X射线光电子能谱

dI I0 dt / (EK )
I (t) I0 exp t / (Ek )
从左式中知道，当厚度t达到 （EK）的4倍时，强度衰减到原 来的2％以下；当t为（EK）的3 倍时，衰减到原来的5％不到。 一般定义3 （EK）为XPS的信息 深度。
这说明，能够逃离固体表面的光电子来源于表层有限厚度范围之内。实际 上， （EK）非常小。对于金属材料，约为0.5~3 nm左右；无机材料为2~4 nm左右；有机高聚物为4~10 nm左右。所以，XPS是一种分析深度很浅的 表面分析技术。
注意看右图：俄歇电子发射是一个三能 级过程。
在XPS谱图中会观察到俄歇线。它们对 结构的确定很有帮助。
X射线光电子能谱分析的基本原理
X射线激发光电子的原理图。
入射电子激发俄歇电子过程示意图
X射线光电子能谱分析的基本原理
3、原子能级的划分：
原子中单个电子的运动状态可以用量子数n， ，m1，ms来表示。其中： n：主量子数。每个电子的能量主要取决于n。n，E 。n可以取1，2， 3，4……，分别对应着K，L，M，N……等壳层。 ： 角量子数，决定了电子云的几何形状。不同的l值将原子内的壳层分为几 个亚层，即能级。l 值与n有关，0，1，2，……，（n－1）。分别对应 着s，p，d，f等能级。在给定的壳层上， ，E 。 m1：磁量子数，决定了电子云在空间伸展的方向（取向）。给定后，m1可 以取【- ，+ 】的任何整数。 ms：自旋量子数，表示电子绕其自身轴的旋转取向。与上述3个量子数无 关，取＋½或者－ ½。
h A A*, e
光电子 (e-)
X射线 (h)
在某些情况下，还会引起俄歇电子的发 射。（为什么？）俄歇电子发射对于材 料的结构分析很有用处。
X射线光电子能谱分析的基本原理
1、光电效应（光致发射或者光电离）：
当光子与材料相互作用时，从原子中各 个能级发射出的光电子的数目是不同的， 有一定的几率。光电效应的几率用光电 截面表示，定义为某能级的电子对入 射光子的有效能量转移面积，或者一定 能量的光子从某个能级激发出一个光电 子的几率。
EK 538 EK2 0.42 EK 1/2
对于无机化合物材料
EK 2170 EK2 0.72 EK
对于有机化合物材料
EK 49 EK2 0.11EK 1/2
X射线光电子能谱分析的基本原理
6、化学位移：
在实验测定中往往发现，得到的结合 能数据与原子的数据有偏差。或者说： 谱线有一定的位移，称为结合能的位 移。原因在于原子中的一个内壳层电 子的Eb同时受到核内电荷和核外电荷 分布的影响。当这些电荷的分布发生 变化时，就会引起Eb的变化。同种原 子由于所处的化学环境不同，引起内 壳层电子的结合能的变化，在谱图上 表现为谱线的位移。这种现象称为化 学位移。它实质上是结合能的变化值。 如图所示的S2p谱线，尽管是同一种 元素，由于所处的化学环境不同，结 合能有所位移。
X射线光电子能谱分析
电子能谱分析是一种研究物质表层元素组成与离子状态的表面分析技术。 其基本原理是利用单色射线照射样品，使样品中原子或者分子的电子受激 发射，然后测量这些电子的能量分布。
通过与已知元素的原子或者离子的不同壳层的电子的能量相比较，就可 以确定未知样品中原子或者离子的组成和状态。
X射线
电子 电子
XPS图谱
X射线光电子能谱分析的基本原理
5、XPS信息深度： 在XPS分析中，一般用能量较低的软X射线激发光电子（如：Al 和Mg的K线）。虽然软X射线的能量不高，但是仍然可以穿透 10nm厚的固体表层，并引起那里的原子轨道上的电子光电离。
产生的光电子在离开固体表面之前，要经历一系列的弹性（光 电子与原子核或者其他电子相互作用时不损失能量）和非弹性 散射（光电子损失能量）。弹性散射的光电子形成了XPS谱的 主峰；非弹性散射形成某些伴峰或者信号的背底。
W
EK'
W‘
(b) 样品与仪器 接触 h
‘
Eb
Eb h EK' W '
W‘是仪器的功函数，一般在4eV左 右，已知。所以知道了电子动能， 即可求出结合能。
K (a) 样品
固体材料中光电过程的能量关系示意图 其实，在接触处的能带应该弯曲。为什么？
X射线光电子能谱分析的基本原理
各种原子和分子的不同轨道的电子结合能是一定的，具有标识性。因此，只 要借助XPS得到结合能Eb，就可以方便地定出物质地原子（元素）组成和官 能团类别。
1960年代，在硫代硫酸钠的研究 中发现S原子周围化学环境的不同， 会引起S内层电子结合能（S2p）的 显著差异后，引起人们的广泛注意。 因为：原子内层结合能的变化可以 提供分子结构、原子价态方面的信 息。
此后，XPS在材料研究的不同领域 内得到了广泛的应用。
1981年Siegbahn教授获得了诺贝尔物理奖
X射线光电子能谱分析的基本原理
1954年，瑞典皇家科学院院士、Uppsala大学物理 研究所所长K. Siegbahn 教授研制出世界上第一台 Photoelectron Spectroscopy (XPS)。此后，精确
测定了元素周期表中各种原子的内层电子结合能。
样品受到X射线辐照后，发射出光 电子，被探测器收集后经过计算机 处理，得到该样品的XPS能谱图。
被测样品
一般认为，表层的信息深度为10 nm左 右。如果利用深度剖析技术如离子束溅 射等，可以对样品进行深度分析。
常用的电子能谱技术有： X射线光电子能谱分析（XPS） 俄歇电子能谱分析（AES） 紫外光电子能谱分析（UPS）
等等。
参考书
1、《材料结构表征及应用》，吴刚主编，化学工业出版社 2、《现代分析技术》，陆家和，陈长彦主编，清华大学出版社 3、网上的若干网站，会有一些资料。
光电子 (e-)
X射线 (h)
与电子所在壳层的平均半径r，入射光子的频率和受激原子的原子序数Z有关。 一般来说，在入射光子的能量一定的情况下： 1、同一原子中半径越小的壳层，光电效应截面越大；电子结合能与入射光子的 能量越接近，光电效应截面越大。 2、不同原子中同一壳层的电子，原子序数越大，光电效应截面越大。
化学环境的不同含义为: (1) 与它结合的 元素种类和数量不同；（2）原子具有不 同的价态。
Na2S2O3和Na2SO4的S2p的XPS谱图
经过不同处理后 Al箔表面的Al2p 谱图。（a）干净 表面；（b）空气 中氧化；（c）磷 酸处理；（d）硫 酸处理；（e）铬 酸处理。
X射线光电子能谱分析的基本原理
一般认为：对于那些具有特征能量的光电子穿过固体表面时， 其强度衰减遵从指数规律。假设光电子的初始强度为I0，在固体 中经过dt距离，强度损失了dI，显然，有：
dI I0 dt / (EK )
Байду номын сангаас
X射线光电子能谱分析的基本原理
（EK）是一个常数，与电子的动能有关，称为光电子非弹性散射自由程或 者电子逸出深度。有时也被称为非弹性散射“平均自由程”。如果t代表垂 直于固体表面并指向固体外部的方向，则（EK）就是“平均逸出深度”。 这样，光电子垂直于固体表面发射，并经历距离t后的强度为：
光电效应截面越大，说明该能级上的电子越容易被光激发。与同原子其他壳层上 的电子相比，它的光电子峰的强度就大。 科学工作者对Al和Mg的K线激发下，各元素的各能级的光电效应截面进行了计算。
X射线光电子能谱分析的基本原理
X射线激发光电子的原理图。
2、俄歇电子的发射：
如左图示。当原子中的一个内层电子因X 射线的照射而发生光致电离发射出去后， 在内层留下一个空位（原子变成了离子， 处于激发态）。激发态离子要向低能转 化发生驰豫（Relaxation）： （1）通过辐射跃迁释放能量（类似X射 线的产生），产生X射线荧光。波长在X 射线区，能量为两个能级的能量差。 （2）通过非辐射跃迁使另一个电子激发 成为自由电子。此电子为俄歇电子。
可以这样理解，内壳层出现空穴后，原子中其他电子很快向带正电的空穴驰 豫，于是对发射的电子产生加速，所以原来定义的结合能Eb是中性原子的出 台能量E初和达到最后空穴态的终态能量E终之差。与突然发生的过程相比， 这样测得的结合能要小一些。这个差别是由原子的驰豫能量造成的。虽然考 虑驰豫过程对分析图谱有帮助，但是相对来说，差别的数值不大，因此有时 可以忽略该差别。
X射线光电子能谱分析的基本原理
实验中发现，光电子的逸出深度对于不同材料以及不同动能的光电子时不同 的。为了便于定量计算，人们做了大量的工作，综合大量的实测数据，总结 出了一下经验公式。
对于单质材料，（EK）与元素种类无关，只与电子的动能有关。如果光 电子的动能在100～2000 eV之间，则近似与（EK）½成正比。
电子结合能更为精确地计算还应该考虑它地驰豫过程所产生地能量变化。因 为一个内壳层的电子被发射出去后，同时留下一个空位时，原子中的其余电 子，包括价电子将经受核静电吸引的突然变化，它们的分布需要重新调整。 这种重新调整的过程成为电子的驰豫过程。驰豫过程的时间和内壳层电子发 射的时间相当，因而驰豫过程必然对发射的电子产生影响。
X射线光电子能谱分析的基本原理
3、原子能级的划分：
原子内层电子的运动可以用描述单个电子运动状态的4个量子数来表征。通常电 子能谱是在没有外加磁场的情况下进行的，所以磁量子数m是兼并的（不产生能 级的分裂）。因此，在电子能谱研究中，通常用主量子数n，角量子数 ，和内量 子数 j 来表征内层电子的运动状态。
在XPS谱图分析中， 单个原子能级用两个
C1s
数字和一个小写字母
（共3个量子数）表
示。例如：Ag原子的
3d5/2，3d3/2。
S能级的内量子数½ 通 常省略。如：C的1s 能级没有分裂，在 XPS谱图上只有一个 峰，表示为：C1s。
X射线光电子能谱分析的基本原理
4、电子结合能Eb： 一个自由原子或者离子的结合能，等于将此电子从所在的能级转移到无限远处所 需要的能量。对于气体样品，如果样品室和谱仪制作材料的影响可以忽略，那么 电子的结合能Eb可以从光子的入射能量h以及测得的电子的动能Ek求出，即：
各个元素的不同能级的驰豫能量已经 well documented。可以在参考文献中 获得。
X射线光电子能谱仪
光电子能量分析器
半球形电子能量分析器示意图。
右图所示的是XPS 全谱。它给出的各 个元素的各个轨道 的结合能是进行定 性分析的依据。谱 图的横坐标是电子 的结合能（eV）， 纵坐标是光电子线 的相对强度 （cps）。另外， 在图谱中还有一些 俄歇线。
Eb h Ek
对于固体材料，电子的结合能定义为把电子从所在的能级转移到费米能级（0K 时固体能带中充满电子的最高能级）所需要的能量。另外，固体中电子从费米能 级跃迁到自由电子能级（真空能级）所需要的能量成为逸出功，即功函数。所以， 入射光子的能量h分为三部分：电子结合能Eb，逸出功Ws，自由电子的动能Ek。 所以：
Eb h Ws Ek
X射线光电子能谱分析的基本原理
4、电子结合能Eb：
显然，样品同谱仪材料具有 不同的功函数。但是在试验 中，固体样品通过样品台同 仪器室接触良好，并且一同 接地。因此，它们具有相同 的费米能级（为什么？）。 此时有：
EV EF 价电子带
Ek Ws EK' W ' M
L
EK Ws
X射线光电子能谱分析的基本原理
1、光电效应（光致发射或者光 电离）：
如右图示。原子中不同能级上的 电子具有不同的结合能。当一束 能量为h的入射光子与样品中的 原子相互作用时，单个光子把全 部能量交给原子中某壳层（能级） 上一个受束缚的电子。如果光子 的能量大于电子的结合能Eb，电 子将脱离原来受束缚的能级，剩 余的能量转化为该电子的动能。 这个电子最后以一定的动能从原 子中发射出去，成为自由电子； 原子本身则成为激发态的离子。
另外，原子中的电子既有轨道运动又有自旋运动。它们之间存在着耦合（电磁相
互）作用，使得能级发生分裂。对于 >0的内壳层，这种分裂可以用内量子数j来
表示。其数值为：
j
l ms
l
1 2
所以：对于 ＝0，j＝1/2。对于 >0，则j＝ ＋½或者 －½。也就是说，除了s能 级不发生分裂外，其他能级均分裂为两个能级：在XPS谱图中出现双峰。