空穴与电子的浓度
模拟电子技术题库答案
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。
2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。
3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。
6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。
9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。
10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。
13、结具有单向导电特性。
14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。
16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。
18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。
19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。
22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。
半导体器件物理1
（2）价带中的空穴浓度 在热平衡状态下，非简并半导体价带中的空穴浓度 p 为：
E v EF p N v exp( ) kBT
① 式中 N v 2
* (2 π mp k BT )3/2
h3
，为价带的有效状态密度，
显然有 N v T 3 / 2 ，是温度的函数。
②
Ev EF f ( Ev ) exp( ) kBT
是玻尔兹曼分布，表示空穴占
据能量为 Ev 的量子态的概率。
③ 上式可理解为把价带中所有量子态都集中在价带顶 E处， v 而它的状态密度为 ，则价带中的空穴浓度是 中有空 Nv Nv 穴占据的量子态数。 ④ 只要确定了费米能级 EF ，在一定温度 T 时，可以求 出价带中空穴浓度 p 。
n Nd
由
np n2 i
可求出价带空穴浓度为：
n n p n Nd
在杂质饱和电离区，导带电子的浓度比价带空穴的浓度大得 多。因此，对于 N 型半导体，导带电子通常称为多子（或多 数载流子），价带空穴被称为少子（或少数载流子），对于 P 型半导体则相反。 费米能级为：
2 i
2 i
Nd E F E c k B T ln Nc
3.非平衡载流子
Ec
光照
Ec
Ev
热平衡情况
Ev
光照产生非平衡载流子
np ni2
np ni2
处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一 定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流 子浓度。 在外界（如光照、外加电场）作用下，能带中的载流子数目 发生明显的改变，比热平衡状态多出来一部分载流子，多出 来的这部分载流子叫做非平衡载流子（或过剩载流子）。
半导体物理_第三章
其中NC称为导带的有效态密度函数，若取 mn*=m0，则当T=300K时， NC=2.5X1019cm-3， 对于大多数半导体材料来说，室温下NC确实是在 1019cm-3的数量级。
其中NV称为价带的有效态密度函数，若取mp*=m0，则 当T=300K时， NV=2.5X1019cm-3 。
这个积分函数随着变量ηF的变化关系如下图。
费米－狄拉克积分函数随着归一化费米能级的变化：
ηF>0时，意味着费米能级已经进入到导带中。
与此类似，热平衡状态下的空穴浓度也可以表 示为：
η’F>0，意味着费米能级已经进入到价带中。
4. 简并半导体与非简并半导体 在前面关于非本征半导体材料的讨论中， 实际上假设了半导体材料中的掺杂浓度通常都 是远远低于其本体原子密度的,通常把这种类 型的半导体材料称为非简并半导体。此时，在 N型半导体材料中，施主能态之间不存在相互 作用，同样，在P型半导体材料中，受主能态 之间也不存在相互作用，
而当半导体材 料中掺入受主 杂质后，空穴 浓度将大于电 子浓度，其费 米能级的位置 也将由禁带中 心附近向价带 顶部下移
在前面导出的有关本征半导体材料在热平 衡状态下的载流子浓度公式同样也适用于非本 征的半导体材料，只是这时半导体材料中费米 能级EF的位置随着掺杂情况的不同而发生相应 的改变。因此电子和空穴的浓度也将会发生相 应的变化，且二者一般不再相等。即：
其中gV(E)是价带中的量子态密度， 1−fF(E) 反映的是价带中的量子态未被电子填充的几率。 p(E)的单位也是cm-3eV-1。价带中总的空穴浓度 p则由上式对整个价带的能量区间进行积分即可 求得，p的单位是cm-3，即单位体积内的空穴数 量。
费米能级EF的位置的确定
P型半导体
P型半导体也称为空穴型半导体。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。
在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
氧化物半导体oxide semiconductor具有半导体特性的一类氧化物。
氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。
导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。
非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。
氧化物单晶的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。
氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，F e2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等N型半导体也称为电子型半导体。
N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为是猪杂质或n型杂质。
在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。
自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。
掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
二极管原理及特性二极管的特性与应用几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
空穴与电子的浓度
导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
在能量E~(E+dE)之间有dZ gc (E)dE 个量子 态，而电子占据能量为E的量子态的概率是 f(E),则在能量E~(E+dE)之间有f (E)gc (E)dE 个被电子占据的量子态，即有 f (E)gc (E)dE 个电子。然后把能量区间中的电子数相加 就能得到能带中的电子总数，再除以半导
)
k0T
• n型半导体的载流子浓度
• 在只含一种施主杂质的n型半导体中，由电中性条件可得
n0 nD p0
• 等式左边为导带中的电子浓度，右边为价带中的空穴浓度 和电离施主浓度之和
NC
exp(
Ec EF k0T
)
Nv
exp(
EF EV k0T
)
1ห้องสมุดไป่ตู้
2
ND exp( ED
EF
)
k0T
物理意义
• 导带中的所有量子态都集中在导带底Ec，而它的 状态密度为Nc，则导带中的电子浓度是Nc中有电 子占据的量子态数
• 价带中的所有量子态都集中在价带顶Ev，而它的 状态密度为Nv，则价带中的空穴浓度是Nv中有空 穴占据的量子态数
部分资料从网络收集整 理而来，供大家参考，
感谢您的关注！
)(E Ec )1/2 dE
• 对上式积分，可算得热平衡状态下非简并半导体 的导带电子浓度n0为
n0
Ec' Ec
4
(2mn* )3/2 h3
exp(
E EF k0 F
)(E
Ec )1/2 dE
• 积分上限 是导带顶能量，通过引入变数及计算最
终可解得
n0
Nc
exp(
空穴与电子的浓度
• 同理，热平衡状态下，非简并半导体的价带中空 穴浓度为
Ev EF p0 Nv exp( ) k0 F
•
•
* (2 mn k0T )3/2 Nc 2 h3
3/2 (2 m* k T ) p 0
称为导带的有效状态密度 称为价带的有效状态浓度
Nv 2
h
3
本征半导体载流子浓度
• 本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净 半导体 • 本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度 • n0=p0
nD N D nD
ND E EF 1 2 exp( D ) k0T
• 电离受主浓度
pA N A pA
NA E EA 1 4 exp( F ) k0T
• n型半导体的载流子浓度
• 在只含一种施主杂质的n型半导体中，由电中性条件可得
n0 nD p0
• 在非简并情况下，能量 ~(E+dE)间的电子数dN为
dN f B ( E) gc (E )dE
(2mn* )3/2 E EF 1/2 dN 4V exp( )( E E ) dE c 3 h k0 F
• 那么单位体积中的电子数为
(2mn* )3/2 E EF dN 1/2 dn 4 exp( )( E E ) dE c 3 V h k0 F
• 价带中的所有量子态都集中在价带顶Ev，而它的 状态密度为Nv，则价带中的空穴浓度是Nv中有空 穴占据的量子态数
• 对上式积分，可算得热平衡状态下非简并半导体 的导带电子浓度n0为
n0
Ec' Ec
(2mn* )3/2 E EF 1/2 4 exp( )( E E ) dE c 3 h k0 F
空穴与电子的浓度知识讲解
到导带中的电子浓度。
• 在非简并情况下，能量 ~(E+dE)间的电子数dN为
dNfB(E)gc(E)dE
d N 4V(2 m h n 3 *)3 /2ex p (E k 0F E F)(E E c)1 /2d E
• 那么单位体积中的电子数为
d n d V N 4(2 m h n 3 * )3 /2e x p ( E k 0 F E F )(E E c)1 /2 d E
半导体讨论
导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
在能量E~(E+dE)之间有dZgc(E个)d量E子态， 而电子占据能量为E的量子态的概率是f(E),
则在能量E~(E+dE)之间有 f个(E被)gc电(E子)dE
占据的量子态，即有
个电f子(E)。gc然(E)后dE
把能量区间中的电子数相加就能得到能带
中的电子总数，再除以半导体体积就能得
• n型半导体的载流子浓度
• 在只含一种施主杂质的n型半导体中，由电中性条件可得
n0 nD p0
• 等式左边为导带中的电子浓度，右边为价带中的空穴浓度 和电离施主浓度之和
N C e x p ( E c k 0 T E F)N ve x p ( E F k 0 T E V) 1 2 e x p (N D E D E F) k 0 T
• 施主能级上的电子浓度nD为
nDNDfD(E)11expN(E DDEF)
2
k0T
• 受主能级上的空穴浓度pA为
pANAfA(E)11expN(E AFEA)
4
k0T
• 电离施主浓度
nD NDnD12exp(N DEDEF) k0T
• 电离受主浓度
pA NApA14exp(N AEF EA) k0T
杂质半导体的载流子知识
4 杂质半导体的载流子浓度1、杂质浓度上的电子和空穴半导体杂质能级被电子占据的几率函数与费米分布函数不同：因为杂质能级和能带中的能级是有区别的，在能带中的能级可以容纳自旋下凡的两个电子；而施主能级只能或者被一个任意自旋方向的电子占据，或者不接受电子（空的）这两种情况中的一种，即施主能级不允许同时被自旋方向相反的两个电子所占据。
所以不能用费米分布函数表示电子占据杂质能级的几率。
可以证明：电子占据施主能级的概率为：空穴占据受主能级的概率为：DE A E 01()11exp()2D DF f E E E k T=−+01()11exp()2A F A f E E E k T =−+2、杂质半导体中的载流子浓度：施主浓度：受主浓度二者就是杂质的量子态密度则：施主杂质上未电离化的电子浓度受主杂质上未电离化的空穴浓度D N A N 0()11exp()2D D D A F A N n N fE E E k T==−+0()11exp()2A A A A D F N p N f E E E k T ==−+施主杂质上电离化的电子浓度受主杂质上电离化的空穴浓度0(1())12exp()D DD D D D D F N n N n N fE E E k T +=−=−=−+−0(1())12ex p ()A D A A A AF A N p N p N f E E E kT −=−=−=−+−分析可知：当》1时，，说明当费米能级远在之下时，可以认为施主杂质几乎全部电离。
反之，远在之上时，施主杂质基本上没有电离。
时，，说明施主杂质有1／3电离，还有2／3没有电离。
同理可以分析受主杂质。
/3DD n N +=0D n ≈D D n N +≈D E F E D E D F E E =2/3D D n N =/3D D n N +=3、n 型半导体的载流子浓度假设只含一种n 型杂质。
在热平衡条件下，半导体是电中性的：n 0=p 0+n D +左边为单位体积中的负电荷数（实际上为导带中的电子浓度）；右边是单位体积中的正电荷数（实际上是价带中的空穴浓度与施主浓度之和）由于:0(1())12exp()D D D D D D D F N n N n N f E E E k T +=−=−=−+−得到:上式中除之外，其余各量为已知。
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体体积就能得到导带中的电子浓度。
在非简并情况下，能量 ~(E+dE)间的电子数dN为
dN fB (E)gc (E)dE
dN
4V
(2mn* )3/ 2 h3
exp(
E EF k0 F
)(E
Ec )1/2 dE
那么单位体积中的电子数为
dn
dN V
4
(2mn* )3/ 2 h3
exp(
E EF k0 F
)(E
Ec )1/2 dE
n0 对 导EEc上 体c' 4式 的(积 导2mh分 带n3*)3，电/2 e可子xp算浓(得度Ek热n0F0E平为F )衡(E状 E态c )1下/2 d非E 简并半
n0 积 算N分 最c ex上 终p(限 可 E解是ck0得F导EF带) 顶能量，通过引入变数及计
p0 同 中Nv理 空exp，穴( E热浓vk0F度平EF为衡) 状态下，非简并半导体的价带
Nc
2
(2
mn*k0T h3
)3/2
Nv
2
(2
m*p k0T h3
)3/
2
称为导带的有效状态密度
称为价带的有效状态浓度
本征半导体载流子浓度
本征半导体是完全不含杂质且无晶格缺陷的 纯净半导体
本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度 n0=p0
杂质能级上的电子和空穴
nD 施ND主fD (能E) 级 1上12 的expN电( ED Dk子0TE浓F ) 度nD为
pA 受NA主fA(能E) 级 1上14 e的xpN(空EA Fk穴0TE浓A ) 度pA为
电离施主浓度 nD
ND
nD
1
ND 2 exp( ED
EF
)
k0T
电离受主浓度 pA
NA
pA
பைடு நூலகம்
1
NA 4 exp( EF
EA
)
k0T
n0 nn型D 半p0导体的载流子浓度
在只含一种施主杂质的n型半导体中，由电中性条件 可得
NC e等浓xp(式度 E左和ck0边电TEF为离) 导 施N带主v ex中浓p(的度E电之Fk0T子和EV浓) 度1，2 e右xp(边NDE为Dk价0TE带F ) 中的空穴
物理意义
导带中的所有量子态都集中在导带底Ec，而 它的状态密度为Nc，则导带中的电子浓度是 Nc中有电子占据的量子态数
价带中的所有量子态都集中在价带顶Ev，而 它的状态密度为Nv，则价带中的空穴浓度是 Nv中有空穴占据的量子态数
半导体讨论
导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
在能量E~(E+dE)之间有dZ gc (E)dE 个量子 态，而电子占据能量为E的量子态的概率是 f(E),则在能量E~(E+dE)之间有f (E)gc (E)dE 个被电子占据的量子态，即有 f (E)gc (E)dE 个电子。然后把能量区间中的电子数相加 就能得到能带中的电子总数，再除以半导