电磁场的边界关系
电磁场的边界条件
将⑧代入⑨,得: sin 2 cos 1 sin 1 cos 2 sin(1 2 ) rs sin 2 cos 1 sin 1 cos 2 sin(1 2 )
2n1 cos 1 ts n1 cos 1 n2 cos 2
对绝大多数物质, 1 2
所以得到方程:
E1 y z E1' y z E2 y z
z 0
⑥
代入边界条件,可得:
k1 cos 1 A1s k1' cos 1' A1' s k2 cos 2 A2 s
k1 k1' 整理得: cos 1 A1s cos 1' A1' s cos 2 A2 s k2 k2' k1 sin 2 将 代入上式,得: k2 sin 1
AB BC CD DA
针对麦克斯韦 方程组积分形 式的第三个与 第四个方程, 建立如左图模 型,积分可得
E2t CD ( E2 n DF E1n FA) 0
E1t E2t 同理可得 H1t =H 2t
电磁场边界条件
(1)电场强度E 在分界面上的平行分量连续。
从右图可以看出, 对于s光:
Ex 0 E y ES Ez 0
根据几何关系,可知:
k x k sin 1 , k y 0, k z k cos 1
对于单色平面光波: E0 e E
i[t ( k x x k y y k z z )]
将上面的结论带 i[1t ( k sin 1 x k cos1 z )] E E0 e 入方程可得: 对于s光,可以分解为:
i ( k2 sin 2 x )
【精品】第八讲:麦克斯韦方程组、电磁场的边界条件
第八讲:麦克斯韦方程组、电磁场的边界条件2.6麦克斯韦方程组2.7电磁场的边值关系1、了解麦克斯韦方程组的建立过程,掌握它的基本性质;2、了解边界上场不连续的原因,能导出电磁场的边值关系;3、掌握电磁场方程微分形式和边界形式的联系与区别。
重点:1)麦克斯韦方程组的基本性质;2)电磁场的边值关系 难点:电磁场切向边值关系的推导 讲授法、讨论 2学时2.6麦克斯韦方程组(Maxwell ’sEquations )一、麦克斯韦方程1865年发表了关于电磁场的第三篇论文:《电磁场的动力学理论》,在这篇论文中,麦克斯韦提出了电磁场的普遍方程组,共20个方程,包括20个变量。
直到1890 年,赫兹才给出简化的对称形式:00001(1)(2)0(3)(4)BE E tE B B J tρεμμε⎧∂∇⋅=∇⨯=-⎪∂⎪⎨∂⎪∇⋅=∇⨯=+⎪∂⎩实验定律3、法拉第电磁感应定律4、电荷守恒定律12314dq dq dF RR πε=S D dS q ⋅=⎰0l E dl ⋅=⎰34JdV R dB R μπ⨯=0SB dS ⋅=⎰()0=⋅∇B CH dl I ⋅=⎰()JH =⨯∇tB E ∂∂-=⨯∇ 0=∂∂+⋅∇tJ ρ 0J ∇⋅≡对矛盾的解决麦克斯韦理论稳恒况缓变情况2、毕奥-沙伐尔定律1、库仑定律()/ερ=⋅∇E()=⨯∇E t S d B dt d S ∂⎰⋅∂-=Φ-= ε0S QJ dS t ∂⋅+=∂⎰→上式即为真空中的麦克斯韦方程组,其中(2)(4)含有对时间的偏导数,对应 运动方程,(1)(3)为约束方程。
二、麦克斯韦方程组的基本性质 1、线性性麦克斯韦方程组是一组线性方程,表明场服从迭加原理。
2、自洽性方程组各个方程彼此协调,且与电荷守恒定律协调。
如(2)式和(3)式一致:由(2)式有:()0=∂⋅∂∇-=⨯∇⋅∇tBE⇒C B =⋅∇ ,考虑到静磁时0=⋅∇B,所以取0=C 。
第五节边值关系
第四节电磁场边值关系
一、介质边界面上的电磁现象
1 导体在静电平衡时的边界行为:
导体静电平衡时,场量的突变发生在界面上。因 为: 内部场强 外部场强
E内 0 E外 0
1)求 Dt 关系:
E2t E1t D2t
2
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D1t
1
2 1
D2t D1t
2)求 En 关系:
D2n D1n E2n 2 E1n1 2 1
E2n E1n
3)求 Bt 关系:
H 2t H1t B2t
2
B1t
1
2 1 B2t B1t
B 向量的法向关系: 将 B dS 0
s
用到小柱体上,可得
n ( B2 B1 ) 0
或 讨论:
B2n B1n 0
1)界面上 f 0 ,Dn 在两侧有突变。 界面上 f 0 ,Dn 在两侧连续。 2)界面两侧 Bn 线总连续。B2n B1n 3)已知 P n (P2 P ) 1
dl1 dl2
n
2 1
1
dl dl
将
L
H dl j f dS D
s s
t
dS
dl1
用到边界的长方形回路上去
L H dl l1 H1 dl1 l2 H 2 dl2 H dl h H1 l1 H2 l2 ( H1 H2 ) l s j f dS 回路面积 j f dS I 当 h 0 I f (l et ) f l (n e ) l (n f ) D dS 0 s t ( H1 H 2 ) l (n f ) l
电磁场的边界条件与电磁波的辐射和传播
电磁场的边界条件与电磁波的辐射和传播[摘要]:本文结合相关示意图简要总结了电磁场的边界条件,在参考大量相关文献的基础上,由边界条件出发分析了交变电磁场传播的原理,联系实际解释了电磁场的辐射和传播。
关键字:电磁场;电磁波;边界条件;辐射;传播。
一、电磁场的边界条件电磁场在两种不同媒质分界面上,从一侧过渡到另一侧时,场矢量E、D、B、H一般都有一个跃变。
电磁场的边界条件就是指场矢量的这种跃变所遵从的条件,也就是两侧切向分量之间以及法向分量之间的关系。
电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出,它实际上是积分形式的极限结果。
这些边界条件是:n·(D1-D2)=ρs; (1)n×(E1-E2)=0; (2)n·(B1-B2)=0; (3)n×(H1-H2)=J)s。
(4)式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量,场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρ为分界面上的自由电荷面密度,J为分界面上的传导电流面密度。
式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。
当分界面上无自由电荷时,两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。
式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。
式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的。
式(4)表示在分界面两侧磁场强度H的切向分量的差等于分界面上的表面传导电流面密度。
当分界面上无表面传导电流时,两侧磁场强度的切向分量相等,即其切向分量是连续的。
当媒质2为理想导体时,E2、D2、B2、H2等于零,式(1)表示D1的法向分量等于自由电荷面密度;式(2)表示E1无切向分量.式(3)表示B1的法向分量为零;式(4)表示H1的切向分量等于表面传导电流面密度,并且与电流方向正交。
二、电磁波的辐射和传播电磁波的产生与发射是通过天线来实现的。
由振荡电路产生的强大交变讯号通过互感耦合到天线上,天线就有交变电流产生,如下图所示。
电磁场的源与边界条件
q 所趋近的极限值就定义为点 P 的电 V
(r ) lim
式中 r 是源点的位失。
V 0
q dq V dV
2、 电荷面密度 在实际问题中,常会遇到电荷分布在薄层内的情况,如果薄层的厚度趋近于零,可近似 认为电荷分布在曲面上, 可以用电荷面密度 S (r ) 来描述其分布。 设曲面 S 上任一面元 S 内所包围的电荷量为 q ,则 S (r ) 定义为
3、磁感应强度 B 的散度、旋度和边界条件 (1)磁感应强度 B 的散度 根据磁通连续性原理的微分形式可知恒定磁场为无散场,故
B0
磁通连续性原理表明自然界无孤立的磁荷存在。上式即为麦克斯韦第二方程的微分形式。 (2)磁感应强度 B 的旋度 根据安培环路定理可得恒定磁场的磁感应强度 B 的旋度为
二、
电流及电流分布
电荷做定向运动形成电流,通常以电流强度来描述其大小。在电磁理论研究中,常用到 体电流模型,面电流模型和线电流模型。 1、 体电流 电荷在某一体积内定向流动形成的电流成为体电流。体电 流在导体内某一截面的分布用电流密度矢量 J 来描述,其定义 为:空间任一点 J 的方向是该点正电荷运动的方向, J 的大小 等于通过该点与 J 垂直的单位面积的电流,即
Nqd dS P dS P endS
因此,穿出闭合面 S 的正电荷为 P dS 。与之对应,留在闭合面 S 内的极化电荷量为
S
q p P dS PdV
S V
又由于
qP P dV
V
故有
P P
(2)极化强度 P 的旋度 对于各向同性和线性介质,有 P e 0 E ,其中合成电场强度 E 为自由电荷产生的外 电场 E 0 和极化电荷产生的附加电场 E 的叠加,由于两种电场强度的旋度都为零,故
电动力学-第一章-1.5 电磁场边值关系
j
0
t
2、库仑定律
F
1
4 0
V1 V2
12
r3
rd1d 2
1 Q1Q2 r.
40 r3
3、毕奥——萨伐尔定律
r B
xr
0 4
V
Jr
xr ' rr
r3
dV
'
4、法拉第定律
L
E
dl
S
B ds t
5、洛仑兹力
F Fe Fm q(E v B)
整体
f
(
E
v
B)
4
3
r23 r13
f
D
r23 r13 3
f
1 r2
,
r
r2
ÑS E dS V f dV
P e0E
D 1 e 0E E
4 r2D 4 3
r3 r13
f
D
r3 r13 3
f
1 r2
, r2
r
r1
E D
P
1
0
D
注意球内球外的ε不同
D 0,r r1
r
f
0
P
理想导体表面边界条件σ=∞
• 设介质1为理想导体,理想导体内电场为 0(否则J为∞),对应的磁场也为0
• 介质2边界上的场强满足
en H ar en E 0
en D f
en B 0
理想介质σ=0
• 如果媒质1和2为理想介质,在求时变场时 认为表面不存在自由面电荷和面电流
D 0E P P e0E
H B M
0
M
D
mH
0
1
e
电磁场的源与边界条件
根据安培环路定理可得恒定磁场的磁感应强度 B 的旋度为
当有磁介质存在时,上式变为
B 0J B 0 (J JM )
式中 J 为传导电流密度, J M 为磁化电流密度。
(3)磁感应强度 B 的边界条件 将积分形式的麦克斯韦第三方程应用于如图 4 所示的圆
柱,易得
en (B1 B2 ) 0 上式表明磁感强度的法向分量是连续的。
球的极限当带电体的尺寸相对于观察点至带电体的距离可以忽略时,就可以认为电荷分布于
带电体中心上,即将带电体抽象为一个几何点。点电荷的电荷密度分布可以用数学上的 (r )
来描述。
二、 电流及电流分布
电荷做定向运动形成电流,通常以电流强度来描述其大小。在电磁理论研究中,常用到 体电流模型,面电流模型和线电流模型。 1、 体电流
移矢量的切向分量是不连续的(两种介质的 通常不等)。
3、磁感应强度 B 的散度、旋度和边界条件
(1)磁感应强度 B 的散度 根据磁通连续性原理的微分形式可知恒定磁场为无散场,故 B0
磁通连续性原理表明自然界无孤立的磁荷存在。上式即为麦克斯韦第二方程的微分形式。 (2)磁感应强度 B 的旋度
即
故有
(P1 P2 ) enS SPS
en (P1 P2 ) SP 上式表明极化强度的法向分量是不连续的。一般情况下,其切向分量也不连续。
7、磁化强度 M 的散度、旋度和边界条件
7/9
电磁场与电磁波
第二章 电磁场的基本规律
学习报告
(1)磁化强度 M 的散度
对于各向同性和线性磁介质, M m H ,由于 H 的散度为零,故
自然界中存在两种电荷:正电荷和负电荷。带电体上所带的电荷是以离散的方式分布的, 任何带电体的电荷量都是基元电荷的整数倍,但在研究宏观电磁现象时,人们关注的是大量 微观带电粒子的整体效应,因此可以认为电荷是以一定形式连续分布的,并用电荷密度来描 述电荷的分布。 1、 电荷体密度
电磁场的边界条件
电磁场与电磁波
第 2 章
电磁场的基本规律
§8
边界条件的推证 (1) 电磁场量的法向边界条件
ΔS
媒质1
en
S
媒质2
D1
Δh
在两种媒质的交界面上任取一
点P,作一个包围点P 的扁平圆柱 曲面S,如图表示。 令Δh →0,则由
P
D2
即 同理 ,由
S
D dS
d
x
π ez sin( z ) cos(t k x x) (A/m) 0 d k x E0
(2) z = 0 处导体表面的电流密度为
J S ez H
z 0
πE0 ey sin(t k x x ) 0 d
(A/m)
z = d 处导体表面的电流密度为
J S ( ez ) H
E1 ( z , t ) ex [60 cos(15 108 t 5 z ) 20 cos(15 108 t 5 z )] V/m
媒质2中的电场强度为
(1)试确定常数A的值;(2)求磁场强度 H 1 ( z , t ) 和 H 2 ( z , t ) ; (3)验证 H 1 ( z , t ) 和 H 2 ( z , t ) 满足边界条件。
H1 1 1 E1x E1 ey t 1 1 z 1 e y [300sin(15 108 t 5 z ) 100sin(15 108 t 5 z)] 0
将上式对时间 t 积分,得
1 2 7 8 H1 ( z , t ) ey [2 10 cos(15 10 t 5 z ) 10 7 cos(15 108 t 5 z )] A/m 0 3
电磁场边值关系
S
t (E2 E1) 0
E1//
E2
n21
t
E2 //
2
1
或者
t (E2// E1// ) 0
E1
17
由于 t 是分界面上的任意一个
单位矢量,因此
E2 // E1//
——在界面处电场的切向分 量是连续的;
E1//
上式也可以写成
n21
D2 D1
f
n
由高斯定理可得,交界面上自由 电荷量的面密度为
f D2n D1n
(注:由于此处 n 法向矢量定 义成是从介质1指向介质2的)
2 E2n 1E1n
28
14
2010-9-9
f 2 E2n 1E1n
又根据欧姆定律:
n21
D2
2
1
D1
7
假设:交界面上的有自由电荷面分布
D S
dS
Qf
Qf f S
Q f D2 n21S D1 n21S
D dS S侧
根据 D dS 0 ,得到 S侧
D2
n21
D1
n21
f
——(5.5)
④ 电场法向和磁感应强度的切 向在边界上一般会有跃变。
25
H
Jf
D t
H
L
dl
If
d dt
D dS
S
电磁场边值关系
D E
2 E2n 1E1n f 如果 f 0
2 E2n 1E1n P 0 ( E2n E1n )
P P1n P2n
磁感应强度和磁场强度的边值关系。
SB dS 0
en (B2 B1 ) 0
荷:
DE
en (D2 D1 ) f
f f
E2
2
E1
1
(D2n D1n ) f
下板与介质1: 上板与介质2:
D1 f D2 f
讲时斟酌:考虑面电荷密度 的正负问题
E1
D1
1
f 1
,
E2
D2
2
f 2
由总电场的麦克斯韦方程(5.2)式得:
场线的性质均体现在电磁场的基本规律当中:高斯定理、环路定理,此处 又以边值条件的形式体现出来,殊途同归!
2.切向分量的跃变
沿介质表面流动的电流可以有两种处理方法: 1)有一定厚度的薄层(按体电流处理); 2)没有厚度的几何面(按面电流处理)。
上述1)的情况,厚度趋于零,沿电流方向变 成了横截线(与2相同),故引入电流线密度。
D dS
S
LE
dl
d dt
SB dS
D dS S
Qf
B dl
L
0 I f
0 0
d dt
E dS
S
M dl L
0
J M dS
电磁场三类边界条件
电磁场三类边界条件电磁场三类边界条件电磁场的边界条件是指在介质边界处,电场和磁场的变化情况。
根据边界条件的不同,可以将其分为三类:第一类边界条件、第二类边界条件和第三类边界条件。
下面将详细介绍这三类边界条件。
一、第一类边界条件第一类边界条件也称为零法向电场和零切向磁场边界条件。
它是指在介质表面上,法向于表面的电场强度和切向于表面的磁感应强度均为零。
1. 零法向电场在介质表面上,由于介质内部和外部存在不同的电荷分布情况,因此会产生一个法向于表面方向的电场。
而当这个电场穿过介质表面时,就会发生反射和折射现象。
为了描述这种现象,我们需要引入一个重要的物理量——法向于表面方向上的电通量密度。
根据高斯定理可知,在任意一个闭合曲面内部,通过该曲面的总电通量等于该曲面所包围空间内部所有自由电荷之代数和。
因此,在介质表面附近,我们可以将其看作一个微小的闭合曲面。
则在该曲面上的电通量密度可以表示为:$$\vec{D_1}\cdot\vec{n}=\rho_s$$其中,$\vec{D_1}$表示介质1内部的电位移矢量,$\vec{n}$表示介质表面法向矢量,$\rho_s$表示表面自由电荷密度。
当我们将这个式子应用于介质表面时,可以得到:$$D_{1n}=\rho_s$$其中,$D_{1n}$表示介质1内部法向于表面方向上的电场强度。
由于介质表面上不存在自由电荷,因此$\rho_s=0$。
因此,在第一类边界条件下,法向于介质表面方向上的电场强度为零。
2. 零切向磁场在介质表面上,由于介质内部和外部存在不同的磁场分布情况,因此会产生一个切向于表面方向的磁感应强度。
而当这个磁场穿过介质表面时,就会发生反射和折射现象。
为了描述这种现象,我们需要引入一个重要的物理量——切向于表面方向上的磁通量密度。
根据安培环路定理可知,在任意一个闭合回路上,通过该回路的总磁通量等于该回路所包围空间内部所有电流之代数和。
因此,在介质表面附近,我们可以将其看作一个微小的闭合回路。
电磁场的边值关系
dS
d dt
dV n
V
J2 J1
t
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边值关系一般表达式
nˆ
(D2
D1 )
nˆ
(B2
B1 )
0
nˆ nˆ
E2 H2
E1 H1
0
理想介质边值关系表达式
nˆ
( D2
D1 )
0
nˆ
(
B2
B1 )
0
nˆ nˆ
E2 E1 0 H2 H1 0
f 0, p 0 总不连续
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对均匀各项同性线性介质 D E
2E2n 1E1n f
n
D2 D1
f
f 0
1E1n 2E2n
p 0 E2n E1n
n
E2 E1
f p 0
p P1n P2n
P
n
(P2
P1)
2、B 、H 的法向分量边值关系
2、在不同介质分界面处,由于可能存在电荷电 流分布等情况,使电磁场量产生突变。微分方程 不能适用,但可用积分方程。从积分方程出发, 可以得到在分界面上场量间关系,这称为边值关 系。它是方程积分形式在界面上的具体化。只有 知道了边值关系,才能求解多介质情况下场方程 的解。
机动 目录 上页 下页 返回 结束
sB ds 0
n B2 B1 0, B1n B2n
对于均匀各项同向介质 1H1n 2H2n , 不连续
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二、切向分量边值关系
1、H
的 边值关系D
L H dl s(J t ) dS
H2
H1
t
电磁场的边值关系
电磁场的边值关系
电磁场的边值关系(Boundary Conditions of Electromagnetic Fields)指的是电磁场在介质的边界上的特定关系,它是电磁波在传播过程中的必要条件。
电磁场的边值关系分为两类,一类是对于电场E的边值关系,另一类是对于磁场H的边值关系。
在介质中,这两种边值关系是紧密联系的。
当电场E穿过介质的边界面时,它的法向分量和切向分量都必须满足特定的关系。
(1)法向分量的边值关系
介质的边界面上,电场E的法向分量在两侧必须相等,即:
E1n=E2n(E1n和E2n分别指介质1和介质2中的法向分量)
切向分量的边值关系表明当同一方向的介质具有不同的电介质常数时,电场的切向分量必须改变。
对于切向分量,边值条件给出:
其中t是电场的切向分量。
3、感性负载边值关系
Ht=0(Et指介质中的电场,Ht指磁场的切向分量)
4、电荷面边值关系
在电荷面(surface charge)处,边值条件根据垂直于表面和平行于表面的分量分别给出:
D1n-D2n=σ(Dn指电通量密度的垂直分量,σ指表面电荷密度)
总结:
电磁场在介质中的边值条件是电场和磁场的法向分量必须连续而且相等,切向分量必须满足介质电介质常数的改变,而感性负载和电荷面的情况则有不同的边值条件。
这些边值条件对于电磁波在导体中的散射以及无线电波的传输等问题都起到了至关重要的作用。
第3讲 电磁场的边界条件
en E1 0 en D1 S
第三讲 电磁场的边界条件
三、几种常见边界条件
2、恒定电场的边界条件
场矢量的边界条件
en
媒质1 媒质2
S
J dS 0 E dl 0
1
E1
C
en ( J1 J 2 ) 0 en ( E1 E2 ) 0
第三讲 电磁场的边界条件
第三讲
电磁场的边界条件
第三讲 电磁场的边界条件
三个问题
问题一:什么是电磁场的边界条件?
问题二:为什么要研究边界条件 ?
问题三:如何讨论边界条件 ?
第三讲 电磁场的边界条件 什么是电磁场的边界条件?
电介质
q
E=0 E≠0
q
介质球
ε ε0
导体球
导体球表面: E=?
D(r ) er
第三讲 电磁场的边界条件 为什么要研究边界条件 ?
物理:由于在分界面两侧介质的特性参
数发生突变,场在界面两侧也发 生突变。麦克斯韦方程组的微分
媒质1 媒质2
en
形式在分界面上失去意义,必
须采用边界条件。
数学:麦克斯韦方程组是微分方程组,其 解是不确定的,边界条件起定解的 作用。
第三讲 电磁场的边界条件 如何研究边界条件 ?
1
E1
1
E2
2
2
• 两种电介质分界面
en ( E1 E2 ) 0 en (D1 D2 ) 0
• 场矢量的折射关系
• 导体与电介质分界面
tan 1 E1t / E1n 1 / D1n 1 tan 2 E2t / E2n 2 / D2n 2
电磁场三类边界条件
电磁场三类边界条件介绍在电磁学中,边界条件是解决电磁场问题时的重要问题之一。
电磁场三类边界条件指的是麦克斯韦方程组在不同介质之间的边界上的满足条件。
这些条件在电磁场问题的求解中起到了关键的作用。
在本文中,我们将详细探讨电磁场三类边界条件的定义和应用。
一、第一类边界条件第一类边界条件也称为电磁场的法向边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的法向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的法向分量E n1和E n2满足:E n1=E n2;2.在介质边界上,磁场的法向分量H n1和H n2满足:H n1=H n2。
第一类边界条件体现了介质边界上的电场和磁场的连续性。
二、第二类边界条件第二类边界条件也称为电磁场的切向边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的切向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的切向分量E t1和E t2满足:E t1ϵ1=E t2ϵ2;2.在介质边界上,磁场的切向分量H t1和H t2满足:H t1μ1=H t2μ2。
其中,ϵ1和ϵ2分别为两个介质的介电常数,μ1和μ2分别为两个介质的磁导率。
第二类边界条件体现了介质边界上的电场和磁场的连续性和切向分量之间的比例关系。
三、第三类边界条件第三类边界条件也称为电磁场的混合边界条件。
其主要定义了电场和磁场在边界上的法向分量和切向分量之间的关系。
具体表达如下:1.在介质边界上,电场的法向分量E n1和E n2满足:E n1=E n2;2.在介质边界上,磁场的法向分量H n1和H n2满足:H n1=H n2;3.在介质边界上,电场的切向分量E t1和E t2满足:E t1ϵ1=E t2ϵ2;4.在介质边界上,磁场的切向分量H t1和H t2满足:H t1μ1=H t2μ2。
第三类边界条件综合了第一类和第二类边界条件,体现了介质边界上的电场和磁场的连续性以及法向分量和切向分量之间的比例关系。
四、应用举例电磁场三类边界条件在电磁学中的应用非常广泛,下面我们以几个实际问题为例,说明其应用方法:例一:平行板电容器考虑一对平行金属板构成的电容器,两板之间填充了介电常数为ϵ的均匀介质。
边值关系
§5 电磁场的边值关系
内容提要: 一、法线分量的边值关系 二、切向分量的边值关系 三、其它边值关系
引言: 边界上的电磁场问题
r M θ
erφ erR
3、无限大平行板电容器内有两层介质,板上面
ev电n 解荷:分(布1为)±根均σ据匀f 对,场称求,性电极,场板电和为场束导沿缚体e电r,n 方荷在向分分,布界且。面为处满足
−σ f ε2
( ) ern ⋅
rr D2 − D1
=σ
r E1
=σf ε1
evn
r E2
=σf ε2
evn
= −σ r M1 =
p
αrM
束缚电荷 面密度
磁化电流 面密度
( ) ∫ ∫ r
sJM
⋅
r dS
=
−
d dt
ρdV ⇒ nr ⋅
V
rr J2 − J1
= − ∂σ ∂t
以后在公式中出现的σ和α, 除特别声明者外,都代表自由电荷面密 度和自由电荷线密度,不再写出角标f。
( ) 切
向
nv ×
矢Ev2量−形Ev式1 = 0
H 2t − H1t = αt
1
H 2t − H1t = αt
上式可以用矢量形式表示。设
Δl为界面上任一线元,t 为Δl 方 向上的单位矢量。 流过了Δl 的 自由电流为
I f = nv × Δlv ⋅αv f = αv f × nv ⋅ Δlv
ar ⋅ (bv ×cr)
电动力学1-5 电磁场边值关系
麦氏方程组的积分形式为: 麦氏方程组的积分形式为:
d ∫LE ⋅ dl = − dt ∫SB⋅ dS H ⋅ dl = I + d D⋅ dS ∫L f dt ∫S ∫SD⋅ dS = Q = ∫V ρ ⋅ dV ∫SB⋅ dS = 0
(1) (2) (3) (4)
第五节 电磁场边值关系
麦克斯韦方程组可以应用于任何连续介质内 部。在两介质分界面上,由于一般出现面电荷、 在两介质分界面上,由于一般出现面电荷、 面电流分布,使物理量发生跃变, 面电流分布,使物理量发生跃变,微分形式的麦 克斯韦方程组不再适用。 克斯韦方程组不再适用。 因此, 因此,我们要用另一种形式描述界面两侧的 场强以及界面上电荷电流的关系。 场强以及界面上电荷电流的关系。
由此看出, 由此看出,极化矢量的跃变与束缚电荷面密度相 的跃变与自由电荷面密度相关, 关,Dn的跃变与自由电荷面密度相关,En的跃变 与总电荷面密度相关。 与总电荷面密度相关。 由上面的推导我们可以看清楚自由电荷和面束缚 电荷在边值关系中所起的作用。 电荷在边值关系中所起的作用。由于在通常情况 下只给出自由电荷,因而实际上主要应用关于D 下只给出自由电荷,因而实际上主要应用关于 n 的边值关系式。 的边值关系式。
ε0 ′ σP = −σf +ε0E1 = −σf 1− ε 1
在介质2与上板分界处, 在介质 与上板分界处, 与上板分界处 ε0 ′′ σP = σf −ε0E2 = σf 1− ε 2 容易验证
′ ′′ σP +σP +σP = 0
说明介质整体是电中性的。 说明介质整体是电中性的。
n×(H2 − H1)// = n×(H2 − H1)
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§1-6电磁场的边值关系
应用小圆柱体:则上式左边面积应遍及整个 圆柱体表面:则
B d 顶 B d 壁 B d 底 B d
设圆柱体的面积很小,可以认为B在此范围 内是常数:
则上式变为 :
B 1 n 1 A B 2 n 2 A 壁 B d 0
§1-6电磁场的边值关系
两E •种dl形式的 B 麦t•克d斯韦方程组:EBt
D •d Q
•D
B • d 0
•B0
H •dlI D t•d
H jD t
§1-6电磁场的边值关系
电磁场的波动 性:
E
B t
D
E
0
B 0
E
B
(1) (2)
(3)
B 0
H
j
D t
B
t
E
t
(4)
j E
电导率
D E
介电常数
H
1
B
磁导率
§1-6电磁场的边值关系
无限大、均匀、透明介质中电磁场的波动
方程:
2E 2B22tBE 2
t2
2
2 x2
2 y2
2 z2
§1-6电磁场的边值关系
(2)波动方程解的基本形式:
平面电磁波:
E f 1 ( z v ) f t 2 ( z v )t
球面波简谐表达:E A ( r,tA )1 eA rx 1ic (k p o k r s r t)t 0
r
0
A 柱(r面,t)波简A rc 谐o 表k达 sr :t0
E A exi(k p rt)
r
0
§1-6电磁场的边值关系
(3)从表达式中可以获得的信息: 介质折射率: 传播速度与方向: 偏振方向: 周期、频率、角频率: 空间周期、空间频率、空间角频率: 平面电磁波的性质:
在光学中,常常要处理光波从一种介质到另一 种介质的传播问题,由于两种介质的物理性质 不同(分别以1、1 和2、2 表征),在两 种介质的分界面上,电磁场将不连续,但他们 之间仍存在一定关系,通常把这种关系称为电 磁场的边值关系。
§1-6电磁场的边值关系
由于界面两侧的电磁场在介面上并不连续, 因此不能从麦克斯韦方程的微分形式出发来
,此外长方形的高h0,
则沿BC, DA的积分趋于0,
并且,由于面积趋向于零,而 B t
为有限量,则
Edl (
AB
BC
CD D)AE•dl
于是:
B t •d0
A E • d l B C E • d l D 0 或 E 1 t 1 l E 2 t 2 l 0
§1-6电磁场的边值关系
式中 n1,n分2 别为柱顶和柱底的外法线单位矢 量。当高 h0时
上式第三式也趋于零,并且柱顶和柱底趋近 分界面。
以 n 表示分界面法线方向的单位矢量(方向 从介质2指向介质1)则有 :
nn 1 n 2
§1-6电磁场的边值关系
于是:
n•(B1B2)0或
B1n B2n
电磁场的边界关系
§1-6电磁场的边值关系
1.前面内容回顾: 2.分界面上电磁场法向分量的关系: 3.分界面上电磁场切向分量的关系:
§1-6电磁场的边值关系
一、内容回顾: 1.对已讲内容的要求: (1).了解光的电磁理论、电磁场的波动性; (2).彻底掌握光波在介质中的传播速率、介
质折射率的物理意义及其表达式; (3).深入理解平面、球面、柱面简谐光波场
s 1 SdtA2 1 cos2(krt)dt
0
0
1A2 1 A2
2
2
通常可以写为:
I A2
计算光强时可以用:
~ ~ I A 2E E *
§1-6电磁场的边值关系
二、本节内容的说明:
为了解释一平面波(单色简谐)射向界面时, 其反射波、折射波传播方向的改变规律和振幅 改变规律(前者为反射定律,后者为折射定 律)。
推导,而应从积分形式出发来讨论:
积分形式的麦克斯韦方程 :
D
d
Q
B E Hd
d
dl l I
0
B t
D t
d d
§1-6电磁场的边值关系
三、分界面上法向分量 n1
:
δS
δh
n
ε1μ1
ε2μ2
n2
设:在分界面上作出一个扁平的小圆柱体的 Nhomakorabea 高为 h
圆面B 积为d s 0 ,由上第2式 :
的时间、空间特性,以及描述平面、球面、 柱面简谐光波的数学表达式中各项参数的物 理意义;
§1-6电磁场的边值关系
(4).牢固地掌握光强的概念和计算相对光 强的方法;
2.已讲授的基本结论: (1).光的电磁理论、电磁场的波动性:
光的电磁理论的提出是人们在电磁学方面已有了 深入研究的结果。1864年麦克斯韦把电磁规律总 结为麦克斯韦方程组,建立起完整的经典电磁理 论,同时指出光也是一种电磁波,从而产生了光 的电磁理论。
上式表明,在通过分界面时,
磁感应强度B虽然整个的发生跃变,但它 的法向分量却是连续的。
§1-6电磁场的边值关系
在各向同性、均匀、透明介质中,
由于其Q=0则,同样由 D •d Q
可以得到: n•(D 1D 2)0或
D1n D2n
即:在分界面上没有自由电荷的情况下,电感 强度的法向分量 也是连续的。
§1-6电磁场的边值关系
(4)关于光强的概念:
若单位时间内穿过与K相垂直的单位面积的 为能量S (功率密度) ,通常把S在接收器
能分辨的时间间隔内的平均值叫做电磁波 的强度I。
表达式:
1
I
s
sdt
0
考虑到传播方向,可以定义波印廷矢量
S
1
EB
§1-6电磁场的边值关系
平面电磁波的强度:
球面电磁波:
柱面电磁波:A (r,t)1 rB 1(rv)tB 2(rv)t
E A rC 1 (r v) tC 2(r v)t
§1-6电磁场的边值关系
三种基本形式的简谐表达:
平面波简谐表达: E A co 2 s (z v)t E A ei ( x k r p t )
§1-6电磁场的边值关系
四、电磁场切向分量的关系:
把小圆柱换成一个矩形面积ABCD如图1-
19所示:由于
A
ε1μ1 t
δl
t1
B
δh
EdlBtdε2μ2
D
t
2
C
dlE取 dAlB (C 切 ADB线 BC方 C向 D, D)AE则 •dlBtd
§1-6电磁场的边值关系
若AB和CD长度很短,则在两线段内E 可认 为是常数;在介质1和介质2内分别为E1和E2