第二章三极管练习题

第二章三极管练习题

一、填空题：

1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=

6.5V,U2=

7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

11.在正常工作范围内，场效应管极无电流

12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。

13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。

14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。

16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。

二、选择题：

1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。

A、放大

B、截止

C、饱和

D、损坏

2、三级管开作在放大区，要求（）

A、发射结正偏，集电结正偏

B、发射结正偏，集电结反偏

C、发射结反偏，集电结正偏

D、发射结反偏，集电结反偏

3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（）

A 可变线性区

B 截止区

C 饱合区 D击穿区

4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V，V E=3V，V B=3.7V，则该管工作在（）

A．饱和区B．截止区

C．放大区D．击穿区

5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。

A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA

C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA

6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）

A V C =0.3V ，V E =0V ， V

B =0.7V B V

C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V

D V C =2V ， V

E =2V ， V B =2.7V 7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）

A ．均为正偏

B ．均为反偏

C ．发射结正偏，集电结反偏

D ．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（ ） A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。 9.场效应管是一种（ ）器件

A 、电压控制 双极型

B 、电压控制 单极型

C 、、电流控制 双极型

D 、电流控制 单极型、

10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。

A 、 放大

B 、截止

C 、饱和

D 、损坏

11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( ) 。

A. 83

B. 91

C. 100

12、工作于放大状态的PNP

管，各电极必须满足（ ）

A ．ＵC > U

B > UE B 。Ｕ

C< UB < UE C 。UB >ＵC > UE D 。ＵC > UE > UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型

NMOS 管 （ ）

A ．

B 。

C 。

D 。

14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、

判断图示三极管的工作状态。 2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。

2V

(c)

(a) (b)

V CC

u o u i

(a)

V CC

u o u i

(a) -3V (b) (c) 0V (d)

3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。

4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。

5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。

6．三极管是电压放大元件。 7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成 8、若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。 10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。

11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。

四、识别题

用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）判断是PNP 还是NPN 管? （3）图上标出管子的E.B.C.极

（4）估算管子的ß值.

(a)

(b) (c) 0V (d)