模拟电子技术习题及答案
(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
模拟电子技术习题答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2021.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝〞表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1M Ω，输出电压为1V 〔有效值〕，如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1M Ω，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1。
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
（2分)A.电阻阻值有误差 B。
晶体管参数的分散性C。
晶体管参数受温度影响 D。
晶体管结电容不确定性。
标准答案：C2。
稳压二极管的有效工作区是（ )。
（2分）A。
正向导通区 B。
反向击穿区 C。
反向截止区 D。
死区。
标准答案：B3。
如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）。
（2分）A。
放大状态 B。
微导通状态 C。
截止状态 D。
饱和状态。
标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
（2分）A。
便于设计 B。
放大交流信号C.不易制作大容量电容 D。
不易制作大阻值的电阻。
标准答案：C5。
用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（）. (2分）A。
抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大C。
差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大。
标准答案：A6。
半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A。
N区自由电子向P区的扩散运动B。
N区自由电子向P区的漂移运动C。
P区自由电子向N区的扩散运动D。
P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7。
理想的功率放大电路应工作于( )状态. （2分）A。
甲类互补 B。
乙类互补 C。
甲乙类互补 D.丙类互补。
标准答案：C8。
NPN共射电路的Q点设置在接近于（）处将产生顶部失真。
(2分）A。
截止区 B.饱和区 C。
击穿区 D。
放大区。
标准答案:A9。
当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( ）。
（2分）A。
低通 B.高通 C。
带通 D。
带阻标准答案：C10。
差动放大电路的特点是抑制（）信号，放大（）信号。
(2分）A。
共模共模 B.共模差模C.差模差模 D。
差模共模。
标准答案：B11。
利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分）（）。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
电子技术及实训模拟题(附参考答案)
电气设备及主系统判断模拟练习题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、直流电弧电压中，端部靠近触头的区段，导电率高，电位梯度大。
（）A、正确B、错误正确答案：B2、开关电器包括断路器、隔离开关、负荷开关和电抗器等。
（）A、正确B、错误正确答案：B3、计算电流互感器二次侧负荷容量时，应考虑二次负载电阻、二次导线电阻、接触电阻等所有电阻。
（）A、正确B、错误正确答案：A4、带有接地闸刀的隔离开关操作时必须先闭合隔离开关，后断开接地闸刀；先闭合接地闸刀，后断开隔离开关。
（）A、正确B、错误正确答案：B5、当电气设备一相绝缘损坏而与外壳相碰发生接地短路时，接地电流可以通过接地体向大地四周流散，形成半球形的电流场。
（）A、正确B、错误正确答案：A6、间隔将设备故障的影响限制在最小的范围内，以免波及相邻的电气回路。
（）A、正确B、错误正确答案：A7、单母接线的可靠性比双母接线高。
（）A、正确B、错误正确答案：B8、导体的对流散热量和导体的比热容有关。
（）A、正确B、错误正确答案：B9、分裂电抗器正常运行时，要求两臂母线的电压波动不大于母线额定电压的5%。
（）A、正确B、错误正确答案：A10、目前，核电站主要是利用核裂变反应释放能量来发电。
（）A、正确B、错误正确答案：A11、一般发电厂中都是用事故保安电源兼做备用电源。
（）A、正确B、错误正确答案：B12、除另有规定外，由发电厂、变电所区域内引出的铁路轨道不需要接地。
（）A、正确B、错误正确答案：A13、无母线接线形式的进出线一般比较多。
（）A、正确B、错误正确答案：B14、发电机断路器应具有开断非对称短路电流的能力、关合额定短路电流的能力和开断失步电流的能力。
（）A、正确B、错误正确答案：A15、110kV及以上的裸导体，应按晴天不发生全面电晕的条件校验，裸导体的临界电晕电压U。
应不高于最高工作电压。
（）A、正确正确答案：B16、为满足机械强度要求，电流互感器二次侧导线，一般要求铜线截面不得小于1.5mm²；铝线截面不得小于2.5mm²。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术考试试卷(附答案)
模拟电子技术考试试卷（附答案）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般采用_______________电路。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从输入端看进去的输入电阻，接Rf应与_______点和________点相连；（2）希望输出端接上负载RL 后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf与_______点和________点相连；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，UBE=0.7V。
求（1）ICQ1=ICQ2=__________mA；（2分）（2）UCQ1=UCQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知V cc =12V ，R L = 8Ω ，v i 为正弦电压。
（10分） 1．求在U CES = 0的情况下，电路的最大输出功率P max 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为U om = 10V ，当输入信号时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。
1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。
模拟电子技术试题及答案
练习一一、填空(16分）1．半导体二极管的主要特性是___________ .2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ . 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____，但这种功放有______失真.6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域.二、选择正确答案填空（24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,—10 V，-9。
3 V,则这只三极管是( ）。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为( ).A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV,则电路的( ).A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV.D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的（）.A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为（）.A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ )。
(完整版)模拟电子技术测试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
模拟电子技术期末试题及答案
模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件？A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案：C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的，数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态，数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理，数字信号只能用数字器件处理答案：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的？A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案：A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率？答案：功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么？答案：安培（A）3. 以下哪个单位可以表示电压？答案：伏特（V）4. 以下哪个单位可以表示电阻？答案：欧姆（Ω）5. 模拟信号的频率单位是什么？答案：赫兹（Hz）三、简答题1. 请解释什么是反馈电路，并说明其作用。
答案：反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端，用来改变输入端的输入量，以达到控制输出信号的目的。
反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。
2. 简述运放的作用和基本构造。
答案：运放（操作放大器）是一种重要的模拟电子元件，可以放大电压信号，具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。
它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。
3. 请解释什么是滤波器，并列举两种常见的滤波器类型。
答案：滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。
常见的滤波器类型有低通滤波器（只允许低于截止频率的信号通过）和高通滤波器（只允许高于截止频率的信号通过）。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
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模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴与自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子就是电子 ;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子就是空穴。
3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时,二极管的反向饱与电流将增大 ,正向压降将减小。
5.整流电路就是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管就是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管就是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0、65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。
1.2 单选题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。
A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 就是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
( √ )2.因为N型半导体的多子就是自由电子,所以它带负电。
( × )时会损坏。
( × )3.二极管在工作电流大于最大整流电流IF4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1.4 分析计算题1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U=0、7V,试写出各电路的输D(on)出电压Uo值。
解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U＝(6—0、7)V＝5、3 V。
(b)令二极管断开,可得UP ＝6 V、UN＝10 V,UP<UN,所以二极管反向偏压而截止,U＝10 V。
(c)令V1、V2均断开,UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V,UP—UN1>Up—UN2,故V1优先导通后,V2截止,所以输出电压U＝0、7 V。
2.电路如图T1.2所示,二极管具有理想特性,已知ui＝(sinωt)V,试对应画出ui 、u、iD的波形。
解:输入电压ui为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即u 0＝0,而流过二极管的电流iD＝ui／R,为半波正弦波,其最大值IDm＝10 V／1 kΩ＝10 mA;当ui 为负半周时,二极管反偏截止,iD＝0,u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。
3.稳压二极管电路如图T1.3所示,已知UZ ＝5 V,IZ＝5 mA,电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开与闭合时,电压表○V与电流表○A1、○A2读数分别为多大?解:当开关S 断开,R 2支路不通,I A2＝0,此时R 1与稳压二极管V 相串联,因此由图可得ZA I mA K VR U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合,令稳压二极管开路,可求得R 2两端压降为ZR U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R 1、R 2构成串联电路,电流表A 1、A 2的读数相同,即mAK VR R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数,即R 2两端压降为3、6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2.1 填空题1.晶体管从结构上可以分成 PNP 与 NPN 两种类型,它工作时有 2 种载流子参与导电。
2.晶体管具有电流放大作用的外部条件就是发射结 正偏 ,集电结 反偏 。
3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别就是 放大 、 饱与 、 截止 。
4.当温度升高时,晶体管的参数β 增大 ,I CBO 增大 ,导通电压U BE 减小 。
5.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10μA 变化到20μA 时,集电极电流从1mA 变为1、99 mA,则交流电流放大系数β约为 99 。
6.某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V,因此,当工作电压U CE =10V 时,工作电流I C 不得超过 10 mA;当工作电压U CE =1V 时,I C 不得超过 20 mA;当工作电流I C =2 mA 时,U CE 不得超过 30 V 。
7.场效应管从结构上可分为两大类: 结型 、 MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时就是否存在导电沟道,又可分为两种: 耗尽型 、 增强型 。
8.U GS(off)表示 夹断 电压,I DSS 表示 饱与漏极 电流,它们就是 耗尽 型场效应管的参数。
2.2 单选题1.某NPN 型管电路中,测得U BE =0 V,U BC = —5 V,则可知管子工作于( C )状态。
A.放大B.饱与C.截止D.不能确定2.根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为( B )。
A.NPN 型低频小功率硅晶体管 B.NPN 型高频小功率硅晶体管 C.PNP 型低频小功率锗晶体管 D.NPN 型低频大功率硅晶体管3.输入( C )时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号4.( D )具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN型管与PNP型管B.增强型场效应管与耗尽型场效应管C.N沟道场效应管与P沟道场效应管D.晶体管与场效应管5.当UGS＝0时,( B )管不可能工作在恒流区。
A.JFETB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.NMOS管6.下列场效应管中,无原始导电沟道的为( B )。
A.N沟道JFETB.增强~AI PMOS管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管2.3 就是非题1.可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( × )2.MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √ )3.EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。
( × )4.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √ )5.场效应管用于放大电路时,应工作于饱与区。
( √ )2.4 分析计算题1.图T2.1所示电路中的晶体管为硅管,试判断其工作状态。
解:(a)UBE =UB—UE＝0、7—0＝0、7V,发射结正偏;U BC =UB—UC＝0、7—3＝—2、3 V,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) UBE =UB—UE＝2—3＝—1V,发射结反偏;U BC =UB—UC＝2—5＝—3 V,集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) UBE =UB—UE＝3—2、3＝0、7V,发射结正偏;U BC =UB—UC＝3—2、6＝0、4V,集电结正偏因此晶体管工作在饱与状态。
(d)该管为PNP型晶体管U EB =UE—UB＝(—2)—(—2、7)＝0、7V,发射结正偏;UCB=UC—UB＝(—5)—(—2、7)＝—2、3V,集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2.图T2.2所示电路中,晶体管均为硅管,β=100,试判断各晶体管工作状态,并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解:(a)方法一:mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-=设晶体管工作在放大状态,则有 I C ＝βI B ＝100×0、053＝5、3mAU CE ＝12—5、3×3＝—3、9 V<0说明上述假设不成立,晶体管已工作在饱与区。
令晶体管的饱与压降U CE(Sat)＝0、3 V,则集电极电流为mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-=因此可得晶体管的I B ＝0、053 mA 、I C ＝I CS ＝3、9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0、3 V 方法二:mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-=mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-=mA I I CSBS 039.01009.3===β因为I B >I BS ,所以晶体管处于饱与状态,因而有I B ＝0、053 mA 、I C ＝I CS ＝3、9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0、3 V(b) A mA K VI B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态,则有 I C ＝100×0、008 4 mA ＝0、84 mA U CE ＝5 V —0、84×3＝2、48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立,计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压,发射结与集电结均反偏,所以晶体管截止,则I B ＝0,I C ＝0,U CE ＝5 V3.放大电路如图T2.3所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零,试画出各电路的直流通路、交流通路与小信号等效电路。
解:(a)将C 1、C 2断开,即得直流通路如下图(a)所示;将C 1、C 2短路、直流电源对地短接,即得交流通路如下图(b)所示;将晶体管用小信号电路模型代人,即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。
4.场效应管的符号如图T2.4所示,试指出各场效应管的类型,并定性画出各管的转移特性曲线。
解:(a)为P沟道耗尽型MOS管,它的转移特性曲线如下图(a)所示,其特点就是uGS ＝0时,iD＝—IDSS(b)为N沟道增强型MOS管,它的转移特性曲线如下图(b)所示,其特点就是uGS ＝0时, iD＝0(c)为N沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图(c)所示,其特点就是uGS ＝0时,iD＝IDSS,且uGS≤0第3章放大电路基础3.1 填空题1.放大电路的输入电压Ui ＝10 mV,输出电压U＝1 V,该放大电路的电压放大倍数为 100 ,电压增益为 40 dB。
2.放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小 ,输入电压也就越大 ;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小 ,放大电路的负载能力就越强。