露光(黄光)制程介绍
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
正行光阻種類(依狀態)： 液態光阻 乾膜√
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
負片
For 負型光阻(現行黃光製程)
底片發包專用術語-----RD、繪圖必知
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例： 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說：
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
(150um以上8000 dpi)
3. 藥膜上下—視曝光底片與基材接觸面而定
字正/反 字正 字正 字正
價格(元/張) 800 1800 1800
字正
800
底片構造
藥膜
PET
乾膜保存期限
乾膜保存期限與儲存溫度關係： 以10℃/90%為例，乾
保存時間
膜儲存時間可達200天
(天)
以30℃/90%為例，乾 膜儲存時間僅2.5天
微影製程簡介(黃光) Photolithigraphy
2014.04
何謂黃光
可見光波長：電磁波380~780 nm(一般人眼可見光400~700nm)
光阻可被反應範圍：500nm以下(見下頁說明)
可見光範圍
380nm
780nm
光阻可反應之範圍
顏色名 紫 藍 綠 黃 橙色
波長 380–450 nm 450–495 nm 495–570 nm 570–590 nm 590–620 nm
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度：20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點：光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
▪ 價格較接觸式貴一些(台幣1800萬) ▪ 解析力:約30um(500x500 mm) ▪ 對位精度：20um(500x500 mm) ▪ 光罩(底片)與產品距離約100um ▪ 優點：光罩壽命較長 ▪ 缺點：解析較差
差
➢增加溫度—注意太高會導致乾膜去膜不淨
乾膜易Peeling
➢增加壓力—注意造成ITO Crack(盡量保持3.5 Kg/cm2以下)
➢增加粗糙度—與Metal & ITO Film不適合(厚度太薄)
乾膜作業流程：
清洗 (清洗乾膜表面Particle)
Holding 30 mins(使乾膜流動穩定)
製程
正/負片 解析度(dpi) 藥膜上/下
印刷
正片
8000
膜上
原-黃光
負片
40000
膜下
Layer-1 (細線路)
負片
40000
膜下
Layer-2 說明：(OC)
負片
8000
膜下
1. 正/負片—視光阻型式決定(正型開正片、負型開負片)
2. 解析度—視線路解析決定(50um以下40000 dpi)
(50~150um25000 dpi)
蝕刻 去膜
蝕刻
Metal Layer 蝕刻
去膜
l Pattern成形
印刷製作
Dry Film製作優勢
線路曲折 線寬較大(80um)
Dry film製作
線路筆直 線寬較細(35um)
➢細線路呈現：
以印刷製作線路，因印刷易有溢膠現象，導致線路呈現曲折狀；且因網板印刷限 制，線路無法製作Fine Pitch(50um以下)之Pattern。 以Dry Film製作線路，因Dry Film高解析之特性，Fine Pitch之Pattern製作容易呈現 且利用光罩曝光製作線路，可輕易呈現筆直狀態。
光阻(Photo resist)種類介紹
光阻成分：溶劑、樹脂、光活性化合物。 溶劑--可讓光阻保持溶液狀態使光阻可以旋舖方式塗佈在基板上。 樹脂--提供光阻的粘著性、抗蝕刻能力，並可被鹼性顯影液分解。 光活性化合物—對特殊光線具有靈敏性，又稱為感光劑。
光阻種類(依特性)： 正光阻 (曝光處裂解) 負光阻√ (曝光處聚合)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註：三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
微影製程(Photolithigraphy)
微影技術：將設計好的圖案從光罩上轉印到材料表面的光阻上時所使用的技術
流程：
壓膜
Meterial
壓膜
Metal ITO PET
等於印刷 油墨or可剝
曝光
曝光
Light
Dry film
Metal ITO
PET
以負型光阻為例
顯影
曝光
顯影
mask Dry film
➢乾膜保存最佳溫度5~10℃，保存時間可達100天。 ➢乾膜適於儲存於低溫、低濕度的環境。 ➢ 乾膜過期or存放不當，將導致流膠，造成乾膜附著不良。
壓膜條件與注意事項
壓膜重要參數：a.溫度：90~120℃ b.壓力：1.5~3.5 Kg/cm2
溫度
壓力
附著力
缺點
高
大
佳
去膜不淨
如何增低加乾膜附著力小：
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
負片
For 負型光阻(現行黃光製程)
底片發包專用術語-----RD、繪圖必知
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例： 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說：
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
(150um以上8000 dpi)
3. 藥膜上下—視曝光底片與基材接觸面而定
字正/反 字正 字正 字正
價格(元/張) 800 1800 1800
字正
800
底片構造
藥膜
PET
乾膜保存期限
乾膜保存期限與儲存溫度關係： 以10℃/90%為例，乾
保存時間
膜儲存時間可達200天
(天)
以30℃/90%為例，乾 膜儲存時間僅2.5天
微影製程簡介(黃光) Photolithigraphy
2014.04
何謂黃光
可見光波長：電磁波380~780 nm(一般人眼可見光400~700nm)
光阻可被反應範圍：500nm以下(見下頁說明)
可見光範圍
380nm
780nm
光阻可反應之範圍
顏色名 紫 藍 綠 黃 橙色
波長 380–450 nm 450–495 nm 495–570 nm 570–590 nm 590–620 nm
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度：20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點：光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
▪ 價格較接觸式貴一些(台幣1800萬) ▪ 解析力:約30um(500x500 mm) ▪ 對位精度：20um(500x500 mm) ▪ 光罩(底片)與產品距離約100um ▪ 優點：光罩壽命較長 ▪ 缺點：解析較差
差
➢增加溫度—注意太高會導致乾膜去膜不淨
乾膜易Peeling
➢增加壓力—注意造成ITO Crack(盡量保持3.5 Kg/cm2以下)
➢增加粗糙度—與Metal & ITO Film不適合(厚度太薄)
乾膜作業流程：
清洗 (清洗乾膜表面Particle)
Holding 30 mins(使乾膜流動穩定)
製程
正/負片 解析度(dpi) 藥膜上/下
印刷
正片
8000
膜上
原-黃光
負片
40000
膜下
Layer-1 (細線路)
負片
40000
膜下
Layer-2 說明：(OC)
負片
8000
膜下
1. 正/負片—視光阻型式決定(正型開正片、負型開負片)
2. 解析度—視線路解析決定(50um以下40000 dpi)
(50~150um25000 dpi)
蝕刻 去膜
蝕刻
Metal Layer 蝕刻
去膜
l Pattern成形
印刷製作
Dry Film製作優勢
線路曲折 線寬較大(80um)
Dry film製作
線路筆直 線寬較細(35um)
➢細線路呈現：
以印刷製作線路，因印刷易有溢膠現象，導致線路呈現曲折狀；且因網板印刷限 制，線路無法製作Fine Pitch(50um以下)之Pattern。 以Dry Film製作線路，因Dry Film高解析之特性，Fine Pitch之Pattern製作容易呈現 且利用光罩曝光製作線路，可輕易呈現筆直狀態。
光阻(Photo resist)種類介紹
光阻成分：溶劑、樹脂、光活性化合物。 溶劑--可讓光阻保持溶液狀態使光阻可以旋舖方式塗佈在基板上。 樹脂--提供光阻的粘著性、抗蝕刻能力，並可被鹼性顯影液分解。 光活性化合物—對特殊光線具有靈敏性，又稱為感光劑。
光阻種類(依特性)： 正光阻 (曝光處裂解) 負光阻√ (曝光處聚合)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註：三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
微影製程(Photolithigraphy)
微影技術：將設計好的圖案從光罩上轉印到材料表面的光阻上時所使用的技術
流程：
壓膜
Meterial
壓膜
Metal ITO PET
等於印刷 油墨or可剝
曝光
曝光
Light
Dry film
Metal ITO
PET
以負型光阻為例
顯影
曝光
顯影
mask Dry film
➢乾膜保存最佳溫度5~10℃，保存時間可達100天。 ➢乾膜適於儲存於低溫、低濕度的環境。 ➢ 乾膜過期or存放不當，將導致流膠，造成乾膜附著不良。
壓膜條件與注意事項
壓膜重要參數：a.溫度：90~120℃ b.壓力：1.5~3.5 Kg/cm2
溫度
壓力
附著力
缺點
高
大
佳
去膜不淨
如何增低加乾膜附著力小：