黄光工艺介绍
CF黄光工艺说明(1)
BM光阻涂布 GPR
曝光
RPR
显影
R光阻涂布
曝光
BPR
显影 O/C
G光阻涂布
ITO
曝光
显影
PS PR
B光阻涂布
曝光
显影
O/C
Sputtering
PS光阻涂布
曝光
显影
CF成品
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
ITEM
Main Process Condition
Control Item
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
曝光机L stage 第2枚进入AOI
曝光机R stage 第2枚进入AOI
共
缺,Ove
rlay检
查
NG
共 缺,Ove rlay检
查 NG
OK
Coater追加投入
OK
曝光机L stage 第1枚进入Oven
Oven 后特性 值检查
OK
NG
生产继续
生产停止，重新 制作首件
黑矩阵 彩色层 保护层 ITO导电膜
偏光片 玻璃基板
配向膜
液晶层 玻璃基板
薄膜晶体管 偏光片
1.2 COLOR FILTER 制法分类和工艺流程
◆彩膜的制造工艺一般有染色法、电沉积法、印刷法、喷墨法和颜料分散法。各工艺的简单流程 如下
图所示：
ITO
Gelatin
Resist
感光性color Resist
曝光 显影 后烘 溅射
Gap；Dose； Temperature；
Chemical Type& Concentration: KOH, Na2CO3 ； Temperature；Time；
TP触摸屏的黄光工艺
TP触摸屏的黄光工艺黄光工艺黄光详细工艺黄光最详细工艺1. PR 前清洗A. 清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI 水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B. 干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
C. 十槽清洗机，PR 清洗机制程参数之设定：1—3 槽KOH 溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2 ㎡／n.,KOH 溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c ㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c ㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3 段温度为110℃±10℃。
注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH 溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢。
2. PR 涂佈光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合，综合性的精密表面加工技术。
光刻的目的就是按照产品设计要求，在导电玻璃上覆感光胶。
A．光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。
配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光工艺讲解
Q Technology Limited.
光刻要求
4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益。 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜 涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难。 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境 的温度控制要求十分严格，否则会影响光 刻质量。Leabharlann 昆山西钛微电子科技有限公司
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光刻机
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光刻机
接触式曝光 Contact printing
Mask P. R. SiO2
Si 优点：结构简单、产量高、成本低，光的衍射效应最小而 分辨率高，特征尺寸小。 主要缺点：容易造成掩模版和光刻胶的损伤。每一次接触 都有可能在掩模版和光刻胶上造成缺陷。
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光刻机
接近式曝光－proximity printing
d= 10 ~ 25 μm
最小线宽: W= (dλ)1/2 d:间隔； λ：光源波长 分辨率取决于间隙的大小，一般分辨率较差， 为2－4µm
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光刻初步
集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小， 也 与 光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的 技术水平。 所谓特征尺寸（CD：characteristic dimension） 是指设计的多晶硅栅长，它标志了器件工艺的总体 水平，是设计规则的主要部分。 通常我们所说的0.13m,0.09m工艺就是指的光刻 技术所能达到最小线条的工艺。
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻ag工艺
黄光蚀刻 AG 工艺是一种半导体制造中非常重要的工艺技术，它主要用于制作光刻胶图案以及图案转移至硅片表面的过程。
AG 工艺的主要步骤包括：前处理、光刻、蚀刻和清洗。
在前处理阶段，首先对硅片进行清洗，除去表面的杂质，然后进行氧化处理，形成一层氧化硅薄膜。
接着在氧化硅膜上涂覆一层光刻胶，使其表面变得均匀光滑。
在光刻阶段，使用光刻机进行曝光，将图案转移至光刻胶表面。
曝光后，使用显影液将未曝光的光刻胶去除，留下光刻胶图案。
在蚀刻阶段，将硅片放入蚀刻机中，蚀刻液会溶解未被光刻胶保护的硅片表面，留下光刻胶所保护的区域，形成精密的图像结构。
最后，进行清洗阶段，使用化学溶剂将光刻胶和残留的蚀刻液去除，使硅片表面干净透明。
AG 工艺在半导体制造中有着广泛的应用，例如制作集成电路、液晶显示器以及太阳能电池等领域。
它具有适应性强、制作精度高、可控性好等优点，成为了半导体工业中不可或缺的一环。
尽管 AG 工艺在制造过程中存在一些缺陷，例如光刻胶残留、图案偏移等问题，但通过不断的改进和优化，这些问题可以被有效地解决。
总之，黄光蚀刻 AG 工艺作为半导体制造中重要的工艺技术，在现代电子产业中发挥着重要的作用。
未来，随着技术不断的进步，AG 工艺将会更加高效、智能化，为电子制造产业的发展注入新的活力。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
oled 薄膜 黄光 阵列 工艺流程
oled 薄膜黄光阵列工艺流程
以下是OLED薄膜黄光阵列的工艺流程：
1. 基板清洗：将玻璃或塑料基板进行清洗，以去除表面的污垢和杂质。
2. 透明导电膜制备：在基板上涂覆一层透明导电材料，例如氧化锡或氧化铟锡。
3. 白色有机发光材料制备：制备一层白色有机发光层，这层层是OLED显示屏的一个重要组成部分。
4. 印刷黄色光栅：使用黄色光栅印刷技术，在白色有机发光材料上形成一个黄色的栅格。
5. 透明共层电极制备：在黄色光栅上涂覆一层透明电极材料，例如氧化锌。
6. 透明玻璃基板安装：将具有OLED结构的基板与透明玻璃基板粘合在一起。
7. 黄光曝光：使用精确的黄光曝光技术，通过光刻过程，在透明导电膜上形成一系列微小的电极结构。
8. 终端封装：将OLED结构的基板与其他组件（例如驱动电路和封装材料）封装在一起，形成完整的OLED显示屏。
这是OLED薄膜黄光阵列的基本工艺流程，实际流程可能因不同的制造商和产品而有所差异。
黄光生产工艺流程详解和注意事项
黄光生产工艺流程详解和注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!一、前言黄光生产是一种重要的光学制造技术，广泛应用于LED、光电子、光通信等领域。
黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光制造部工艺流程培训
黄光制造部工艺流程应知应会手册一、黄光各结构产品工艺流程1.1 MITO结构1.1.1单层1.1.2双层1.2 ITO+AG结构1.2.1单层1.2.2双层1.3 跳线结构二、各工序技术解析2.1老化工序2.1.1原理ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体，进一步调整基材内部的原子位置和分子结构，消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力，降低材料方阻，和后续的生产加工过程中及产品使用过程中，得到更稳定的物理尺寸、化学性能。
2.1.2 ITO导电膜1）常见ITO有高阻值膜（老化后表面方阻400±100欧姆）和低阻值膜（老化后表面方阻150±50欧姆），厚度50um、125um、175um。
现我司使用方阻为150±50欧姆，厚度为50um和125um。
2）ITO膜主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、Polyethyleneterephthalate 层（基材）、Under coating层（消影）、ITO层组成。
图2.1 ITO导电膜结构示意图3）材料基本性能表2.1 材料基本性能2.1.3管控重点1）参数管控①老化温度：ITO膜通过高温烘烤，若温度高时，材料变形；温度偏低或老化时间短，材料不能充分调质，表面阻值达不到规格内；老化温度不均匀时，老化后材料表面阻值不均匀。
②老化时间：老化过程时间短，ITO表面不能充分调质，导致阻值不均匀。
2）生产管控①清洁：老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。
老化过程中，若有异物落到材料上，烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。
2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表2.2压膜工序2.2.1原理利用温度、压力将感光材料（光阻/干膜）与导电膜（ITO膜或铜膜）压合在一起。
2.2.2材料特性1）金属铜膜：主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、PET层（即Polyethyleneterephthalate层基材）、Under coating层（消影）、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层（防氧化层）组成（图1），基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例，具体见表。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
➢光阻不被反應 ➢人員作業安全 黃光--最佳作業光源
光阻吸收光譜
以乾膜吸收為例： 乾膜-1
最易感光範圍-310 nm
安全範圍-450nm
乾膜-2
最易感光範圍-360 nm 安全範圍-460nm
乾膜-3
➢簡單來說：
最易感光範圍-310、355 nm 安全範圍-470nm
光阻於波長500nm以下會產生 反應(Cross- Link)
Holding 30 mins(使曝光後之乾膜聚合完全)
壓膜 (乾膜貼附於Film上)
曝光 (將Pattern轉移至乾膜上)
顯影 (將未曝光乾膜洗掉)
2天內須完成曝光(乾膜易變質)
1天內須完成顯影(乾膜易顯影不良)
曝光機型式
1.接觸式曝光機(Contact Mode) 備註：三廠、越南、惠州、一廠皆為接觸式
最簡單的設備 價格便宜(台幣1500萬) 解析力:約20um(500x500 mm) 對位精度：20um(500x500 mm) 光罩(底片)與產品直接接觸 缺點：光罩易受損、髒汙
14
鄰接式曝光機(Proximity Mode)
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
13
BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光工艺文档
黄光工艺1. 介绍黄光工艺（Golden Photolithography）是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺，主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。
它是将光通过透镜传导到光刻胶上，通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用，它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案，使得芯片性能得到提升。
本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤黄光工艺主要包括以下步骤： 1. 制备硅片：首先，需要选择适当纯度的硅片，并进行表面处理，以确保图案能够精准地转移到硅片上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。
3. 预烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤，使得光刻胶在硅片表面形成薄膜，并且排除其中的气泡。
4. 掩膜/曝光：在光刻胶表面放置一张掩膜，掩膜上有所需的图案，然后利用光刻机进行曝光，使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。
5. 显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使得未曝光的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。
6. 清洗：清洗已经显影完毕的硅片，去除掉余下的光刻胶和显影液。
7. 退火：通过高温退火的过程，使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。
8. 重复以上步骤：根据需要，可以重复以上步骤，逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理黄光工艺的原理是利用光的作用，将图案转移到光刻胶上。
其基本原理如下：1. 光刻胶的感光性：光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应，可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能：掩膜上有所需的图案，它会在光的照射下，将图案投射到光刻胶上。
3. 光的传导：通过光刻机中的透镜和光源，使得光能被聚焦并传导到掩膜上。
4.显影液的作用：显影液能够溶解掉未经曝光的光刻胶，使得图案出现。
4. 应用领域黄光工艺广泛应用于集成电路制造、光电子器件制造、传感器制造等领域。
它可以高精度地制造出微细的芯片结构，实现更小、更快的集成电路和传感器等器件。
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
4
光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
6
褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
黄光工艺介绍-20121230
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
2黄光制程的曝光原理黄光制程的曝光原理正负光阻正负光阻wwwsztoptouchcomuv光源mask光罩pritofilmmask光罩pritofilm曝光后曝光前未被mask遮挡的pr曝光后变成不溶于碱的物质形成负性光阻图案未被mask遮挡的pr曝光后变成溶于碱的物质形成正性光阻图案3黄光制程的流程黄光制程的流程基材光阻图案itofilmito基材pritouv光源光罩图案pritofilm基材基材光阻图案ito图案基材ito图案基材uv通过光罩上的图案照射到光阻膜上去制出光阻图案pr被uv照射后发生化学变化但是物理形态没有变化所以生成的光阻图案肉眼不可见碱性溶液中在光阻膜上形成与光罩图案相同或者互补的光阻图酸性溶液中未被光阻图案遮挡住的ito被溶解形成ito图酸性溶液中清晰掉光阻图案保留ito图案
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别 耐酸印刷制程 镭雕工艺 黄光制程 良率 98.5% 95% 99%以上 备注 容易受印刷品质的制约 ，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性 影响 良率高不受其它影响
半导体黄光工艺
半导体黄光工艺哎呀，说起半导体黄光工艺，这可真是个技术活儿，一般人还真不太了解。
不过，别急，让我给你慢慢道来。
首先，咱们得知道，半导体这玩意儿，就是那些小芯片，手机、电脑里头都有。
黄光工艺呢，就是制造这些芯片过程中的一个环节。
你可能会问，为啥叫黄光工艺呢？这得从光刻技术说起。
光刻嘛，就是用光把电路图案“刻”到硅片上。
而黄光，就是指的光刻机里头用的那种光源，是黄色的。
记得有一次，我去了一个朋友工作的半导体工厂参观。
那地方，真是高科技啊，到处都是穿着白大褂的工程师，还有那些闪着光的机器。
我朋友带我进了一个无尘室，说是为了保护那些娇贵的硅片不受污染。
我得说，那无尘室，比我家的厨房还干净！我朋友给我展示了黄光工艺的过程。
首先，他们把硅片放到一个特制的平台上，然后，用一种叫做光刻胶的东西涂在硅片上。
这光刻胶，就像是一种特殊的“墨水”，但是它对光特别敏感。
接下来，就是黄光工艺的关键步骤了——曝光。
他们用黄光照射那些涂了光刻胶的硅片，光通过一个特制的掩模，把电路图案“印”在光刻胶上。
这个过程，就像是用印章盖章一样，只不过印章是光，而纸是硅片。
曝光完成后，那些被光照射到的光刻胶会发生变化，变得可以被溶剂溶解。
然后，他们就用一种溶剂把那些变了性的光刻胶洗掉，剩下的就是那些没有被光照射到的光刻胶，形成了电路图案的“负像”。
这个过程，就像是用橡皮擦掉铅笔画的某些部分，留下的就是你想要的图案。
最后，他们用一种叫做蚀刻液的东西，把那些没有被光刻胶保护的硅片部分蚀刻掉，这样，电路图案就真正地“刻”在了硅片上。
这个过程，就像是用雕刻刀在石头上刻字，只不过这里的“石头”是硅片，而“雕刻刀”是蚀刻液。
整个过程，说起来简单，但实际操作起来，那可是需要极高的精确度和技术水平的。
我朋友告诉我，哪怕是一点点的误差，都可能导致整个芯片报废。
所以，那些工程师们，每天都得小心翼翼，一丝不苟。
这就是半导体黄光工艺的故事。
虽然听起来有点枯燥，但这就是现代科技的神奇之处，那些我们每天都在用的电子产品，背后都有这样精细的工艺支撑着。
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4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
制程类别
良率
耐酸印刷制程
98.5%
镭雕工艺
95%
黄光制程
99%以上
备注 容易受印刷品质的制约
3、黄光制程的流程
ITO
1 基材
PR 光阻
2 ITO
基材
UV光源
3 光罩图案
PR 光阻 ITO film
基材
光阻图案
4 ITO film
基材 光阻图案
5 ITO 图案
基材
6
ITO 图案 基材
基材退火 批附光阻
ITO缩水 压干膜
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见）
碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案
酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案
酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝光 显影 蚀刻 褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐
黄
镭
酸
光
雕
印
制
制
刷
程
程
制
程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对0*4
距
0um
好
蚀刻痕 无
好
是否扩 散
无
产品设 计图形 复杂的
程度
设计图 形可以 更复杂 ，性能
强大
较好 较好
精度 40um 较好
镭雕制程
制程规 镭雕制 格项目 程
评判
线宽线 50*50u
距
m
较好
蚀刻痕 无 较好
是否扩 散
无
较好
产品设 计图形 复杂的
程度
设计图 形不可 以更复
杂
较好
精度 50um 较好
2、黄光制程的曝光原理—正负光阻
UV光源
曝光前
Mask光罩 PR 光阻 ITO film
Mask光罩
曝光后 PR 光阻
ITO film
未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案
未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案