的芯片产品。
封装工艺包括切割、焊接、封装和测试等步骤。
图解芯片制造工艺流程(全图片注解,清晰明了)
图解芯片制造工艺流程（全图片注解，清晰明了）该资料简洁明了，配图生动，非常适合普通工程师、入门级工程师或行业菜鸟，帮助你了解芯片制造的基本工艺流程。
首先，在制造芯片之前，晶圆厂得先有硅晶圆材料。
从硅晶棒上切割出超薄的硅晶圆，然后就可以进行芯片制造的流程了。
1、湿洗 (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )3、离子注入 (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.) 4.1、干蚀刻(之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。
现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).4.2、湿蚀刻 (进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻)——以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。
5、等离子冲洗 (用较弱的等离子束轰击整个芯片) 6、热处理，其中又分为： 6.1 快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)6.2 退火 6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) ) 7、化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质 8、物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating 9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要。
10、电镀处理 11、化学/机械表面处理 12、晶圆测试13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
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芯片制造的工艺流程
芯片制造的工艺流程一、前言芯片是现代电子技术的基石，其制造过程非常复杂，需要经过多个工序才能完成。
本文将详细介绍芯片制造的工艺流程。
二、晶圆制备1.硅晶圆生产首先，需要通过化学反应将硅材料转化为单晶硅。
随后，将单晶硅材料切割成薄片，并进行抛光处理。
最后，将这些薄片加工成具有特定直径和厚度的硅晶圆。
2.掩膜制备掩膜是用于芯片制造中进行光刻的重要工具。
其制备需要使用光刻机和特定的化学药品。
三、光刻和蚀刻1.光刻在该步骤中，使用掩膜对硅晶圆进行曝光处理。
曝光后，在显影液中进行显影处理，以去除未曝光部分的光阻层。
2.蚀刻在完成光刻之后，需要对芯片表面进行蚀刻处理。
这个步骤可以通过湿法或干法两种方式完成。
四、沉积和清洗1.沉积在沉积过程中，需要将金属或半导体材料沉积到芯片表面。
这个过程可以通过物理气相沉积或化学气相沉积完成。
2.清洗在完成沉积之后，需要对芯片表面进行清洗处理，以去除残留的化学物质和污染物。
五、电子束曝光和离子注入1.电子束曝光在电子束曝光中，使用电子枪将高能电子束照射到芯片表面。
这个过程可以用于制造非常小的芯片元件。
2.离子注入在离子注入过程中，使用加速器将离子注入到芯片表面。
这个过程可以用于调整芯片元件的电性能。
六、封装和测试1.封装在完成以上所有步骤之后，需要将芯片封装起来以保护其内部结构。
这个步骤可以通过塑料封装或金属封装等方式完成。
2.测试在完成封装之后，需要对芯片进行测试以确保其性能符合要求。
这个步骤可以通过多种测试方法进行。
七、总结以上就是芯片制造的工艺流程。
虽然每个步骤都非常复杂，但是这些步骤的完成对于现代电子技术的发展非常重要。
芯片制造工艺流程9个步骤
芯片制造工艺流程9个步骤芯片制造是现代科技进步的基石之一，通过精密的工艺流程，能够将微小而复杂的电路集成在一个小小的芯片上。
下面将介绍芯片制造的9个关键步骤。
1. 掩膜设计掩膜设计是芯片制造的第一步，也是最关键的一步。
在这个步骤中，设计师将根据芯片功能要求，使用专业软件进行电路设计。
通过设计软件，设计师可以确定各个元件的位置和布局，以及电路的连接方式。
2. 掩膜制作一旦芯片的掩膜设计完成，就需要将设计图制作成实际的掩膜。
这个过程需要使用高精度的光刻机，将设计图案转移到掩膜上。
掩膜制作的质量将直接影响到后续步骤的精度和质量。
3. 晶圆制备晶圆是芯片制造的基础材料，通常使用硅作为晶圆材料。
在这一步骤中，需要将晶圆进行多次的研磨和清洗，以确保晶圆表面的平整度和无尘净度，为后续的工艺步骤做好准备。
4. 掩膜对准和曝光一旦晶圆准备好，就需要将掩膜和晶圆进行对准，并利用光刻机进行曝光。
光刻机会通过控制光源的强度和半导体材料的曝光时间，将掩膜上的图案转移到晶圆表面上。
5. 电路刻蚀刻蚀是芯片制造中的一项关键工艺，它能够去除晶圆表面不需要的材料，留下所需的电路结构。
刻蚀可以使用化学蚀刻或物理蚀刻的方法，根据不同的需求选择不同的刻蚀方式。
6. 沉积和腐蚀在芯片制造过程中，需要对电路进行沉积和腐蚀。
沉积是将所需的材料沉积到晶圆表面，以形成电路结构；腐蚀则是通过化学反应去除多余的材料。
7. 电路形成电路形成是芯片制造的重要步骤之一，通过化学或物理方法，将电路结构形成在晶圆表面。
这一步骤需要高精度的设备和工艺控制，确保电路结构的准确性和可靠性。
8. 封装和测试一旦电路结构形成，就需要对芯片进行封装和测试。
封装是将芯片封装在塑料封装或陶瓷封装中，以保护芯片并方便安装和连接。
测试是对芯片进行功能和可靠性测试，确保芯片的质量和性能。
9. 包装和验证最后，芯片需要进行包装和验证。
包装是将封装好的芯片放入适当的包装盒中，以便运输和存储。
芯片制程以Intel芯片为例
精心整理
芯片制程（以Intel芯片为例）
如果问及芯片的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案——是硅。
这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。
难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。
当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。
下面，就让我们跟随芯片的制作流程，了解这从“沙子”到“黄金”的神秘过程吧！
（以Intel芯片为例）
这效果正是我们所要的。
这样就得到我们所需要的二氧化硅层。
4、搀加杂质将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。
具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。
这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。
简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。
这一点类似所层PCB板的制作制作原理。
更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候
精心整理
通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。
5、晶圆测试经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。
通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。
数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。
6、封装将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作。
Inter 芯片制造原理
。
生产的第一阶段
单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。
生产的第一阶段
生产第一阶段的三个步骤
生产第二阶段
硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道 为什么晶圆都是圆形的了吧？
生产第二阶段
晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，中芯国 际自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生 产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，中芯国际创 立之初使用的晶圆尺寸只有6英寸/150毫米。
生产第二阶段
生产第二阶段的两个步骤
生产第三阶段
光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制 作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
生产第三阶段
光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学 反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线 透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的 电路图案是掩模上图案的四分之一。
Inter 芯片制造原理
Ivan Mu 2009年9月2日
题记
可以说，中央处理器(CPU)是现代社会飞速运转的动力源泉，在任何电子设备上都可以找 到微芯片的身影，不过也有人不屑一顾，认为处理器这东西没什么技术含量，不过是一堆 沙子的聚合而已。是么？我搜集了Intel公布了的图文资料，详细展示了从沙子到芯片的全 过程，简单与否一看便知。 简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、 蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包 装上市等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。
英特尔芯片技术创新案例
英特尔芯片技术创新案例近年来，随着信息技术的迅速发展，芯片技术作为信息时代的核心基础，在实现计算机性能突破、简化设备体积、提高能效等方面发挥着重要作用。
作为全球领先的芯片制造商之一，英特尔公司一直致力于技术创新，推动芯片技术的不断进步。
本文将以英特尔芯片技术创新案例为例，介绍英特尔公司在芯片领域的技术突破与创新。
1. 英特尔酷睿处理器——高性能与低功耗的完美结合英特尔酷睿处理器是英特尔公司在芯片技术创新方面的代表作之一。
该处理器在高性能计算的同时，极大地降低了功耗，提高了电脑系统的能效。
首先，英特尔酷睿处理器采用了先进的多核心技术，有效提升了单个处理器的计算能力。
通过多个核心的同时工作，酷睿处理器能够更有效地处理大量的任务，使计算机在运行多个程序的同时保持较高的性能表现。
其次，英特尔酷睿处理器采用了先进的动态频率调整技术，根据不同的工作负载自动调节处理器的频率和电压。
这种技术使得处理器能够根据实际需要进行灵活的动态调整，实现功耗与性能的平衡，从而延长电池续航时间，降低设备发热问题，提升了电脑系统的可靠性和稳定性。
2. 英特尔快速存储技术——加速数据访问的利器在大数据时代，数据的高速处理和存储对计算机系统来说，显得尤为重要。
针对这一需求，英特尔公司开发了英特尔快速存储技术，为计算机存储业务带来了突破性的创新。
英特尔快速存储技术首先采用了高速闪存作为存储介质，其读写速度远远超过传统的硬盘驱动器。
通过优化数据的存取方式和存储结构，英特尔快速存储技术能够将数据读写速度提升到一个全新的水平，加快了计算机系统对数据的处理速度。
此外，英特尔快速存储技术还采用了先进的数据压缩算法，可以将数据压缩率提升至原始数据容量的一半左右，从而节省了存储空间，降低了存储成本。
3. 英特尔集成显卡技术——打破独立显卡的壁垒在过去，独立显卡一直是提供图形处理能力的主要解决方案。
然而，英特尔公司通过集成显卡技术的创新，成功打破了独立显卡的壁垒，使得集成显卡在提供图形处理能力方面逐渐得到了重视。
芯片制作流程
芯片制作全过程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe)、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。
1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序:经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒，一般情况下，为便于测试,提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。
而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！
Intel2025年制程路线图：4nm、3nm、20A和18A？！在英特尔Accelerated 活动中，英特尔表⽰正在考虑到 2025 年的⽬标。
⾸席执⾏官 Pat Gelsinger在今年早些时候表⽰，英特尔将在 2025 年重返产品领导地位，但⼀直没有解释如何实现。
直到今天，英特尔披露了其到 2025 年的未来五代⼯艺节点技术的路线图。
英特尔相信它可以采取积极的战略来匹配并超越其代⼯竞争对⼿，同时开发新的封装服务为外部客户开展代⼯业务。
最重要的是，英特尔重命名了其⼯艺节点。
以下是英特尔今天的披露的路线图。
技术⽤于⽣产和进⼊零售之间是有区别的；英特尔将某些技术称为“准备就绪”，⽽其他技术则称为“加速”，因此这个时间表只是提到的那些⽇期。
正如您想象的那样，每个⼯艺节点都可能存在数年，此图只是展⽰了英特尔在给定时间的领先技术。
英特尔定义了⼀个强⼤的未来：台积电是否⾯临风险？今年早些时候，⾸席执⾏官 Pat Gelsinger 宣布了英特尔的新 IDM 2.0 战略，包括三个要素：1.建⽴ (7nm)2.扩张（台积电）3. 产业化（英特尔代⼯服务）这⾥的⽬标是继续致⼒于英特尔的⼯艺节点技术开发，超越⽬前⽣产中的当前 10nm 设计，但同时使⽤合作伙伴（或竞争对⼿）的其他代⼯服务来重新获得/保持英特尔在其处理器中的地位的公司收⼊。
第三个要素是 IFS，即英特尔的代⼯服务，英特尔正在⼤⼒承诺向外部半导体业务开放其制造设施。
⽀撑建⽴和产业化⽬标的是英特尔如何执⾏⾃⼰的⼯艺节点开发。
虽然在英特尔最近的 2021 年第三季度财报电话会议中，⾸席执⾏官 Gelsinger 证实，英特尔现在每天⽣产的 10nm 晶圆⽐ 14nm 晶圆多，这标志着两种设计之间的信⼼发⽣转变，但英特尔难以从 14nm ⼯艺过渡到其 10nm ⼯艺已不是什么秘密。
今年 6 ⽉ 29 ⽇，英特尔还表⽰，其下⼀代 10nm 产品需要额外的验证时间，以简化 2022 年在企业系统上的部署。
芯片生产工艺流程
芯片生产工艺流程芯片生产工艺流程是指将设计好的芯片原型转化为实际可用的芯片产品的一系列制造工艺。
芯片生产工艺的流程非常复杂，需要经过多道工序和严格的质量控制，才能确保最终产品的性能和可靠性。
本文将介绍典型的芯片生产工艺流程，以及每个工艺步骤的具体内容和要点。
1. 设计验证芯片生产的第一步是设计验证。
在这一阶段，设计师将根据客户需求和技术要求，设计出芯片的原型图。
然后通过模拟和仿真的手段对设计进行验证，确保其满足性能和功能要求。
设计验证的关键在于准确捕捉和分析设计中的潜在问题，以便在后续工艺流程中进行修正和优化。
2. 掩膜制作接下来是芯片的掩膜制作。
在这一步骤中，设计好的芯片原型图会被转化成掩膜图形，然后通过光刻技术将图形转移到硅片上。
掩膜的制作质量直接影响着后续工艺步骤的精度和稳定性，因此需要严格控制每一个细节。
3. 晶圆制备一旦掩膜制作完成，接下来就是晶圆制备。
晶圆是芯片制造的基础材料，通常采用硅材料。
在晶圆制备过程中，需要对硅片进行清洗和抛光处理，以确保其表面光滑和纯净。
然后将掩膜图形转移到晶圆表面，形成芯片的基本结构。
4. 掺杂和扩散接下来是对晶圆进行掺杂和扩散处理。
掺杂是指向晶圆表面引入掺杂原子，以改变其导电性能。
而扩散则是通过高温处理，使掺杂原子在晶体中扩散，形成导电层和隔离层。
这一步骤是芯片制造中非常关键的工艺，直接影响着芯片的性能和稳定性。
5. 金属化在掺杂和扩散处理完成后，接下来是对芯片进行金属化处理。
金属化是指在芯片表面镀上金属层，用于连接芯片内部的电路和外部引脚。
金属化工艺需要精确控制金属层的厚度和均匀性，以确保良好的电连接和导电性能。
6. 绝缘层和封装最后一步是对芯片进行绝缘层和封装处理。
绝缘层的作用是隔离芯片内部的电路，防止短路和干扰。
而封装则是将芯片封装在塑料或陶瓷封装体中，以保护芯片免受外部环境的影响。
这一步骤需要严格控制封装的密封性和稳定性，以确保芯片在使用过程中的可靠性和耐久性。
芯片制作的7个流程
芯片制作的7个流程芯片制造是一个复杂精细的过程，通常涉及七个主要的流程。
这些流程包括晶圆制备、光刻、雕刻、清洗、离子注入、金属沉积和封装测试。
详细介绍如下：1.晶圆制备：芯片制造的第一步是准备晶圆。
晶圆是由硅等半导体材料制成的圆片，通常直径为8英寸或12英寸。
在此步骤中，晶圆表面必须是干净、平滑且无缺陷的，以确保最终芯片的品质。
2.光刻：光刻是一种通过光照和化学处理在晶圆上图案化的过程。
在这个过程中，一层光刻胶被涂覆在晶圆表面上，然后使用掩膜和紫外线光照射，使光刻胶部分发生变化。
通过不同的光刻层和能量分布，可以在晶圆表面创建所需的微小结构。
3.雕刻：雕刻是将光刻胶中未被光照的区域去除的过程。
雕刻可以使用化学腐蚀或物理蚀刻方法来实现。
通过去除光刻胶，暴露在晶圆表面的区域可以被进一步加工和补充。
4.清洗：在雕刻之后，晶圆表面可能会残留一些不需要的物质，如光刻胶残留或金属杂质。
清洗流程用于去除这些残留物，以确保晶圆表面的纯净度和平滑度。
常用的清洗方法包括化学清洗和超纯水清洗。
5.离子注入：离子注入是向晶圆表面注入特定材料的过程。
这种方法可以改变半导体材料的电学性质，如改变其导电性或控制晶体缺陷。
通过对离子种类、能量和注入时间的控制，可以实现精确的材料变化。
6.金属沉积：金属沉积是将金属材料沉积在晶圆表面的过程。
这是为了建立芯片中的导线和电路连接。
金属沉积可以使用物理气相沉积、化学气相沉积或物理激发沉积等技术来实现。
7.封装测试：最后一个流程是芯片的封装和测试。
这包括将芯片封装在一个保护性外壳中，并对其进行各种电学和功能测试。
这些测试可以确保最终芯片的功能和性能达到预期，并满足质量标准。
总结起来，芯片制造的七个主要流程包括晶圆制备、光刻、雕刻、清洗、离子注入、金属沉积和封装测试。
这些流程需要高度的精确度和注意细节，以确保最终芯片的质量和性能。
芯片生产工艺流程
芯片生产工艺流程芯片生产工艺流程是指将芯片材料进行加工和制造，最终得到完整的芯片产品的一系列过程。
下面是芯片生产工艺流程的主要步骤和说明。
1.晶圆制备：晶圆是芯片的基础材料，通常由硅材料制造而成。
晶圆制备的过程包括选择适当的材料、清洗、研磨、抛光和切割。
2.晶圆清洗：晶圆在制备过程中会受到污染，因此需要进行清洗以去除杂质。
通常采用物理和化学方法进行清洗，如超声波清洗和化学溶液浸泡。
3.蚀刻：蚀刻是在晶圆表面形成不同结构或层次的过程。
通过在晶圆上应用特殊的光刻胶，并使用光刻机将图形模式投射到胶上，然后用化学液体进行蚀刻，以得到所需的图形结构。
4.离子注入：离子注入是将特定的离子（如硼、磷或砷）注入晶圆中的过程。
这种注入过程改变了晶圆的电学特性，用于形成导体或绝缘体层。
5.沉积：沉积是将薄膜材料沉积到晶圆上形成特定层的过程。
常见的沉积方法包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
6.扩散和退火：扩散是将杂质或某种化合物物质分布到晶圆上的过程。
退火则是通过加热和冷却来改善产品的晶格结构和性能。
7.金属化、触点制备和封装：金属化是在晶圆上形成金属导线的过程，用于连接芯片的不同部分。
触点制备是在芯片上制作电极和连接器的过程。
封装是将芯片封装在塑料或金属外壳中以保护芯片，同时方便连接其他电子设备。
8.测试和质量控制：在生产过程中进行多个测试步骤，以确保芯片的质量和性能。
常见的测试包括电气性能测试、可靠性测试和外观检查。
以上是芯片生产工艺流程的主要步骤和说明，每个步骤都需要严格的控制和操作，以确保芯片的质量和性能。
随着科技的不断发展，芯片生产工艺也在不断改进和创新，以适应不断增长的需求和技术进步。
图解芯片制作工艺流程
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• 晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图 中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试， 使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
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• 晶圆切片(Slicing)：晶圆级别，300毫米 /12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一 个处理器的内核(Die)。
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• 丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发 现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准 备进入下一步。
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• 芯 片 加 工 无 尘 车 间
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• 光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过 程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶 圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
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• 光刻：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变 得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变 化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层 上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到 的电路图案是掩模上图案的四分之一。
在真空系统中用经过加速的要掺杂的原子的离子照射注入固体材料从而在被注入的区域形成特殊的注入层并改变这些区域的硅的导电性
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INTEL 图解芯片制作工艺流程
共九个步骤
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• 沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙(尤 其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的 形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
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• 清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也 被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂， 注入了不同的原子。注意这时候的绿色和 之前已经有所不同。
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• 晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。 在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填 充铜，以便和其它晶体管互连。
e3 芯片
e3 芯片E3芯片，又称为E3处理器，是英特尔（Intel）推出的一款x86体系结构的中央处理器。
该处理器面向桌面电脑和服务器市场，被广泛应用于日常计算和数据中心。
E3芯片以其高性能、低功耗和可靠性而受到广泛欢迎。
它采用英特尔先进的22纳米或14纳米制程技术，拥有4核或更多的物理核心。
这些核心以超线程技术进行增强，可以实现虚拟化和多任务处理。
与此同时，E3芯片还配备了英特尔快速同步内存访问（Quick Synchronization Memory Access）和Turbo Boost技术，可进一步提升任务处理速度和效率。
在高性能方面，E3芯片能够提供快速的数据处理和计算能力。
其集成了多层次的高速缓存，包括L1缓存、L2缓存和L3缓存，以提供更高的数据访问速度和流畅性。
同时，E3芯片还支持多种指令集，如SSE4、AVX和AES-NI，以加速复杂计算和数据处理任务。
在低功耗方面，E3芯片采用了英特尔的节能技术，如深度睡眠状态（Deep Sleep State）和电压适应技术（Voltage Adaptive Technology），以最大程度地降低功耗和热量产生。
这使得E3芯片非常适合于小型工作站、家庭办公电脑和网络服务器等场景，能够满足用户对低噪音和节能环保的需求。
除了桌面电脑和服务器市场，E3芯片还在数据中心领域发挥着重要作用。
它可以作为虚拟机服务器、存储服务器和网络通信服务器的核心处理器，支持多个用户和应用程序同时运行。
此外，E3芯片还具备可靠性和稳定性的特点，可以通过错误检测和纠正（Error Checking and Correction）等技术保证数据的安全性和完整性。
总的来说，E3芯片是一款功能强大、性能稳定的中央处理器。
它通过高性能、低功耗和可靠性等特点，满足了桌面电脑和服务器市场的需求，并在数据中心领域发挥着重要作用。
随着技术的进步，未来的E3芯片将进一步提升性能和功耗之间的平衡，为用户提供更好的计算体验和应用支持。
英特尔第五代酷睿处理器制程与性能解析
英特尔第五代酷睿处理器制程与性能解析京时间2015年1月7日凌晨，英特尔在正在美国拉斯维加斯举办的CES 2015展会上，发布了第五代酷睿处理器。
可以说是千呼万唤始出来，让消费者们一睹了它的真容。
从2014年中期开始，就已有消息称英特尔将会在CES 2015上发布第五代酷睿处理器。
而之前Broadwell-Y的推出，也令我们能够提前知道有关第五代酷睿处理器的一些特性，其中最重要的莫过于Broadwell制程工艺的提升。
得益于Broadwell-Y的出色表现，我们对第五代酷睿的期待值也直线上升。
英特尔Broadwell-U处理器成员：●Broadwell Intel Core i7：i7-5557U、i7-5650U、i7-5550U、i7-5600U、i7-5500U●Broadwell Intel Core i5：i5-55287U、i5-5257U、i5-5350U、i5-5250U、i5-5300U、i5-5200U●Broadwell Intel Core i3：i3-5157U、i3-5010U、i3-5005U●Broadwell Intel Pentium：3805U●Broadwell Intel Celeron：3755U、3205UIntel Broadwell-Y处理器成员：Intel Core M-5Y71、M-5Y70、M-5Y51、M-5Y31、M-5Y10c、M-5Y10a、M-5Y10英特尔此次发布的Broadwell-U处理器共17款，其中隶属酷睿系列共14款，隶属奔腾系列共1款，隶属赛扬系列共2款。
不过Broadwell-Y虽然与第五代酷睿制程相同，但英特尔并未将它列入到第五代酷睿当中，而是当做一个新的分类，因此第五代酷睿只有17款处理器。
TDP 15W的Core i7/i5产品系列Keyword：制程工艺由于Broadwell-Y的发布，英特尔第五代酷睿l处理器的制程工艺早已不是什么秘密。
芯片制造的基本过程
芯片制造的基本过程一、概述芯片是现代电子设备中不可或缺的核心组成部分，它集成了大量的电子元器件和电路，实现了信号处理和控制功能。
芯片制造是一项复杂而精细的工艺，涉及到多个步骤和工序。
本文将介绍芯片制造的基本过程。
二、晶圆制备芯片制造的第一步是晶圆制备。
晶圆是芯片的基底，通常由硅材料制成。
首先，选择高纯度的硅单晶作为原料，经过多道熔炼和晶体生长工艺，制备出大尺寸的硅单晶圆。
然后，对晶圆进行切割、打磨和抛光等工序，使其表面光滑平整。
三、沉积层制备接下来，需要在晶圆表面沉积一层薄膜，用于制造芯片的电路结构。
常用的沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
CVD是通过在高温下使气体反应生成沉积物，而PVD则是通过蒸发和溅射等方式将材料沉积在晶圆表面。
四、光刻光刻是芯片制造中非常重要的步骤，用于将电路图案转移到晶圆上。
首先，在沉积层上涂覆一层光刻胶，然后将光刻胶曝光到紫外光下，通过光刻机上的光罩，将光刻胶的部分区域暴露出来。
接着，对晶圆进行显影，使暴露的光刻胶被去除。
最后，使用化学腐蚀或离子注入等方法，将光刻胶未覆盖的区域进行蚀刻，形成芯片的电路结构。
五、离子注入离子注入是芯片制造中的关键步骤之一，用于改变晶圆中的材料性质。
通过离子注入，可以在晶圆中引入特定的杂质或改变晶格结构，从而影响芯片的电学性能。
离子注入过程中，晶圆被放置在离子注入机中，然后将高能离子加速并注入晶圆表面，形成离子掺杂层。
六、退火退火是芯片制造中的重要步骤之一，用于消除制造过程中的应力和缺陷，并改善晶圆的电学性能。
退火过程中，晶圆被加热到高温，使其结构重新排列，缺陷被修复。
不同材料和工艺需要不同的退火参数，以确保晶圆的质量。
七、金属化金属化是芯片制造的最后一步，用于连接芯片上的电路结构。
首先，在晶圆表面涂覆一层金属薄膜，通常使用铝或铜材料。
然后，使用光刻和蚀刻等技术，将金属薄膜制成芯片的导线和接触点。
最后，进行封装和测试，将芯片组装到封装中，以保护芯片并方便与其他电子器件连接。
英特尔芯片最高的工艺技术
英特尔芯片最高的工艺技术英特尔（Intel）是全球领先的半导体公司之一，以其创新和卓越的工艺技术而闻名。
该公司的芯片工艺技术一直处于行业的领先地位，并且不断推动着计算机产业的发展。
在这篇文章中，我将重点介绍英特尔芯片当前最高的工艺技术。
当前，英特尔芯片的最高工艺技术是10纳米（nm）制程。
工艺制程是指在制造芯片的过程中，所采用的微缩技术和材料。
一个纳米相当于十亿分之一米，小到可以容纳几个原子的尺度。
因此，10纳米工艺技术是一项非常先进和精密的技术。
10纳米工艺技术是英特尔在多年研发和创新的基础上实现的重大突破。
相对于之前的14纳米工艺技术，10纳米工艺技术可以实现更高的晶体管密度，提供更高的性能和更低的功耗。
这种工艺技术的进步使得芯片可以变得更小、更快，同时也更加节能。
10纳米工艺技术的实现离不开英特尔对材料和制造工艺的深入研究。
在这项工程中，英特尔利用了一种名为“三维跨门极（FinFET）”的结构。
FinFET是一种革命性的晶体管设计，能够使得芯片的性能得到显著提升。
这种设计有效地解决了漏电流的问题，同时提供了更好的控制和传输功能。
因此，10纳米工艺技术所采用的FinFET结构可以大大提高芯片的性能和功效。
除了FinFET结构，英特尔还应用了一系列先进的材料和制造工艺。
例如，该公司采用了极紫外（EUV）光刻技术，通过使用更短波长的光线来实现更高的分辨率。
这种技术的引入使得芯片的制造更加精确和准确。
此外，英特尔还使用了先进的高效面片工艺、低功耗技术以及优化的互连技术。
所有这些技术的结合，使得10纳米工艺技术成为英特尔目前最高的工艺水平。
10纳米工艺技术的实现对于英特尔来说是一项重大的突破。
它不仅提升了芯片的性能和功耗，还为计算机产业的发展带来了新的机遇。
例如，该工艺技术使得人工智能（AI）和云计算等应用得以更好地实现。
此外，更小、更快和更节能的芯片也有助于推动智能手机、物联网和可穿戴设备等新兴市场的发展。
芯片制作的7个流程
芯片制作的7个流程芯片制作是一项复杂而精细的工艺过程，下面将从设计、掩模制作、晶圆制备、光刻、离子注入、扩散和封装等角度来介绍芯片制作的七个流程。
1.设计芯片制作的第一步是设计。
设计师根据芯片的功能和要求，使用专业的电子设计自动化工具（EDA）进行芯片的电路设计和布局设计。
这包括电路元件的选择和布置，信号的传输路径等。
设计完成后，会生成电路图和布局图，用于后续制作过程。
2.掩模制作在掩模制作阶段，设计好的电路图和布局图被转化成实际的物理掩模。
这一步通常由专门的掩模制作工厂完成。
首先，利用电子束曝光或光刻技术将电路图和布局图映射到光刻胶上，然后用化学方法将暴露部分的光刻胶去除，形成掩模。
这个掩模将被用于后续的光刻步骤。
3.晶圆制备晶圆是芯片制作的基础材料，通常采用硅晶圆。
晶圆制备的第一步是选择高纯度的硅单晶，然后利用高温化学气相沉积技术在硅单晶上沉积一层氧化硅，形成硅二氧化物层，以保护晶圆表面。
接下来，晶圆被切割成薄片，通常为0.2mm至1mm左右的厚度，以便后续的加工。
4.光刻光刻是芯片制作中的关键步骤，用于将掩模上的图案转移到晶圆表面。
首先，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，然后将掩模对准晶圆，通过紫外线照射，使暴露的光刻胶发生化学反应。
接着，经过溶解或洗涤，将未暴露的光刻胶去除，只保留暴露部分。
这样，晶圆上就形成了掩模图案所对应的光刻胶图案。
5.离子注入离子注入是为了改变晶圆材料中的杂质浓度和电子性能。
在离子注入的过程中，加速器将离子加速到高速，然后通过电磁场将离子束精确地引导到晶圆的表面。
当离子束撞击晶圆时，会产生原子或离子的交换和碰撞，改变晶体材料的电子结构。
离子注入可以用于调整晶圆的导电性、抗辐射性等特性。
6.扩散扩散是将杂质通过热处理使其在晶圆中扩散的过程。
晶圆被放入高温炉中，杂质离子通过加热和扩散逐渐分布到晶圆内部形成特定的电子器件结构，如PN结、栅极等。
扩散的过程中需要控制温度、时间和浓度等参数，以确保扩散层的均匀性和稳定性。
主板架构介绍-intel芯片举例
主板架构介绍主板基础知识如果把中央处理器CPU比喻为整个电脑系统的心脏，那么主板上的芯片组就是整个身 体的躯干。
在电脑界称设计芯片组的厂家为Core Logic，Core的中文意义是核心或中 心，光由字面的意义就足以看出其重要性。
对于主板而言，芯片组几乎决定了这块主 板的功能，进而影响到整个电脑系统性能的发挥，芯片组是主板的灵魂。
芯片组（Chipset）是主板的核心组成部分，按照在主板上的排列位置的不同，通常分 为北桥芯片和南桥芯片。
北桥芯片一般提供对CPU的类型和主频、内存的类型和最大 容量、ISA/PCI/AGP插槽、ECC纠错等支持，通常在主板上靠近CPU插槽的位置，由 于此类芯片的发热量一般较高，所以在此芯片上装有散热片。
北桥芯片在芯片组中起 着主导性的作用，也称为主桥（Host Bridge）。
南桥芯片主要用来与I/O设备及ISA设备相连，并负责管理中断及DMA通道，让设备工 作得更顺畅，其提供对KBC(键盘控制器)、RTC(实时时钟控制器)、USB(通用串行总 线)、传输Ultra DMA/33(66)EIDE数据方式和ACPI(高级能源管理)等的支持，在靠近 PCI槽的位置。
南北桥命名规则INTEL南桥命名规则：南桥ICH的编号都是82801，其后的第一个字母 代表第几代晶片，如82801Gx就是ICH7系列。
第二个字母B为Base、 不支持RAID，R代表支持Raid，M标识Mobile； INTEL915系列之后的北桥命名规则：G是主流集成显卡芯片组，支持 主流的FSB和内存，支持PCI-E×16；P也是主流版本，但无集成显卡； PL相对于P是简化版本，在支持的FSB和内存上有所缩水，无集成显 卡，支持PCI-E×16；M为Mobile平台；名词解释FSB: (Front Side Bus) 前端系统总线 GMCH: (Graphics and Memory Controller Hub)图形和内存控制中 心 MCH: (Memory Controller Hub) 内存控制中心 ICH: (I/O Controller Hub ) I/O控制中心 PCH:(Platform controller hub）平台控制中心 MCP: (Multi-chip package ) 两个独立的dies：processor core 和 GPU/memory core主要的芯片组及CPU厂商主要的芯片组厂商：• • • • INTEL VIA（威盛） AMD（超威） SIS（矽统）主要的CPU厂商：• • • INTEL VIA（威盛） AMD（超威）INTEL系列主板架构2007 Low Power Platform - Santa RosaChipset Support: • 965GM Express Chipset + ICH8M • DDR2 533/667, 1-2 channels, 4GB max • Graphics, Video & Advanced I/O (on MCH): – Gen 4 Core with 8 execution cores – Video post-processing enhancements – Advanced display capabilities (LVDS 24bpp) • Advanced I/O (on ICH): – PCI Express: 6 ports – Integrated 10/100 LAN MAC (optional) – Intel® Active Management Technology (AMT, optional) – Legacy I/O including 3xSATA, 4xPCI, 10xUSB 2.0 Software • OS Support: Microsoft XPe, SuSe Enterprise Linux, Red Hat Enterprise Linux for POS, QNX Neutrino • BIOS & Driver Support: Embedded Graphics Driver (IEGD), Legacy BIOS and EFI BIOSIntel® Core™2 Duo (Merom) Intel® Celeron® M (Merom)LVDS Flat panel/TV/CRT Support for Media Expansion CardSDVO533/800 MTS FSBGen 4.0 GMA PCI Express* x16 Graphics Intel® High Definition Audio, 8 Independent DMA Audio Engines 10 Hi-Speed USB 2.0 Ports 6 PCI Express* x1 82566DM Ninevah GbE 8GBsIntel® GME965 Express GMCH (Crestline)DDR2 533/667DDR2 533/667ICH8M or ICH8EM3 SATA Ports4 PCI Bus MastersLPC or SPI BIOS Support2008 Menlow for Embedded PlatformSilverthorne Supported Processors • 1.6 GHz/533MHz/2W/512K • 1.33 GHz/533MHz/2W/512K • 1.1 GHz/400MHz/2W/512K SCH • Single chip SCH (GMCH + ICH) Memory • Single Channel • DDR2 400/533 • 2GB Max Memory Graphics • Low Power Graphics Core • Dual Independent Displays • Internal LVDS IO Support • 1 PATA (Master / Slave) • 2 -(x1) PCIe Ports • 8 USB (1 client) • Intel® High Definition Audio24bit LVDS400/533 MT/s CMOS FSBSDVO Poulsbo 8* USB 2.0 PortsDDR2 400/533 (memory down or SODIMM)2 x1 PCI ExpressGPIO SMBus LP C FWH3 portsSIOECSPI Intel® High Def Audio2008 Navy-Pier Platform (Intel® Atom™ Processor N270, 945GSE, ICH7M)Intel® Atom™ Processor N270 • 45nm technology; 22x22mm package • TDP ~ 2.5W • Hyper-Threading technology, C4 low power state • Intel® 945 GSE • 27x27mm package • TDP >= 3.5 W (depends on config.) • LVDS, VGA, SDVO • Intel Generation 3.5 Integrated GFX Core (133 MHz) • Single Channel DDR2 400/533 – 1 SODIMM + Memory Down – B/W:5.3 GB/s (1 Ch) • Intel® ICH7 • 31x31mm package • TDP ~1.5W • 4 PCIe, 4 PCI • 2 SATA, 1 PATA • Intel® High Definition Audio • 10/100 LAN controller • 8 USB 2 ports Intel® Atom™ Processor N270 SC, 1.6GHzFSB 533 MHz x2 LVDS VGA SDVO/DVI945 GSE DDR2 533x2 DMIx1 SO-DIMMx2ATA/100 ICH7-MPCIe Wifi mini-card Codec PCIe LAN Parallel Serial PS2 x6TPM GbESIO2009 Luna-Pier Platform (Pineview-M Processor, ICH8M)Pineview-M Processor • 22mm x 22mm package • TDP ~5.5W • 512KB cache • TDP ~ 2.5W2GB Max Memory • Single Channel DDR2 667 • Integrated Graphics Controller • Intel® ICH8M • 31x31mm package • TDP ~2.4W • 6 PCIe, 4 PCI • 3 SATA, 1 PATA • Intel® High Definition Audio • 10/100/1000 Ethernet MAC • 10 USB 2.0 ports • O/S Support • Windows XP, XPe, WEPOS, WinCE • Fedora Core 8 • VxWorks • MontaVista Linux* • QNX NeutrinoDDR2 SO-DIMMPineview-M MicroprocessorLVDSDX9 Graphics: 200 MHz DDR2 Memory Controller (Single Channel)VGA10 Hi-Speed USB 2.0 Portsx4 DMI 6 PCI Express x1 Lanes ICH8M3 SATA4 PCI LPCLPC TPM SIO1 IDE Channel Intel® High Definition AudioSPIGbE LANSPI Flash Device2010 Luna-Pier Refresh Platform (Pineview-D SC/DC Processor, ICH8MPineview-D** Processor • Single and Dual core SKUs • Fan less design capability for both SKUs • 400Mhz graphics engine • 45nm technology • 512Kb L2 cache • Kit TDP: ~13W (SC) / ~17W (DC) • 64bit DDR2 667 - 4GB Max • Single Memory Channel • Intel® 64, HT, XD Bit • Intel® ICH8-M • GbE (10/100/1000) MAC • Intel® High Definition Audio • 3 SATA Ports • 6 x1 PCI Express Ports • 10 USB PortsDDR2 SODIMMPineview D SC/DCLVDS VGAx4 DMI 10 Hi-Speed USB 2.0 Ports 6 PCI Express x1 LanesICH8M4 PCI 3 SATA LPC or SPI 1 IDE Channel FWH Intel® High Definition Audio GbE LAN TPM SIO2010 LOW Power Platform-CalpellaToday’s 3-Chip SolutionProcessorPCIe GraphicsFSB PCIe Graphics Intel® 4 Series Chipset DDR2/ DDR32-Chip SolutionProcessorGFX IMC Graphics moves into Processor1 Memory Controller moves into the ProcessorDDR3Flexible Display Interface (Intel® FDI) Intel®iGFX DisplayIMC MEDMIDMIDisplayICHClocksIntel® 5 series Chipset3 DisplayDisplay Clock BufferDisplay moves into PCH Intel® Management Engine moves into PCH Clock Buffers integrate into PCHI/OMEI/O1313Notes: 1: Only on Clarkdale, Arrandale 2: Not all features enabled on all products 3: Formerly called Ibex PeakProcessorArrandale 是下一代64位32nm工艺制程的处理器； 该处理器内部集成了图形和内存控制器，图形和内存控制器是45nm制程； Arrandale支持两种封装： A 37.5 x 37.5 mm rPGA package (rPGA988A) A 34 x 28 mm BGA package (BGA1288) QM57可搭配的CPU： Intel(r) CoreTM i7-620M Processor PGA SV Intel(r) CoreTM i7-610E Processor BGA SV Intel(r) CoreTM i7-620LE Processor BGA LV Intel(r) CoreTM i7-620UE Processor BGA ULV Intel(r) CoreTM i5-520M Processor PGA SV Intel(r) CoreTM i5-520E Processor BGA SV Intel Embedded还有Celeron处理器P4500(PGA), P4505 (BGA, w/ECC)；QM57Intel® 5 Series Chipset Mobile SKUQM57QM57 FeatureFeatureDMI PCI-ExpressPCH(QM57)DMI×4 only 8 Ports PCI Express 2.0 running at 2.5GT/S Ports 1-4 and 5-8 support eight x1s, two x4s,two x2s and four x1s, or one x4 and four x1port widths PCI Rev 2.3 @ 33MHz Up to 4 Bus Masters 14 ports w/ two EHCI 2 Integrated USB2.0 Rate Matching Hub(RMH) six SATA portsExam ple on ly actu va ry al p rodu c t mayPCI USB 2.0 Ports SATAFeatureCore Voltage SATA RaidPCH(QM57)1.05V Raid 0/1/5/10Digital & Analog Display Interfaces Display interface into three lanes Port B：Display Port/HDMI/SDVO (LVDS, SDVO, DP, HDMI, VGA) Port C：Display Port/HDMI Port D：Display Port/HDMI TDP (Watts) Package Intel® Active ManagementTechnology 3.5W 1071 balls, 27x25x0.6 mm FCBGA AMT 6.0上电时序简单介绍G3状态G3状态特点：•Mechanical off机械关机，通过切断总电源来彻底关闭计算机，这时除了电池的功耗外，其他功耗为0，可以安全地拆装电脑；•G3状态下的主要信号：VCC_RTC,RTC_RST-；•拿到一块主板，没有接上ATX电源之前，由主板上的电池产生VBAT 电压（VCC_RTC）和CMOS跳线上的RTCRST-来供给南桥，RTCRST-用来复位南桥内部的逻辑电路；G2状态G2状态的特点：•G2/S5-Soft off软关机，这时电脑功耗很小，不可运行应用程序和操作系统。
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芯片制程（以Intel芯片为例）
如果问及芯片的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案——是硅。
这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。
难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。
当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。
下面，就让我们跟随芯片的制作流程，了解这从“沙子”到“黄金”的神秘过程吧！
（以Intel芯片为例）
芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其
区域开始，放入化学离子混合液中。
这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。
简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。
这一点类似所层PCB板的制作制作原理。
更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候
仅供个人学习参考
通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。
5、晶圆测试经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。
通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。
一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。
数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价
仅供个人学习参考。