半导体三极管放大2012课件

IB
I
’ B
RB
IC
R
C
N
P
-ຫໍສະໝຸດ Baidu
U
CC
N
U
BB
IE
a)载 流 子 传 输 情 况
1100
一是作为领导干部一定要树立正确的 权力观 和科学 的发展 观，权 力必须 为职工 群众谋 利益， 绝不能 为个人 或少数 人谋取 私利
提问？为什么少子只考虑 I CBO，因为集电结反偏，少子不可忽视
三极管内部电流的流向
•发射区向基区注入电子，形 成发射极电流 iE •电子在基区中的扩散与复合 ，形成基极电流 iB
(因为基区很薄，掺杂少， iB小)
•集电区收集扩散过来的电子 ，形成集电极电流 iC
•少子的漂移形成集电极饱和电流
ICBO
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c
IC
IC n
IC BO
N
b P
IB
Rb
IB n
N
U BB
e
内部： （内构造）
• 发射区杂质浓度>>基区和集电区 • 基区很薄 • 发射区面积＜＜集电区面积 外部：(外加电压） • 发射结正偏 • 集电结反偏
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IE
Rc U CC
图 3-3-2 NPN型 三 极 管 中 载 流子的传输示意图
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（3）电流分配关系（含大小）：
iE = iC + iB
★★放大原理小结
iC iB
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BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
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2.1.1 BJT的结构简介
外形
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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三极管结构及符号
NPN型
C
集电结
N
B
P
发射结
N
E
PNP型
集电结 B
发射结
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集电区
C
基区 B
发射区
E
C P N P
E
集电区 基区 B 发射区
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实验表明iC比iB大数十至数百倍。iB虽然 很小，但对iC有控制作用，iC随iB的改变 而改变，即基极电流较小的变化可以引
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BJT的结构剖面
集成电路中典型NPN型BJT的截面图
e bc
P
N
N
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内部： （内构造） 发射区杂质浓度>>基区和集电区 基区很薄 发射区面积＜＜集电区面积
半导体三极管类型
半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。
在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）
都参与导电，故又称为双极型晶体管，简 称晶体管或三极管。
两个PN结，把半导体分成三个区域。这 三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是 P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型 和PNP型。
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e bc
P
N
N
正箭
向头
电方
压向
时表
C
的示 电发
流射
方结
E
向加
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2.1.2
放大状态下BJT的工作原理
--------电流分配和电流放大作用
（1）产生放大作用的条件
使内部载流子三个传输过程正常进行的条件：
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3.1 BJT
2.1.1 BJT的结构简介 2.1.2 放大状态下BJT的工作原理 2.1.3 BJT的V-I 特性曲线 2.1.4 BJT的主要参数 2.1.5 三极管放大的三种组态
（2）三极管内部载流子的传输过程
发射结正偏（多子扩散）：
发射区（N区电子浓度大）向基 区发射多子电子的过程，电子在 （薄的）基区扩散和复合过程（ 复合很少部分，大部分到集电区
边缘） 集电结反偏（少子漂移）：
电子被（大面积、掺杂少）集电
区吸引和收集的过程（同时少 子有漂移）
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IC E O
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BJT和TTL概念
BJT：Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管， 简称晶体三极管。 TTL(逻辑门电路) 全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路 ，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较 早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT和电阻构成， 具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后 来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系 列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电 路取代。
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第二章 半导体三极管放大电路
2.1 BJT 2.2 基本共射极放大电路 2.3 放大电路的分析方法 2.4 放大电路静态工作点的稳定问题 2.5 多级放大电路 2.6 其他放大电路