内存颗粒编号与内存品牌知识介绍

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
三星内存颗粒
目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。v 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Micron内存颗粒
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

　A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）
。 西门子内存颗粒
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
Kingmax内存颗粒
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133 /CL=2； -7——PC133 /CL=3； -8A——PC100/ CL=2； -8——PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 HY颗粒编号 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和

刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A
三星DDR内存：

在目前的DDR内存市上三星的DDR内存销量可以说是最大的。搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。 KM KM X XX X XX X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的 2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM 3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V 5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit 6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs] 7、表示内存排数：3：4排、4：8排 8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V) 9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP) 10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)

Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j MT XX XX XX X XX XX XX XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT代表Micron的产品 2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus 3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS 5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB） 6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA 8、代表速度：-8支

持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5） 9、代表功耗：L=低耗，空白=普通

TOSHIBA DDR内存:
TC XX X XX XX X XX X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、TC代表是东芝的产品 2、59代表SDRAM代表是SDRAM 3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb 5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新 7、代表封装：FT为TSO II封装 8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通 9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3

宇瞻DDR内存:
W XX XX XX XX 1 2 3 4 5 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
怎么样朋友们，看了上面的几款DDR内存颗粒编号秘密之后是不是感慨良多，是的，不要小看那几个简单的字母和数字，它里可蕴藏着很大的学问。以上只是举例了几种市场里能够找到的内存条颗粒，此外还有很多不同品牌、不同编号的内存颗粒，我们在这里就不一一举例说明了。所以说再多、看再多也是没有任何用处的，还需要朋友们亲自到市场里去实践去摸索！