模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1.1 填空题

1.半导体中有空穴与自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子就是电子 ;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子就是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱与电流将增大 ,正向压降将减小。

5.整流电路就是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管就是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管就是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0、65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。

1.2 单选题

1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。

A.价电子

B.自由电子

C.空穴

D.杂质离子

3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小

B.基本不变

C.增大

4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大

B.基本不变

C.减小

5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A.整流

B.稳压

C.发光

D.可变电容器

1.3 就是非题

1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ )

2.因为N型半导体的多子就是自由电子,所以它带负电。( × )

时会损坏。( × )

3.二极管在工作电流大于最大整流电流I

F

4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × )

1.4 分析计算题

1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U

=0、7V,试写出各电路的输

D(on)

出电压Uo值。

解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U

＝(6—0、7)V＝5、3 V。

(b)令二极管断开,可得U

P ＝6 V、U

N

＝10 V,U

P

N

,所以二极管反向偏压而

截止,U

＝10 V。

(c)令V

1、V

2

均断开,U

N1

＝0V、U

N2

＝6V、U

P

＝10V,U

P

—U

N1

>Up—U

N2

,故V

1

优

先导通后,V

2截止,所以输出电压U

＝0、7 V。

2.电路如图T1.2所示,二极管具有理想特性,已知ui＝(sinωt)V,试对应画

出u

i 、u

、i

D

的波形。

解:输入电压u

i

为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即

u 0＝0,而流过二极管的电流i

D

＝u

i

／R,为半波正弦波,其最大值I

Dm

＝10 V／1 kΩ

＝10 mA;当u

i 为负半周时,二极管反偏截止,i

D

＝0,u

＝u

i

为半波正弦波。因此可

画出电压u

0电流i

D

的波形如图(b)所示。

3.稳压二极管电路如图T1.3所示,已知U

Z ＝5 V,I

Z

＝5 mA,电压表中流过的电

流忽略不计。试求当开关s 断开与闭合时,电压表○V与电流表○A1、○A2读数分别为多大?

解:当开关S 断开,R 2支路不通,I A2＝0,此时R 1与稳压二极管V 相串联,因此由图可得

Z

A I mA K V

R U U I >=Ω

-=-=

5.62)518(1211

可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5 V 。 当开关S 闭合,令稳压二极管开路,可求得R 2两端压降为

Z

R U U R R R U <=⨯+=+=

6.3185

.025

.012122

故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R 1、R 2构成串联电路,电流表A 1、A 2的读数相同,即

mA

K V

R R U I I A A 2.75.021821121=Ω

+=+=

=）（

而电压表的读数,即R 2两端压降为3、6 V 。

第2章 半导体三极管及其基本应用

2.1 填空题

1.晶体管从结构上可以分成 PNP 与 NPN 两种类型,它工作时有 2 种载流子参与导电。

2.晶体管具有电流放大作用的外部条件就是发射结 正偏 ,集电结 反偏 。

3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别就是 放大 、 饱与 、 截止 。

4.当温度升高时,晶体管的参数β 增大 ,I CBO 增大 ,导通电压U BE 减小 。

5.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10μA 变化到20μA 时,集电极电流从1mA 变为1、99 mA,则交流电流放大系数β约为 99 。

6.某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V,因此,当工作电压U CE =10V 时,工作电流I C 不得超过 10 mA;当工作电压U CE =1V 时,I C 不得超过 20 mA;当工作电流I C =2 mA 时,U CE 不得超过 30 V 。

7.场效应管从结构上可分为两大类: 结型 、 MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时就是否存在导电沟道,又可分为两种: 耗尽型 、 增强型 。

8.U GS(off)表示 夹断 电压,I DSS 表示 饱与漏极 电流,它们就是 耗尽 型场效应管的参数。 2.2 单选题

1.某NPN 型管电路中,测得U BE =0 V,U BC = —5 V,则可知管子工作于( C )状态。

A.放大

B.饱与

C.截止

D.不能确定

2.根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为( B )。 A.NPN 型低频小功率硅晶体管 B.NPN 型高频小功率硅晶体管 C.PNP 型低频小功率锗晶体管 D.NPN 型低频大功率硅晶体管