核磁共振氢谱化学位移

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蔽效应,σ称为屏蔽常数。
由于屏蔽效应不同导致化学环境不同的 原子核共振频率不同,因而在不同的位 置上出现吸收峰,这种现象称为化学位 移。
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化学位移的表示方法与测定
•高场与低场的区分
•化学位移的表示方法——位移常数
•测定和计算方法——标准物质(通常用TMS,即四甲基 硅)对照法:
6. 温度:大多数信号的共振位置受温度影响很小,但OH, -NH和-SH在升高温度时形成氢键的程度降低,化学 位移移向高场,降低。 7. 溶剂效应:溶剂的磁各向异性和溶质与溶剂之间形成 氢键将对溶质中不同位置的氢核的化学位移产生影响。
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影响化学位移的因素
(4)单键的磁各向异性效应
直立键上的氢核处于屏蔽区,在较高场,平伏键上的氢核处于去屏 蔽区,在较低场,化学位移值大约相差0.5 ppm。
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影响化学位移的因素
5. 氢键:分子形成氢键后,氢核周围的电子云密度降低 ,产生去屏蔽作用,化学位移向低场移动,增大。
(1)自旋核(I≠0)
(2)外加磁场B0 (3)外加射频的能量hv等于自旋核磁能级的能量差:
hv
E
h
2
B0
1
2
B0
2. 面临的问题:
从核磁共振条件式可以看出,磁性原子核的共振频率ν只和 磁旋比γ和外加磁场强度B0有关。那么,在一定条件下测定 时,所有1H只产生一条谱线,所有的13C也只产生一条谱线 ,这样对于有机物结构分析就没有什么意义。
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化学位移的产生
•核外电子的影响,屏蔽效应,化学位移
修正的核磁共振条件

h
h
2
B0 ( 1
)
1
2
B0 ( 1
)
核外电子在外加磁场作用下产生电子环
流,电子环流产生相应的感应磁场,感
应磁场的方向与原外加磁场的方向相反
,磁场强度等于σB0,此时原子核实际 受到的磁场强度小于原外加磁场强度B0 ,这种核外电子对原子核Байду номын сангаас影响称为屏
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化学位移的表示方法与测定
2.05
3.66
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影响化学位移的因素
1. 诱导效应:吸电子诱导效应降低原子核周围的电子云 密度,化学位移向低场移动,增大。
CH3X中甲基和各种取代基连接后的化学位移
-X
F OCH3 Cl Br CH3 H
4.26 3.24 3.05 2.68 0.88 0.2
2. 共轭效应
3. 杂化效应
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影响化学位移的因素
4. 磁各向异性效应,屏蔽与去屏蔽 (1) 双键的磁各向异性效应
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核磁共振氢谱化学位移
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2020年4月15日星期三
内容提要
化学位移的产生 化学位移的表示方法与测定 影响化学位移的因素 不同质子的化学位移
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化学位移的产生
•核磁共振条件及面临的问题
1. 核磁共振的条件小结:
样品 TMS 106 仪器
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化学位移的表示方法与测定
四甲基硅(TMS)作为标准物质的优点:
•TMS化学性质不活泼,与样品之间不发生化学反应和分子间缔合 ; •TMS是一个对称结构,四个甲基的化学环境完全相同,不论在氢 谱还是碳谱都只产生一个吸收峰; •Si的电负性小(1.9),TMS中氢核与碳核周围的电子云密度高,屏 蔽效应大,产生NMR信号所需的磁场强度比一般有机物中的氢核 和碳核产生NMR信号所需的磁场强度大得多,处于较高场,与绝 大部分样品信号不发生重叠和干扰; •TMS沸点低(27℃),容易去除,有利于回收样品。
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影响化学位移的因素
(2)苯环的磁各向异性效应
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环内氢 = -2.99 环外氢 = 9.28
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影响化学位移的因素
(3)叁键的磁各向异性效应
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不同质子的化学位移
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不同质子的化学位移
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不同质子的化学位移
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