黄光制程
TP金属黄光制程简
9
TP金属黄光制程简介
二次压膜
Chemax
干膜要求: 附着力要好;
压膜条件: 温度:110+5 压力:3.5kg/cm210TP金属黄光制程简介
二次曝光
Chemax
曝光注意事项: 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确,勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机
11
TP金属黄光制程简介
1
TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
2
TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax
材
料:PET+ITO+金属
PET规格:厚度50~150um 金属类别: --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他(NiCuNi、APC、Ag合金等) ITO类别: --非结晶ITO(方阻150~400Ω) --结晶ITO(方阻80~160Ω)
二次显影
Chemax
显影注意事项: 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH
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TP金属黄光制程简介
二次蚀刻金属
Chemax
蚀刻金属注意事项: 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化
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TP金属黄光制程简介
二次脱膜
Chemax
脱膜注意事项: 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化,不可攻击ITO
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法(磨刷喷洗)和化学的方法(去离子水DI 水和KOH)将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发,形行成固体的PR层4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面,使被照射部分的光刻胶发生反应5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去,保留未照射部分的光刻胶6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理,使光刻胶膜更加坚固。
7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去,这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。
8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去,将玻璃表面清洗干燥1. PR前清洗A.清洗:指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂(KOH)和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用,或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水(DI水)冲洗,从而获得洁净的玻璃表面。
(风切是关键)B.干燥:因经过清洗后的玻璃,表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此,清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法,而是利用高温烘烤,使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程,此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变,空气净化等不多或干燥机温度不够,玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气,但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N,温度为60±5℃,浸泡时间为2~3min/槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡/n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡,纯水温度为40±5℃,干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程(also known as黄色光刻技术)是一种微电子制程中常用的制造技术,它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤:
1. 制备底片:将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片(通常是硅片)上。
2. 涂覆光刻胶:将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光:使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下,光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影:用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除,形成所需的图案。
5. 蚀刻:使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料,形成所需的结构。
6. 清洗和检验:将芯片清洗干净并进行质量检验,以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一,它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展,黄光制程也在不断改进和演进,以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
薄膜黄光蚀刻制程简介
市场趋势
关注未来市场的发展趋势和变化,了解客户需求和行业动 态。根据市场变化调整产品策略和制程技术发展方向,以 保持竞争优势。
要点二
竞争态势
分析竞争对手的动态和优势,采取有效的竞争策略。加强 自主创新和技术研发,提升核心竞争力,以应对激烈的市 场竞争。同时,寻求与竞争对手的合作与共赢,共同推动 行业的发展。
在光学组件与镜头制造中,薄膜黄光蚀刻制程用于制造透镜 、棱镜、反射镜等光学元件。通过高精度、高分辨率的图案 转移,可以确保光学元件的表面质量和成像性能。
该制程在制造高精度镜头和复杂的光学系统中发挥着重要作 用,广泛应用于摄影、摄像、测量等领域。
精密机械与模具制造
在精密机械与模具制造中,薄膜黄光 蚀刻制程用于制造高精度、高硬度的 模具和机械零件。通过精确控制图案 转移和材料加工,可以实现复杂形状 和结构的制造,提高产品的质量和生 产效率。
02 薄膜黄光蚀刻制程的原理 与技术
光化学反应原理
光化学反应
在光的作用下,物质吸收光能转变为化学能, 引发化学反应。
光化学反应类型
包括聚合、裂解、异构化等。
光敏材料
用于吸收光能并转换为化学能,引发光化学反 应。
光源与光学系统
光源
提供足够的光能量,常用光源有紫外灯、激 光等。
光学系统
控制光的方向、聚焦和能量分布,确保光束 质量稳定。
薄膜黄光蚀刻制程简 介
目录
CONTENTS
• 薄膜黄光蚀刻制程概述 • 薄膜黄光蚀刻制程的原理与技术 • 薄膜黄光蚀刻制程的应用 • 薄膜黄光蚀刻制程的挑战与未来发展
01 薄膜黄光蚀刻制程概述
定义与特性
定义
薄膜黄光蚀刻制程是一种利用黄光作 为光源,将薄膜材料进行蚀刻的制程 技术。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中,使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面,然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净,并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后,在硅片上涂覆一层光刻胶,通常是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中,然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶,使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后,光刻胶的部分区域会发生化学变化,变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中,显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶,而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要,可以使用不同的显影剂,如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害,可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中,蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要,可以使用不同的蚀刻剂,如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后,需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现,将硅片浸泡在其中,以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤,黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高,成本较低,因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之,黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值,可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
触摸屏生产工艺核心技术之黄光工艺
BOE(NH4F/HF)
谢谢!
黄光制程:
来料玻璃
黄光制程由此开 始
作出所需的图形
ITO、Metal、PI制程 为Sensor提供第一层保 护
Passivation (Organic)
为黄光后的工序作准备
蚀刻膏印刷/可剥胶印刷
切割
黄光制程到此结 束
整个制程的相关示意图-1
微影技术!
光阻塗佈
清洗
烘乾
顯影
曝光
PI和Passivation制程只需到这一 步
Oven
Metal Patterning Flow
Metal Patterning
Glass Cleaning
IR/UV/CP
PR Coating
Pre-Bake
Pattern Exposure
Developing
Post-Bake
Stripping
Etching
各制程效果图 (以Spark为制版)
Via hole
结果是等 效的
反制程:
Jumper PI
Pattern Trace
粗略的生产流程:
来料玻璃
Sheet
最终成品! pcs
常见尺寸: 370×470mm 厚度则有0.33、0.4、 0.5、0.55、1.1、 1.3mm不等
一路OK Boding、贴合等白光制程
什么是黄光?
ITO
PI
Metal (已喷AG)
反制程全制程
主要机台和常用药液
分为: Roller式 Slit式 Spin式
涂 布 机 :
清洗设备
清和曝光机 DNK曝光机
限于篇幅,仅举部分实例!
黄光制程银浆
黄光制程银浆摘要:一、黄光制程银浆概述二、黄光制程银浆的制备方法三、黄光制程银浆的应用领域四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景正文:一、黄光制程银浆概述黄光制程银浆,又称黄光蚀刻银浆,是一种在微电子制造领域中应用广泛的材料。
它是一种以银为主要成分的浆料,通过黄光制程技术,能够在特定波长的黄光照射下,实现对银膜的高精度蚀刻。
这种技术在现代微电子制造中起着举足轻重的作用,尤其在平板显示器、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛的应用。
二、黄光制程银浆的制备方法黄光制程银浆的制备方法通常分为以下几个步骤:1.配料:将银粉、有机溶剂、添加剂等原材料按照一定的比例混合在一起。
2.研磨:将混合好的材料进行充分研磨,使得银粉粒子达到所需的尺寸分布。
3.分散:将研磨好的浆料进行分散处理,使得银粉能够在有机溶剂中形成稳定的悬浮液。
4.过滤:对浆料进行过滤,去除可能影响蚀刻效果的杂质。
5.调光:通过调整黄光源的波长和强度,使得银浆在特定波长的黄光照射下能够实现高精度蚀刻。
三、黄光制程银浆的应用领域黄光制程银浆在微电子制造领域具有广泛的应用,主要包括以下几个方面:1.平板显示器:在生产平板显示器时,黄光制程银浆可用于制作薄膜电极、导线等部件。
2.触摸屏:在触摸屏制造过程中,黄光制程银浆可用于制作触摸感应器、电极等关键部件。
3.太阳能电池:在太阳能电池生产中,黄光制程银浆可用于制作电极、反射层等组件。
4.电子标签:在电子标签制造领域,黄光制程银浆可用于制作天线和导电图案等部分。
四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景黄光制程银浆具有以下优势:1.高精度蚀刻:黄光制程银浆在特定波长的黄光照射下,能够实现对银膜的高精度蚀刻,满足微电子制造领域对精细度的要求。
2.良好的稳定性:黄光制程银浆具有良好的稳定性,能够在一定程度上降低生产过程中出现的不良品率。
3.环保性能:相较于传统化学蚀刻方法,黄光制程银浆具有较好的环保性能,有利于实现绿色生产。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程,它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中,光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述,以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步:准备光罩首先,我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片,其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步:准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时,必须确保其表面平整且干净,以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步:涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上,然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀,并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后,通常使用烘烤等方法进行固化,以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步:对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上,并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置,确保图案的精确对齐。
然后,使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射,以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要,可影响芯片的精度和分辨率。
第五步:显影曝光后,将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉,从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步:清洗将经过显影的硅片进行清洗,去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术,以确保芯片表面的干净和平整。
第七步:检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性,以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步:后续处理根据芯片的具体用途,可能需要进行一些附加的工艺步骤,如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!一、前言黄光生产是一种重要的光学制造技术,广泛应用于LED、光电子、光通信等领域。
黄光制程银浆
黄光制程银浆1. 引言黄光制程银浆是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料,用于制作电子器件中的导电线路。
本文将详细介绍黄光制程银浆的定义、制备方法和应用领域,以及该材料的特性和优势。
2. 黄光制程银浆的定义黄光制程银浆是一种含有银颗粒的浆料,通过黄光制程技术在半导体器件制造过程中进行图案化。
黄光制程是一种光刻技术,通过光刻胶和光罩的配合,将银浆在半导体表面形成所需的导电线路图案。
3. 黄光制程银浆的制备方法黄光制程银浆的制备方法主要包括以下几个步骤:3.1 原料准备制备黄光制程银浆的原料主要包括银颗粒、有机溶剂、分散剂和胶凝剂等。
银颗粒是黄光制程银浆的主要成分,其粒径和分布对黄光制程的性能有重要影响。
3.2 混合和分散将银颗粒与有机溶剂、分散剂和胶凝剂等原料混合,并在适当的条件下进行搅拌和分散,以保证银颗粒均匀分散在溶剂中。
3.3 过滤和脱泡将混合的浆料通过过滤器进行过滤,去除其中的杂质和颗粒团聚物,以得到纯净的银浆。
同时,通过脱泡处理去除浆料中的气泡,以提高黄光制程的质量。
3.4 调整黏度和粘度根据具体应用的要求,调整银浆的黏度和粘度,以便在黄光制程过程中得到理想的涂布性和刻蚀性能。
3.5 包装和贮存将制备好的黄光制程银浆进行包装,并在适当的条件下进行贮存,以保证其稳定性和使用寿命。
4. 黄光制程银浆的应用领域黄光制程银浆广泛应用于各种电子器件的制造过程中,包括集成电路、平板显示器、太阳能电池等领域。
其主要应用包括以下几个方面:4.1 导电线路黄光制程银浆可用于制作导电线路,将其涂布在半导体表面,经过黄光制程后形成所需的导电线路图案。
4.2 电极黄光制程银浆可用于制作电极,如太阳能电池中的电极。
银浆具有高导电性和良好的光电特性,能够提高器件的性能和效率。
4.3 封装材料黄光制程银浆可用于制作封装材料,如集成电路中的封装材料。
其具有良好的粘附性和耐高温性能,能够有效保护器件并提高其可靠性。
5. 黄光制程银浆的特性和优势黄光制程银浆具有以下特性和优势:5.1 高导电性银颗粒是黄光制程银浆的主要成分,具有极高的导电性,能够满足各种电子器件对导电性能的要求。
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 :每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. (10000級)
❖溫 度 : 21℃-25℃ ❖溼 度 : 相對溼度 50﹪-70﹪ ❖靜電限制: 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解,達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈:由于感光性的原料,對紫外光或可見 光敏感,如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ,結果是電阻圖形邊緣模糊,從而降低產品的 質量,所以必須使用防紫外線燈,目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質(又稱光刻膠或光阻),經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用,然后進 行蝕刻去膜,最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術,并不 限于生產一種產品,目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形,可以將銅合金制作 成需要的形狀,各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ,容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
Remark: 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
镭雕制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 镭雕制 程 50*50u m 无 无 设计图 形不可 以更复 杂 50um 评判 较好 较好 较好
一般 一般 一般
是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度
一般
较好
பைடு நூலகம்
较好
一般
较好
较好
Remark:黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升,可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题,复杂ITO图案产品的批量性低。
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark:黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程,后续工站相同。
5.黄光制程与传统制程CTQ—关键工序控制点
黄光工艺 Photo
1.设计:大片上制作专 用标准测试图案, 2.监控点:线距 1.拉力测试 2.有效导电粒子数 3.作业风险(下文专述)
工艺 CTQ
ITO图案间距
酸刻工艺 Wet etching
1.监控点:开短路测试 。ITO间距为PR制程8~10 倍,风险极低 1.拉力测试 2.有效导电粒子数
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點:高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點:便宜
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例: 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說:
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註:三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度:20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點:光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
黄光制程简介
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern)的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分: 1 .步进式曝光机:Stepper 主要机台: Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机:Scanner 主要机台: Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分: 1 .I-Line 曝光机:365nm (Hg-Arc) 主要机台: Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机:248nm ,193nm (Laser) 主要机台: Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质,选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影,去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质,选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理,形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机,以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应,对制程参数和环境条件 要求极高,控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高,同时随着技术更新换代,设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中,黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能,降低不良率,提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展,产品对精度的要求越来越高,黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料,具有良好的透明性和机械性能,常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一,用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后,会发生化学反应,从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种,分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶,而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程:通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻),经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用,然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
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曝光波长:i线(365nm), h线(405nm), g线(436nm)。
Mask:也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理:在真空的石英管中加入 定量的高纯汞,通过对两端电极提供高电压 差,产生高热,将汞汽化,汞蒸气在高电位 差下,受激发而放电,从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素,就有催化及保护的功用。
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BM&OC1用的是Inkjet印刷,而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake :也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%,使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间,烘烤温度,烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常:玻璃受热不均,使光阻局部 过烤或烘烤不足,造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数:Roller的前挤量及下压量,涂布速度,
抽泵频率,抽泵强度。
主要参考参数:膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um),
膜层均匀性。
主要品质异常:涂布针孔、涂布箭影。
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CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater,Slit Coater,Spin
黄光制程银浆
黄光制程银浆摘要:1.黄光制程银浆的概述2.黄光制程银浆的应用领域3.黄光制程银浆的制备方法4.黄光制程银浆的优势与不足5.我国在黄光制程银浆领域的发展现状与前景正文:一、黄光制程银浆的概述黄光制程银浆,又称为黄光显影银浆,是一种在微电子制造领域中应用的特殊材料。
它是一种光敏树脂,通过黄光照射固化,能够在基材上形成一层具有高度分辨率的图案。
这种材料广泛应用于微电子制造、印刷电路板、液晶显示器等领域。
二、黄光制程银浆的应用领域1.微电子制造:在微电子制造领域,黄光制程银浆被用于制造集成电路、光电子器件等高精度电子产品。
2.印刷电路板:黄光制程银浆在印刷电路板制造中的应用,可以提高电路板的分辨率和可靠性。
3.液晶显示器:黄光制程银浆在液晶显示器制造中,主要用于制作显示器的像素结构,以提高显示效果。
三、黄光制程银浆的制备方法黄光制程银浆的制备方法主要包括光引发剂、树脂、溶剂和添加剂等原料的配制。
其中,光引发剂是决定银浆固化速度和效果的关键因素,树脂则是决定银浆性能的主要成分。
在制备过程中,需要将光引发剂、树脂、溶剂和添加剂按照一定的比例混合,并进行充分搅拌,以保证银浆的性能和稳定性。
四、黄光制程银浆的优势与不足优势:黄光制程银浆具有高度的光敏感性,能够在黄光照射下迅速固化,形成高度分辨率的图案。
同时,它还具有较好的耐热性、耐化学腐蚀性和电绝缘性。
不足:黄光制程银浆的制备过程较为复杂,对原料的比例和搅拌条件要求较高,制备难度较大。
此外,其固化后的银浆硬度相对较低,容易受到机械损伤。
五、我国在黄光制程银浆领域的发展现状与前景我国在黄光制程银浆领域的研究与应用已经取得了一定的成果。
目前,我国已经成功研发出多种黄光制程银浆产品,并广泛应用于微电子制造、印刷电路板和液晶显示器等领域。
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2. 光阻的分类
光阻分正光阻 ( Positive photoresist) 和负光阻 ( Negative photoresist)。感光的部分溶于显影剂(Developer)的叫正 光阻,感光的部分不溶于显影剂的叫负光阻。
Litho 光阻在图形中的作用:
• Used to “resist” etch. • Used to “resist” ion implantation. • Accurately “aligned” to other patterns. • Critically sized.
2-14 2-13 2-12 2-11 2-10 2-9
HHP HHP LHP CPL CWH CPL 2-18 2-17 ADH
3-24 3-23 CHP 3-22 CHP 3-21 CHP 3-20 3-19 CHP SHU SHU
2-16 2-15
3-27 3-26 3-25
LHP LHP LHP
俯视图
侧面图
Litho
显影的步骤:
第5步,冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温
俯视图
侧面图
Litho
检测系统
检测共分4个部份, 其中首3个用在产品. • OVERLAY • CD SEM • ADI INSPECTION • RESIST THICKNESS MEASUREMENT
Litho
Litho
什么是显影液:
• Developer is used to chemically develop the photoresist pattern on exposed wafers. The basic developer reacts with the exposureinduce carboxylic acid resist.
扩散 (Diffusion)
清洗 (Clean)
离子注入 (Implant)
Litho 什么是黄光区?
Litho
- Clean Room -
Separation Other Area Lithography Area † Clean
Materia l Selectio n
Cleaning System
第 3 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
Litho
显影的步骤:
第1步,曝光后之烘烤(PEB), 目的是减少驻波.
俯视图
侧面图
Litho
显影的步骤:
第2步,冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温
俯视图
侧面图
Litho
显影的步骤:
第3步,显影(DEVELOPING). 显现图
Litho
显影的步骤:
第4步,后烘(HARDBAKE). 使光阻硬化.
TRACK
NH3
† Wave Length Control Additional
PreFilter
Improved AD chamber “Class100”
within100(0.5umUP)/f3(0.028m 3)
Litho
Definition:
Photo in-line process flow overview
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
Litho
黄光制程简介
Litho
目录
• • • • • • • 半导体制程简介 黄光制程简介 涂胶系统 曝光系统 显影系统 检测系统 总结黄光制程
Litho
半导体制程简介
生长薄膜 (Thin film)
抛光 (CMP)
清洗 (Clean)
清洗 (Clean)
蚀刻 (Etch)
黄光 (Photo)
OVERLAY 的作用
------测量图形的对准状况. 机台外观:
现 层 前层
Litho
CD-SEM 的作用
-----测量图形的大小. 机台外观:
Litho
ADI INSPECTION 的作用
-----显影后, 检测晶圆上有没有瑕次. 机台外观:
Litho
厚度测量仪的作用
-----用来测量光阻的厚度
Motor Driver Reticle Zoom sigma lenses Quartz Rod
Litho
为什么要用Scanner
Litho
Scanner 工作原理图 1
Internal Reticle Masking
REMA Imaging Optics
Imaged Masking Blades For Maximizing Usable Reticle Area
Projection lens entrance pupil filling
4-3(Buff)
3-4 3-2
4-2(Buff) 4-1(Buff)
stepper
EXPOSURE
Cooling
EGA align Exposure
Etch
Rework
IN-LINE
TRACK
Scope($$$) OL measure CD measure Hard Bake Developing
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分: 1 .步进式曝光机:Stepper 主要机台: Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机:Scanner 主要机台: Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分: 1 .I-Line 曝光机:365nm (Hg-Arc) 主要机台: Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机:248nm ,193nm (Laser) 主要机台: Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
It’s pattern printing process on the resist coated wafer by UV exposure and pattern designed mask(Reticle).
Resist Coat UV Exposure
hv Reticle Gas
[1] General Flow
Litho
BARC HMDS coat
Deposition
Photo in-line process flow overview
BAKE(*) Cooling1 PR Coat(**) TARC(***) Soft Bake Cooling2
(*) Absolutely we remove moisture on the wafer before BARC coating : Secondary reaction (**) EBR is not absolute process : We can use WEE instead of EBR ==> Need recipe tuning (***) TARC should be coated after PR bake(Soft bake) : Do not TARC bake(Secondary reaction) ($) We can change from before exposure to after exposure for I-line,but DUV cannot. ($$) PED control is very important to maintain process performance for DUV,but I-line isn’t. ($$$) ADI procedure is important to reduce ADI loss : Scope ==> OL ==> CD
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern)的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
Photolithography
Film Deposition
Developing
Etch
Film Wafer
Photo resist Film Wafer
Photo resist Film Wafer
Film Wafer
Wafer
Photo
JOB
Pattern Size Control Pattern Profile Control Align Control between layer