模拟电子技术基础_第四版_童诗白_课后答案1[1]

合集下载

模电第四版(童诗白)答案

模电第四版(童诗白)答案

(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示;
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解: 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
, Ri
R1 //
rbe 1
, Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om (有效值) 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
, Ri
,I CQ
I BQ ,UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 , Ro R2 // R3
图(b): I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 , ICQ I BQ , R2 R3
6V ,最小稳定电流
I Z min 5mA ,最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值; (2)若 U I
35V
时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?

模拟电子技术基础课后习题答案童诗白

模拟电子技术基础课后习题答案童诗白

模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、(1)√(2)×(4)×(5)√二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1=6VUO2=5VUO6≈-2V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3ui和uo的波形如图所示。

1.4ui和uo的波形如图所示。

1.5uo的波形如图所示。

1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。

1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。

1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故⋅UI≈3.33V当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。

当UI=35V时,UO=UZ=5V。

(2)IDZ=(UI−UZ)R=29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。

模电第四版(童诗白)答案

模电第四版(童诗白)答案

10
(a) 图 P2.4 解:空载时: I BQ
(b)
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 6V ;
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ,有效值约为 3.75V 。 带载时: I BQ
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 3V

最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ,有效值约为 1.63V 。如解图 P2.4 所示。
5
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐 标值及 uGS 值,建立 iD 所示。
f (uGS ) 坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图 Pl.14 (b)
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
, Ri
,I CQ
I BQ ,UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 , Ro R2 // R3
图(b): I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 , ICQ I BQ , R2 R3
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
, Ri
R1 //
rbe 1
, Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 U BEQ 分别求出 RL

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

tttt1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

B 。

C.前者正偏、后者也正偏第1章 常用半导体器件自测题、判断下列说法是否正确,用灵”和V”表示判断结果填入空内。

(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。

(V )(2) 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(X )(3) PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(V )(4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R GS 大的特点。

(V )⑹若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

(X )、选择正确答案填入空内(1) PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏⑷U GS =OV 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写岀图TI.3所示各电路的输岀电压值,设二极管导通电压U D =0.7V图 T1.3解:U OI = 1.3V, U O 2=0V, U O 3=-1.3V, U O 4=2V, U O 5=1.3V, U O 6= -2V四、已知稳压管的稳压值 U z =6V ,稳定电流的最小值l zmin = 5mA 。

求图TI.4所示电路中U oi 和U °2各为多少伏(a)(b)图 T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1 = 6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O 2=5V 。

五、电路如 图 T1.5 所示,V cc =15V , =100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k 时,Uo=? ⑵若T 临界饱和,贝U R b =? 解:⑴ I B =VBB—U B E =26,R bI C = : I B = 2.6mA , U O =V CC -I C R C =2V 。

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案

《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案

模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小1.2电路如图P1.2 所示,已知u i = 10sinωt (V),试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。

1.3电路如图P1.3 所示,已知u i =5sinωt(V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u o 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ,电容C 对交流信号可视为短路;u i 为正弦波,有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值: I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V ,正向导通电压为 0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得 4 种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得 2 种:0.7V ;6V 。

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模拟电子技术基础第四版课后答案_童诗白

模拟电子技术基础第四版课后答案_童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答学习参考山东大学物理与微电子学院目录常用半导体器件基本放大电路14多级放大电路31集成运算放大电路......... •41....放大电路的频率响应50放大电路中的反馈.......... 60 ...信号的运算和处理......... 74••…波形的发生和信号的转换功率放大电路第10章直流电源•126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。

(l)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U G S=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管四、已知稳压管的稳压值U z=6V,稳定电流的最小值I zmin = 5mA。

求图TI.4所示电路中U oi和U o2各为多少伏。

lOV2knD 如]0V2kuD(b)T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U o1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

习题1.1选择合适答案填入空内。

(I)在本征半导体中加入(A )元素可形成N型半导体,加入(C )元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12 uA增大到22 uA时,I c从I mA变为2mA ,那么它的卩约为(C )。

A.83B.91C.100⑷当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将(A )。

A.增大;B.不变; C减小1.3电路如图P1.3 所示,已知U i =5sin®t (V),二极管导通电压U D=0.7 V。

模拟电子技术基础课后习题答案 童诗白

模拟电子技术基础课后习题答案 童诗白

第一章半导体基础知识自测题一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =−====−=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈−====−=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB cCESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3u i 和u o 的波形如图所示。

1.4u i 和u o 的波形如图所示。

ttt1.5u o 的波形如图所示。

1.6I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,?=100,U BE =。

试问:(1)R b =50k ?时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEBbV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

R = U I − U Z = 0.36~1.8kΩ IZ
图 P1.8
第一章题解-7
1.9 已 知 图 P1.9 所 示 电 路 中 稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ= 6V, 最 小 稳 定 电 流 IZmin= 5mA, 最 大 稳 定 电 流 IZmax= 25mA。
( 1) 分 别 计 算 UI 为 10V、 15V、 35V 三 种 情 况 下 输 出 电 压 UO 的 值 ; (2)若 UI= 35V 时 负载开 路,则会 出 现 什 么 现 象 ?为 什 么 ? 解 :( 1) 当 U I = 10V 时 , 若 U O= U Z =6V,则稳 压管的电 流为 4mA, 小于其最 小稳定电流,所以稳压管未击穿。故
导 gm 将

A.增 大
B.不 变
C.减 小
解 :( 1 ) A , C ( 2 ) A ( 3 ) C ( 4 ) A
第一章题解-4
1.2 能否将 1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.5V 时,管子会因电流过大而烧坏。
第一章 常用半导体器件
自测题
一、判 断下列说 法是否正 确,用“√ ”和“ ×”表示判断 结果填入 空内。 (1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型 半 导 体 。( ) ( 2 ) 因 为 N 型 半 导 体 的 多 子 是 自 由 电 子 , 所 以 它 带 负 电 。( ) ( 3) PN 结 在 无 光 照 、 无 外 加 电 压 时 , 结 电 流 为 零 。( ) ( 4) 处 于 放 大 状 态 的 晶 体 管 , 集 电 极 电 流 是 多 子 漂 移 运 动 形 成 的 。
1.14 已 知 两 只 晶 体 管 的 电 流 放 大 系 数 β 分 别 为 50 和 100,现 测 得 放 大 电 路中这两只管子两个电极的电流如图 P1.14 所示。分别求另一电极的电流, 标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
图 P1.14
解 : 答案如解图 P1.14 所示。
解 图 P1.14
图 P1.5
解 : uO 的波形如解图 P1.5 所示。
解 图 P1.5
第一章题解-6
1.6 电 路 如 图 P1 .6 所 示 ,二 极 管 导 通 电 压 UD= 0 .7 V,常 温 下 UT≈ 26 mV, 电 容 C 对 交 流 信 号 可 视 为 短 路 ; ui 为 正 弦 波 , 有 效 值 为 10mV。
解 :( 1 ) A ( 2 ) C ( 3 ) C ( 4) B ( 5 ) A C
第一章题解-1
三 、写 出 图 T1.3 所 示 各 电 路 的 输 出 电 压 值 ,设 二 极 管 导 通 电 压 UD= 0 .7 V。
图 T1.3
解 : UO1≈ 1.3V, UO2= 0, UO3≈ - 1.3V, UO4≈ 2V, UO5≈ 1.3V, UO6≈ - 2V。
1.1 3 有 两 只 晶 体 管 ,一 只 的 β = 200,ICEO= 2 00μ A;另 一 只 的 β = 1 00, ICEO= 10μ A, 其 它 参 数 大 致 相 同 。 你 认 为 应 选 用 哪 只 管 子 ? 为 什 么 ?
解 :选 用 β = 100、ICBO= 10μ A 的 管 子 ,因 其 β 适 中 、ICEO 较 小 ,因 而 温度稳定性较另一只管子好。
图 P1.11
解 : 波 形 如 解 图 P1.11 所 示
解 图 P1.11
1.12 在 温 度 20℃ 时 某 晶 体 管 的 ICBO= 2μ A, 试 问 温 度 是 60℃ 时 ICBO ≈?
解 : 6 0 ℃ 时 I C B O ≈ IC5BO(T=20°C)= 3 2 μ A 。
第一章题解-9
第 一 章 题 解 - 10
1.15 测 得放大电 路中六只 晶体管的 直流电位 如图 P1.15 所 示。在 圆圈 中 画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

A. 增大
B. 不变
C. 减小
(3)工 作在放大 区的某三 极管,如 果当 IB 从 12μ A 增 大到 22μ A 时 ,
IC 从 1mA 变 为 2mA, 那 么 它 的 β 约 为

A. 83
B. 91
C. 100
( 4) 当 场 效 应 管 的 漏 极 直 流 电 流 ID 从 2mA 变 为 4mA 时 , 它 的 低 频 跨
1.3 电 路 如 图 P1.3 所 示 , 已 知 ui= 10sinω t(v), 试 画 出 ui 与 uO 的 波 形 。 设二极管正向导通电压可忽略不计。
图 P1.3
解 图 P1.3
解 : ui 和 uo 的波形如解图 P1.3 所示。
1.4 电 路 如 图 P1.4 所 示 , 已 知 ui= 5sinω t (V), 二 极 管 导 通 电 压 UD= 0.7V。 试 画 出 ui 与 uO 的 波 形 , 并 标 出 幅 值 。
1.8 已 知 稳 压 管 的 稳 定 电 压 UZ= 6V, 稳 定 电 流 的 最 小 值 IZmin= 5mA, 最 大 功 耗 PZM= 150mW。 试 求 图 P1.8 所 示电路中电阻 R 的取值范围。
解:稳压管的最大稳定电流
IZM= PZM/UZ= 25mA 电 阻 R 的 电 流 为 I ZM ~ I Z mi n ,所 以 其 取值范围为
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将

A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
(2)设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是

A. ISeU
B . ISeU UT
C . IS(eU UT-1)
( 3) 稳 压 管 的 稳 压 区 是 其 工 作 在

A. 正向导通
B.反 向 截 止
-4 -4
解 表 T1.7
US/V -5
UG/V 1
3
3
6
0
UD/V 3 10 5
工作状态 恒流区 截止区
可变电阻区


1.1 选择合适答案填入空内。
( 1 )在 本 征 半 导 体 中 加 入
元 素 可 形 成 N 型 半 导 体 ,加 入
元素
可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
( 2) 当 温 度 升 高 时 , 二 极 管 的 反 向 饱 和 电 流 将
图 P1.4
解 : 波形如解图 P1.4 所示。
解 图 P1.4 第一章题解-5
1.5 电 路 如 图 P1.5( a) 所 示 , 其 输 入 电 压 uI1 和 uI2 的 波 形 如 图 ( b) 所 示 , 二 极 管 导 通 电 压 UD= 0.7V。 试 画 出 输 出 电 压 uO 的 波 形 , 并 标 出 幅 值 。
() (5)结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反 向 电 压 , 才 能 保 证 其 R GS 大 的 特 点 。( ) ( 6)若 耗 尽 型 N 沟 道 M OS 管 的 UGS 大 于 零 ,则 其 输 入 电 阻 会 明 显 变 小 。 () 解 :( 1) √ ( 2) × ( 3) √ ( 4 ) × ( 5 ) √ ( 6) ×
( 1) 若 将 它 们 串 联 相 接 , 则 可 得 到 几 种 稳 压 值 ? 各 为 多 少 ? ( 2) 若 将 它 们 并 联 相 接 , 则 又 可 得 到 几 种 稳 压 值 ? 各 为 多 少 ? 解 :( 1) 两 只 稳 压 管 串 联 时 可 得 1 .4V、 6 .7 V、 8 .7 V 和 14V 等 四 种 稳 压 值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。
C.反 向 击 穿
( 4) 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 , 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为

A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
( 5) UGS= 0V 时 , 能 够 工 作 在 恒 流 区 的 场 效 应 管 有

A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
IB
= VBB −U BE Rb
= 26 μ A
I C = β I B = 2.6mA U CE = VCC − I C RC = 2V
所 以 输 出 电 压 UO= UCE= 2V。 ( 2) 设 临 界 饱 和 时 UCES= UBE= 0.7V, 所 以
图 T1.6
IC
= VCC
− U CES Rc
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 , VCC= 15V, β = 100, UBE= 0.7V。 试 问 : ( 1) Rb= 50kΩ 时 , uO= ? (2)若 T 临界饱和,则 Rb≈? 解 :( 1 ) Rb = 5 0k Ω 时 , 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
图 T1.5
解 图 T1.5
解 : 根 据 PCM= 200mW 可 得 : UCE= 40V 时 IC= 5mA, UCE= 30V 时 IC ≈ 6.67mA, UCE= 20V 时 IC= 10mA, UCE= 10V 时 IC= 20mA, 将 各 点 连 接 成 曲 线,即为 临界过损 耗线,如 解图 T1.5 所示。临界 过损耗线 的左边为 过损 耗 区。
四 、 已 知 稳 压 管 的 稳 压 值 UZ= 6V, 稳 定 电 流 的 最 小 值 IZmin= 5mA。 求 图 T1.4 所 示 电 路 中 UO1 和 UO2 各 为 多 少 伏 。
相关文档
最新文档