MOS器件物理基础

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MOS管在Leabharlann Baidu和区电流公式
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Thanks！
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沟道单位长度电荷(C/m) 电荷移 动速度 (m/s)
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I/V特性的推导（3）
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I/V特性的推导（4）
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西安电子科技大学 NMOS管VGS>VT、VDS> VGS+VT时的示意图
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I/V特性的推导（5）
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饱和区MOSFET的I/V特性
NMOS管VGS>VT、VDS=0时的示意图
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西安电子科技大学 NMOS管VGS>VT、0<VDS< VGS-VT时的示意图
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西安电子科技大学 NMOS沟道电势示意图（1）
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西安电子科技大学 NMOS沟道电势示意图（2）
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I/V特性的推导（1）
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I/V特性的推导（2）
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MOS管所有pn结必须反偏: *N-SUB接VDD！
4 *P-SUB接VSS！ *阱中MOSFET衬底常接源极S，why？
电路中的符号表征
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MOS管等效于一个开关!
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(a)栅压控制的MOSFET (b)耗尽区的形成(c)反型的开始
6 (d)反型层的形成
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MOS器件物理基础
西安电子科技大学 刘术彬
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基本结构
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Ldrawn：沟道总长度 LD：横向扩散长度
*D、S是对称的，可互换？ *所有pn结必须反偏！
Leff：沟道有效长度， Leff＝ Ldrawn－2 LD
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CMOS结构 (P、N基于同一衬底)