ML 制造流程介绍
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開發成功後才具體化。
c.1936年,英國的艾斯拉首倡現在這種全面覆蓋著金屬箔的絕緣基板,塗上耐蝕 刻
油墨後再將不需要的金屬箔蝕刻去掉減除法,PWB基本製造技術。
d.1953年,日本在PWB實用化。收音機…等民生用品
e.1960年之後,日本開始採用貫孔鍍銅雙面板製造技術電子計算機,週邊佟端 機
f.1964年,日本電信電話公社引進美國1960已實用化的ML-PWB製造技術,用 於電
規格定義 製作流程定義 材料使用定義
Too Ling
AOI 檢查 電測設計 生產工程圖
(模治具)
b.內層板線路轉移AOI檢查:
b-1.製作流程注意事項要點:
b-1-1.裁板投料: 發料尺寸確認 基板銅厚確認
b-1-2.內層銅面處理:機械研磨粗糙度(厚度28mil以上)不織布校正整平 。
化學研磨粗糙度(厚度28mil以下)當槽度,微蝕 速度..等
C .AOI檢查工程: C-1.檢測前之準備工作: C-1-1.AOI掃描機參數設定 C-1-2.基板掃描固定孔 CCD破靶
C-2.AOI檢查台掃描、VRS人工目視
C-3.直接人工目視
C-4.不良品補修正確認處置
C-5.AOI機台檢測有其極限:細斷路及漏電Leakage很難完全找出。
D.黑氧化處理(Blห้องสมุดไป่ตู้ck/Brown Oxide Treatment)
。
目的:增加氧化層的抗酸性,並剪經絨毛高度到適當水準;以減少絨毛過長
在壓合後及後製程被藥液之攻擊可能性。
D-3.氧化處理之反應式:
Cu ° +Cu O2
Cu2O+ClO3+ Cl-
Cu2O +2CuO2
Cu O+ClO3 + Cl-
CCuu2(OO+HH)22O75~80 °C以上CuC(OuHO)+2H+C2Ou2+
MASS LAM 製造流程介紹
▪ 一、PWB的歷史 ▪ 二、多層印刷電路板(Mass Lam)的製造工程 ▪ 三、品質管制與檢驗
a.1940年代之前,PWB製造技術開始普遍,通信機器或收音機的配線－銅線黏貼 於
石蠟上;成了現今PCB的機構雛型。
b.1927年,用印刷方式在玻璃或陶瓷基板上造成電路的構想,之後以絕緣樹脂基 板
子計算機及電子交換機…等。
g.1964年以後至今,除了絕緣材料特性改變外,尺寸穩定性、 耐電蝕性、 銲錫耐 熱
性、 防燃性等綜合檢討,最後到目前使用的Glass fiber Copper Clad
二、多層印刷電路板的製造工程(MASS-LAM)
3-1.基板與黏合片(P/P)原材料
3-1-1.構成要素:銅箔、玻璃纖維布、樹脂..等
乾燥溫度表面孔內乾燥必要。
b-1-3.內層壓膜:定義:將曝光阻劑貼付在待產基板銅面上並使其加熱產生 熱
反應,附著在銅面上 。 控制:壓膜S/P ,T °C ,Pressure ,滾輪清潔度…等 。
b-1-4.曝光作業:定義:將壓膜完成之基板經由UV光照射使其產生光化學 反應
達到影像轉移到阻劑上(乾膜)謂之曝光 。 控制:曝光能量(m j/cm2) 真空度,對位精準度( film與 基板,層與
C
基板
剝膜：俗稱“去膜”亦就是將抗蝕刻之光阻劑在此將其去除掉並同洗淨 烘乾
銅箔表面待下一工程站。 剝膜在PCB製程中有2個 Step會使用:
一是內層或外層酸性蝕刻後之D/F或油墨去除; 另一是外層線路蝕刻前D/F除去(鹼性蝕刻液使用場合)。 使用剝膜液通常為 Na OH或 KOH,以Na OH為最普遍且成本較低。 外層蝕刻剝膜液選擇宜謹慎(酸性蝕刻液)文獻指出K(鉀)會攻擊錫! 外層阻劑為錫鉛共金屬化合物。
乾膜(P/F)或油墨作為蝕刻阻劑且具抗酸,一般大部份選擇酸性蝕
刻 液。
在CC外uuC層°l2蝕蝕+刻刻Cu製反2+程應,式可選2擇Cu酸+ 性或鹼性氨水蝕刻液。
Cu Cu
° °
++HH22CCuuCCll44+2HCHl 2CuC2BlH3+2CCuuCCll3
阻劑
EtDc/hCin示g 意F控蝕aCc圖制刻utoC:因r:蝕l+子刻2H(速銅Ce度l線/f,值路T)°HC2,C比uC重l3(A銅含量),HCl,H2O2濃D 度控制
沖
洗出並徹底洗淨基板表面謂之。
控制:藥液濃度%比率,膜含量控制,S/P ,T °C, 顯影點(break point)維
持 50~70%…等重點。
蝕刻:乾膜光阻劑經顯像後無阻劑部位即被所謂蝕刻液咬蝕去銅,即形
成
所需要之回路謂之。
蝕刻液常見可分為兩種:一是酸性氧化銅( CuCl2)蝕刻液 一是鹼性氨水( NH4Cl)蝕刻液
D-1.氧化反應:( 產生Cu O )
目的:a.增加與樹脂接觸的表面積及附著力( Bonding Adhesion)
b.增加銅面對樹脂流動之潤濕性(各死角流入及硬化後抓地力)
c.在裸銅表面產生一層緻密的純化層( Passivation)以阻絕高溫下液
態
resin中胺類Amine對銅面的影響。
D-2.還原反應: (Post dip ping process),TUC目前為黑化反應並加後予浸方式
洽談工程製作規範及品質檢驗允收規範。
a-2.工程部製前製作內容資料審查CAM編輯、廠內製作工單、工作底片繪
制
轉至生產部門。
a-3.製前設計流程:
CAD/CAM 下料尺寸 Art work NC Drilling Program NC Routing Program
客戶資料提供
資料審查
著手設計
Process Flow Design 操作參數條件指示
層間),同心圓設計,Multi line蝕後沖孔…對位 系統考量。
UV照光機構示意圖
絕緣基板(thin core) LAMINATION 壓膜or其印刷方式
乾膜阻劑
Exposure 照光,曝光經由工作底片 工作底片 銅箔絕緣基板
乾膜阻劑
b-1-5.顯影,蝕刻,剝膜(D.E.S) 顯影 :定義:將曝光完成之基板其光阻劑未有UV光硬化之部位以顯影液
3-1-2.製造方法:CCL 、P/P之製造方法
3-2.多層印刷電路板製造流程:見附圖 P5
製前準備: a.客戶使用者
製
工
前
迴路設計
CAD
作
審
CAM
底
查
CAT
片
準
備 原始底片
Gerber file
a-1.行銷員向客戶取得 工單or製作仕樣書
Gerber file
必要時會同工程、品保人員
Check 片
c.1936年,英國的艾斯拉首倡現在這種全面覆蓋著金屬箔的絕緣基板,塗上耐蝕 刻
油墨後再將不需要的金屬箔蝕刻去掉減除法,PWB基本製造技術。
d.1953年,日本在PWB實用化。收音機…等民生用品
e.1960年之後,日本開始採用貫孔鍍銅雙面板製造技術電子計算機,週邊佟端 機
f.1964年,日本電信電話公社引進美國1960已實用化的ML-PWB製造技術,用 於電
規格定義 製作流程定義 材料使用定義
Too Ling
AOI 檢查 電測設計 生產工程圖
(模治具)
b.內層板線路轉移AOI檢查:
b-1.製作流程注意事項要點:
b-1-1.裁板投料: 發料尺寸確認 基板銅厚確認
b-1-2.內層銅面處理:機械研磨粗糙度(厚度28mil以上)不織布校正整平 。
化學研磨粗糙度(厚度28mil以下)當槽度,微蝕 速度..等
C .AOI檢查工程: C-1.檢測前之準備工作: C-1-1.AOI掃描機參數設定 C-1-2.基板掃描固定孔 CCD破靶
C-2.AOI檢查台掃描、VRS人工目視
C-3.直接人工目視
C-4.不良品補修正確認處置
C-5.AOI機台檢測有其極限:細斷路及漏電Leakage很難完全找出。
D.黑氧化處理(Blห้องสมุดไป่ตู้ck/Brown Oxide Treatment)
。
目的:增加氧化層的抗酸性,並剪經絨毛高度到適當水準;以減少絨毛過長
在壓合後及後製程被藥液之攻擊可能性。
D-3.氧化處理之反應式:
Cu ° +Cu O2
Cu2O+ClO3+ Cl-
Cu2O +2CuO2
Cu O+ClO3 + Cl-
CCuu2(OO+HH)22O75~80 °C以上CuC(OuHO)+2H+C2Ou2+
MASS LAM 製造流程介紹
▪ 一、PWB的歷史 ▪ 二、多層印刷電路板(Mass Lam)的製造工程 ▪ 三、品質管制與檢驗
a.1940年代之前,PWB製造技術開始普遍,通信機器或收音機的配線－銅線黏貼 於
石蠟上;成了現今PCB的機構雛型。
b.1927年,用印刷方式在玻璃或陶瓷基板上造成電路的構想,之後以絕緣樹脂基 板
子計算機及電子交換機…等。
g.1964年以後至今,除了絕緣材料特性改變外,尺寸穩定性、 耐電蝕性、 銲錫耐 熱
性、 防燃性等綜合檢討,最後到目前使用的Glass fiber Copper Clad
二、多層印刷電路板的製造工程(MASS-LAM)
3-1.基板與黏合片(P/P)原材料
3-1-1.構成要素:銅箔、玻璃纖維布、樹脂..等
乾燥溫度表面孔內乾燥必要。
b-1-3.內層壓膜:定義:將曝光阻劑貼付在待產基板銅面上並使其加熱產生 熱
反應,附著在銅面上 。 控制:壓膜S/P ,T °C ,Pressure ,滾輪清潔度…等 。
b-1-4.曝光作業:定義:將壓膜完成之基板經由UV光照射使其產生光化學 反應
達到影像轉移到阻劑上(乾膜)謂之曝光 。 控制:曝光能量(m j/cm2) 真空度,對位精準度( film與 基板,層與
C
基板
剝膜：俗稱“去膜”亦就是將抗蝕刻之光阻劑在此將其去除掉並同洗淨 烘乾
銅箔表面待下一工程站。 剝膜在PCB製程中有2個 Step會使用:
一是內層或外層酸性蝕刻後之D/F或油墨去除; 另一是外層線路蝕刻前D/F除去(鹼性蝕刻液使用場合)。 使用剝膜液通常為 Na OH或 KOH,以Na OH為最普遍且成本較低。 外層蝕刻剝膜液選擇宜謹慎(酸性蝕刻液)文獻指出K(鉀)會攻擊錫! 外層阻劑為錫鉛共金屬化合物。
乾膜(P/F)或油墨作為蝕刻阻劑且具抗酸,一般大部份選擇酸性蝕
刻 液。
在CC外uuC層°l2蝕蝕+刻刻Cu製反2+程應,式可選2擇Cu酸+ 性或鹼性氨水蝕刻液。
Cu Cu
° °
++HH22CCuuCCll44+2HCHl 2CuC2BlH3+2CCuuCCll3
阻劑
EtDc/hCin示g 意F控蝕aCc圖制刻utoC:因r:蝕l+子刻2H(速銅Ce度l線/f,值路T)°HC2,C比uC重l3(A銅含量),HCl,H2O2濃D 度控制
沖
洗出並徹底洗淨基板表面謂之。
控制:藥液濃度%比率,膜含量控制,S/P ,T °C, 顯影點(break point)維
持 50~70%…等重點。
蝕刻:乾膜光阻劑經顯像後無阻劑部位即被所謂蝕刻液咬蝕去銅,即形
成
所需要之回路謂之。
蝕刻液常見可分為兩種:一是酸性氧化銅( CuCl2)蝕刻液 一是鹼性氨水( NH4Cl)蝕刻液
D-1.氧化反應:( 產生Cu O )
目的:a.增加與樹脂接觸的表面積及附著力( Bonding Adhesion)
b.增加銅面對樹脂流動之潤濕性(各死角流入及硬化後抓地力)
c.在裸銅表面產生一層緻密的純化層( Passivation)以阻絕高溫下液
態
resin中胺類Amine對銅面的影響。
D-2.還原反應: (Post dip ping process),TUC目前為黑化反應並加後予浸方式
洽談工程製作規範及品質檢驗允收規範。
a-2.工程部製前製作內容資料審查CAM編輯、廠內製作工單、工作底片繪
制
轉至生產部門。
a-3.製前設計流程:
CAD/CAM 下料尺寸 Art work NC Drilling Program NC Routing Program
客戶資料提供
資料審查
著手設計
Process Flow Design 操作參數條件指示
層間),同心圓設計,Multi line蝕後沖孔…對位 系統考量。
UV照光機構示意圖
絕緣基板(thin core) LAMINATION 壓膜or其印刷方式
乾膜阻劑
Exposure 照光,曝光經由工作底片 工作底片 銅箔絕緣基板
乾膜阻劑
b-1-5.顯影,蝕刻,剝膜(D.E.S) 顯影 :定義:將曝光完成之基板其光阻劑未有UV光硬化之部位以顯影液
3-1-2.製造方法:CCL 、P/P之製造方法
3-2.多層印刷電路板製造流程:見附圖 P5
製前準備: a.客戶使用者
製
工
前
迴路設計
CAD
作
審
CAM
底
查
CAT
片
準
備 原始底片
Gerber file
a-1.行銷員向客戶取得 工單or製作仕樣書
Gerber file
必要時會同工程、品保人員
Check 片