大连理工大学《半导体物理》考研重点
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大工《半导体物理》考研重点
第一章、半导体中的电子状态
●了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构;以及
两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。
●了解电子的共有化运动;
●理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成;导体、半导体、绝缘体的能带
与导电性能的差异;
●掌握本征激发的概念。
●理解半导体中电子的平均速度和加速度;
●掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。
●理解本征半导体的导电机构;
●掌握半导体空穴的概念及其特点。
●理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
重要术语:
1.允带
2.电子的有效质量
3.禁带
4.本征半导体
5.本征激发
6.空穴
7.空穴的有效质量
知识点:
学完本章后,学生应具备以下能力:
1.对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。
2.讨论硅中能带的分裂。
3.根据K-k关系曲线论述有效质量的定义,并讨论它对于晶体中粒子运动的
意义。
4.本征半导体与本征激发的概念。
5.讨论空穴的概念。
6.定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。
第二章、半导体中的杂质和缺陷能级
●掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因,多子和少子的概念;
●了解浅能级杂质电离能的计算;
●了解杂质补偿作用及其产生的原因;。
●了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用;
●理解错误!未找到引用源。-错误!未找到引用源。族化合物中的杂质能级
的形成及特点;
●了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念;
●了解缺陷(主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷)、位错(一种
线缺陷)施主或受主能级的形成。
重要术语
1.受主原子
2.载流子电荷
3.补偿半导体
4.完全电离
5.施主原子
6.非本征半导体
7.束缚态
知识点:
学完本章后,学生应具备如下能力:
1.描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。
2.理解完全电离的概念。
第三章热平衡时半导体中载流子的统计分布
●掌握状态密度,费米能级的概念;
●掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布;
●掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算;
●掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体
的载流子浓度以及费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律;
●了解简并半导体及其简并化条件。
重要术语
1.完全电离
2.简并半导体
3.有效状态密度
4.费米概率分布函数
5.玻尔兹曼近似
6. 本征载流子浓度n i
7. 本征费米能级E Fi
8. 非简并半导体
知识点:
学完本章后,学生应具备如下能力:
1. 讨论有效状态密度函数。
2. 理解费米.狄拉克分布函数和费米能级的意义。
3. 推导出热平衡电子浓度与空穴浓度关于费米能级的表达式。
4. 推导出本征载流子浓度的表达式。
5. 说出T=300 K下Si的本征载流于浓度值。
6. 推导出本征费米能级的表达式。
7. 掌握公式n i2=n。p。的推导过程。
8. 描述简并与非简并半导体的概念。
9. 讨论电中性的概念。
10. 推导出n。与p。关于掺杂浓度的表达式。
11. 描述费米能级随温度与掺杂浓度的变化情况。
第四章半导体的导电性
●了解载流子的热运动特点;
●掌握迁移率、电导率、杂质散射、晶格散射等概念;
●重点掌握载流子的漂移运动;
●理解载流子的散射理论;
●迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等。
●理解强电场效应、多能谷散射。
●理解霍耳效应、磁阻效应
重要术语:
1.电导率
2.漂移
3.漂移电流
4.漂移速度
5.电离杂质散射
6.晶格散射
7.迁移率
8.电阻率
9.霍耳效应
10.磁阻效应
知识点:
学完本章后,学生应具备如下能力:
1.论述载流子漂移电流密度。
2.解释为什么在外加电场作用下载流子达到平均漂移速度。
3.论述晶格散射和杂质散射机制。
4.定义迁移率,并论述迁移率对温度和电离杂质浓度的依赖关系。
5.论述电阻率对温度和电离杂质浓度的依赖关系
第五章非平衡载流子
1.了解非平衡载流子;
2.理解非平衡载流子的注人与复合;
3.掌握非平衡载流子的寿命;
4.掌握准费米能级;
5.掌握复合理论;
6.理解陷阶效应;
7.掌握载流子的扩散运动及其计算;
8.掌握爱因斯坦关系
9.理解连续性方程。
重要术语:
1.非平衡载流子的产生
2.非平衡载流子的复合
3.非平衡载流子
4.非平衡少子寿命产生率
5.小注入
6.少子扩散长度
7.准费米能级
8.复合率
9.表面态
知识点:
学完本章后,学生应具备如下能力:
1.论述非平衡产生和复合的概念。
2.论述过剩载流子寿命的概念。